JPS6032786A - ピペリジリデンメタン誘導体の4級塩の製法 - Google Patents

ピペリジリデンメタン誘導体の4級塩の製法

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JPS6032786A
JPS6032786A JP13877383A JP13877383A JPS6032786A JP S6032786 A JPS6032786 A JP S6032786A JP 13877383 A JP13877383 A JP 13877383A JP 13877383 A JP13877383 A JP 13877383A JP S6032786 A JPS6032786 A JP S6032786A
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JP
Japan
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formula
acid
compound
quaternary salt
alkyl ester
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Pending
Application number
JP13877383A
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English (en)
Inventor
Kosuke Yamauchi
孝介 山内
Kaneaki Hattori
服部 兼明
Kentaro Tamaoki
玉置 健太郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KH Neochem Co Ltd
Original Assignee
Kyowa Hakko Kogyo Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般式(I) (但し、R1およびR2は低級アルキル基、R3は水素
原子、低級アルキル基または低級脂肪族アシル基、Aは
チェニル基またはフェニル基、Xは無機酸アルキルエス
テルの酸残基、または有機強酸アルキルエステルの酸残
基を表す)で表されるピペリジルメタン誘導体の4級塩
を脱水反応するここを特徴とする一般式(II) 〔以下化合物(II)という〕の製法に関する。
前記Rj 、R2+ R3の定義中のアルキル基として
は炭素数1〜5のアルキルを包含し、メチル。
エチル、プロピル、ブチル、ペンチルが例示される。ア
シル基としてはホルミル、アセチル、プロヒオニル、ブ
チリル等の炭素数1〜5のアシルを包含する。
又、Xの無機酸アルキルエステルの酸残基としては、た
とえばハロゲン原子が挙げられる。また、有機強酸アル
キルエステルの酸残基としては、たとえばレートルエン
スルホン酸、ベンゼンスルホン酸等が挙げることができ
る。
本発明において得られる化合物(II)は鎮圧作用や消
化液分泌抑制作用を有する有用な医薬品として知られて
いる〔特公昭48−31886号公報〕号 公報上り、化合物(U)の製法としては一般式() (但し、式中のR,、R3,Aは前記と同義を表す)で
示されピベリジリデンメタン誘導体を一般式(rV) R2X (rV) (但し、式中R2は前記と同義を表す)で示される無機
酸のアルキルエステルと反応させる方法が知られている
〔特公昭48−31886号公報〕号 公報上ながら、この方法では化合物(IIT)は通常高
沸点を有する油状の物質である。したがって、(3) 化合物(III)を合成してくるまでの過程で混入して
くる種々の夾雑物を除き、高品質の化合物(III)を
えるためには工業的に繁雑な操作を加えなければならな
い。また、このために収率の大きな低下がみられる。し
かるに、化合物(II)は通常の溶媒で結晶化しやすい
物質である。このことから、この段階での精製が行われ
ているのが一般的である。しかしながら、化合物(TI
)は最終製品であることから、この段階での収率の低下
は工業的に有利な方法とはいいがたい。
このように化合物(If)の製法として公知の方法は種
々の欠点を有していることから、工業的に安価で、かつ
容易な方法で高品質の化合物(II)の製法の開発が望
まれている。
以上の点に鑑みて、本発明者らは高品質の化合物(n)
を安価に、また容易に製造すべく鋭意研究した。その結
果、化合物(1)は溶媒を選択することにより、極めて
結晶性が容易であり、高純度のものが得られること、ま
た化合物(I)を脱水反応に付すことによって、副反応
を併発することなく、容易に化合物(If)に導くこと
ができることを見出し、本発明を完成した。
なお、本発明において使用する原料の化合物(1)はい
ずれも新規化合物である。
(4) さらに本発明の詳細な説明すれば、工業的に容易に高品
質のものを得ることができる化合物(1)を水あるいは
有機溶媒、またはこれらの混合物に溶解またはけん濁し
て、脱水反応に付す。必要に応じて、鉱酸あるいは有機
酸の存在下に脱水反応を行う。
本反応において使用される有機溶媒としてはエーテル類
(ジオキサン、テトラヒドロフラン等)、アルコール類
(メタノール、エタノール等)、ケトン類(アセトン5
 メチルエチルケトン等)および酢酸等の有機酸等を用
いることができる。
本反応において、必要に応じて使用される鉱酸としては
塩酸や臭化水素酸水等がある。有機酸としては酢酸、ベ
ンゼンスルホン酸やp−トルエンスルホン酸等があげら
れる。また、無水酢酸等も用いることができる。工業的
には臭化水素酸あるいは酢酸等が有利に使用することが
できる。とくに、脱水反応において、鉱酸や有機酸類を
併存させるとよりスムースに反応が進行する。
反応温度は化合物(1)の種類あるいは反応溶媒の種類
により異なるが、0〜150℃の範囲で選ぶことができ
る。好ましくは、10〜130℃である。この温度範囲
において反応時間は5〜10時間である。
このようにして得られた反応生成物は常法により単離、
精製される。たとえば、反応後溶媒を減圧下に留去する
。ついで溶媒、たとえばアセトン。
酢酸エチルなどを加えて、目的物を結晶化させて、高品
質の化合物(II)を高収率で得ることができる。
なお化合物(1)は、たとえば通常一般式(V)(式中
R1+ R3+ Aは前記と同義を表す)を原料として
、化合物(IV)を反応させることによって、容易に高
品質で通常結晶性の化合物(1)を得ることができる。
以下、実施例について示す。
実施例1゜ ジー(2−チェニル)−(N−メチル−5−メトキシ−
3−ピペリジル)カルビノールメトブロマイド500■
を氷酢酸5mlに溶解し、4時間還流する。反応終了後
、溶媒を留去し、アセトン5IIllを加える。析出す
る結晶を濾取して、ジー(2−チェニル)=(N−メチ
ル−5−メトキシ−3−ビペリジリデン)メタンメトブ
ロマイド320■を得る。
m、p、195〜197℃ 元素分析 C17H22NO2S2Br (%)計算値
 C51,0+、 H5,54、N 3.49実測値 
C50,90i H5,64i N 3.旧NMRスペ
クトル(90MHz DMSO−ds中)3.16 p
pm (3H,シングレット ;、/II:A)、3.
181)Pi (3H,シングレット 2/JぐC15
)、3.32 ppm (3H,シングレット、−0C
H3)、7.00〜7.66 ppm (6H,マルチ
プレット、−2−チェニル基) 実施例2゜ ジー(2−チェニル)−(N−メチル−5−メトキシ−
3−ピペリジル)カルビノールメトヨウダイト1.Og
に10%ヨウ化水素酸7.5mlを加え、80℃1時間
加熱する。反応終了後、クロロホルムl01lIlを加
え抽出する。クロロホルム層を濃縮し、酢酸エチル2m
lを加える。析出する結晶を濾取してジー(2−チェニ
ル)−(N−メチル−5−メトキシ−3−ピベリジリデ
ン)メタンメトヨウダイト0.92 gを得る。
m、p、196.5〜198.0℃ 元素分析 C1りH22NO821(九つ計算値 C4
5,63,H4,96i N 3.13実測値 C45
,33; H5,04; N 2.95(7) NMRスペクトル(90MHz DMSO−d6中)3
.31 ppm (3H,シングレット、−0CR3)
、7.00〜7.67 ppm (6H,マルチプL/
、ト、−2−チェニル基) 実施例3゜ ジー(2−チェニル)−(N−メチル−5−メトキシ−
3−ピペリジル)カルビノールメト−p−トルエンスル
ホネート500■をp−)ルエンスルホン酸1水塩】、
Ogおよび水10m1を加え、80℃4時間加熱する。
反応終了後、クロロホルム10m1を加え抽出する。ク
ロロホルム層を濃縮し、アセトン1mlおよび酢酸エチ
ルIQmlの混合溶媒より結晶化させ、濾取して、ジー
(2−チェニル)−(N−メチル−5−メトキシ−3−
ビベーパリ リ1、デン)メタンメト−p−)ルエンスルホネート3
00■を得る。
m、p、153〜155℃ 元素分析 C24H埒N04S3(%)計算値 C5B
、62. H5,95、N 2.85実測値 C58,
53i H6,10i N 2.6ONMRスペクトル
(90MHz DMSO−ds中)2.28 ppm 
(3H,シングレソF+ CH3)、3.10 flp
m (6H,シングレット、 >tJ−’K )、01 (8) 3.30 ppm (3H、シングレット、−0CH3
)、7.00〜7.63 ppm (IOH、マルチプ
レット、−2−チェニル基および−QSO3−)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 一般式 (式中、R1およびR2は低級アルキル基、R3は水素
    原子、低級アルキル基または低級脂肪族アシル基、Aは
    チェニル基またはフェニル基、Xは無機酸アルキルエス
    テルの酸残基または有機強酸アルキルエステルの酸残基
    を表す)で表されるピペリ−ジルメタン誘導体の4級塩
    を脱水反応することを特徴とする一般式 (式中、R1,R2,R31AT Xは前記と同義7を
    表す)で示されるビペリジリデンメタン誘導体の第4級
    塩の製法。
JP13877383A 1983-07-29 1983-07-29 ピペリジリデンメタン誘導体の4級塩の製法 Pending JPS6032786A (ja)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6011486A (ja) * 1983-06-30 1985-01-21 Sanyo Kagaku Kenkyusho:Kk ピペリジリデンメタン第4級塩の製法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6011486A (ja) * 1983-06-30 1985-01-21 Sanyo Kagaku Kenkyusho:Kk ピペリジリデンメタン第4級塩の製法

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