JPS6031917B2 - 非シアン化物系酸性銀電気めつき浴 - Google Patents
非シアン化物系酸性銀電気めつき浴Info
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- JPS6031917B2 JPS6031917B2 JP52066583A JP6658377A JPS6031917B2 JP S6031917 B2 JPS6031917 B2 JP S6031917B2 JP 52066583 A JP52066583 A JP 52066583A JP 6658377 A JP6658377 A JP 6658377A JP S6031917 B2 JPS6031917 B2 JP S6031917B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
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Description
【発明の詳細な説明】
銀はアルカリ性溶液、特に、シアン化物溶液から伝統的
にめつきされている。
にめつきされている。
なぜならそれらは安価であり、またアルカリ性シアン化
物鍔体が光に対して安定であるからである。1950玉
代後期にシアン化金アルカリが3.晩星度の低いpHで
安定であることが発見されて酸性金電解液が開発された
。
物鍔体が光に対して安定であるからである。1950玉
代後期にシアン化金アルカリが3.晩星度の低いpHで
安定であることが発見されて酸性金電解液が開発された
。
シアン化銀ナトリウム塩およびカリウム塩は酸性溶液中
でシアン化金アルカリのようには安定性でない。従って
、対応する酸性銀めつき液は1960王代の中頃まで開
発されなかった。1960羊代中頃に、シアン化銀カリ
ウムが、PH6.0または6.5から7までの範囲に緩
衝されると、かなり安定に保たれること及び比較的少量
のチオシアン酸アルカリ金属塩またはアンモニウム塩が
その銀めつき格を安定化し得ることが発見された。
でシアン化金アルカリのようには安定性でない。従って
、対応する酸性銀めつき液は1960王代の中頃まで開
発されなかった。1960羊代中頃に、シアン化銀カリ
ウムが、PH6.0または6.5から7までの範囲に緩
衝されると、かなり安定に保たれること及び比較的少量
のチオシアン酸アルカリ金属塩またはアンモニウム塩が
その銀めつき格を安定化し得ることが発見された。
シアン化物は周知の毒物であるので、シアン化物が存在
しない銀めつき液を用いることが望ましいことは明らか
である。
しない銀めつき液を用いることが望ましいことは明らか
である。
その上、人々の中にはシアン化物に対してアレルギJ性
であり、それでシアン化物と接触したときにひどい発疹
を生じる人もある。過去においてシアン化物を用いない
酸性メッキ液を開発するための企画が幾つかなされてい
るが、これらのめつき液は光に対して敏感であることが
わかっており、短波長の可視光線および紫外線の作用に
よって銀が最終的に金属に還元されてしまう。本発明の
目的はシアン化物を用いず且つ安定な酸性銀めつき格を
提供することである。本発明のこの目的およびその他の
目的は以下に述べる詳細な説明から当業者には明らかに
なるであろう。本発明は非シアン化物系酸性銀電気めつ
き格に関し、特に可溶性銀塩、チオ硫酸塩、亜硫酸水素
塩緩衝剤および硫酸塩を含む俗に関する。
であり、それでシアン化物と接触したときにひどい発疹
を生じる人もある。過去においてシアン化物を用いない
酸性メッキ液を開発するための企画が幾つかなされてい
るが、これらのめつき液は光に対して敏感であることが
わかっており、短波長の可視光線および紫外線の作用に
よって銀が最終的に金属に還元されてしまう。本発明の
目的はシアン化物を用いず且つ安定な酸性銀めつき格を
提供することである。本発明のこの目的およびその他の
目的は以下に述べる詳細な説明から当業者には明らかに
なるであろう。本発明は非シアン化物系酸性銀電気めつ
き格に関し、特に可溶性銀塩、チオ硫酸塩、亜硫酸水素
塩緩衝剤および硫酸塩を含む俗に関する。
本発明に従って、可溶性銀塩、チオ硫酸塩、亜硫酸水素
塩緩衝剤および硫酸塩を含む非シアン化物系酸性銀電気
めつき格が提供される。
塩緩衝剤および硫酸塩を含む非シアン化物系酸性銀電気
めつき格が提供される。
本発明の霞気めつき格には非シアン化物系の任意の水溶
性銀塩を用いることができる。
性銀塩を用いることができる。
例えば、任意のハロゲン化銀(塩化銀、臭化銀、沃化銀
または弗化銀)、ならびにチオ硫酸銀、硫酸銀、スルフ
アミン酸銀、弗化側素酸銀、硝酸銀などを使用すること
ができる。入手可能性および価格の点から好ましい銀塩
は塩化銀である。銀塩はめつき浴1夕当り銀約5〜50
夕、好ましくは30〜35夕の濃度で使用される。使用
するチオ硫酸塩は任意のチオ硫酸アルカリ金属またはチ
オ硫酸アンモニウムであり得る。
または弗化銀)、ならびにチオ硫酸銀、硫酸銀、スルフ
アミン酸銀、弗化側素酸銀、硝酸銀などを使用すること
ができる。入手可能性および価格の点から好ましい銀塩
は塩化銀である。銀塩はめつき浴1夕当り銀約5〜50
夕、好ましくは30〜35夕の濃度で使用される。使用
するチオ硫酸塩は任意のチオ硫酸アルカリ金属またはチ
オ硫酸アンモニウムであり得る。
好ましいチオ硫酸塩はチオ硫酸ナトリウムである。チオ
硫酸塩の目的は銀を錆化することであり、従って電気め
つき裕中でのチオ硫酸塩の濃度は銀濃度の一次関数であ
る。存在する銀1モルにつき約2モルのチオ硫酸塩を用
いることが好ましいが、所望ならばより高濃度を使用す
ることもできる。本発明の蚤気めつき俗は、俗をPH約
3.5〜7.0、好ましくは4.5〜5.5に緩衝する
のに十分な量の適当な亜硫酸水素塩緩衝剤をも含んでい
る。亜硫酸水素アルカリ金属緩衝剤、特に亜硫酸水素ナ
トリウム緩衝剤系が好ましい緩衝剤であり、約4夕/夕
から飽和までの濃度で存在することができる。亜硫酸水
素ナトリウムを用いる場合には、約40タノクの濃度が
最適であるように思われ、従ってこの濃度で使用するこ
とが好ましい。本発明の電気めつき格はまた硫酸アルカ
リ金属、好ましくは硫酸ナトリウムを、約4夕/そから
飽和までの濃度で含んでいる。
硫酸塩の目的は銀を錆化することであり、従って電気め
つき裕中でのチオ硫酸塩の濃度は銀濃度の一次関数であ
る。存在する銀1モルにつき約2モルのチオ硫酸塩を用
いることが好ましいが、所望ならばより高濃度を使用す
ることもできる。本発明の蚤気めつき俗は、俗をPH約
3.5〜7.0、好ましくは4.5〜5.5に緩衝する
のに十分な量の適当な亜硫酸水素塩緩衝剤をも含んでい
る。亜硫酸水素アルカリ金属緩衝剤、特に亜硫酸水素ナ
トリウム緩衝剤系が好ましい緩衝剤であり、約4夕/夕
から飽和までの濃度で存在することができる。亜硫酸水
素ナトリウムを用いる場合には、約40タノクの濃度が
最適であるように思われ、従ってこの濃度で使用するこ
とが好ましい。本発明の電気めつき格はまた硫酸アルカ
リ金属、好ましくは硫酸ナトリウムを、約4夕/そから
飽和までの濃度で含んでいる。
理由はわからないが、電解液が穏やかな酸性であること
に加えて、日光中で安定であり且つ密着した連続的なつ
やなし銀めつき層を与えることができるように蟹気めつ
き格を安定化する作用があることがわかった。上記範囲
内の硫酸塩の量は電解液の性能に実質的に影響を及ぼさ
ないことがわかった。従って、経済的な理由で、硫酸塩
濃度を例えば約4〜20タノタの低いレベルに保つこと
が好ましい。所望ならば可溶性銀塩の混合物、チオ硫酸
塩、亜硫酸水素塩緩衝剤および硫酸塩の混合物を使用し
得ることは当業者には認められるであろう。更に、本発
明の蚤気めつき俗は当業者に知られている光沢剤および
その他の添加剤をも含むことができる。本発明の酸性銀
電解液については2部分光沢剤組成物が特に有利である
ことがわかった。この光沢剤組成物は界面活性剤と非重
合体光沢剤物質とを含む。この光沢剤組成物の内の界面
活性剤部分は少なくとも1種のスルホン酸誘導体陰イオ
ン界面活性剤、少なくとも1種の含窒素カルボン酸また
はスルホン酸誘導体両性界面活性剤および少なくとも1
種の陽イオンまたは非イオン界面活性剤を含む。その光
沢剤組成物の内の光沢剤物質部分は少なくとも1種の電
解安定性の可溶性アルデヒドおよび少なくとも1種のC
=S含有化合物またはその互変異性体を含む。
に加えて、日光中で安定であり且つ密着した連続的なつ
やなし銀めつき層を与えることができるように蟹気めつ
き格を安定化する作用があることがわかった。上記範囲
内の硫酸塩の量は電解液の性能に実質的に影響を及ぼさ
ないことがわかった。従って、経済的な理由で、硫酸塩
濃度を例えば約4〜20タノタの低いレベルに保つこと
が好ましい。所望ならば可溶性銀塩の混合物、チオ硫酸
塩、亜硫酸水素塩緩衝剤および硫酸塩の混合物を使用し
得ることは当業者には認められるであろう。更に、本発
明の蚤気めつき俗は当業者に知られている光沢剤および
その他の添加剤をも含むことができる。本発明の酸性銀
電解液については2部分光沢剤組成物が特に有利である
ことがわかった。この光沢剤組成物は界面活性剤と非重
合体光沢剤物質とを含む。この光沢剤組成物の内の界面
活性剤部分は少なくとも1種のスルホン酸誘導体陰イオ
ン界面活性剤、少なくとも1種の含窒素カルボン酸また
はスルホン酸誘導体両性界面活性剤および少なくとも1
種の陽イオンまたは非イオン界面活性剤を含む。その光
沢剤組成物の内の光沢剤物質部分は少なくとも1種の電
解安定性の可溶性アルデヒドおよび少なくとも1種のC
=S含有化合物またはその互変異性体を含む。
光沢剤組成物の各構成成分は約1の9/そから飽和まで
の量で存在することができる。曇っためつき層にならな
いようにするためには、0.075夕/夕までの陰イオ
ン界面活性剤、0.4夕/そまでの両性界面活性剤、0
.9夕/そまでの陽イオンまたは非イオン界面活性剤、
1.1多/そまでのアルデヒドおよび0.03夕/夕ま
でのC=S含有化合物を用いることが好ましい。その好
ましい量を越えた濃度を用いる場合には、得られる被膜
は曇っているがめつさ層の一体性および機能性を保持し
ている。典型的なスルホン酸議導体陰イオン界面活性剤
としてはロート油(スルホン化ヒマシ油)、1,3,6
−ナフタレントリスルホン酸、2−ナフタレンスルホン
酸などがある。
の量で存在することができる。曇っためつき層にならな
いようにするためには、0.075夕/夕までの陰イオ
ン界面活性剤、0.4夕/そまでの両性界面活性剤、0
.9夕/そまでの陽イオンまたは非イオン界面活性剤、
1.1多/そまでのアルデヒドおよび0.03夕/夕ま
でのC=S含有化合物を用いることが好ましい。その好
ましい量を越えた濃度を用いる場合には、得られる被膜
は曇っているがめつさ層の一体性および機能性を保持し
ている。典型的なスルホン酸議導体陰イオン界面活性剤
としてはロート油(スルホン化ヒマシ油)、1,3,6
−ナフタレントリスルホン酸、2−ナフタレンスルホン
酸などがある。
適当な両性界面活性剤の内で、テゴベンタィン(Te鱗
ben細ne)C、アンタロン(Antaron)FC
−34(複雑な脂肪酸アミノ両性界面活性剤)およびミ
ラノール(Miranol)HM,JS,JaMSFま
たはHSのようなスルホン化脂肪酸アミドおよびトライ
トン(Triton)QS−15を用いることができる
。
ben細ne)C、アンタロン(Antaron)FC
−34(複雑な脂肪酸アミノ両性界面活性剤)およびミ
ラノール(Miranol)HM,JS,JaMSFま
たはHSのようなスルホン化脂肪酸アミドおよびトライ
トン(Triton)QS−15を用いることができる
。
適当な陽イオンまたは非イオン界面活性剤としては、ッ
イーン(Tween)40(ポリオキシヱチレンソルビ
タンモノオレェート、非イオン活性剤)、カタポール(
Kaねpol)VP−532(有機アンモニウム硫酸塩
の脂肪酸+ポリエチレンエーテル誘導体、腸イオン系)
、カタポールPN−430(比重0.94の陽イオン性
ポリオキシェチレン化アルキルアミン)、ベレガール(
peregal)OK(腸イオン性メチルポリェタノー
ル第4アミン)等がある。典型的なアルデヒドとしては
、フルフラール、アニスアルデヒド、シンナムアルデヒ
ド、グルタルアルデヒド、ベンズアルデヒド、ジメチル
アミ/ペンズアルデヒドなどがある。典型的なC=S含
有化合物としては、メチルイミダゾールチオールおよび
ジチゾンがある。本発明の電気めつき浴は通常の方法で
用いられる。
イーン(Tween)40(ポリオキシヱチレンソルビ
タンモノオレェート、非イオン活性剤)、カタポール(
Kaねpol)VP−532(有機アンモニウム硫酸塩
の脂肪酸+ポリエチレンエーテル誘導体、腸イオン系)
、カタポールPN−430(比重0.94の陽イオン性
ポリオキシェチレン化アルキルアミン)、ベレガール(
peregal)OK(腸イオン性メチルポリェタノー
ル第4アミン)等がある。典型的なアルデヒドとしては
、フルフラール、アニスアルデヒド、シンナムアルデヒ
ド、グルタルアルデヒド、ベンズアルデヒド、ジメチル
アミ/ペンズアルデヒドなどがある。典型的なC=S含
有化合物としては、メチルイミダゾールチオールおよび
ジチゾンがある。本発明の電気めつき浴は通常の方法で
用いられる。
例えば、めつき液用スパージヤーでまたは陰極の運動に
よってめつき液を激しく雛梓することができ、且つ1.
08A/dめ(10A/f〆)でほぼ100%の効率で
露着を行うことができる。一般的には、約0.1〜5.
4A/dで(約1〜50A/fだ)の電流密度が適当で
あり、周囲温度で亀着を行うことが好ましいが、周囲温
度より高温または低温を用いることができる。実施例
1 次の諸成分を全量が1夕になるのに十分な水に溶解して
電解液をつくった:塩 化 銀 11.
36夕チオ硫酸ナトリウム 35.93タ亜硫
酸水素ナトリウム 4.22タ硫酸ナトリウム
10.56タ上記浴中で、清浄な研摩した鋼
製物体を陰極とし、格温を約21.1℃(700F)に
保ちながら電流密度1.08A/d〆(10A/ft2
)で電着を行った。
よってめつき液を激しく雛梓することができ、且つ1.
08A/dめ(10A/f〆)でほぼ100%の効率で
露着を行うことができる。一般的には、約0.1〜5.
4A/dで(約1〜50A/fだ)の電流密度が適当で
あり、周囲温度で亀着を行うことが好ましいが、周囲温
度より高温または低温を用いることができる。実施例
1 次の諸成分を全量が1夕になるのに十分な水に溶解して
電解液をつくった:塩 化 銀 11.
36夕チオ硫酸ナトリウム 35.93タ亜硫
酸水素ナトリウム 4.22タ硫酸ナトリウム
10.56タ上記浴中で、清浄な研摩した鋼
製物体を陰極とし、格温を約21.1℃(700F)に
保ちながら電流密度1.08A/d〆(10A/ft2
)で電着を行った。
密着し、連続したつやなし銀めつき層が得られた。実施
例 2水中に8.22夕/夕(1トロイオンス/ガロン
)の塩化銀、36夕/そのチオ硫酸塩ナトリウム、40
タノその亜硫酸水素ナトリウムおよび4夕/その硫酸ナ
トリウムを溶解して電解液をつくった。
例 2水中に8.22夕/夕(1トロイオンス/ガロン
)の塩化銀、36夕/そのチオ硫酸塩ナトリウム、40
タノその亜硫酸水素ナトリウムおよび4夕/その硫酸ナ
トリウムを溶解して電解液をつくった。
清浄な研摩した鋼製物体を陰極として用い、この陰極の
運動によって格を激しく蝿拝した。1.08A/dで(
10A/ft2)で亀着を行い、密着し、連続したつや
なし銀めつき層を得た。
運動によって格を激しく蝿拝した。1.08A/dで(
10A/ft2)で亀着を行い、密着し、連続したつや
なし銀めつき層を得た。
実施例 3
1そ当り塩化銀約11.5夕、チオ硫酸ナトリウム36
夕、亜硫酸水素ナトリウム約4.25夕および硫酸ナト
リウム10.5夕を含む、非シアン化物系酸性銀電気め
つき格を調製した。
夕、亜硫酸水素ナトリウム約4.25夕および硫酸ナト
リウム10.5夕を含む、非シアン化物系酸性銀電気め
つき格を調製した。
その格のpHは4.5〜5.0であった。この銀めつき
液IZ‘こ1%メチルィミダゾールチオール2の【/夕
、フルフラール0.5の【ノぞ、ロート油0.5の上/
夕、0.1夕のトライトンQS−15および0.6夕の
カタボールVP一532を加えた。
液IZ‘こ1%メチルィミダゾールチオール2の【/夕
、フルフラール0.5の【ノぞ、ロート油0.5の上/
夕、0.1夕のトライトンQS−15および0.6夕の
カタボールVP一532を加えた。
その得られためつき液を用い、その液を縄拝しながら、
1.08A/dで(1Mノft2)で室温で銀電気めつ
きを行った。得られた銀めつき層は鏡面光沢であった。
このめつき層は有孔率が低く、また通常の銀より曇り速
度が著しく遅かった。本発明の霧気めつき格において、
本発明の精神および範囲から逸脱することなく、種々の
変化や変更をすることが可能である。
1.08A/dで(1Mノft2)で室温で銀電気めつ
きを行った。得られた銀めつき層は鏡面光沢であった。
このめつき層は有孔率が低く、また通常の銀より曇り速
度が著しく遅かった。本発明の霧気めつき格において、
本発明の精神および範囲から逸脱することなく、種々の
変化や変更をすることが可能である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 水浴性銀塩、チオ硫酸塩、亜硫酸水素塩緩衝剤およ
び硫酸塩を含み、シアン化物を含まず且つpHが3.5
〜7.0である非シアン化物系酸性銀電気めつき浴。 2 銀塩の濃度が銀5〜50g/lであり、チオ硫酸塩
が銀塩中の銀を錯化するのに十分な量で存在しており、
緩衝剤が浴をpH4.5〜5.5に緩衝するのに十分な
量で存在しており、且つ硫酸塩が4g/lから飽和まで
の濃度で存在している特許請求の範囲第1項記載の酸性
銀電気めつき浴。 3 銀塩がハロゲン化銀であり、チオ硫酸塩がチオ硫酸
アルカリ金属またはチオ硫酸アンモニウムであり、緩衝
剤が亜硫酸水素アルカリ金属緩衝剤であり、且つ硫酸塩
が硫酸アルカリ金属である特許請求の範囲第1項記載の
酸性銀電気めつき浴。 4 銀塩が塩化銀であり、チオ硫酸塩がチオ硫酸ナトリ
ウムであり、亜硫酸水素塩が亜硫酸水素ナトリウムであ
り、且つ硫酸塩が硫酸ナトリウムである特許請求の範囲
第3項記載の酸性銀電気めつき浴。 5 塩化銀が銀として計算して5〜50g/lの量で存
在しており、亜硫酸水素ナトリウムが4g/lから飽和
までの量で存在しており、且つ硫酸ナトリウムが4g/
lから飽和までの量で存在している特許請求の範囲第4
項記載の酸性銀電気めつき浴。 6 亜硫酸水素ナトリウムが40g/lの量で存在して
おり、且つ硫酸ナトリウムが4〜20g/lの量で存在
している特許請求の範囲第5項記載の酸性銀電気めつき
浴。 7 チオ硫酸塩が塩化銀の銀1モルにつきチオ硫酸塩2
モルの量で存在している特許請求の範囲第6項記載の酸
性銀電気めつき浴。 8 少なくとも1種のスルホン酸誘導体陰イオン界面活
性剤、少なくとも1種の含窒素カルボン酸またはスルホ
ン酸誘導体両性界面活性剤、少なくとも1種の陽イオン
または非イオン界面活性剤、少なくとも1種の電解安定
性の可溶性アルデヒド、および少なくとも1種のC=S
含有化合物またはその互変異性体を含む光択剤組成物を
追加含有する、水溶性銀塩、チオ硫酸塩、亜硫酸水素塩
緩衝剤および硫酸塩を含み、シアン化物を含まず且つp
Hが3.5〜7.0である非シアン化物系酸性銀電気め
つき浴。 9 陰イオン界面活性剤が0.075g/lまでの量で
存在しており、両性界面活性剤が0.4g/lまでの量
で存在しており、陽イオンまたは非イオン界面活性剤が
0.9g/lまでの量で存在しており、アルデヒドが1
.1g/lまでの量で存在しており、且つC=S含有化
合物が0.03g/lまでの量で存在している特許請求
の範囲第8項記載の酸性銀電気めつき浴。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US694108 | 1976-06-09 | ||
US05/694,108 US4067784A (en) | 1976-06-09 | 1976-06-09 | Non-cyanide acidic silver electroplating bath and additive therefore |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS52150745A JPS52150745A (en) | 1977-12-14 |
JPS6031917B2 true JPS6031917B2 (ja) | 1985-07-25 |
Family
ID=24787432
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP52066583A Expired JPS6031917B2 (ja) | 1976-06-09 | 1977-06-06 | 非シアン化物系酸性銀電気めつき浴 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4067784A (ja) |
JP (1) | JPS6031917B2 (ja) |
CA (1) | CA1104091A (ja) |
DE (1) | DE2725313C2 (ja) |
FR (1) | FR2354397A1 (ja) |
GB (2) | GB1583666A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5302278A (en) * | 1993-02-19 | 1994-04-12 | Learonal, Inc. | Cyanide-free plating solutions for monovalent metals |
GB9425030D0 (en) * | 1994-12-09 | 1995-02-08 | Alpha Metals Ltd | Silver plating |
GB9425031D0 (en) | 1994-12-09 | 1995-02-08 | Alpha Metals Ltd | Printed circuit board manufacture |
US6905587B2 (en) | 1996-03-22 | 2005-06-14 | Ronald Redline | Method for enhancing the solderability of a surface |
US6544397B2 (en) * | 1996-03-22 | 2003-04-08 | Ronald Redline | Method for enhancing the solderability of a surface |
USRE45842E1 (en) * | 1999-02-17 | 2016-01-12 | Ronald Redline | Method for enhancing the solderability of a surface |
US7628903B1 (en) * | 2000-05-02 | 2009-12-08 | Ishihara Chemical Co., Ltd. | Silver and silver alloy plating bath |
US8349393B2 (en) | 2004-07-29 | 2013-01-08 | Enthone Inc. | Silver plating in electronics manufacture |
GB0508188D0 (en) * | 2005-04-22 | 2005-06-01 | Eastman Kodak Co | Method of forming conductive tracks |
CN103741178B (zh) * | 2014-01-20 | 2017-06-16 | 厦门大学 | 一种用于硅表面直接电镀光滑致密银薄膜的溶液及电镀方法 |
US10889907B2 (en) | 2014-02-21 | 2021-01-12 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Cyanide-free acidic matte silver electroplating compositions and methods |
CN107574470A (zh) * | 2017-08-24 | 2018-01-12 | 南京理工大学 | 一种含镍过渡层的银‑石墨烯复合镀层的制备方法 |
DE102019202899B3 (de) * | 2019-03-04 | 2019-11-14 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Wässrige Formulierung zum Herstellen einer Schicht aus Gold und Silber |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR704663A (fr) * | 1929-10-22 | 1931-05-23 | Kodak Pathe | Procédé de séparation de l'argent par électrolyse |
DE2410441C2 (de) * | 1974-03-01 | 1982-11-11 | Schering Ag, 1000 Berlin Und 4619 Bergkamen | Cyanidfreies Bad und Verfahren zur galvanischen Abscheidung von Silber |
DE2445538C2 (de) * | 1974-09-20 | 1984-05-30 | Schering AG, 1000 Berlin und 4709 Bergkamen | Cyanidfreies Bad und Verfahren zur galvanischen Abscheidung von Edelmetall - Legierungen |
-
1976
- 1976-06-09 US US05/694,108 patent/US4067784A/en not_active Expired - Lifetime
-
1977
- 1977-05-30 CA CA279,415A patent/CA1104091A/en not_active Expired
- 1977-06-04 DE DE2725313A patent/DE2725313C2/de not_active Expired
- 1977-06-06 JP JP52066583A patent/JPS6031917B2/ja not_active Expired
- 1977-06-08 FR FR7717580A patent/FR2354397A1/fr active Granted
- 1977-06-09 GB GB43490/79A patent/GB1583666A/en not_active Expired
- 1977-06-09 GB GB24149/77A patent/GB1583665A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2725313A1 (de) | 1977-12-22 |
JPS52150745A (en) | 1977-12-14 |
US4067784A (en) | 1978-01-10 |
FR2354397B1 (ja) | 1983-01-28 |
DE2725313C2 (de) | 1982-07-29 |
GB1583666A (en) | 1981-01-28 |
CA1104091A (en) | 1981-06-30 |
FR2354397A1 (fr) | 1978-01-06 |
GB1583665A (en) | 1981-01-28 |
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