JPS6034815B2 - 配線電極の製造方法 - Google Patents
配線電極の製造方法Info
- Publication number
- JPS6034815B2 JPS6034815B2 JP11727679A JP11727679A JPS6034815B2 JP S6034815 B2 JPS6034815 B2 JP S6034815B2 JP 11727679 A JP11727679 A JP 11727679A JP 11727679 A JP11727679 A JP 11727679A JP S6034815 B2 JPS6034815 B2 JP S6034815B2
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- Japan
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- electrode
- wiring
- resist material
- mask
- manufacturing
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- Weting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電極形成時に起生しているマスクズレの問題を
改善した配線電極の製造方法に関する。
改善した配線電極の製造方法に関する。
近年、半導体装置、特に素子密度を大とする大規模集積
回路（仏ｒ袋Ｓｃａｌｅｌｎｔｅｇｌａｔｊｏｎ；以下
は１という。）にあっては、素子密度が大となっている
ので、これら素子密度を決定する一因となる電極配線の
マスク合わせには細心の注意を必要とする。第１図Ａ〜
Ｅに示される電極配線の形成方法は、これらは１電極を
形成するに使用されている最も一般とする例であり、こ
れら電極形成プロセスにあっては、マスクズレ分を考慮
して各領域は大にして形成される。
回路（仏ｒ袋Ｓｃａｌｅｌｎｔｅｇｌａｔｊｏｎ；以下
は１という。）にあっては、素子密度が大となっている
ので、これら素子密度を決定する一因となる電極配線の
マスク合わせには細心の注意を必要とする。第１図Ａ〜
Ｅに示される電極配線の形成方法は、これらは１電極を
形成するに使用されている最も一般とする例であり、こ
れら電極形成プロセスにあっては、マスクズレ分を考慮
して各領域は大にして形成される。
第１図Ａ〜Ｅによれば、電極配線は２図のマスク合わせ
を次の様にして行なうことにより形成される。
を次の様にして行なうことにより形成される。
まず、Ａに示すごとく電極領域１，２を有する半導体基
体３に絶縁膜４が形成される。それら絶縁膜４の上面に
はポジ型の第１のレジスト材料５が塗布される。塗布さ
れた第１のレジスト材料５は上記電極領域１，２にマス
ク合わせされた第１のガラスマスク６をもって、上記電
極領域１，２に対応する部分が感光され、それら感光さ
れた部分５ａがＢ図のごとき取り除かれる。電極コンタ
クト孔５ａが形成された第１のレジストマスク５は、こ
んどは絶縁膜４に対してマスクとして作用せられ、弗酸
を含むエッチング液をもって上記絶縁膜４に電極コンタ
クト孔５ａが形成される。次に使用済みのポジ型の第１
のレジスト材料５を０２を含むプラズマエッチングによ
り取り除いた後、Ｃ図に示す様に電極コンタクト孔５ａ
を含む基板全面に電極材料６が形成される。これら電極
材料６はＤ図に示される様にポジ型の第２のレジスト材
料７を、それら材料ｂの全面に塗布することにより、そ
してこれら第２のレジスト材料７を上記電極コンタクト
孔５ａにマスク合わせされた配線パターン用のポジ型の
第２のガラスマスク８をもって感光し、上記Ａ，Ｂと同
様に感光部７ａがとり除かれる。感光部７ａが取り除か
れた第２のレジスト材料７は電極材料６に対してマスク
として作用するものであり、不用電極材料６ａをエッチ
ングにより取り除き、更に第２のレジスト材料７を取り
除けば、Ｅ図に示すごとき電極領城１と電極領域２を結
ぶ電極配線６を形成することができる。この様に従来か
らある電極形成法によれば、それら電極形成時における
マスク合わせを綿密に行なえば、マスクのズレマージン
を考慮して大にして形成された領域上には必ず電極配線
がのるものであり、従来は１においては一応、配線部に
おいて不良は起こらなかったものである。
体３に絶縁膜４が形成される。それら絶縁膜４の上面に
はポジ型の第１のレジスト材料５が塗布される。塗布さ
れた第１のレジスト材料５は上記電極領域１，２にマス
ク合わせされた第１のガラスマスク６をもって、上記電
極領域１，２に対応する部分が感光され、それら感光さ
れた部分５ａがＢ図のごとき取り除かれる。電極コンタ
クト孔５ａが形成された第１のレジストマスク５は、こ
んどは絶縁膜４に対してマスクとして作用せられ、弗酸
を含むエッチング液をもって上記絶縁膜４に電極コンタ
クト孔５ａが形成される。次に使用済みのポジ型の第１
のレジスト材料５を０２を含むプラズマエッチングによ
り取り除いた後、Ｃ図に示す様に電極コンタクト孔５ａ
を含む基板全面に電極材料６が形成される。これら電極
材料６はＤ図に示される様にポジ型の第２のレジスト材
料７を、それら材料ｂの全面に塗布することにより、そ
してこれら第２のレジスト材料７を上記電極コンタクト
孔５ａにマスク合わせされた配線パターン用のポジ型の
第２のガラスマスク８をもって感光し、上記Ａ，Ｂと同
様に感光部７ａがとり除かれる。感光部７ａが取り除か
れた第２のレジスト材料７は電極材料６に対してマスク
として作用するものであり、不用電極材料６ａをエッチ
ングにより取り除き、更に第２のレジスト材料７を取り
除けば、Ｅ図に示すごとき電極領城１と電極領域２を結
ぶ電極配線６を形成することができる。この様に従来か
らある電極形成法によれば、それら電極形成時における
マスク合わせを綿密に行なえば、マスクのズレマージン
を考慮して大にして形成された領域上には必ず電極配線
がのるものであり、従来は１においては一応、配線部に
おいて不良は起こらなかったものである。
しかしながら、これら電極配線の形成法にあってはそれ
らは１の素子密度を更に向上させようと次に示す様な数
々からなる問題を提出してしまった。
らは１の素子密度を更に向上させようと次に示す様な数
々からなる問題を提出してしまった。
‘ｉ）従来電極形成法にあっては微細化された電極コン
タクト孔はマスクズレマージンを考慮した範囲での面積
に限定されるものであり、微細化された電極コンタクト
孔の形成は、マスク合わせ技術の向上に左右される。
タクト孔はマスクズレマージンを考慮した範囲での面積
に限定されるものであり、微細化された電極コンタクト
孔の形成は、マスク合わせ技術の向上に左右される。
したがって、従釆法にあってそれらの微細化には限界が
あった。‘ｉｉ｝ マスク合わせが、非常にうまくいっ
た場合、電極コンタクト孔５ａと配線電極６との関係は
第２図のごときのものとすることができるが、マスク合
わせがズレた場合、第３図Ａ，別こ示す様に電極コンタ
クト孔５ａと配線電極６とはズレることとなり、基体面
３ａを露出させてしまう。したがって、露出面より、不
要な重金属、あるいはイオンなどが入り易くなり、耐圧
劣化、リークの原因を作ることとなってしまった。した
がって、従来法にあっては信頼性を低下させる原因を製
造フ。。セス時に形成してしまつてし、た。（ｉｉｉ｝
第３図Ａ，Ｂに示すごときに配線電極６がズレると、
実質的に電極６のコンタクト部はズレた分だけ小面積と
なってしまうものであり、コンタクト抵抗を大にするこ
ととなって、回路特性を劣化させることがあった。
あった。‘ｉｉ｝ マスク合わせが、非常にうまくいっ
た場合、電極コンタクト孔５ａと配線電極６との関係は
第２図のごときのものとすることができるが、マスク合
わせがズレた場合、第３図Ａ，別こ示す様に電極コンタ
クト孔５ａと配線電極６とはズレることとなり、基体面
３ａを露出させてしまう。したがって、露出面より、不
要な重金属、あるいはイオンなどが入り易くなり、耐圧
劣化、リークの原因を作ることとなってしまった。した
がって、従来法にあっては信頼性を低下させる原因を製
造フ。。セス時に形成してしまつてし、た。（ｉｉｉ｝
第３図Ａ，Ｂに示すごときに配線電極６がズレると、
実質的に電極６のコンタクト部はズレた分だけ小面積と
なってしまうものであり、コンタクト抵抗を大にするこ
ととなって、回路特性を劣化させることがあった。
したがって、本発明は上記欠点に鑑みて考え出された電
極配線の製造方法に関するものであり、その第１の目的
とするところは、マスクズレマージンを考慮外とするこ
とにより、マージン面積を無しとすることができる電極
配線の製造方法を提供するものである。
極配線の製造方法に関するものであり、その第１の目的
とするところは、マスクズレマージンを考慮外とするこ
とにより、マージン面積を無しとすることができる電極
配線の製造方法を提供するものである。
また、その第２の目的とするところは基体面を露出させ
ない構造を提出することができる電極配線の製造方法を
提供するものである。
ない構造を提出することができる電極配線の製造方法を
提供するものである。
また、その第３の目的とするところは配線電極のコンタ
クトを電極コンタクト孔全面に渡って行なうことができ
る配線電極の形成方法を提供するものである。
クトを電極コンタクト孔全面に渡って行なうことができ
る配線電極の形成方法を提供するものである。
本発明によれば電極配線の形成は、リフトオフ形成法に
より行なうものであり、電極取り出しと、配線電極とを
同一プロセスにより同時被着により形成するものである
。
より行なうものであり、電極取り出しと、配線電極とを
同一プロセスにより同時被着により形成するものである
。
そして、それら電極コンタクト孔、並びに配線電極を形
成するに使用するレジスト材料は同一材料をそのまま使
用することにより行なうものであるが、それら詳細は第
４図Ａ〜Ｅを参照すれば明らかとなる。第４図Ａ〜Ｅに
示される一実施例に従えば、配線電極は次の様にして形
成される。
成するに使用するレジスト材料は同一材料をそのまま使
用することにより行なうものであるが、それら詳細は第
４図Ａ〜Ｅを参照すれば明らかとなる。第４図Ａ〜Ｅに
示される一実施例に従えば、配線電極は次の様にして形
成される。
まず、電極領域９，１０を有する半導体基１ １の上面
に絶縁膜１２を形成し、該絶縁膜１２の上面にポジ型の
フオトレジスト材料（例えば市販品名をＯＦＰＲ−７８
とする東京応化製しジストを用いる。）１３を２．０ミ
クロンの厚さにして均一に形成する。次にこれらレジス
ト材料１３の上面より電極コンタクト孔１３ａを描写し
たガラスマスク１４を上記電極領域９，１０１こマスク
パターンを合わせて露光を行なうことにより、電極コン
タクト孔１３ａ部のレジストを感光する。そして、これ
ら感光部をＢ図のごとき取り除く。そして、これら開□
部１３ａを有するレジスト材料１３をマスクとすること
により、絶縁膜１２をエッチング除去する。尚、これら
エッチングは、弗素を含む有機化合物をプラズマ雰囲気
中でラジカル化したエッチヤントでエッチングするもの
である。次に上記しジスト材料１３を更にＣ図に示すご
とく電極配線用パターンを描いたガラスマスク１５を用
いることにより、露光し、感光部１３ｂを形成する。尚
、これらマスク合わせは、上記電極コンタクト孔１３ａ
にマスク合わせして行なわれるものであり、これらは、
重複部さえ形成されればマスクズレが超生してもよい。
次に上記感光部１３ｂはＤ図に示すごとく取り除かれる
。その後、希弗酸を含む溶液中で処理する。尚、この時
絶縁膜１２ａもエッチングされるが、それら絶縁膜１２
ａのエッチング量は２０〜５０オングストロームとなる
様、希弗酸の濃度、液温、並びにエッチング時間を調節
するようにする。次に、これら半導体基体１１は純水に
て洗浄され、乾燥さられるが、これらの工程が済むと、
こんどは、電極材料（アルミニウム）、１６を８０００
オングストロームにして前記、残されたレジスト材料’
３、電極コンタクト孔１３ａ、電極配線部１６ｂを含む
基板全面に形成する。次に上記レジスト材料１３が除去
液により取り除かれるが、この時、レジスト材料１３上
の電極材料１６は、レジスト材料１３が厚く形成されて
いるので、段切れを起しているものであり、フローテイ
ング状態となっているのでレジスト材料１３とともに取
り除かれる。（リフトオフといわれている。）したがっ
て、これら製造方法によれば、Ｅ図に示すごとく、レジ
スト材料１３以外の部分に形成された電極材料はすべて
残るものであり、電極コンタクト孔１３ａ、配線電極部
１６ｂにはマスクパターン通りの電極を第５図Ａ，Ｂに
示すごとく充満させて形成することができる。
に絶縁膜１２を形成し、該絶縁膜１２の上面にポジ型の
フオトレジスト材料（例えば市販品名をＯＦＰＲ−７８
とする東京応化製しジストを用いる。）１３を２．０ミ
クロンの厚さにして均一に形成する。次にこれらレジス
ト材料１３の上面より電極コンタクト孔１３ａを描写し
たガラスマスク１４を上記電極領域９，１０１こマスク
パターンを合わせて露光を行なうことにより、電極コン
タクト孔１３ａ部のレジストを感光する。そして、これ
ら感光部をＢ図のごとき取り除く。そして、これら開□
部１３ａを有するレジスト材料１３をマスクとすること
により、絶縁膜１２をエッチング除去する。尚、これら
エッチングは、弗素を含む有機化合物をプラズマ雰囲気
中でラジカル化したエッチヤントでエッチングするもの
である。次に上記しジスト材料１３を更にＣ図に示すご
とく電極配線用パターンを描いたガラスマスク１５を用
いることにより、露光し、感光部１３ｂを形成する。尚
、これらマスク合わせは、上記電極コンタクト孔１３ａ
にマスク合わせして行なわれるものであり、これらは、
重複部さえ形成されればマスクズレが超生してもよい。
次に上記感光部１３ｂはＤ図に示すごとく取り除かれる
。その後、希弗酸を含む溶液中で処理する。尚、この時
絶縁膜１２ａもエッチングされるが、それら絶縁膜１２
ａのエッチング量は２０〜５０オングストロームとなる
様、希弗酸の濃度、液温、並びにエッチング時間を調節
するようにする。次に、これら半導体基体１１は純水に
て洗浄され、乾燥さられるが、これらの工程が済むと、
こんどは、電極材料（アルミニウム）、１６を８０００
オングストロームにして前記、残されたレジスト材料’
３、電極コンタクト孔１３ａ、電極配線部１６ｂを含む
基板全面に形成する。次に上記レジスト材料１３が除去
液により取り除かれるが、この時、レジスト材料１３上
の電極材料１６は、レジスト材料１３が厚く形成されて
いるので、段切れを起しているものであり、フローテイ
ング状態となっているのでレジスト材料１３とともに取
り除かれる。（リフトオフといわれている。）したがっ
て、これら製造方法によれば、Ｅ図に示すごとく、レジ
スト材料１３以外の部分に形成された電極材料はすべて
残るものであり、電極コンタクト孔１３ａ、配線電極部
１６ｂにはマスクパターン通りの電極を第５図Ａ，Ｂに
示すごとく充満させて形成することができる。
したがって、本発明によればその構成を、電極配線を形
成する工程として、電極コンタクト孔を形成するレジス
ト材料と、配線電極を形成するレジスト材料とを、同一
レジスト材料としたものなので、しかも、その構成をリ
フトオフ構成としたものなので、電極コンタクト孔、並
びに配線電極部にはマスクパターン通りの電極を充満さ
せて形成できるものであり、電極コンタクト孔用のマス
クと配線用のマスクとを重複させるだけでよいものなの
で、従来のごとく、配線とコンタクト孔とを完全に接続
するごときマージン面積をとる必要がなくなるものであ
る。したがって、その分だけ、ＢＩの集積度を上げるこ
とができる。また、本発明によれば、電極構造はマスク
パターンに従ったコンタクト部、配線部に充満するごと
きにして電極かつまるので、コンタクト部において基体
面が露出する様なことはなくなる。
成する工程として、電極コンタクト孔を形成するレジス
ト材料と、配線電極を形成するレジスト材料とを、同一
レジスト材料としたものなので、しかも、その構成をリ
フトオフ構成としたものなので、電極コンタクト孔、並
びに配線電極部にはマスクパターン通りの電極を充満さ
せて形成できるものであり、電極コンタクト孔用のマス
クと配線用のマスクとを重複させるだけでよいものなの
で、従来のごとく、配線とコンタクト孔とを完全に接続
するごときマージン面積をとる必要がなくなるものであ
る。したがって、その分だけ、ＢＩの集積度を上げるこ
とができる。また、本発明によれば、電極構造はマスク
パターンに従ったコンタクト部、配線部に充満するごと
きにして電極かつまるので、コンタクト部において基体
面が露出する様なことはなくなる。
したがって、従来のごとき露出基体面より不純物が入り
込む様なことはなくなり、基体の耐圧劣化、電流リーク
の問題を防止できるものであり、ＢＩの信頼性を向上さ
せることができる。また、本発明によれば、コンタクト
孔には全面に渡って電極が被着されることとなるのでマ
スクズレによりコンタクト抵抗が大となるようなことは
なく、回路特性への悪影響をも防止することができる。
込む様なことはなくなり、基体の耐圧劣化、電流リーク
の問題を防止できるものであり、ＢＩの信頼性を向上さ
せることができる。また、本発明によれば、コンタクト
孔には全面に渡って電極が被着されることとなるのでマ
スクズレによりコンタクト抵抗が大となるようなことは
なく、回路特性への悪影響をも防止することができる。
以上、ここに幾多の効果を奏する配線電極の製造方法を
提供することができる。
提供することができる。
尚、本発明はここに提示した実施例のみならず、特許請
求の範囲の許す限りの範囲において改度を加え得ること
は明らかである。
求の範囲の許す限りの範囲において改度を加え得ること
は明らかである。
例えば、第４図に示したレジスト材料としては、ポジ型
のレジスト材料を使用しているが、それらの形態は、露
光方法として電子ビーム露光、Ｘ線露光、紫外線露光、
遠紫外露光など、露光方法を併用することにより２度の
写真蝕刻形態がつくれるものであればいかなるものでも
なく本実施例に限定されるもので、はない。
のレジスト材料を使用しているが、それらの形態は、露
光方法として電子ビーム露光、Ｘ線露光、紫外線露光、
遠紫外露光など、露光方法を併用することにより２度の
写真蝕刻形態がつくれるものであればいかなるものでも
なく本実施例に限定されるもので、はない。
第１図Ａ〜Ｅは従来からある配線電極の製造プロセス図
、第２図はマスク合わせが良好に行なわれた場合の配線
パターン図、第３図Ａは、マスクズレが生じた場合の配
線パターン図、ＢはＡを１−１′線に沿って切断した場
合の断面図、第４図Ａ〜Ｂは本発明一実施例を示す配線
電極の製造プロセス図、第５図Ａは本発時に従った配線
パターン図、ＢはＡを０−０′線に沿って切断した断面
図である。 ９・１０・・・・・・電極領域、１１・…・・半導体基
体、１２・・・・・・絶縁膜、１３・・・…レジスト材
料、１３ａ・・・・・・電極コンタクト部、１４・・・
・・・電極コンタクト孔用ガラスマスク、１５・・・・
・・配線電極用ガラスマスク、１６・・・・・・電極材
料。 ・第１図 第２図 第３図 第４図 第５図
、第２図はマスク合わせが良好に行なわれた場合の配線
パターン図、第３図Ａは、マスクズレが生じた場合の配
線パターン図、ＢはＡを１−１′線に沿って切断した場
合の断面図、第４図Ａ〜Ｂは本発明一実施例を示す配線
電極の製造プロセス図、第５図Ａは本発時に従った配線
パターン図、ＢはＡを０−０′線に沿って切断した断面
図である。 ９・１０・・・・・・電極領域、１１・…・・半導体基
体、１２・・・・・・絶縁膜、１３・・・…レジスト材
料、１３ａ・・・・・・電極コンタクト部、１４・・・
・・・電極コンタクト孔用ガラスマスク、１５・・・・
・・配線電極用ガラスマスク、１６・・・・・・電極材
料。 ・第１図 第２図 第３図 第４図 第５図
Claims (1)
- １ 電極を有する半導体基体上面に絶縁膜を形成する工
程と、この絶縁膜上面にレジスト材料を形成する工程と
、このレジスト材料を感光し、上記電極に対する電極取
り出し部に開口を形成する工程と、この開孔されたレジ
スト材料をマスクにして上記絶縁膜に開口を形成する工
程と、更に上記レジスト材料を感光することにより電極
配線を形成する部分に開孔を形成する工程と、これらレ
ジスト材料上面より電極材料を全面に形成する工程と、
上記レジスト材料並びにレジスト材料上に形成された電
極材料を除去する工程とを具備することを特徴とする配
線電極の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11727679A JPS6034815B2 (ja) | 1979-09-14 | 1979-09-14 | 配線電極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11727679A JPS6034815B2 (ja) | 1979-09-14 | 1979-09-14 | 配線電極の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5642354A JPS5642354A (en) | 1981-04-20 |
| JPS6034815B2 true JPS6034815B2 (ja) | 1985-08-10 |
Family
ID=14707741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11727679A Expired JPS6034815B2 (ja) | 1979-09-14 | 1979-09-14 | 配線電極の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6034815B2 (ja) |
-
1979
- 1979-09-14 JP JP11727679A patent/JPS6034815B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5642354A (en) | 1981-04-20 |
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