JPS60262971A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
- Publication number
- JPS60262971A JPS60262971A JP11786884A JP11786884A JPS60262971A JP S60262971 A JPS60262971 A JP S60262971A JP 11786884 A JP11786884 A JP 11786884A JP 11786884 A JP11786884 A JP 11786884A JP S60262971 A JPS60262971 A JP S60262971A
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- Japan
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- substrate
- thin film
- vapor deposition
- org
- matter
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- Pending
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の分野〕
本発明はｌｌ膜形成方法、さらに詳しくは有機薄膜を大
気圧あるいは不活性ガス中の定圧で形成しえる方法に関
するものであ柩。
気圧あるいは不活性ガス中の定圧で形成しえる方法に関
するものであ柩。
従来の有機薄膜の形成方法としては、ディッピング法、
スピンコード法、バーコード法などが主として用いられ
、最近では色素膜に関しては真空蒸着が用いられ始めて
いる。このうち、真空蒸着が最も均一な膜を形成するこ
とができ、多層膜の形成も容易であることから、光記録
媒体あるいはレーザプリンタ用の感光体等作製に用いら
れている。
スピンコード法、バーコード法などが主として用いられ
、最近では色素膜に関しては真空蒸着が用いられ始めて
いる。このうち、真空蒸着が最も均一な膜を形成するこ
とができ、多層膜の形成も容易であることから、光記録
媒体あるいはレーザプリンタ用の感光体等作製に用いら
れている。
しかしながら、真空蒸着法はソース物質の加熱源および
膜形成用の基板それぞれを真空容器中に設ける必要があ
り、高価な設備を必要とするほかに、基板の出し入れの
際、真空にするために長時間を有するため生産性が低く
なる欠点を有していた。
膜形成用の基板それぞれを真空容器中に設ける必要があ
り、高価な設備を必要とするほかに、基板の出し入れの
際、真空にするために長時間を有するため生産性が低く
なる欠点を有していた。
本発明は上述の点に鑑みなされたものであり、大気中あ
るいは不活性ガス中において常圧で蒸着できる薄膜形成
方法を提供することを目的とするものである。
るいは不活性ガス中において常圧で蒸着できる薄膜形成
方法を提供することを目的とするものである。
したがって、本発明による薄膜形成方法は、有機物蒸着
源と前記有機物が堆積される基板を近接して対向せしめ
、常圧下で前記有機物蒸着源を加熱し基板上に堆積させ
ることを特徴とするものである。
源と前記有機物が堆積される基板を近接して対向せしめ
、常圧下で前記有機物蒸着源を加熱し基板上に堆積させ
ることを特徴とするものである。
本発明によれば、常圧下において有機薄膜を形成可能で
あるため、高価な設備を必要とすることなく、また生産
性よく有機薄膜を形成できるという利点がある。
あるため、高価な設備を必要とすることなく、また生産
性よく有機薄膜を形成できるという利点がある。
本発明をさらに詳しく説明する。
通常、蒸着は真空中で行われるが、この理由はいくつか
挙げることができる。
挙げることができる。
第１の理由としては、大気中では粒子の直進する距離（
自由工程）が極めて小さく、実質上直進しないことであ
る。
自由工程）が極めて小さく、実質上直進しないことであ
る。
また第２の理由は、蒸着に用いられる物質の多くが蒸気
圧が低く、実質的に大気圧の下では蒸発しないことであ
る。
圧が低く、実質的に大気圧の下では蒸発しないことであ
る。
さらに、第３の理由は多くの物質が酸素の存在下の加熱
においては急速に酸化されやすいことでこのような種々
の理由を勘案すると、比較的低温においても高い蒸気圧
が得られ、またその温度範囲で酸化され難い有機物の多
くは大気中で蒸着可能なはずである。仮に、酸化が問題
になる場合においても、その場合においてはアルゴンガ
ス、ヘリウムガス、場合によっては窒素ガスなどを長し
ながら蒸着を行うことが可能なはずである。
においては急速に酸化されやすいことでこのような種々
の理由を勘案すると、比較的低温においても高い蒸気圧
が得られ、またその温度範囲で酸化され難い有機物の多
くは大気中で蒸着可能なはずである。仮に、酸化が問題
になる場合においても、その場合においてはアルゴンガ
ス、ヘリウムガス、場合によっては窒素ガスなどを長し
ながら蒸着を行うことが可能なはずである。
このようにしても上述の第１の理由、すなわち自由工程
が極めて小さいという問題は避けることができないわけ
であるから、蒸発源と基板とを近接する必要を生じる。
が極めて小さいという問題は避けることができないわけ
であるから、蒸発源と基板とを近接する必要を生じる。
このため、加熱源からの熱伝導あるいは放射によって基
板が必要以上に加熱されるのを防ぐために基板を回転さ
せたり、冷却機構を付加するあるいは熱が伝導しに（い
ような方法を採用するなどの工夫が必要になる。
板が必要以上に加熱されるのを防ぐために基板を回転さ
せたり、冷却機構を付加するあるいは熱が伝導しに（い
ような方法を採用するなどの工夫が必要になる。
本発明による方法によれば、上述のように有機物蒸着源
と前記有機物が堆積される基板を近接して対向せしめる
ことを特徴とするものであるが、これは堆積する粒子の
直進する距離、すなわち自由工程を勘案し、基板と蒸発
源を近接したものである。さらには比較的低温において
高い蒸気圧のえられる有機物を薄膜材料として用いるこ
とにより、基板の不必要の加熱を防止するのである。
と前記有機物が堆積される基板を近接して対向せしめる
ことを特徴とするものであるが、これは堆積する粒子の
直進する距離、すなわち自由工程を勘案し、基板と蒸発
源を近接したものである。さらには比較的低温において
高い蒸気圧のえられる有機物を薄膜材料として用いるこ
とにより、基板の不必要の加熱を防止するのである。
このような有機物としては、たとえばフルオレセイン、
ローダミンＢ１ヴアナジルフタロシアニン、クリスタル
ヴアイオレットラクトン、マラカイトグリーンラクトン
等のロイコ系色素、フェノールフタレン、ディスパース
イエローなどの分散染料、スピロピラン化合物、アゾベ
ンゼン、等のフォトクロミンク化合物、ベンゾイルロイ
コメチレンブルー、チモールブルー、メタクレゾールブ
ルーなどの化合物および（１，３，３−）リメチルイン
ドリノ）−二トロスビランなどの化合物を有効に用いる
ことができる。
ローダミンＢ１ヴアナジルフタロシアニン、クリスタル
ヴアイオレットラクトン、マラカイトグリーンラクトン
等のロイコ系色素、フェノールフタレン、ディスパース
イエローなどの分散染料、スピロピラン化合物、アゾベ
ンゼン、等のフォトクロミンク化合物、ベンゾイルロイ
コメチレンブルー、チモールブルー、メタクレゾールブ
ルーなどの化合物および（１，３，３−）リメチルイン
ドリノ）−二トロスビランなどの化合物を有効に用いる
ことができる。
つぎに本発明を実施するための装置について説明する。
第１図は本発明の方法を実施するための最も簡単な装置
の概略を示す図であり、図中、１は蒸着源用ボート、２
は蒸着材料、３は薄膜を形成するため基板、４は基板上
に形成された薄膜である。
の概略を示す図であり、図中、１は蒸着源用ボート、２
は蒸着材料、３は薄膜を形成するため基板、４は基板上
に形成された薄膜である。
この第１図より明らかなように、ボート１および基板３
はできるだけ近接させる。ボートｌの加熱は電機ヒータ
を用いてもよいし、バーナでもよい。通常金属などの真
空蒸着においては１０００℃程度かそれ以上の高温にす
る必要があるため、ボート１としてはタングステンやモ
リフ゛デンなどを用い、同時にこれらのヒータとしての
機能を兼ねさせたり、電子ビームで加熱したりしている
。しかしながら有機物の蒸着においては、蒸着温度はせ
いぜい５００℃であり、石英製ボートはもちろん、また
通常のガラスボートでも十分に使用可能である。また加
熱手段も特殊な方法は必要ではない。
はできるだけ近接させる。ボートｌの加熱は電機ヒータ
を用いてもよいし、バーナでもよい。通常金属などの真
空蒸着においては１０００℃程度かそれ以上の高温にす
る必要があるため、ボート１としてはタングステンやモ
リフ゛デンなどを用い、同時にこれらのヒータとしての
機能を兼ねさせたり、電子ビームで加熱したりしている
。しかしながら有機物の蒸着においては、蒸着温度はせ
いぜい５００℃であり、石英製ボートはもちろん、また
通常のガラスボートでも十分に使用可能である。また加
熱手段も特殊な方法は必要ではない。
第２図は本発明の方法を実施するための装置の概略図で
あり、図中、２はあらかじめガラスあるいは金属の基板
５の上にディンピングなどの方法により形成された有機
物ｉ１Ｂｍ！、３は薄膜形成用の基板である。
あり、図中、２はあらかじめガラスあるいは金属の基板
５の上にディンピングなどの方法により形成された有機
物ｉ１Ｂｍ！、３は薄膜形成用の基板である。
基板５を裏面からバーナあるいは電熱ヒータなどで加熱
することによりあらかじめ形成されていない蒸着源とし
て薄膜２は基板３上に薄膜４として転写される。この方
法は、−見二度手間のように見えるが、ディッピングで
は多層膜の形成がほとんど不可能でありまた膜質の良好
なものかえられないことより、このような方法の方が格
段に優れているといえる。このような転写は基板３への
加熱による熱伝導を最小とするために行われるものであ
り、したがって通常の場合基板３を冷却する必要がな（
なるという利点がある。
することによりあらかじめ形成されていない蒸着源とし
て薄膜２は基板３上に薄膜４として転写される。この方
法は、−見二度手間のように見えるが、ディッピングで
は多層膜の形成がほとんど不可能でありまた膜質の良好
なものかえられないことより、このような方法の方が格
段に優れているといえる。このような転写は基板３への
加熱による熱伝導を最小とするために行われるものであ
り、したがって通常の場合基板３を冷却する必要がな（
なるという利点がある。
第３図は不活性ガスの桐生中で蒸着物質を基板上に輸送
させて薄膜を形成する方法であり、６は石英あるいはガ
ラス製の管、７は不活性ガスの導入路、８は不活性ガス
の出口、９はトラップ、１０は冷却槽である。
させて薄膜を形成する方法であり、６は石英あるいはガ
ラス製の管、７は不活性ガスの導入路、８は不活性ガス
の出口、９はトラップ、１０は冷却槽である。
管６の部分は蒸発した有機物が付着しないように全体を
加熱しておく必要がある。また基板３は蒸発し気流によ
り輸送されてきた、蒸着物質が堆積するように適当な温
度までさげておく必要があある。このような状態で蒸着
源２の部分を加熱すると蒸発した物質は器量によって輸
送され基板３の上に薄膜４を形成する基板３と管６との
間はシールしたほうがよいが、それほど厳密に行う必要
はない。またトラップ９の冷却槽１０の温度も室温でよ
いが、輸送されてきたガスによる温度上昇を防止するた
め水冷あるいは空冷することが好麦しい。
加熱しておく必要がある。また基板３は蒸発し気流によ
り輸送されてきた、蒸着物質が堆積するように適当な温
度までさげておく必要があある。このような状態で蒸着
源２の部分を加熱すると蒸発した物質は器量によって輸
送され基板３の上に薄膜４を形成する基板３と管６との
間はシールしたほうがよいが、それほど厳密に行う必要
はない。またトラップ９の冷却槽１０の温度も室温でよ
いが、輸送されてきたガスによる温度上昇を防止するた
め水冷あるいは空冷することが好麦しい。
上記のような方法は前述のように酸化されやすい材料の
蒸着に通している。
蒸着に通している。
第４図は第２図に示した方法の改良に関するものであり
、図中１１は回転する円盤状基板、１２は回転ドラム、
１３は加熱ヒータに電流を供給するためのブラシ、１４
は蒸着される物質の溶液である。回転ドラム１２は第５
図に示すように、軸に平行に加熱用のヒータが形成され
ており１、常にドラム１２が基板１１に接近した部分の
みが加熱されるようになっている。このような装置にお
いてドラム１２が回転すると、通常のディッピングと同
じ原理によって、この周囲に有機物膜が形成されるが、
ドラム１２の上部に達した時は加熱され、蒸発し基板ｌ
ｌ上に薄膜が形成される。
、図中１１は回転する円盤状基板、１２は回転ドラム、
１３は加熱ヒータに電流を供給するためのブラシ、１４
は蒸着される物質の溶液である。回転ドラム１２は第５
図に示すように、軸に平行に加熱用のヒータが形成され
ており１、常にドラム１２が基板１１に接近した部分の
みが加熱されるようになっている。このような装置にお
いてドラム１２が回転すると、通常のディッピングと同
じ原理によって、この周囲に有機物膜が形成されるが、
ドラム１２の上部に達した時は加熱され、蒸発し基板ｌ
ｌ上に薄膜が形成される。
形成される薄膜はドラム１２および基板１１の回転速度
やヒータ電流および溶液１４の濃度および蒸着時間など
にいぞんするが、逆にこれらの値を変化させることによ
り膜厚をかなり自由に制御可能である。また、第１、第
２図の場合と異なり、基板が回転しているので自然に冷
却され、特に冷却機構を必要としない利点がある。また
、ドラム１２の部分を複数設けることにより、多、層膜
の形成も容易に可能になる。
やヒータ電流および溶液１４の濃度および蒸着時間など
にいぞんするが、逆にこれらの値を変化させることによ
り膜厚をかなり自由に制御可能である。また、第１、第
２図の場合と異なり、基板が回転しているので自然に冷
却され、特に冷却機構を必要としない利点がある。また
、ドラム１２の部分を複数設けることにより、多、層膜
の形成も容易に可能になる。
実施例１
第１図に示した装置により、ボートｌとして石英製のも
のを用いて、このボート１中に黄色の染料であるフルオ
レセイン１０ｈｇ （蒸着材料）をいれ、ボート１にほ
とんど近接しえスライドガラス３をおいた。またスライ
ドガラス３上には温度上昇をさけるため、アルミ製ブロ
ックをおいた。
のを用いて、このボート１中に黄色の染料であるフルオ
レセイン１０ｈｇ （蒸着材料）をいれ、ボート１にほ
とんど近接しえスライドガラス３をおいた。またスライ
ドガラス３上には温度上昇をさけるため、アルミ製ブロ
ックをおいた。
このような構成においてボート１の下よりガスバーナで
３０秒加熱することにより、スライドガラス上にフルオ
レセインの黄色の薄膜を形成することができた。膜厚は
０．８ ミクロンであった。
３０秒加熱することにより、スライドガラス上にフルオ
レセインの黄色の薄膜を形成することができた。膜厚は
０．８ ミクロンであった。
実施例２
フルオレセインの５％アセトン溶液を作成し、この中に
スライドガラスを浸して引き上げることにより、黄色の
薄膜が形成された。このうえに、第２図に示すように１
ｍｓ＋のスペーサを介在させ、スライドガラスをかさね
、下からバーナで１０秒加熱することにより基板上に薄
膜が形成された。
スライドガラスを浸して引き上げることにより、黄色の
薄膜が形成された。このうえに、第２図に示すように１
ｍｓ＋のスペーサを介在させ、スライドガラスをかさね
、下からバーナで１０秒加熱することにより基板上に薄
膜が形成された。
膜厚は０．５ ミクロンであった。
実施例３
第３図による装置を用い、有機物として（１，３゜３−
トリメチルインドυ））−ニトロスピランを用い、不活
性ガスとしてアルゴンを用いた。管の温度は２５０℃に
保持し、基板３の裏側に水冷したアルミブロックを接触
させることにより温度上昇を防いだ。蒸着源２の部分を
約２００℃に保持し、アルゴンガスを毎分３００ ｃｃ
の速度で送った。ｉ＊厚はへリウムーネオンレーザを基
板の上部から照射し、その反射孔の干渉による変化を観
察することにより測定した。その結果膜の成長速度とし
て１分あたり１ ミクロンかえられた。
トリメチルインドυ））−ニトロスピランを用い、不活
性ガスとしてアルゴンを用いた。管の温度は２５０℃に
保持し、基板３の裏側に水冷したアルミブロックを接触
させることにより温度上昇を防いだ。蒸着源２の部分を
約２００℃に保持し、アルゴンガスを毎分３００ ｃｃ
の速度で送った。ｉ＊厚はへリウムーネオンレーザを基
板の上部から照射し、その反射孔の干渉による変化を観
察することにより測定した。その結果膜の成長速度とし
て１分あたり１ ミクロンかえられた。
実施例４
第４図にしめず装置を用い、有機物溶液として、実施例
２にしめしたフルオレセインノズル５％アセトン溶液を
用い、回転ドラム１２としてガラス円筒に第５図のよう
なパターンのニクロムパターンを形成し、また基板１１
としては直径２０ｃｍのガラス円盤を用い、ドラム１２
と基板１１とをそれぞれ１および１０ｒｐ−で回転させ
た。ヒータにはブラシ１３を通じて上の部分に来たとき
だけ１０ ワットの電力をあたえた。膜厚は実施例３と
同じ方法により測定した。えられた膜厚成長速度は約０
．１ ミグ０フフ分であった。
２にしめしたフルオレセインノズル５％アセトン溶液を
用い、回転ドラム１２としてガラス円筒に第５図のよう
なパターンのニクロムパターンを形成し、また基板１１
としては直径２０ｃｍのガラス円盤を用い、ドラム１２
と基板１１とをそれぞれ１および１０ｒｐ−で回転させ
た。ヒータにはブラシ１３を通じて上の部分に来たとき
だけ１０ ワットの電力をあたえた。膜厚は実施例３と
同じ方法により測定した。えられた膜厚成長速度は約０
．１ ミグ０フフ分であった。
以上説明したように、本発明によるｓｙ！形成方法は、
有機物の良質の膜が簡便な方法により得ることが可能に
なり、特に光記録媒体や感光膜の形成に極めて有用であ
る。
有機物の良質の膜が簡便な方法により得ることが可能に
なり、特に光記録媒体や感光膜の形成に極めて有用であ
る。
本発明はさらに、真空や減圧廃棄を必要とせず簡便であ
ることから、製造プロセスの経済化がはかれるとともに
、また膜厚のせいぎょやダストレスの膜の製造が容易に
なる利点がある。
ることから、製造プロセスの経済化がはかれるとともに
、また膜厚のせいぎょやダストレスの膜の製造が容易に
なる利点がある。
第１図は本発明の方法を実施するための装置の一例の概
略図、第２図は本発明の方法を実施するための装置の第
２の例を示す概略図、第３図は本発明の方法を実施する
ための装置の第３の例を示す概略図、第４図は本発明の
方法を実施するための装置の第４の例を示す概略図であ
る。 １ ・・・蒸着ボート、２ ・・・蒸着源、３ ・・・
基板、４ ・・・形成された薄膜、５ ・・・転写源基
板、６ ・・・ガラス管、７ ・・・ガス入口、８・・
・ガス出口、９ ・・・トラップ、ＩＯ・・・冷却槽、
１１・・・円盤基板、１２・・・回転ドラム、１３・・
・ブラシ、１４・・・溶液溜、１５・・・加熱電極。 出願人代理人 雨宮 正準 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 ５ 手続ネ甫正書σカ（角根） 曜殆巧９手１０月２４日 １、事件の表示 昭和５９年特許願第１１７８６８号 ２、発明の名称 １１Ｉ形成方法 住 所 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号氏 名（
名＆） （４２２） 日本電信電話公社４、代理人 〒１０２観０３−２６４−３５６６ ８、補Δ喪ザ嘴鍼 別紙の通り。 ８、内容 （１１明細書第１２頁第１３行、「概略図である。」を
「概略図、第５図は本発明に用いられる回転ドラムの一
例を示す斜視図である。」と訂正する。 （２）同書第１１頁第３行と第４行の間に下記の文を挿
入する。 ｒ 本方法によると、不活性ガス雰囲気下で有機物の薄
膜化が行われるため酸素存在空気中では変質をおこしや
すい有機物質も容易に薄膜化できた。」 （３）同書第５頁第１４行、「−ニトロスピラン」を［
−ニトロスピロピラン、５”−アミノ−１’、３．３’
−トリメチルスピロピラン、８〜アセトキシメルク１）
−６−ニトロ−１’、 ３’、３’−トリメチルスピロ
ピラン、８−アリール−１”、 ３’、３’ ）リメチ
ルスビロビラン、５′−アミノ−５，７−ジクロロ−６
−二トロ１’、３’、３’−）リメチルスピロピラン、
１’−アミル−５−ブロモ−３”３＋ ジメチル−８−
メトキシ−６−ニトロスピロピラン、６−プロモーｔ’
２ブチル−３”、３′ジメチルスピロピランなフ゛のス
ピロピラン化合物、ジメチレン・スクシン酸無水物の誘
導体であるフルギド化合物および：１ フルギドの無水物位の０をＮに置換したフルギイミド」
と訂正する。
略図、第２図は本発明の方法を実施するための装置の第
２の例を示す概略図、第３図は本発明の方法を実施する
ための装置の第３の例を示す概略図、第４図は本発明の
方法を実施するための装置の第４の例を示す概略図であ
る。 １ ・・・蒸着ボート、２ ・・・蒸着源、３ ・・・
基板、４ ・・・形成された薄膜、５ ・・・転写源基
板、６ ・・・ガラス管、７ ・・・ガス入口、８・・
・ガス出口、９ ・・・トラップ、ＩＯ・・・冷却槽、
１１・・・円盤基板、１２・・・回転ドラム、１３・・
・ブラシ、１４・・・溶液溜、１５・・・加熱電極。 出願人代理人 雨宮 正準 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 ５ 手続ネ甫正書σカ（角根） 曜殆巧９手１０月２４日 １、事件の表示 昭和５９年特許願第１１７８６８号 ２、発明の名称 １１Ｉ形成方法 住 所 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号氏 名（
名＆） （４２２） 日本電信電話公社４、代理人 〒１０２観０３−２６４−３５６６ ８、補Δ喪ザ嘴鍼 別紙の通り。 ８、内容 （１１明細書第１２頁第１３行、「概略図である。」を
「概略図、第５図は本発明に用いられる回転ドラムの一
例を示す斜視図である。」と訂正する。 （２）同書第１１頁第３行と第４行の間に下記の文を挿
入する。 ｒ 本方法によると、不活性ガス雰囲気下で有機物の薄
膜化が行われるため酸素存在空気中では変質をおこしや
すい有機物質も容易に薄膜化できた。」 （３）同書第５頁第１４行、「−ニトロスピラン」を［
−ニトロスピロピラン、５”−アミノ−１’、３．３’
−トリメチルスピロピラン、８〜アセトキシメルク１）
−６−ニトロ−１’、 ３’、３’−トリメチルスピロ
ピラン、８−アリール−１”、 ３’、３’ ）リメチ
ルスビロビラン、５′−アミノ−５，７−ジクロロ−６
−二トロ１’、３’、３’−）リメチルスピロピラン、
１’−アミル−５−ブロモ−３”３＋ ジメチル−８−
メトキシ−６−ニトロスピロピラン、６−プロモーｔ’
２ブチル−３”、３′ジメチルスピロピランなフ゛のス
ピロピラン化合物、ジメチレン・スクシン酸無水物の誘
導体であるフルギド化合物および：１ フルギドの無水物位の０をＮに置換したフルギイミド」
と訂正する。
Claims (1)
- （１） 有機物蒸着源と前記有機物が堆積される基板を
近接して対向せしめ、常圧下で前記有機物蒸着源を加熱
し基板上に堆積させることを特徴とする薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11786884A JPS60262971A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11786884A JPS60262971A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60262971A true JPS60262971A (ja) | 1985-12-26 |
Family
ID=14722270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11786884A Pending JPS60262971A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60262971A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015523463A (ja) * | 2012-05-02 | 2015-08-13 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ | 有機材料の堆積方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57134558A (en) * | 1981-02-16 | 1982-08-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | Production of organic vapor deposited thin film |
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1984
- 1984-06-08 JP JP11786884A patent/JPS60262971A/ja active Pending
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