JPS6032617B2 - 新規なシクロペンタノン誘導体、それらの製造法及びプロスタグランジン合成への使用 - Google Patents
新規なシクロペンタノン誘導体、それらの製造法及びプロスタグランジン合成への使用Info
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- JPS6032617B2 JPS6032617B2 JP51138561A JP13856176A JPS6032617B2 JP S6032617 B2 JPS6032617 B2 JP S6032617B2 JP 51138561 A JP51138561 A JP 51138561A JP 13856176 A JP13856176 A JP 13856176A JP S6032617 B2 JPS6032617 B2 JP S6032617B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D309/00—Heterocyclic compounds containing six-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom, not condensed with other rings
- C07D309/02—Heterocyclic compounds containing six-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom, not condensed with other rings having no double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
- C07D309/08—Heterocyclic compounds containing six-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom, not condensed with other rings having no double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to ring carbon atoms
- C07D309/10—Oxygen atoms
- C07D309/12—Oxygen atoms only hydrogen atoms and one oxygen atom directly attached to ring carbon atoms, e.g. tetrahydropyranyl ethers
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明の主題は、次式Z
(ここでalkは1〜4個の炭素原子を有するアルキル
基を表わし、Rは水素原子又はQ−テトラヒドロピラニ
ル基を表わし、Yは水素原子を表わし、或いは2個の記
号Yは一緒になって炭素原子の間で第二の結合を形成す
る。
基を表わし、Rは水素原子又はQ−テトラヒドロピラニ
ル基を表わし、Yは水素原子を表わし、或いは2個の記
号Yは一緒になって炭素原子の間で第二の結合を形成す
る。
ただし、YはRが水素原子を表わすときは水素原子を表
わすものと解されたい)の新規なシクロベンタノン誘導
体にある。
わすものと解されたい)の新規なシクロベンタノン誘導
体にある。
特に、本発明の主題は、次式の
(ここでalkは1〜4個の炭素原子を有するアルキル
基を表わす)の化合物及び次式1 (ここでalkは1〜4個の炭素原子を有するアルキル
基を表わし、Rは水素原子又はQ−テトラヒドロピラニ
ル基を表わす)の化合物である。
基を表わす)の化合物及び次式1 (ここでalkは1〜4個の炭素原子を有するアルキル
基を表わし、Rは水素原子又はQ−テトラヒドロピラニ
ル基を表わす)の化合物である。
期alkの中でも、メチル、エチル、プロピル、イソプ
ロピル、ブチル、secーブチル又はtーブチル基を例
示し得る。
ロピル、ブチル、secーブチル又はtーブチル基を例
示し得る。
さらに特定すれば、本発明の主題は下記の化合物にある
。
。
2一(Qーテトラヒドロピラニルオキシメチル)一5ー
オキソー1ーシクロベンテンカルポン酸メチル2ーオキ
ソー5一(Qーテトラヒドロピラニルオキシメチル)シ
クロベンタンカルボン酸メチル2ーオキソー5ーヒドロ
キシメチルシクロベンタンカルボン酸メチルまた、本発
明の主題は、次式0 の化合物に酸の存在下にジヒドロピランを作用させて次
式mの化合物を得、これを強塩基の存在下に次式C&C
O−CH2C02alk(ここでalkは前記の意味を
有する) のアセト酢酸アルキルで処理して次式N (ここで破線は、ヒドロキシル基がその結合している炭
素原子上での二つの可能な立体配置の一方又は他方の位
置にあり得ることを意味する)の化合物を得、この式W
の化合物を酸化剤で処理して式Vの化合物を得、これを
塩基で処理して次式のの化合物を得、必要ならばこの化
合物を触媒の存在下に水素で処理して次式1′の化合物
(RがQ−テトラヒドロピラニル基を表わし、Yが水素
原子を表わす式1の化合物に相当する)を得、必要なら
ばこの式1′の化合物を酸で処理して次式1″の化合物
(R及びYが水素原子を表わす1の化合物に相当する)
を得ることを特徴とする前記のような式Zの化合物の製
造法にある。
オキソー1ーシクロベンテンカルポン酸メチル2ーオキ
ソー5一(Qーテトラヒドロピラニルオキシメチル)シ
クロベンタンカルボン酸メチル2ーオキソー5ーヒドロ
キシメチルシクロベンタンカルボン酸メチルまた、本発
明の主題は、次式0 の化合物に酸の存在下にジヒドロピランを作用させて次
式mの化合物を得、これを強塩基の存在下に次式C&C
O−CH2C02alk(ここでalkは前記の意味を
有する) のアセト酢酸アルキルで処理して次式N (ここで破線は、ヒドロキシル基がその結合している炭
素原子上での二つの可能な立体配置の一方又は他方の位
置にあり得ることを意味する)の化合物を得、この式W
の化合物を酸化剤で処理して式Vの化合物を得、これを
塩基で処理して次式のの化合物を得、必要ならばこの化
合物を触媒の存在下に水素で処理して次式1′の化合物
(RがQ−テトラヒドロピラニル基を表わし、Yが水素
原子を表わす式1の化合物に相当する)を得、必要なら
ばこの式1′の化合物を酸で処理して次式1″の化合物
(R及びYが水素原子を表わす1の化合物に相当する)
を得ることを特徴とする前記のような式Zの化合物の製
造法にある。
前記の方法を実施する好ましい方法において、式0の化
合物を式mの化合物に変換するのに使用される酸は、p
−トルェンスルホン酸である。
合物を式mの化合物に変換するのに使用される酸は、p
−トルェンスルホン酸である。
しかし、酢酸又はしゆう酸のようなその他の酸も使用で
きる。式mの化合物を式Wの化合物に変換するのに使用
される強塩基は、好ましくは、水素化ナトリウムとブチ
ルリチウムとの混合物であるが、ブチルリチウム単独、
カリウムt−アミラート又はジイソプロピルリチウムア
ミドのようなブロックされたアミド又はジイソプロピル
リチウムアミドと水酸化ナトリウムとの混合物も使用で
きる。
きる。式mの化合物を式Wの化合物に変換するのに使用
される強塩基は、好ましくは、水素化ナトリウムとブチ
ルリチウムとの混合物であるが、ブチルリチウム単独、
カリウムt−アミラート又はジイソプロピルリチウムア
ミドのようなブロックされたアミド又はジイソプロピル
リチウムアミドと水酸化ナトリウムとの混合物も使用で
きる。
式Wの化合物を式Vの化合物に変換するのに使用される
酸化剤は、好ましくはクロム酸/ピリジン銭合体である
。しかし、トリェチルアミン又はコリジン中のクロム酸
も使用できる。式Vの化合物を式のの化合物の変換する
のに用いられる塩基は、好ましくは重炭酸カリウムであ
る。
酸化剤は、好ましくはクロム酸/ピリジン銭合体である
。しかし、トリェチルアミン又はコリジン中のクロム酸
も使用できる。式Vの化合物を式のの化合物の変換する
のに用いられる塩基は、好ましくは重炭酸カリウムであ
る。
しかし、重炭酸ナトリウム又は炭酸ナトリウム若しくは
カリウムのようなその他の塩基も使用できる。必要に応
じて式Wの化合物は水酸化して式1′の化合物を与える
際に存在させる触媒は、好ましくはバラジウム坦持炭で
ある。
カリウムのようなその他の塩基も使用できる。必要に応
じて式Wの化合物は水酸化して式1′の化合物を与える
際に存在させる触媒は、好ましくはバラジウム坦持炭で
ある。
しかし、バラジウム担持硫酸バリウム又はバラジウム担
持炭酸ストロンチウム又はラネーニツケルも使用できる
。必要に応じて式1′の化合物を式1″の化合物に変換
するのに用いられる酸は、好ましくはしゆう酸であるが
、酢酸、塩酸又は硫酸も使用できる。しかして、本発明
に従えば、式1の化合物は、次式のここでalkは1〜
4個の炭素原子を有するアルキル基を表わす)の化合物
を触媒の存在化に水素で処理して次式・′の化合物(R
がQ−テトラヒドロピラニル基である式1の化合物に相
当する)を得、必要ならばこの式1′の化合物を酸で処
理して次式1″の化合物(Rが水素原子を表わす式1の
化合物に相当する)を得ることを特徴とする方法によっ
て製造することができる。
持炭酸ストロンチウム又はラネーニツケルも使用できる
。必要に応じて式1′の化合物を式1″の化合物に変換
するのに用いられる酸は、好ましくはしゆう酸であるが
、酢酸、塩酸又は硫酸も使用できる。しかして、本発明
に従えば、式1の化合物は、次式のここでalkは1〜
4個の炭素原子を有するアルキル基を表わす)の化合物
を触媒の存在化に水素で処理して次式・′の化合物(R
がQ−テトラヒドロピラニル基である式1の化合物に相
当する)を得、必要ならばこの式1′の化合物を酸で処
理して次式1″の化合物(Rが水素原子を表わす式1の
化合物に相当する)を得ることを特徴とする方法によっ
て製造することができる。
また、本発明に従えば、式のの化合物は、式Vの化合物
を塩基で処理することを特徴とする方法により製造する
ことができる。
を塩基で処理することを特徴とする方法により製造する
ことができる。
同様に、本発明に従えば、式Vの化合物は、式Wの化合
物を酸化剤で処理することを特徴とする方法によって製
造することができる。
物を酸化剤で処理することを特徴とする方法によって製
造することができる。
同様に、本発明に従えば、式Wの化合物は、式ロの化合
物を酸の存在化にジヒドロピランで処理して式mの化合
物を得、これを次式CH3CO−CH2CQalk のアセト酢酸アルキルで処理して所望の化合物を得るこ
とを特徴とする方法によって製造することができる。
物を酸の存在化にジヒドロピランで処理して式mの化合
物を得、これを次式CH3CO−CH2CQalk のアセト酢酸アルキルで処理して所望の化合物を得るこ
とを特徴とする方法によって製造することができる。
同様に、本発明の主題は、新規な工業用化合物、特に式
1の化合物の製造に必要な中間体化合物としての次式〔
ここでalkは1〜4個の炭素原子を有するアルキル基
を表わし、Bは酸素原子か又は次の基日 ○日(ここで
波線はヒド。
1の化合物の製造に必要な中間体化合物としての次式〔
ここでalkは1〜4個の炭素原子を有するアルキル基
を表わし、Bは酸素原子か又は次の基日 ○日(ここで
波線はヒド。
キシル基及び水素、ノ原子がそれらの結合している炭素
原子上での可能な立体配置の一方又は他方の位置にあり
得ることを意味する)を表わす〕の化合物である。
原子上での可能な立体配置の一方又は他方の位置にあり
得ることを意味する)を表わす〕の化合物である。
なお、次式
(ここでBは基
を表わす)
の化合物に相当する式Wの化合物が前記の形か又は次式
Waの化合物の形で存在し得ることを理解されたい。
Waの化合物の形で存在し得ることを理解されたい。
式Zの化合物、特に式1の化合物は大きな商業的興味を
有する。事実、それらは、ある種のプロスタグランジン
譲導体の新規な合成を達成させるものであって、この新
規な合成は同化合物を製造する既知の方法よりも非常に
有利であることがわかつた。従来技術の方法と比較して
、式Zの化合物を中間体として使用する合成は、特にそ
れらが中間体化合物の精製をそれほど必要としないので
、使用するのが容易である。
有する。事実、それらは、ある種のプロスタグランジン
譲導体の新規な合成を達成させるものであって、この新
規な合成は同化合物を製造する既知の方法よりも非常に
有利であることがわかつた。従来技術の方法と比較して
、式Zの化合物を中間体として使用する合成は、特にそ
れらが中間体化合物の精製をそれほど必要としないので
、使用するのが容易である。
さらに、これらの合成は良好な全体収率の達成を可能に
させる。特に式Zの化合物は、10,11ージヒドロP
GA2骨格を有するプロスタグラジンを改善された方法
で製造するのを可能ならしめる。
させる。特に式Zの化合物は、10,11ージヒドロP
GA2骨格を有するプロスタグラジンを改善された方法
で製造するのを可能ならしめる。
このような方法は、式Zの化合物、特に式1の化合物を
次式Aの化合物の製造に使用することからなり、これは
R及びYが水素原子を表わす式Zの化合物に相当する式
1″の化合物にジアゾメタンを作用させて次式肌の化合
物を得、これを酸化剤で処理して式虹の化合物を得、こ
れを強塩基の存在下に次式(ここでalk,は1〜4個
の炭素原子を有するアルキル基を表わす)のホスホン酸
ェステルで処理して次式× の化合物を得、これを還元剤で処理して次式×(ここで
波線はヒドロキシル基がその結合している炭素原子上の
二つの可能な立体配置の一方又は他方の位置にあり得る
ことを意味する)の化合物を得、この式×の化合物を酸
で処理して式Aの化合物を得ることによって特徴づけら
れる。
次式Aの化合物の製造に使用することからなり、これは
R及びYが水素原子を表わす式Zの化合物に相当する式
1″の化合物にジアゾメタンを作用させて次式肌の化合
物を得、これを酸化剤で処理して式虹の化合物を得、こ
れを強塩基の存在下に次式(ここでalk,は1〜4個
の炭素原子を有するアルキル基を表わす)のホスホン酸
ェステルで処理して次式× の化合物を得、これを還元剤で処理して次式×(ここで
波線はヒドロキシル基がその結合している炭素原子上の
二つの可能な立体配置の一方又は他方の位置にあり得る
ことを意味する)の化合物を得、この式×の化合物を酸
で処理して式Aの化合物を得ることによって特徴づけら
れる。
前記の方法を実施する好ましい方法において、式畑の化
合物を得るために式血の化合物に作用させる酸化剤は酸
化クロム/ピリジン鏡合体である。
合物を得るために式血の化合物に作用させる酸化剤は酸
化クロム/ピリジン鏡合体である。
トリェチルアミン中又はコリジン中の酸化クロムも使用
することができる。式風の化合物から出発して式Kの化
合物を製造するのに好んで使用されるホスホン酸ェステ
ルは、(2ーオキソヘプチル)ホスホン酸ジメチルであ
る。しかし、対応するジェチル、ジプロピル又はジブチ
ル体も使用することができる。使用される強塩基は、好
ましくは水素化ナトリウムであるが、ナトリウムアミド
、ナトリウムt−ァミラート又はブチルリチゥムも使用
することができる。
することができる。式風の化合物から出発して式Kの化
合物を製造するのに好んで使用されるホスホン酸ェステ
ルは、(2ーオキソヘプチル)ホスホン酸ジメチルであ
る。しかし、対応するジェチル、ジプロピル又はジブチ
ル体も使用することができる。使用される強塩基は、好
ましくは水素化ナトリウムであるが、ナトリウムアミド
、ナトリウムt−ァミラート又はブチルリチゥムも使用
することができる。
式Kの化合物を式×の化合物に変換するのに好んで使用
される還元剤は、ナトリウムトリスメトキシボロヒドリ
ドである。
される還元剤は、ナトリウムトリスメトキシボロヒドリ
ドである。
しかし、その他の還元剤、例えば水素化ほう素ナトリウ
ム、カリウム又は亜鉛、或いは水素化ホウ素アルキル、
例えばカリウム又はリチウムトリスsecーブチルボロ
ヒドリドも使用することができる。式×の化合物を式A
の化合物に変換するのに好んで使用される酸は、好まし
くは希望酸であるが、硫酸のようなその他の無機酸も使
用できる。
ム、カリウム又は亜鉛、或いは水素化ホウ素アルキル、
例えばカリウム又はリチウムトリスsecーブチルボロ
ヒドリドも使用することができる。式×の化合物を式A
の化合物に変換するのに好んで使用される酸は、好まし
くは希望酸であるが、硫酸のようなその他の無機酸も使
用できる。
フランス特許第2.085,652号には、式Aの化合
物から出発する次式Eの製造が記載されている。
物から出発する次式Eの製造が記載されている。
また、フランス特許第2,085,6鼠号には、10,
11ージヒドロPGA2骨格を有し且つ興味ある薬理学
的性質を持ったプロスタン酸誘導体の製造に式Eの化合
物を使用することが記載される。
11ージヒドロPGA2骨格を有し且つ興味ある薬理学
的性質を持ったプロスタン酸誘導体の製造に式Eの化合
物を使用することが記載される。
また、式Zの化合物、特に式1の化合物が興味ある薬理
学的性質を有するシクロベンタノール議導体の合成に有
用な中間体となることが見出された。この式Zの化合物
を使用する合成は、1973王8月24日付けのフラン
ス特許出願第275−26616号に記載され、そして
フランス特許第2,085 652号に記載の方法によ
り得られた式Aの化合物をジアゾメタンで処理し、次い
で縛られた化合物をけい酸銀のような酸化剤で酸化する
ことからなる合成と比較して、短縮されている。さらに
、この合成は酸化段階を回避しており、したがって使用
するのが容易である。
学的性質を有するシクロベンタノール議導体の合成に有
用な中間体となることが見出された。この式Zの化合物
を使用する合成は、1973王8月24日付けのフラン
ス特許出願第275−26616号に記載され、そして
フランス特許第2,085 652号に記載の方法によ
り得られた式Aの化合物をジアゾメタンで処理し、次い
で縛られた化合物をけい酸銀のような酸化剤で酸化する
ことからなる合成と比較して、短縮されている。さらに
、この合成は酸化段階を回避しており、したがって使用
するのが容易である。
このような方法は、式Zの化合物、特に式1の化合物を
次式×の化合物の製造に使用することからなり、これは
R及びYが水素原子を表わす式の化合物に相当する式1
″の化合物にジアゾメタンを作用させて次式肌の化合物
を得、これを酸化剤で処理して式四の化合物を得、これ
を強塩基の存在下に次式(ここでalk,は1〜4個の
炭素原子を有するアルキル基を表わす)のホスホン酸ェ
ステルで処理して式Kの化合物を得ることにより特徴づ
けられる。
次式×の化合物の製造に使用することからなり、これは
R及びYが水素原子を表わす式の化合物に相当する式1
″の化合物にジアゾメタンを作用させて次式肌の化合物
を得、これを酸化剤で処理して式四の化合物を得、これ
を強塩基の存在下に次式(ここでalk,は1〜4個の
炭素原子を有するアルキル基を表わす)のホスホン酸ェ
ステルで処理して式Kの化合物を得ることにより特徴づ
けられる。
式×の化合物から出発し、そして興味ある薬理学的性質
を有するシクロベンタノール誘導体の合成は、1973
王8月29日付けのフランス特許出願第75−2661
6号に記載されている。
を有するシクロベンタノール誘導体の合成は、1973
王8月29日付けのフランス特許出願第75−2661
6号に記載されている。
この特許出願においては、次式×
の化合物を次式
R′MgX
(R′は1〜4個の炭素原子を有する飽和又は不飽和ア
ルキル基を表わす)の有機金属又は有機メタロィド誘導
体で処理して次の一般式の化合物を得、これを塩酸のよ
うな酸で処理して次式の化合物を得、この化合物を 【i} 緩かな条件下に水素化ホウ素ナトリウムのよう
な還元剤で処理して次の一般式Cの化合物を得るか、又
は ‘ii1 2,3ージヒドロピランで処理して次の一般
式の化合物を得、これを緩かな条件下に水素化ほう素ナ
トリウムのような還元剤で処理して次の一般式○の化合
物を得ている。
ルキル基を表わす)の有機金属又は有機メタロィド誘導
体で処理して次の一般式の化合物を得、これを塩酸のよ
うな酸で処理して次式の化合物を得、この化合物を 【i} 緩かな条件下に水素化ホウ素ナトリウムのよう
な還元剤で処理して次の一般式Cの化合物を得るか、又
は ‘ii1 2,3ージヒドロピランで処理して次の一般
式の化合物を得、これを緩かな条件下に水素化ほう素ナ
トリウムのような還元剤で処理して次の一般式○の化合
物を得ている。
前記のフランス特許出願において式Kの化合物より出発
して得られた一般式C及びDの化合物は、興味ある薬理
学的性質を持っている。
して得られた一般式C及びDの化合物は、興味ある薬理
学的性質を持っている。
特に、それらはプロスタグラジンに浩抗する活性を示す
。それらは鎮痛、抗炎症及び平滑筋弛緩活性を付与され
ている。それらは、治療に、例えば平滑筋や関節に影響
する痛み、リューマチ病、そしてある種の平滑筋の過度
活動より生ずる疾病の治療に用いることができる。
。それらは鎮痛、抗炎症及び平滑筋弛緩活性を付与され
ている。それらは、治療に、例えば平滑筋や関節に影響
する痛み、リューマチ病、そしてある種の平滑筋の過度
活動より生ずる疾病の治療に用いることができる。
下記の例は本発明を例示するものであって、これを何ら
制限するものではない。
制限するものではない。
例 1:(IRS,$R)2ーオキソー5一(Q−テト
ラヒドロピラニルオキシメチル)シクロベンタンカルボ
ン酸メチル 工程A:1,2−ヱポキシ−3一Qーテトラヒドロピラ
ニルオキシプロ/ゞン3.斑のグリシドール(2,3ー
エポキシー1−プロパノール)、18.5ccのジヒド
ロピラン及び150の9のPートルェンスルホン酸の溶
液を40℃に加熱する。
ラヒドロピラニルオキシメチル)シクロベンタンカルボ
ン酸メチル 工程A:1,2−ヱポキシ−3一Qーテトラヒドロピラ
ニルオキシプロ/ゞン3.斑のグリシドール(2,3ー
エポキシー1−プロパノール)、18.5ccのジヒド
ロピラン及び150の9のPートルェンスルホン酸の溶
液を40℃に加熱する。
3ぴ分後に150雌のpートルェンスルホン酸を加え、
次いで15分後に全体を周囲温度で炭酸カリウムにより
中和する。
次いで15分後に全体を周囲温度で炭酸カリウムにより
中和する。
炉過し、酢酸エチルで洗浄し、溶媒を減圧下に造出す。
8.4総の所期生成物を得る。
8.4総の所期生成物を得る。
Pf=0.6(8:2シクロヘキサン−酢酸エチル)工
程B:3ーケトー6−ヒドロキシ−7一Q−ナトラヒド
ロピラニルオキシヘプタン酸メチ/し 8ccのアセト酢酸のメチルと16ccの無水テトラヒ
ドロフランを含有し、3.55笹の水素化ナトリウムの
50%オイル懸濁液を加えてなる0℃に保った懸濁溶液
を16ccの無水テトラヒドロフランに30分間にわた
つて加える。
程B:3ーケトー6−ヒドロキシ−7一Q−ナトラヒド
ロピラニルオキシヘプタン酸メチ/し 8ccのアセト酢酸のメチルと16ccの無水テトラヒ
ドロフランを含有し、3.55笹の水素化ナトリウムの
50%オイル懸濁液を加えてなる0℃に保った懸濁溶液
を16ccの無水テトラヒドロフランに30分間にわた
つて加える。
この混合物に39ccのブチルリチウムを0℃で30分
間にわたり導入する。
間にわたり導入する。
全体を半時間かきまぜ、次いで一7020に保つ。この
溶液を工程Aで製造した5.紋の1,2−ェポキシー3
一Qーテトラヒドロピラニルオキシプロパンと16cc
のテトラヒドロフランを含有する0℃の溶液に45分間
で入れる。
溶液を工程Aで製造した5.紋の1,2−ェポキシー3
一Qーテトラヒドロピラニルオキシプロパンと16cc
のテトラヒドロフランを含有する0℃の溶液に45分間
で入れる。
これを3時間30分かきまぜる。これを過剰量の氷冷し
たりん酸モノナトリウム濃溶液に注入し、10分間かき
まぜ、酢酸エチルで抽出し、中性となるまで洗浄する。
溶媒を蒸発させた後、16.斑の油状物を得、次いでこ
れをシリカで精製する(6:4シクロヘキサンー酢酸エ
チル)。8.0彼の純生成物を回収する。
たりん酸モノナトリウム濃溶液に注入し、10分間かき
まぜ、酢酸エチルで抽出し、中性となるまで洗浄する。
溶媒を蒸発させた後、16.斑の油状物を得、次いでこ
れをシリカで精製する(6:4シクロヘキサンー酢酸エ
チル)。8.0彼の純生成物を回収する。
Rf=0.15工程C:3,6−ジオキソー7−Qーテ
トラヒドロピラニルオキシヘプタン酸メチル股のクロム
酸を9.7ccのピリジンに溶解してなる溶液を148
ccの塩化メチレンにゆっくりと加える。
トラヒドロピラニルオキシヘプタン酸メチル股のクロム
酸を9.7ccのピリジンに溶解してなる溶液を148
ccの塩化メチレンにゆっくりと加える。
全体を15分間かきまぜる。1.1gの工程Bで得られ
た生成物を10ccの塩化メチレンに溶解してなる溶液
を加える。
た生成物を10ccの塩化メチレンに溶解してなる溶液
を加える。
18分後に150ccのエーテルを加え、沈澱を炉過し
、エーテルで洗浄し、溶媒を蒸発させる。
、エーテルで洗浄し、溶媒を蒸発させる。
1.聡の粗生成物を得、これをシリカでのクロマトグラ
フィーにより精製する(8:2塩化メチレンー酢酸エチ
ル)。
フィーにより精製する(8:2塩化メチレンー酢酸エチ
ル)。
473倣の粗生成物を得る。
Rf:0.4L工程:D2一(Q−テトラヒドロピラニ
ルオキシメチル)一5−オキソー1ーシクロベンテンカ
ルボン酸メチル 291雌の重炭酸カリウムを72ccの蒸留水に溶解し
てなる溶液と220倣の工程Cで得られた粗生成物を2
.4ccの塩化メチレンに溶解してなる溶液とを激しく
かきまぜる。
ルオキシメチル)一5−オキソー1ーシクロベンテンカ
ルボン酸メチル 291雌の重炭酸カリウムを72ccの蒸留水に溶解し
てなる溶液と220倣の工程Cで得られた粗生成物を2
.4ccの塩化メチレンに溶解してなる溶液とを激しく
かきまぜる。
半時間後に全体をしゆう酸によりpH3まで酸性化し、
次いで塩化ナトリウムを飽和させ、塩化メチレンで抽出
する。蒸発後、205秘の所期生成物を得る。Mp=4
が○、Rf=0.4(溶機剤=8.2縞化メチレン−酢
酸エチル)。
次いで塩化ナトリウムを飽和させ、塩化メチレンで抽出
する。蒸発後、205秘の所期生成物を得る。Mp=4
が○、Rf=0.4(溶機剤=8.2縞化メチレン−酢
酸エチル)。
工程E:(IRS,SR)2−オキソー5一(Q−テト
ラヒドロピラニルオキシメチル)シクロベンタンカルボ
ン酸メチル 215雌の工程Dで得られた生成物、10ccのメタノ
ール及び21の夕の10%バラジウム担持炭を含有する
溶液を水素雰囲気下にかきまぜる。
ラヒドロピラニルオキシメチル)シクロベンタンカルボ
ン酸メチル 215雌の工程Dで得られた生成物、10ccのメタノ
ール及び21の夕の10%バラジウム担持炭を含有する
溶液を水素雰囲気下にかきまぜる。
理論容量が40分間で吸収されたが、その溶液を炉過し
、酢酸エチルで洗浄し、溶媒を蒸発させ、172雌の油
状物を得、これをシリカでクロマトグラフィーする(5
0:50シクロヘキサンー酢酸エチル)。122のcの
所期生成物を得る。
、酢酸エチルで洗浄し、溶媒を蒸発させ、172雌の油
状物を得、これをシリカでクロマトグラフィーする(5
0:50シクロヘキサンー酢酸エチル)。122のcの
所期生成物を得る。
例 2:(IRS,$R)2−オキソー5−ヒドロキシ
メチルシクロベンタンカルボン酸メチル 4雛の例1で得られた生成物、860ccのメタノール
、86ccの水及び12.7gのしゆう酸の混合物をか
きまぜながら60ccとする。
メチルシクロベンタンカルボン酸メチル 4雛の例1で得られた生成物、860ccのメタノール
、86ccの水及び12.7gのしゆう酸の混合物をか
きまぜながら60ccとする。
これを40℃で減圧下に濃縮し、クロロホルムで溶解し
、水洗し、脱水する。溶媒を蒸発させ、29.次の粗生
成物を得、これをシリカでクロマトグラフィーする(2
:8シクロヘキサン−酢酸エチル)。1後の純油状物を
得る。
、水洗し、脱水する。溶媒を蒸発させ、29.次の粗生
成物を得、これをシリカでクロマトグラフィーする(2
:8シクロヘキサン−酢酸エチル)。1後の純油状物を
得る。
NMRスペクトル、CDCI3、9皿MHZ参考例1:
(皮S,1′E)2−メトキシ−5−(3′ーオキソー
1′ーオクテニル)−1−シクロベンテンカルボン酸メ
チル 工程A:(球S)2−メトキシー5ーヒドロキシメチル
−1−シクロベンテンカルボン酸メチル 蝋の例2で得られた8ーケトェステル、10ccの塩化
メチレン及び50ccのジアゾメタンを塩化〆チレンに
溶解してなる溶液を周囲温度で4時間かきまぜる。
(皮S,1′E)2−メトキシ−5−(3′ーオキソー
1′ーオクテニル)−1−シクロベンテンカルボン酸メ
チル 工程A:(球S)2−メトキシー5ーヒドロキシメチル
−1−シクロベンテンカルボン酸メチル 蝋の例2で得られた8ーケトェステル、10ccの塩化
メチレン及び50ccのジアゾメタンを塩化〆チレンに
溶解してなる溶液を周囲温度で4時間かきまぜる。
溶媒と過剰のジアゾメタンを蒸発させ、4.斑の黄色油
状物を得、粗製のまま次の反応に用いる。
状物を得、粗製のまま次の反応に用いる。
工程B:(斑S)2−メトキシ−5−ホルミルー1ーシ
クロベンテンカルボン酸メチル41ccのピリジンを4
00ccの無水塩化メチレンに溶解して15〜2000
に保った溶液に25.鷺の酸化クロムを少量づつ加える
。
クロベンテンカルボン酸メチル41ccのピリジンを4
00ccの無水塩化メチレンに溶解して15〜2000
に保った溶液に25.鷺の酸化クロムを少量づつ加える
。
全体を15分間かきまぜ、次いで得られた溶液を−15
qoに冷却し、4.総の先の工程で得られた生成物を加
え、10ccの塩化メチレンに溶解する。1時間30分
後に5雌のセラィトと100ccのエーテルを加え、全
体を炉過し、エーテルで洗浄し、溶媒を30℃で蒸発さ
せる。
qoに冷却し、4.総の先の工程で得られた生成物を加
え、10ccの塩化メチレンに溶解する。1時間30分
後に5雌のセラィトと100ccのエーテルを加え、全
体を炉過し、エーテルで洗浄し、溶媒を30℃で蒸発さ
せる。
工程C:(球S,1′E)2ーメトキシ−5−(3′ー
オキソー1′−オクテニル)一1−シクロベンテンカル
ポン酸メチル50ccのジメトキシエタンと7.743
gの(2ーオキソヘプチル)ホスホン酸ジメチルを含有
し、1.67偽の水素化ナトリウムの50%オイル懸濁
液を加えてなる溶液を50ccのジメトキシェタンに溝
下する。
オキソー1′−オクテニル)一1−シクロベンテンカル
ポン酸メチル50ccのジメトキシエタンと7.743
gの(2ーオキソヘプチル)ホスホン酸ジメチルを含有
し、1.67偽の水素化ナトリウムの50%オイル懸濁
液を加えてなる溶液を50ccのジメトキシェタンに溝
下する。
全体を3時間かきまぜ、前の工程で得られたアルデヒド
を50ccのジメトキシェタンに溶解してなる溶液を2
0分間で加える。
を50ccのジメトキシェタンに溶解してなる溶液を2
0分間で加える。
2時間後に反応混合物を氷冷りん酸モノナトリウム溶液
に注入し、次いで酢酸エチルで抽出する。
に注入し、次いで酢酸エチルで抽出する。
抽出物を洗浄し、有機相を脱水し、溶媒を蒸発させる。
1彼の油状物を得、これをシリカで精製する(溶離液6
0:40シクロヘキサンー酢酸エチル)。
1彼の油状物を得、これをシリカで精製する(溶離液6
0:40シクロヘキサンー酢酸エチル)。
2.14彼の無色油状物を得る。
IRスペクトル
1691弧‐1でC=0の弱く広い最大吸収率1623
の‐1でC=C共役参考例2:(IRS,粥S,1′E
,3′RS及びSR)2−オキソ−5一(3′ーヒドロ
キシー1′ーオクテニル)シクロベンタンカル ボン酸メチル 工程A:(球S,1′E,3′RS及びSR)2−メト
キシー5−(3′ーヒドロキシ一1′ーオクテニル)−
1−シクロベンテンカルボン酸メチル 窒素化に、76.7の9の参考例で得られた生成物を3
ccのテトラヒドロフランに入れ、次いで55の夕のナ
トリウムトリメトキシボロヒドリドを加える。
の‐1でC=C共役参考例2:(IRS,粥S,1′E
,3′RS及びSR)2−オキソ−5一(3′ーヒドロ
キシー1′ーオクテニル)シクロベンタンカル ボン酸メチル 工程A:(球S,1′E,3′RS及びSR)2−メト
キシー5−(3′ーヒドロキシ一1′ーオクテニル)−
1−シクロベンテンカルボン酸メチル 窒素化に、76.7の9の参考例で得られた生成物を3
ccのテトラヒドロフランに入れ、次いで55の夕のナ
トリウムトリメトキシボロヒドリドを加える。
半時間後に、数適のアセトンを加え、全体を氷冷りん酸
モノナトリウムで加水分解し、酢酸エチルで抽出し、塩
水で洗浄し、脱水し、溶媒を減圧下に蒸発させる。工程
B:(IRS,弧S,1′E,3′RS及びSR)2−
オキソー5−(3′ーヒドロキシー1′ーオクテニル)
シクロベンタンカルボン酸メチル 工程Aで得られた粗製残留物を4ccのメタノール、0
.4ccの水及び数簿のIN塩酸で窒素化に溶解する。
モノナトリウムで加水分解し、酢酸エチルで抽出し、塩
水で洗浄し、脱水し、溶媒を減圧下に蒸発させる。工程
B:(IRS,弧S,1′E,3′RS及びSR)2−
オキソー5−(3′ーヒドロキシー1′ーオクテニル)
シクロベンタンカルボン酸メチル 工程Aで得られた粗製残留物を4ccのメタノール、0
.4ccの水及び数簿のIN塩酸で窒素化に溶解する。
3時間かきまぜた後、メタノールを減圧下に迫出し、残
留物をりん酸モノナトリゥム溶液で溶解し、酢酸エチル
で抽出し、洗浄し、脱水し、溶媒を蒸発させる。残留物
をシリカでクロマトグラフィーする(60:40シクロ
ヘキサンー酢酸エチル)。
留物をりん酸モノナトリゥム溶液で溶解し、酢酸エチル
で抽出し、洗浄し、脱水し、溶媒を蒸発させる。残留物
をシリカでクロマトグラフィーする(60:40シクロ
ヘキサンー酢酸エチル)。
35.1のpの所期生成物を混合物の形で得る。
IRスペクトル
OH:360瓜れ‐I
Cニ○:1737仇‐1、172&*‐1一つの異性体
は、0.1%のトリェチルアミンを含む60:40ベン
ゼン−酢酸エチル溶雛液を用いて薄層クロマトグラフィ
ーにより分離される。
は、0.1%のトリェチルアミンを含む60:40ベン
ゼン−酢酸エチル溶雛液を用いて薄層クロマトグラフィ
ーにより分離される。
Rf=0.51、3′M体(2回移動後)=0.443
SR体参考例3:(IRS,あR,弧S,3′SR)(
1′E)2ーヒドロキシ−5−(3′ーヒドロキシー3
−エチニルー1′ーオクテニル)シ クロベンタンカルボン酸メチル 工程A:(斑S,3RS,1′E)、2−メトキシー5
一(3′一ヒドロキシ−3′ーエチニルー1′ーオクテ
ニル)−1−シクロベンテンカルボン酸メチル及び(駅
S,3′RS.1′E)2ーメトキシ−5一(3′ーヒ
ドロキシー3′ーエチニルー1′−オクテニル)−1ー
シクロベンテンカルボン酸メチル63賭の参考例で得ら
れた(粥S,1′E)2−メトキシー5一(3′ーオキ
ソー1′−オクテニル)一1ーシクロベンテンカルボン
酸メチルを10ccのテトラヒドロフランに溶解し、一
10qoで3.3ccの0.致け臭化ェチニルマグネシ
ウム溶液(テトラヒドロフラン中で臭化エチルマグネシ
ウムとアセチレンとから得た)を加える。
SR体参考例3:(IRS,あR,弧S,3′SR)(
1′E)2ーヒドロキシ−5−(3′ーヒドロキシー3
−エチニルー1′ーオクテニル)シ クロベンタンカルボン酸メチル 工程A:(斑S,3RS,1′E)、2−メトキシー5
一(3′一ヒドロキシ−3′ーエチニルー1′ーオクテ
ニル)−1−シクロベンテンカルボン酸メチル及び(駅
S,3′RS.1′E)2ーメトキシ−5一(3′ーヒ
ドロキシー3′ーエチニルー1′−オクテニル)−1ー
シクロベンテンカルボン酸メチル63賭の参考例で得ら
れた(粥S,1′E)2−メトキシー5一(3′ーオキ
ソー1′−オクテニル)一1ーシクロベンテンカルボン
酸メチルを10ccのテトラヒドロフランに溶解し、一
10qoで3.3ccの0.致け臭化ェチニルマグネシ
ウム溶液(テトラヒドロフラン中で臭化エチルマグネシ
ウムとアセチレンとから得た)を加える。
全体を出発物質が消失するまで−50qoでかきまぜ続
け、次いで塩化アンモニウム飽和溶液に注入し、エーテ
ルで抽出し、脱水し、溶媒を蒸発させる。その残留物を
シリカでクロマトグラフイーし、0.5%のトリエチル
アミンを含有する9:1塩化メチレンー酢酸エチル混合
物で漆離し、所期のQ−OH及び8−OH異性体を得る
。工程B:(IRS,斑S,3′SR,1′E)2ーオ
キソー5一(3−ヒドロキシ−3′ーエチニル)−1′
ーオクテニル)シクロベンタンカルボン酸メチル 1.1gの工程Aで得られたQ−OH異性体、35cc
のエタノール、3.5ccの水及び0.85ccのIN
塩酸の混合物を20qCで7瓜時間かきまぜ、水に注入
し、酢酸エチルで抽出し、水洗し、脱水し、溶媒を蒸発
させる。
け、次いで塩化アンモニウム飽和溶液に注入し、エーテ
ルで抽出し、脱水し、溶媒を蒸発させる。その残留物を
シリカでクロマトグラフイーし、0.5%のトリエチル
アミンを含有する9:1塩化メチレンー酢酸エチル混合
物で漆離し、所期のQ−OH及び8−OH異性体を得る
。工程B:(IRS,斑S,3′SR,1′E)2ーオ
キソー5一(3−ヒドロキシ−3′ーエチニル)−1′
ーオクテニル)シクロベンタンカルボン酸メチル 1.1gの工程Aで得られたQ−OH異性体、35cc
のエタノール、3.5ccの水及び0.85ccのIN
塩酸の混合物を20qCで7瓜時間かきまぜ、水に注入
し、酢酸エチルで抽出し、水洗し、脱水し、溶媒を蒸発
させる。
その残留物をシリカでクロマトグラフィーし、8:2ベ
ンゼン−酢酸エチル混合物で溶解し、所期生成物を得る
。工程C:(IRS,筏R,弧S,3SR,1′E)2
−ヒドロキシー5−(3′ーヒドロキシー3′ーエチニ
ル−1′ーオクテニル)シクロベンタンカルボン酸メチ
ル375のoの工程Bで得られた生成物、10ccのエ
タノール及びlccの水を混合し、次いで5℃で53の
夕の水素化ほう素ナトリウムを加え、その混合物を2時
間かきまぜ続ける。
ンゼン−酢酸エチル混合物で溶解し、所期生成物を得る
。工程C:(IRS,筏R,弧S,3SR,1′E)2
−ヒドロキシー5−(3′ーヒドロキシー3′ーエチニ
ル−1′ーオクテニル)シクロベンタンカルボン酸メチ
ル375のoの工程Bで得られた生成物、10ccのエ
タノール及びlccの水を混合し、次いで5℃で53の
夕の水素化ほう素ナトリウムを加え、その混合物を2時
間かきまぜ続ける。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 次式Z ▲数式、化学式、表等があります▼ (ここでalkは1〜4個の炭素原子を有するアルキル
基を表わし、Rは水素原子又はα−テトラヒドロピラニ
ル基を表わし、Yはそれぞれ水素原子を表わすか、或い
は2個のYは一緒になつて炭素原子の間で第二の単結合
を形成する。 ただし、Rが水素原子を表わすときはYは水素原子を表
わすものとする)の化合物。 2 次式VI ▲数式、化学式、表等があります▼ (ここでalkは1〜4個の炭素原子を有するアルキル
基を表わす)の化合物である特許請求の範囲第1項記載
の化合物。 3 2−(α−テトラヒドロピラニルオキシメチル)−
5−オキソ−1−シクロペンテンカルボン酸メチルであ
る特許請求の範囲第2項記載の化合物。 4 次式I ▲数式、化学式、表等があります▼ (ここでalkは1〜4個の炭素原子を有するアルキル
基を表わし、Rは水素原子又はα−テトラヒドロピラニ
ル基を表わす)の化合物である特許請求の範囲第1項記
載の化合物。 5 2−オキソ−5−(α−テトラヒドロピラニルオキ
シメチル)シクロペンタンカルボン酸メチルである特許
請求の範囲第4項記載の化合物。 6 2−オキソ−5−ヒドロキシメチルシクロペンタソ
カルボン酸メチルである特許請求の範囲第4項記載の化
合物。 7 次式Z ▲数式、化学式、表等があります▼ (ここでalkは1〜4個の炭素原子を有するアルキル
基を表わし、Rは水素原子又はα−テトラヒドロピラニ
ル基を表わし、Yはそれぞれ水素原子を表わすか、或い
は2個のYは一緒になつて炭素原子の間で第二の単結合
を形成する。 ただし、Rが水素原子を表わすときはYは水素原子を表
わすものとする)の化合物を製造するにあたり、次式II ▲数式、化学式、表等があります▼ の化合物に酸の存在下にジヒドロピランを作用させて次
式III▲数式、化学式、表等があります▼ の化合物を得、これを強塩基の存在下に次式CH_3C
O−CH_2CO_2alk(ここでalkは前記の意
味を有する) のアセト酢酸アルキルで処理して次式IV ▲数式、化学式、表等があります▼ (ここで破線は、ヒドロキシル基がその結合している炭
素原子上での二つの可能な立体配置の一方又は他方の位
置にあり得ることを意味する)の化合物を得、この式I
Vの化合物を酸化剤で処理して式V▲数式、化学式、表等
があります▼ の化合物を得、これを塩基で処理して次式VI▲数式、化
学式、表等があります▼の化合物を得、必要ならばこの
化合物を触媒の存在下に水素で処理して次式I′▲数式
、化学式、表等があります▼ の化合物(Rがα−テトラヒドロピラニルを表わす化合
物に相当する)を得、必要ならばこの式I′の化合物を
酸で処理して次式I″▲数式、化学式、表等があります
▼ の化合物(Rが水素原子を表わす化合物に相当する)を
得ることを特徴とする式Zの化合物の製造法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR7536161A FR2332971A1 (fr) | 1975-11-26 | 1975-11-26 | Nouveaux derives de la cyclopentanone, leur procede de preparation et leur application a la synthese de prostaglandines |
FR75-36161 | 1975-11-26 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5265252A JPS5265252A (en) | 1977-05-30 |
JPS6032617B2 true JPS6032617B2 (ja) | 1985-07-29 |
Family
ID=9162926
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP51138561A Expired JPS6032617B2 (ja) | 1975-11-26 | 1976-11-19 | 新規なシクロペンタノン誘導体、それらの製造法及びプロスタグランジン合成への使用 |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4097494A (ja) |
JP (1) | JPS6032617B2 (ja) |
BE (1) | BE848753A (ja) |
CH (1) | CH617690A5 (ja) |
DE (1) | DE2653604A1 (ja) |
DK (1) | DK157675C (ja) |
FR (1) | FR2332971A1 (ja) |
GB (1) | GB1525543A (ja) |
IE (1) | IE44671B1 (ja) |
LU (1) | LU76259A1 (ja) |
NL (1) | NL7613113A (ja) |
SE (1) | SE421307B (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6393752A (ja) * | 1987-07-31 | 1988-04-25 | Nisshin Flour Milling Co Ltd | プロパノール誘導体 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2085652B1 (ja) * | 1970-04-30 | 1973-08-10 | Roussel Uclaf | |
DE2331081A1 (de) * | 1973-06-19 | 1975-01-23 | Hoechst Ag | Neue cyclopentanderivate und verfahren zu ihrer herstellung |
US4014919A (en) * | 1974-03-01 | 1977-03-29 | The Dow Chemical Company | Process for preparing methyl jasmonate and related compounds |
JPS5217021B2 (ja) * | 1974-05-02 | 1977-05-12 |
-
1975
- 1975-11-26 FR FR7536161A patent/FR2332971A1/fr active Granted
-
1976
- 1976-10-21 SE SE7611702A patent/SE421307B/xx not_active IP Right Cessation
- 1976-11-19 JP JP51138561A patent/JPS6032617B2/ja not_active Expired
- 1976-11-19 US US05/743,507 patent/US4097494A/en not_active Expired - Lifetime
- 1976-11-24 NL NL7613113A patent/NL7613113A/xx not_active Application Discontinuation
- 1976-11-25 DE DE19762653604 patent/DE2653604A1/de active Granted
- 1976-11-25 GB GB49274/76A patent/GB1525543A/en not_active Expired
- 1976-11-25 DK DK530176A patent/DK157675C/da active
- 1976-11-25 BE BE172707A patent/BE848753A/xx not_active IP Right Cessation
- 1976-11-25 IE IE2593/76A patent/IE44671B1/en unknown
- 1976-11-25 LU LU76259A patent/LU76259A1/xx unknown
- 1976-11-26 CH CH1494176A patent/CH617690A5/fr not_active IP Right Cessation
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Publication number | Publication date |
---|---|
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CH617690A5 (ja) | 1980-06-13 |
SE7611702L (sv) | 1977-05-27 |
DE2653604A1 (de) | 1977-06-08 |
IE44671L (en) | 1977-05-26 |
BE848753A (fr) | 1977-05-25 |
DK157675C (da) | 1990-07-16 |
DK530176A (da) | 1977-05-27 |
DE2653604C2 (ja) | 1990-06-13 |
IE44671B1 (en) | 1982-02-24 |
FR2332971A1 (fr) | 1977-06-24 |
NL7613113A (nl) | 1977-05-31 |
DK157675B (da) | 1990-02-05 |
FR2332971B1 (ja) | 1980-05-16 |
SE421307B (sv) | 1981-12-14 |
JPS5265252A (en) | 1977-05-30 |
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GB1525543A (en) | 1978-09-20 |
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