JPS6034018A - X線コリメ−タと露光装置 - Google Patents
X線コリメ−タと露光装置Info
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- JPS6034018A JPS6034018A JP58144126A JP14412683A JPS6034018A JP S6034018 A JPS6034018 A JP S6034018A JP 58144126 A JP58144126 A JP 58144126A JP 14412683 A JP14412683 A JP 14412683A JP S6034018 A JPS6034018 A JP S6034018A
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- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 5
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000007170 pathology Effects 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はxa、殊に軟X線をコリメートするための部材
に関し、特に平行度を向上させたコリメータとそれを使
用した装置に関する。
に関し、特に平行度を向上させたコリメータとそれを使
用した装置に関する。
X線コリメータは従来からX線分析装置の分野で使用さ
れてきているが、最近ではX線リソ感光層に転写する露
光装置にも使用される様になってきている。これは初期
の軟X線露光装置は易かったのに対し、コリメートされ
た軟X線でフォトマスクを照射することで性能向上を図
れるためである。
れてきているが、最近ではX線リソ感光層に転写する露
光装置にも使用される様になってきている。これは初期
の軟X線露光装置は易かったのに対し、コリメートされ
た軟X線でフォトマスクを照射することで性能向上を図
れるためである。
第1図は従来のX線コリメータを示しておシ、多数の薄
い金属製スリット板1がスペーサー2を介して重ね合わ
され、図示されない固定棒に取付けたものを図の如く2
段に交叉させて重ねて配設させたものである。図示され
ないX線発生部から放射される発散X線3の内コリメー
タリットが幅dとスリット長tは上下段とも同じ値にし
であるので発散角は2 tan−1(d/、/:)度、
X線透過率はスリット板厚をtとすれば1/(1+t/
l1l)2となる。又X線強度はX線発生部からの距離
の自揺fFル翔11イ櫓A)手! ?h工餌M−詰で白
/(発散角が小さく)、高いX線透過率を持ち、強力な
X線束を得る為には上述の式等から明らかな如く、スリ
ット幅d、スリット板厚tを出来る丈小さくする事によ
シスリット長lの増大を防ぐ必要がある。又工業用の実
用化を容易にする為には簡単な栴造で安価セする必要が
ある。
い金属製スリット板1がスペーサー2を介して重ね合わ
され、図示されない固定棒に取付けたものを図の如く2
段に交叉させて重ねて配設させたものである。図示され
ないX線発生部から放射される発散X線3の内コリメー
タリットが幅dとスリット長tは上下段とも同じ値にし
であるので発散角は2 tan−1(d/、/:)度、
X線透過率はスリット板厚をtとすれば1/(1+t/
l1l)2となる。又X線強度はX線発生部からの距離
の自揺fFル翔11イ櫓A)手! ?h工餌M−詰で白
/(発散角が小さく)、高いX線透過率を持ち、強力な
X線束を得る為には上述の式等から明らかな如く、スリ
ット幅d、スリット板厚tを出来る丈小さくする事によ
シスリット長lの増大を防ぐ必要がある。又工業用の実
用化を容易にする為には簡単な栴造で安価セする必要が
ある。
しかし板厚tは腰の強い金属等を使っても一般的には0
.05mm程度が限度でおシ、それ以下の厚みのものだ
とたわみを除去する為の工夫が必要となシ、装置の複雑
化、高価格化を招き不都合である。
.05mm程度が限度でおシ、それ以下の厚みのものだ
とたわみを除去する為の工夫が必要となシ、装置の複雑
化、高価格化を招き不都合である。
本発明の目的はX線束の平行性を向上させ、高い透過率
を与えることであシ、更にこの成果を生かして露光装置
の性能向上を図ることである。
を与えることであシ、更にこの成果を生かして露光装置
の性能向上を図ることである。
以下、図面に従って実施例を説明する。第2図は軟X線
コリメータの全体の形態を描いておシ、第3図はその要
部拡大図である。符番7は硝子製の軟X線コリメート(
平行束化)部で、第2図の9に示す通ル、10μmオー
ダーの内径dと順オーダーの長さtの単位微細貫通孔を
無数に備える。8は、軟>M?!コリメート部を担持す
る枠で、硝子製あるいは他の素材で作られる。
コリメータの全体の形態を描いておシ、第3図はその要
部拡大図である。符番7は硝子製の軟X線コリメート(
平行束化)部で、第2図の9に示す通ル、10μmオー
ダーの内径dと順オーダーの長さtの単位微細貫通孔を
無数に備える。8は、軟>M?!コリメート部を担持す
る枠で、硝子製あるいは他の素材で作られる。
3は図示されない軟Xi発生部から放射される発散性の
軟X線であって、コリメート部7を通過して擬似平行束
6′となる。即ち、軟X線束は内径d、長さlの微細貫
通孔9,9′によって、発散角2 tan ’ (a/
j)度以下の発散角を持つ軟X線だけが切出される。今
、微+Ifll貢通孔9,9′の1個に注目してみると
、入射してきた軟X線は硝子壁に衝突して規制されるも
のや、どこにも衝突せずに貫通するものがあシ、後者は
前述の発散角2 tan 1 (d//:)度を有する
。例えば発散角1庇に規制するためには、内径dを30
μmに選んだ場合、長さlを約5.44mmとすれば良
い。
軟X線であって、コリメート部7を通過して擬似平行束
6′となる。即ち、軟X線束は内径d、長さlの微細貫
通孔9,9′によって、発散角2 tan ’ (a/
j)度以下の発散角を持つ軟X線だけが切出される。今
、微+Ifll貢通孔9,9′の1個に注目してみると
、入射してきた軟X線は硝子壁に衝突して規制されるも
のや、どこにも衝突せずに貫通するものがあシ、後者は
前述の発散角2 tan 1 (d//:)度を有する
。例えば発散角1庇に規制するためには、内径dを30
μmに選んだ場合、長さlを約5.44mmとすれば良
い。
次に微細孔を製造する方法であるが、これにはマイクロ
チャネルプレート用の硝子製板状細孔メツシュの製法を
利用できる(例えば共立出版株式会社「光学ファイバー
」191頁〜193頁)。
チャネルプレート用の硝子製板状細孔メツシュの製法を
利用できる(例えば共立出版株式会社「光学ファイバー
」191頁〜193頁)。
この技術は既に一般に使用されておシ、また微細孔を具
えた平板は電極等を形成する以前の細孔メツシュ板と同
様であるから都合が良い。
えた平板は電極等を形成する以前の細孔メツシュ板と同
様であるから都合が良い。
第4図(A)は硝子製の枠10内に細いパイプ棒もしく
は溶出性の芯を具えた光学ファイバー11を並べた様子
を描いているが、各エレメントの直径が著しく小さくて
取扱いに困るため、実際には既にマルチ状態にしたもの
を配列し、これに炉内で高温高圧を加えて爆着させてい
る。溶出性の芯を有するものの場合、溶着後、酸で処理
を施して芯を取除いている。この様にして形成した爆着
プレートを所望の厚さに裁断すれば良い。実験に使用し
たものは管厚2,5μm、内径25μm程度である。
は溶出性の芯を具えた光学ファイバー11を並べた様子
を描いているが、各エレメントの直径が著しく小さくて
取扱いに困るため、実際には既にマルチ状態にしたもの
を配列し、これに炉内で高温高圧を加えて爆着させてい
る。溶出性の芯を有するものの場合、溶着後、酸で処理
を施して芯を取除いている。この様にして形成した爆着
プレートを所望の厚さに裁断すれば良い。実験に使用し
たものは管厚2,5μm、内径25μm程度である。
第4図(B)は四角形の微細孔のプレート、(C)は六
角形の微細孔のプレートである。特に円形と六角形は作
勺易いばかpでなく、隔壁の占める面積が少なしからX
線透過率を向上させ得る。
角形の微細孔のプレートである。特に円形と六角形は作
勺易いばかpでなく、隔壁の占める面積が少なしからX
線透過率を向上させ得る。
このコリメータの適用分野としては、平行化した軟X線
を使用する分野の全てに使うことが1さ X錦体缶姑偕
ふX粕1夏ゾ〃→7ス請を凸丑0的である。
を使用する分野の全てに使うことが1さ X錦体缶姑偕
ふX粕1夏ゾ〃→7ス請を凸丑0的である。
特にX線露光装置では効果が顕著である。第5図で、1
2は真空気密室である。13は電子銃、14は軟X線発
生ターゲット、15は軟X線を通過させる窓である。な
お、線型の軟X1ff束で、後述のフォトマスクを照射
するため、電子銃15は図面に垂直な方向に並んでいる
ものとし、ターゲット14は図面に垂直に延びている。
2は真空気密室である。13は電子銃、14は軟X線発
生ターゲット、15は軟X線を通過させる窓である。な
お、線型の軟X1ff束で、後述のフォトマスクを照射
するため、電子銃15は図面に垂直な方向に並んでいる
ものとし、ターゲット14は図面に垂直に延びている。
7と8は前述した軟X線コリメータ、16は集積回路パ
ターンを具えるフォトマスク、17はフォトマスク・チ
ャック、18はフォトレジスト層を具えるウェハ、19
はウェハ・チャックでちる。ここでフォトマスク・チャ
ック17とウェハ・チャック19は一体化されていて、
フォトマスク16をウェハ18に対して極近接状態に保
持し、また不図示の駆動手段に駆動されて案内20上を
定速で移動する。
ターンを具えるフォトマスク、17はフォトマスク・チ
ャック、18はフォトレジスト層を具えるウェハ、19
はウェハ・チャックでちる。ここでフォトマスク・チャ
ック17とウェハ・チャック19は一体化されていて、
フォトマスク16をウェハ18に対して極近接状態に保
持し、また不図示の駆動手段に駆動されて案内20上を
定速で移動する。
以上の病成で、電子銃15を発した電子線はターゲット
14を照射し、軟X線を発生させる。
14を照射し、軟X線を発生させる。
発生した軟X線は発散状態で窓15を通過し、コリメー
ト部7へ入射、非平行成分は規制され、平行成分はフォ
トマスク16を線状に照明する。
ト部7へ入射、非平行成分は規制され、平行成分はフォ
トマスク16を線状に照明する。
一方、上述した通9クオトマスク16とウェハ18は一
体に走査されるから、全面一様に照明される。
体に走査されるから、全面一様に照明される。
処で、医療用の硬X線に比べて軟X線は空気中で急速に
減衰することが知られている。しかしながら、従来の装
置では第1図のコリメータを使用するので、同じ平行度
を得るためX線焦点からフォトレジスト面まで12cI
IL以上離す必要があった。しかしながら、本発明に係
るコリメータによれば間隔を数mmまで縮められるので
、露光時間を10分の1から20分の1以下まで縮小で
きる効果がある。
減衰することが知られている。しかしながら、従来の装
置では第1図のコリメータを使用するので、同じ平行度
を得るためX線焦点からフォトレジスト面まで12cI
IL以上離す必要があった。しかしながら、本発明に係
るコリメータによれば間隔を数mmまで縮められるので
、露光時間を10分の1から20分の1以下まで縮小で
きる効果がある。
またX線コリメータ自体、簡単な構造で、安価に製造出
来る点で有利であり、厚みも十分に薄いからX線の減衰
が少く、高いX線透過率を有すると云う優れた効果があ
る。
来る点で有利であり、厚みも十分に薄いからX線の減衰
が少く、高いX線透過率を有すると云う優れた効果があ
る。
第1図は従来例を示す斜視図。第2図は本発明実施例の
斜視図で、第5図は要部拡大図、第4図(A) (B)
(C)は配列例を示す断面図、第5図は適用例を示す
断面図。 図中 7・・・硝子製コリメート部 8・・・枠 9.9′・・・微細貫通孔 13・・・電子銃 14・・・ターゲット 16・・・フォトマスク 19・・・ウェハ 出願人 キャノン株式会社
斜視図で、第5図は要部拡大図、第4図(A) (B)
(C)は配列例を示す断面図、第5図は適用例を示す
断面図。 図中 7・・・硝子製コリメート部 8・・・枠 9.9′・・・微細貫通孔 13・・・電子銃 14・・・ターゲット 16・・・フォトマスク 19・・・ウェハ 出願人 キャノン株式会社
Claims (2)
- (1)X線発生源からのX線を受けてその平行成分を取
出すためで、多数の微細貫通孔を有する硝子製の部材を
具えることを特徴とするX線コリメータ。 - (2)軟X線を発生する軟X線発生手段と、発生した軟
X線の平行成分を取シ出すためで、多数の微細貫通孔を
有する硝子製の部材を具えるX線コリメータと、回路パ
ターンを具えるフォトマスクと、フォトレジスト層を具
えるウェハを装置したことを特徴とする露光装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58144126A JPS6034018A (ja) | 1983-08-06 | 1983-08-06 | X線コリメ−タと露光装置 |
GB08419439A GB2148680A (en) | 1983-08-06 | 1984-07-31 | X-ray collimator |
DE19843428717 DE3428717A1 (de) | 1983-08-06 | 1984-08-03 | Roentgenstrahlkollimator und roentgenstrahlbelichtungsvorrichtung mit roentgenstrahlkollimator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58144126A JPS6034018A (ja) | 1983-08-06 | 1983-08-06 | X線コリメ−タと露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6034018A true JPS6034018A (ja) | 1985-02-21 |
Family
ID=15354800
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58144126A Pending JPS6034018A (ja) | 1983-08-06 | 1983-08-06 | X線コリメ−タと露光装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6034018A (ja) |
DE (1) | DE3428717A1 (ja) |
GB (1) | GB2148680A (ja) |
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JP2001137234A (ja) * | 1999-10-02 | 2001-05-22 | Koninkl Philips Electronics Nv | X線吸収用のグリッド |
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DE3711164A1 (de) * | 1987-04-02 | 1988-10-20 | Zeiss Carl Fa | Steckelementeinrichtung zur halterung von bauteilen in stapeln |
US5528659A (en) * | 1994-04-25 | 1996-06-18 | Gray*Star, Inc. | Radiation flux polarizer or distributor |
CN1849672B (zh) | 2003-09-12 | 2010-09-29 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于准直电磁辐射的装置及其方法 |
DE102008030893A1 (de) * | 2008-06-30 | 2009-12-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Streustrahlungskollimator, Strahlungdetektor und Strahlungserfassungseinrichtung |
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GB1274213A (en) * | 1968-06-05 | 1972-05-17 | Coal Industry Patents Ltd | Improvements in and relating to density-measuring apparatus |
CA943673A (en) * | 1970-07-07 | 1974-03-12 | Searle (G.D.) And Co. | Low energy gamma ray collimator |
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GB1536497A (en) * | 1975-03-17 | 1978-12-20 | Galileo Electro Optics Corp | X and gamma radiation collimator and method of manufacturing such collimator |
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-
1983
- 1983-08-06 JP JP58144126A patent/JPS6034018A/ja active Pending
-
1984
- 1984-07-31 GB GB08419439A patent/GB2148680A/en not_active Withdrawn
- 1984-08-03 DE DE19843428717 patent/DE3428717A1/de not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000325332A (ja) * | 1999-04-12 | 2000-11-28 | General Electric Co <Ge> | イメージング・システム用のコリメータ装置およびその製作方法 |
JP2001137234A (ja) * | 1999-10-02 | 2001-05-22 | Koninkl Philips Electronics Nv | X線吸収用のグリッド |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3428717A1 (de) | 1985-02-14 |
GB2148680A (en) | 1985-05-30 |
GB8419439D0 (en) | 1984-09-05 |
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