JPS6035243Y2 - 半導体リ−ドレスパッケ−ジ - Google Patents
半導体リ−ドレスパッケ−ジInfo
- Publication number
- JPS6035243Y2 JPS6035243Y2 JP3206980U JP3206980U JPS6035243Y2 JP S6035243 Y2 JPS6035243 Y2 JP S6035243Y2 JP 3206980 U JP3206980 U JP 3206980U JP 3206980 U JP3206980 U JP 3206980U JP S6035243 Y2 JPS6035243 Y2 JP S6035243Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- semiconductor
- hole
- leadless
- connection electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は外部リード端子を形成しない半導体リードレス
パッケージの新規な構造に関する。
パッケージの新規な構造に関する。
従来、リードレスキャリアとも称されて外部リード端子
をもたないでパッケージ外周面に電極パッドを形成し、
プリント板の回路配線上に載置して直接半田付けする半
導体リードレスパッケージがあるが、この型のパッケー
ジはプリント板への実装密度を上げて、電子機器をコン
パクトにするために考えられたもので、第1図に従来の
リードレスパッケージの断面構造の一例を示している。
をもたないでパッケージ外周面に電極パッドを形成し、
プリント板の回路配線上に載置して直接半田付けする半
導体リードレスパッケージがあるが、この型のパッケー
ジはプリント板への実装密度を上げて、電子機器をコン
パクトにするために考えられたもので、第1図に従来の
リードレスパッケージの断面構造の一例を示している。
図に示す様に、セラミック基板1内に半導体チップ2を
取り付け、そして該基板1内の配線パターン3にワイヤ
ーボンデング4を行ない、該配線パターン3をセラミッ
ク基板1中を通って基板外側面に導出し、これを外側面
に設けた導出配線3′を介して基板1の底面まで導いて
いる。
取り付け、そして該基板1内の配線パターン3にワイヤ
ーボンデング4を行ない、該配線パターン3をセラミッ
ク基板1中を通って基板外側面に導出し、これを外側面
に設けた導出配線3′を介して基板1の底面まで導いて
いる。
なおパッケージ外周面に露出した導出配線3′には鍍金
又は半田浸漬5をなし、また基板底面の接続電極部6は
電極パッドと呼ばれ、定量の半田を耐着せしめている構
造であり、さらに配線パターン3及び導出配線3′は導
電ペーストによりセラミック基板1と同時に又は後工程
で焼成してメタライズ層としたものである。
又は半田浸漬5をなし、また基板底面の接続電極部6は
電極パッドと呼ばれ、定量の半田を耐着せしめている構
造であり、さらに配線パターン3及び導出配線3′は導
電ペーストによりセラミック基板1と同時に又は後工程
で焼成してメタライズ層としたものである。
又内部はキャップ7により気密封止されている。
ところで、最近では半導体装置が進歩するに従ってMO
3型半導体素子は勿論のこと、バイポーラ型半導体素子
でさえ、デリケートな電気的特性に形成され、静電気放
電によって特性が容易に破壊され易く、そのために取扱
者の衣服を接地したり、導電性のキャリアを使用したり
又は室内の湿度を調整したりしているが、いずれも決定
的な静電気防止方法とはなっていない。
3型半導体素子は勿論のこと、バイポーラ型半導体素子
でさえ、デリケートな電気的特性に形成され、静電気放
電によって特性が容易に破壊され易く、そのために取扱
者の衣服を接地したり、導電性のキャリアを使用したり
又は室内の湿度を調整したりしているが、いずれも決定
的な静電気防止方法とはなっていない。
特に半導体素子が高集積化されることによって接続電極
数も増加し、それに伴ない静電気放電による事故も増え
ているが、これに加えてこの様なパッケージ外側面に導
出配線や接続電極部を形成する構造では接続電極数が増
加すると、それに比例してパッケージ外型を大型としな
ければならす、プリント板への実装密度が低下するいう
問題も生じている。
数も増加し、それに伴ない静電気放電による事故も増え
ているが、これに加えてこの様なパッケージ外側面に導
出配線や接続電極部を形成する構造では接続電極数が増
加すると、それに比例してパッケージ外型を大型としな
ければならす、プリント板への実装密度が低下するいう
問題も生じている。
本考案はこの様な問題点を除去し、静電気に強くしてし
かも小型化することができるリードレスパッケージ提案
するもので、その目的ために本考案は半導体素子を収容
し外部との電気的接続を外部リード端子なしに行なう半
導体リードレスパッケージにおいて、該パッケージ内に
設けたスルーホールよりなる導出配線と、該スルーホー
ル端にあって前記パッケージ外周部に設けた凹形状の接
続電極部とを介して、前記半導体素子を外部と電気的に
接続するとを特徴とする半導体リードレスパッケージを
提供するものである。
かも小型化することができるリードレスパッケージ提案
するもので、その目的ために本考案は半導体素子を収容
し外部との電気的接続を外部リード端子なしに行なう半
導体リードレスパッケージにおいて、該パッケージ内に
設けたスルーホールよりなる導出配線と、該スルーホー
ル端にあって前記パッケージ外周部に設けた凹形状の接
続電極部とを介して、前記半導体素子を外部と電気的に
接続するとを特徴とする半導体リードレスパッケージを
提供するものである。
以下、図面に従って本考案の一実施例を詳細に明する。
第1図に示す従来のリードレスパッケージのセラミック
基板1はセラミックベース1−1とシールフレーム1−
2との間に配線パターン3を形成しているのであるが、
本考案はセラミックベースやシールフレームとなるグリ
ーンシートにスルーホール加工を施して、導電ペースト
例えばタングステンペーストをそのスルーホールの内面
及びグリーンシートの両側表裏面に塗布し、これを積層
し焼成してスルーホールを通じて底面の接続電極部に配
線する構造であり、第2図a〜eに個々のグリーンシー
トの断面図を示している。
基板1はセラミックベース1−1とシールフレーム1−
2との間に配線パターン3を形成しているのであるが、
本考案はセラミックベースやシールフレームとなるグリ
ーンシートにスルーホール加工を施して、導電ペースト
例えばタングステンペーストをそのスルーホールの内面
及びグリーンシートの両側表裏面に塗布し、これを積層
し焼成してスルーホールを通じて底面の接続電極部に配
線する構造であり、第2図a〜eに個々のグリーンシー
トの断面図を示している。
こ)で言うグリーンシートとはセラミック粉末を高分子
溶液に分散させて、薄層に展延させて乾燥し、適当な厚
さとした未焼成セラミックシートのことで、その上にス
クリーンプリント法で導電ペーストを印刷するものであ
る。
溶液に分散させて、薄層に展延させて乾燥し、適当な厚
さとした未焼成セラミックシートのことで、その上にス
クリーンプリント法で導電ペーストを印刷するものであ
る。
第2図aはシールフレーム1−2に相当する枠型のグリ
ーンシートllaである。
ーンシートllaである。
第2図すは最上層用グリーンシート11bで、中央の半
導体チップ塔載部に相当する広さを孔あきとし、その周
囲に複数のスルーホール12を形成し、そのスルーホー
ル12の内面及びそれに対向する両側面に導電ペースト
13を印刷し、又表面上には配線パターンとなる導電ペ
ーストを印刷している。
導体チップ塔載部に相当する広さを孔あきとし、その周
囲に複数のスルーホール12を形成し、そのスルーホー
ル12の内面及びそれに対向する両側面に導電ペースト
13を印刷し、又表面上には配線パターンとなる導電ペ
ーストを印刷している。
第2図Cは半導体チップ取付は用グリーンシート11C
で、表面中央に半導体チップを取り付けるためのメタラ
イズ層となる導電ペースト13を印刷し、その周囲に上
記グリーンシートllbと同じ位置にスルーホール12
を形成し、そのスルーホール12の内面及び両側面に導
電ペースト13を印刷でいる。
で、表面中央に半導体チップを取り付けるためのメタラ
イズ層となる導電ペースト13を印刷し、その周囲に上
記グリーンシートllbと同じ位置にスルーホール12
を形成し、そのスルーホール12の内面及び両側面に導
電ペースト13を印刷でいる。
第2図dは接続電極用グリーンシート11dで、上記グ
リーンシー)11b、11cと同じ位置にスルーホール
12を形成し、そのスルーホール12の内面及び両側面
に導電ペースト13を印刷し、特に裏面のスルーホール
12の周囲は接続電極となるために広く導電ペースト1
3を印刷している。
リーンシー)11b、11cと同じ位置にスルーホール
12を形成し、そのスルーホール12の内面及び両側面
に導電ペースト13を印刷し、特に裏面のスルーホール
12の周囲は接続電極となるために広く導電ペースト1
3を印刷している。
第2図eは接続電極部に相当する位置に孔あけした最下
層用グリーンシート11eである。
層用グリーンシート11eである。
この様なグリーンシートを、必要に応じてグリーンシー
トlla、lld、lle等を適等な枚数に増やして順
序よく積層腰スルーホール12を上下一致する様に位置
合せした後、加圧して一体化し、約1600℃の高温度
で焼成して、第3図の断面図に示す様なセラミック基板
11が形成される。
トlla、lld、lle等を適等な枚数に増やして順
序よく積層腰スルーホール12を上下一致する様に位置
合せした後、加圧して一体化し、約1600℃の高温度
で焼成して、第3図の断面図に示す様なセラミック基板
11が形成される。
この際、配線パターンとなる導電ペースト13は焼成さ
れてメタライズ層となり、スルーホール12により導出
配線13′が形成されることになる。
れてメタライズ層となり、スルーホール12により導出
配線13′が形成されることになる。
次に、該セラミック基板11の露出したメタライズ層に
鍍金を行なって配線パターン13とし、セラミックベー
スとして完成される。
鍍金を行なって配線パターン13とし、セラミックベー
スとして完成される。
第4図はかようなセラミックベースに半導体チップ2を
取り付けた組立断面図で、半導体チップ2を金シリコン
半田で半田付けし、ワイヤーボンデング4を行ない配線
パターン13と連結し、スルーホール中のメタライズ層
である導出配線13′を通じて、底面の接続電極部16
を接続している。
取り付けた組立断面図で、半導体チップ2を金シリコン
半田で半田付けし、ワイヤーボンデング4を行ない配線
パターン13と連結し、スルーホール中のメタライズ層
である導出配線13′を通じて、底面の接続電極部16
を接続している。
そしてキャップ7は従来と同じく低融点ガラスなどで、
それを用いて気密封止を行なう。
それを用いて気密封止を行なう。
この様なリードレスパッケージの構造とすれば、接続電
極部16は図の様にセラミック基板底面で凹部形状にな
っているため、多少乱暴に取り扱っても導出配線13′
はもとより接続電極部16にも外部の帯電体が接触する
ことはほとんどなく、静電気事故は極めて少なくなる。
極部16は図の様にセラミック基板底面で凹部形状にな
っているため、多少乱暴に取り扱っても導出配線13′
はもとより接続電極部16にも外部の帯電体が接触する
ことはほとんどなく、静電気事故は極めて少なくなる。
又、該接続電極部16にプリント板の回路配線と接続す
るための予備半田を付着させて電極パッドとする場合に
、接続電極部16は一定の小面積に限定されるので、そ
の半田量を加減して底面より突き出ることのない様にす
ることは容易である。
るための予備半田を付着させて電極パッドとする場合に
、接続電極部16は一定の小面積に限定されるので、そ
の半田量を加減して底面より突き出ることのない様にす
ることは容易である。
又、この様なパッケージ構造とすると、セラミック基板
11を焼成後少々形状が歪んでいても、導出配線13′
や接続電極部16に触れることなく形状修正することも
可能である。
11を焼成後少々形状が歪んでいても、導出配線13′
や接続電極部16に触れることなく形状修正することも
可能である。
さらに静電事故防止と共に本考案の大きな利点は接続電
極数の増加に比例してパッケージの形状を大型とする必
要はないことで、第5図のリードレスパッケージの断面
図に見られる様にセラミック基板11内に適宜にスルー
ホール12を形成してパッケージ底面の適当な位置に接
続電極部16を設けることができ、従来のパッケージの
様に周縁部分のみに拘わらなくてもよい。
極数の増加に比例してパッケージの形状を大型とする必
要はないことで、第5図のリードレスパッケージの断面
図に見られる様にセラミック基板11内に適宜にスルー
ホール12を形成してパッケージ底面の適当な位置に接
続電極部16を設けることができ、従来のパッケージの
様に周縁部分のみに拘わらなくてもよい。
従って小型化が容易である上に、セラミック基板上面の
配線パターン13も無理に長くすることもない。
配線パターン13も無理に長くすることもない。
従って本考案は静電気による事故を防いで信頼度向上に
大きく役立つと共に、小型化ができてプリント板への実
装密度をあげることができるものである。
大きく役立つと共に、小型化ができてプリント板への実
装密度をあげることができるものである。
尚、上記は接続電極部を底面に設ける例で説明したが、
パッケージ底面のみならず側面に設けてもよく、その趣
旨が同じであればそれを除外するものではない。
パッケージ底面のみならず側面に設けてもよく、その趣
旨が同じであればそれを除外するものではない。
第1図は従来のパッケージ構造断面図、第2図a〜eは
本考案の一実施例のパッケージ形成のめのグリーンシー
ト断面図、第3図はそれを焼成したセラミック基板の断
面図、第4図はその組立構造断面図、第5図は同じく本
考案の他の組立構造断面図である。 図中、1.11はセラミック基板、3,13は配線パタ
ーン、3’、13’は導出配線、6,16は接続電極を
示している。
本考案の一実施例のパッケージ形成のめのグリーンシー
ト断面図、第3図はそれを焼成したセラミック基板の断
面図、第4図はその組立構造断面図、第5図は同じく本
考案の他の組立構造断面図である。 図中、1.11はセラミック基板、3,13は配線パタ
ーン、3’、13’は導出配線、6,16は接続電極を
示している。
Claims (1)
- 半導体素子を収容し外部との電気的接続を外部リード端
子なしに行なう半導体リードレスパッケージにおいて、
該パッケージ内に設けたスルーホールよりなる導出配線
と、該スルーホール端にあって前記パッケージ外周部に
設けた凹形状の接続電極部とを介して、前記半導体素子
を外部と電気的に接続することを特徴とする半導体リー
ドレスパッケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3206980U JPS6035243Y2 (ja) | 1980-03-12 | 1980-03-12 | 半導体リ−ドレスパッケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3206980U JPS6035243Y2 (ja) | 1980-03-12 | 1980-03-12 | 半導体リ−ドレスパッケ−ジ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS56134754U JPS56134754U (ja) | 1981-10-13 |
JPS6035243Y2 true JPS6035243Y2 (ja) | 1985-10-19 |
Family
ID=29627874
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3206980U Expired JPS6035243Y2 (ja) | 1980-03-12 | 1980-03-12 | 半導体リ−ドレスパッケ−ジ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6035243Y2 (ja) |
-
1980
- 1980-03-12 JP JP3206980U patent/JPS6035243Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS56134754U (ja) | 1981-10-13 |
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