JPS6028132Y2 - 貫通コンデンサ - Google Patents
貫通コンデンサInfo
- Publication number
- JPS6028132Y2 JPS6028132Y2 JP7143580U JP7143580U JPS6028132Y2 JP S6028132 Y2 JPS6028132 Y2 JP S6028132Y2 JP 7143580 U JP7143580 U JP 7143580U JP 7143580 U JP7143580 U JP 7143580U JP S6028132 Y2 JPS6028132 Y2 JP S6028132Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead wire
- oxide film
- feedthrough capacitor
- semiconductor layer
- external electrode
- Prior art date
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- Expired
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は主として高周波回路のロウパスフィルターとし
て使用される貫通コンデンサに関するものである。
て使用される貫通コンデンサに関するものである。
一般に、チューナ回路などの高周波回路には回路内の高
周波成分が電源線を伝って外部に洩れたりするのを防止
するため、高周波回路を収納する金属ケースに入力端子
や出力端子を兼ねる貫通コンデンサを取付けて、この貫
通コンデンサでもって高周波成分を吸収させている。
周波成分が電源線を伝って外部に洩れたりするのを防止
するため、高周波回路を収納する金属ケースに入力端子
や出力端子を兼ねる貫通コンデンサを取付けて、この貫
通コンデンサでもって高周波成分を吸収させている。
例えば、第１図に従来の貫通コンデンサ１の一例を示す
と、２は鉄や鉄−ニッケル合金などのリード線、３はリ
ード線２の中央部を囲う筒状の外部電極、４はリード線
２と外部電極３の間に充填された誘導体物質で、リード
線１は誘導体物質４を貫通して両端部か外部に突出させ
である。
と、２は鉄や鉄−ニッケル合金などのリード線、３はリ
ード線２の中央部を囲う筒状の外部電極、４はリード線
２と外部電極３の間に充填された誘導体物質で、リード
線１は誘導体物質４を貫通して両端部か外部に突出させ
である。
又、外部電極３の外周面には金属のフランジ５が溶接や
ロウ付は等で一体に突設されている。
ロウ付は等で一体に突設されている。
そして、貫通コンデンサ１は金属ケース６の一部に穿設
した取付穴７に嵌挿され、前記フランジ５をアースされ
た金属ケース６に半田付は等で接続固定することにより
取付けられる。
した取付穴７に嵌挿され、前記フランジ５をアースされ
た金属ケース６に半田付は等で接続固定することにより
取付けられる。
このような貫通コンデンサ１はリード線２の一端部２ａ
が例えば電源側Ａに接続され、他端部２ｂが高周波回路
側Ｂに接続される。
が例えば電源側Ａに接続され、他端部２ｂが高周波回路
側Ｂに接続される。
すると貫通コンデンサ１は第２図に示すような等価回路
、つまり誘電体物質４で決まるキャパシタンスＣとリー
ド線２に含まれる若干のインダクタンスＬでもって、ロ
ウパスフィルター回路が形成され、これによって高周波
回路側Ｂから電源側Ａに洩れ出ようとする高周波成分を
吸収させている。
、つまり誘電体物質４で決まるキャパシタンスＣとリー
ド線２に含まれる若干のインダクタンスＬでもって、ロ
ウパスフィルター回路が形成され、これによって高周波
回路側Ｂから電源側Ａに洩れ出ようとする高周波成分を
吸収させている。
ところで上記従来の貫通コンデンサ１のキャパシタンス
Ｃは誘電体物質４の種類によって大きく左右される。
Ｃは誘電体物質４の種類によって大きく左右される。
そのため、キャパシタンスが異なれば構造全体を変える
必要があった。
必要があった。
又、誘電体物質４はその種類にもよるが誘電率が比較的
小さくて、大きなキャパシタンスを得ることが難しかっ
た。
小さくて、大きなキャパシタンスを得ることが難しかっ
た。
本考案は上記従来の問題点に鑑み、これを解決したもの
で、弁作用を有する金属からなるリード線表面に誘電体
としての酸化膜を形成して、この酸化膜上に半導体層を
介して外部電極を被着形成した貫通コンデンサを提供す
る。
で、弁作用を有する金属からなるリード線表面に誘電体
としての酸化膜を形成して、この酸化膜上に半導体層を
介して外部電極を被着形成した貫通コンデンサを提供す
る。
以下、本考案の構成を図面の実施例でもって説明する。
第３図に於いて、８はリード線、９は酸化膜、１０は半
導体層、１１は外部電極で、この貫通コンデンサ１２の
次の要領で形成される。
導体層、１１は外部電極で、この貫通コンデンサ１２の
次の要領で形成される。
まずリード線８をタンタルやチタン、アルミニウムなど
の弁作用を有する金属で棒状に形成する。
の弁作用を有する金属で棒状に形成する。
次にこのリード線８の中央部を化成液に浸漬し、リード
線８にプラス電極を、化成液にマイナス電極を印加して
、いわゆる陽極酸化し、リード線８の中央部表面に酸化
膜９を被着形成する。
線８にプラス電極を、化成液にマイナス電極を印加して
、いわゆる陽極酸化し、リード線８の中央部表面に酸化
膜９を被着形成する。
この酸化膜９は、例えばリード線８がタンタルの場合は
Ｔａ２０５の誘電率が２７（Ｆ／ｍ）とかなり高い。
Ｔａ２０５の誘電率が２７（Ｆ／ｍ）とかなり高い。
次にリード線８の酸化膜９上に半導体母液、例えば、硝
酸マンガン溶液を浸漬法等で付着させてから、この硝酸
マンガン溶液を熱分解して酸化膜９上に二酸化マンガン
の半導体層１０を被着形成する。
酸マンガン溶液を浸漬法等で付着させてから、この硝酸
マンガン溶液を熱分解して酸化膜９上に二酸化マンガン
の半導体層１０を被着形成する。
そして最後に半導体層１０上に例えばグラファイト層な
どを介して外部電極１１を取付ける。
どを介して外部電極１１を取付ける。
尚、グラファイト層は省略することもできる。
このように半導体層１０を介して外部電極１１を取付け
ることにより、コンデンサの耐圧が向上する。
ることにより、コンデンサの耐圧が向上する。
上記貫通コンデンサ１２のキャパシタンスＣは酸化膜９
の厚さで決まり、例えばこの厚さが小されけばキャパシ
タンスＣは大きく、厚さが大きければキャパシタンスＣ
は小さくなる。
の厚さで決まり、例えばこの厚さが小されけばキャパシ
タンスＣは大きく、厚さが大きければキャパシタンスＣ
は小さくなる。
又、耐圧は半導体層１０の介在で大きくなり、実際耐圧
は酸化膜９の厚さ１６Ａにつき、０．５Ｖのものが得ら
れた。
は酸化膜９の厚さ１６Ａにつき、０．５Ｖのものが得ら
れた。
例えば酸化膜９の厚さが７４０Ａのものでほぼは４６Ｖ
の耐圧が得られることになる。
の耐圧が得られることになる。
従って、酸化膜９の厚さを調整するだけでキャパシタン
スと耐圧が任意に調整できる。
スと耐圧が任意に調整できる。
又、リード線８は若干のインダクタンスＬを有するが、
棒状のため少い。
棒状のため少い。
そこでこのインダクタンスＬを大きくしたい場合には第
４図に示す第２実施例が有効である。
４図に示す第２実施例が有効である。
この第４図のリード線８′は弁作用を有する金属リード
線をコイル状に成形したもので、その全表面に上記要領
で酸化膜９や半導体層１ｏを順次に被着形成する。
線をコイル状に成形したもので、その全表面に上記要領
で酸化膜９や半導体層１ｏを順次に被着形成する。
このようにリード線８′をコイル状にするとインダクタ
ンスＬが大きくなると共に、酸化膜９や半導体層１０の
被着面積が大きくとれて、より小型化が可能となるメリ
ットがある。
ンスＬが大きくなると共に、酸化膜９や半導体層１０の
被着面積が大きくとれて、より小型化が可能となるメリ
ットがある。
以上説明したように、本考案によれば弁作用を有するリ
ード線表面の酸化膜が誘電率の大きい誘電体となり、而
もこの酸化膜の厚さ調整でもって貫通コンデンサのキャ
パシタンスと耐圧が簡単に調整され、小型化や大容量化
が容易にできる。
ード線表面の酸化膜が誘電率の大きい誘電体となり、而
もこの酸化膜の厚さ調整でもって貫通コンデンサのキャ
パシタンスと耐圧が簡単に調整され、小型化や大容量化
が容易にできる。
第１図は従来の貫通コンデンサの一例を示す断面図、第
２図は第１図の等価回路、第３図及び第４図は本考案に
よる貫通コンデンサの各実施例を示す断面図である。 ８．８′・・・・・・リード線、９・・・・・・酸化膜
、１０・・・・・・半導体層、１１・・・・・・外部電
極、１２・・・・・・貫通コンデンサ。
２図は第１図の等価回路、第３図及び第４図は本考案に
よる貫通コンデンサの各実施例を示す断面図である。 ８．８′・・・・・・リード線、９・・・・・・酸化膜
、１０・・・・・・半導体層、１１・・・・・・外部電
極、１２・・・・・・貫通コンデンサ。
Claims (1)
- 弁作用を有する金属からなるリード線の外部露出用両端
部を除く表面に酸化膜を形成して、この酸化膜上に半導
体層を介して外部電極を形成したことを特徴とする貫通
コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7143580U JPS6028132Y2 (ja) | 1980-05-23 | 1980-05-23 | 貫通コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7143580U JPS6028132Y2 (ja) | 1980-05-23 | 1980-05-23 | 貫通コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56172932U JPS56172932U (ja) | 1981-12-21 |
| JPS6028132Y2 true JPS6028132Y2 (ja) | 1985-08-26 |
Family
ID=29665171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7143580U Expired JPS6028132Y2 (ja) | 1980-05-23 | 1980-05-23 | 貫通コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6028132Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4030451A4 (en) * | 2019-09-09 | 2023-10-04 | Japan Capacitor Industrial Co., Ltd. | ELECTROLYTIC CAPACITOR AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTROLYTIC CAPACITOR |
-
1980
- 1980-05-23 JP JP7143580U patent/JPS6028132Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56172932U (ja) | 1981-12-21 |
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