JPS60260424A - 低電気抵抗酸化スズ微粉末の製造法 - Google Patents
低電気抵抗酸化スズ微粉末の製造法Info
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- JPS60260424A JPS60260424A JP11384384A JP11384384A JPS60260424A JP S60260424 A JPS60260424 A JP S60260424A JP 11384384 A JP11384384 A JP 11384384A JP 11384384 A JP11384384 A JP 11384384A JP S60260424 A JPS60260424 A JP S60260424A
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- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｌ豆五北夏
本発明はＧｅ、 Ｐ、 Ｌｉ、 Ｚｎをドープした低電
気抵抗酸化スズ微粉末の製法に関する。
気抵抗酸化スズ微粉末の製法に関する。
酸化スズ粉末は触媒、ガスセンサー、導電性粉体として
用いられている。触媒としてはオレフィンのアリル型酸
化用触媒、たとえばプロパンからアクロ゛レイン、ｎ−
ブテシからブダジエン、インペンテンからイソプレイン
合成の触媒として用いられているｔガスセンサーとして
は、可燃性ガス。
用いられている。触媒としてはオレフィンのアリル型酸
化用触媒、たとえばプロパンからアクロ゛レイン、ｎ−
ブテシからブダジエン、インペンテンからイソプレイン
合成の触媒として用いられているｔガスセンサーとして
は、可燃性ガス。
たとえば都市ガス、プロパンガス、水素ガス等を吸着し
た時電気抵抗が変化することが利用されている。
た時電気抵抗が変化することが利用されている。
導電性粉体としては、 ｓｂドープしたＳｎＯ２が低電
気抵抗となることが知られているが、Ｓｂの毒性の問題
がありｓｂを含まないものが望まれている。
気抵抗となることが知られているが、Ｓｂの毒性の問題
がありｓｂを含まないものが望まれている。
ｓｂを含まないものは抵抗は高くなるが、帯電防止用と
しては使用でき１色も白色に近いものとなるので２紙、
樹ｍｌ、繊維等の帯電防止として使用できる。
しては使用でき１色も白色に近いものとなるので２紙、
樹ｍｌ、繊維等の帯電防止として使用できる。
また可視光の波長（０，４〜０．８μｍ）以下の粒子に
することにより透明性が出てくるため、塗料中に混入し
帯電防止塗料とすることもできる。この塗料を塗布した
塗膜は透明帯電防止フィルムになるばかりでなく、帯電
圧を制御するための感光機用塗膜ともなる。
することにより透明性が出てくるため、塗料中に混入し
帯電防止塗料とすることもできる。この塗料を塗布した
塗膜は透明帯電防止フィルムになるばかりでなく、帯電
圧を制御するための感光機用塗膜ともなる。
いずれの場合も、粉末が微細であることが望ましい。す
なわち触媒ならびにセンサーにおいても粉末の表面を利
用することから、微細な程活性が高く、また、粉末が微
細になる程透明性も向上する。さらに粉末の分散性も高
いことが望まれているゆ 従ｍ杜 酸化スズ粉末の製造法としては以下に列記する方法が知
られている。
なわち触媒ならびにセンサーにおいても粉末の表面を利
用することから、微細な程活性が高く、また、粉末が微
細になる程透明性も向上する。さらに粉末の分散性も高
いことが望まれているゆ 従ｍ杜 酸化スズ粉末の製造法としては以下に列記する方法が知
られている。
（１）金属スズを空気中で高温度加熱酸化する。
（２）スズを濃硝酸で処理して得た白色沈澱を高温で焼
成する。
成する。
（３）４価のスズ塩の水溶液をアルカリで中和して白色
沈澱を得、これを高温で焼成する。
沈澱を得、これを高温で焼成する。
（１）、（２）の方法ではせいぜい比表面積がＪｏｎ？
／ｇ以下の粉末しか得られず、（３）の方法でも焼成時
に焼結が起こり易く、比表面積としては５０ｒｒ？／ｇ
まで不可能であるが２分散性が悪く透明性が要求される
目的には望ましくない。
／ｇ以下の粉末しか得られず、（３）の方法でも焼成時
に焼結が起こり易く、比表面積としては５０ｒｒ？／ｇ
まで不可能であるが２分散性が悪く透明性が要求される
目的には望ましくない。
本発明者等は先に（３）の方法を特定の条件で実施する
とき、極めて微細な酸化スズ粉末が得られることを見出
した（特願昭５８−５２４３９）。
とき、極めて微細な酸化スズ粉末が得られることを見出
した（特願昭５８−５２４３９）。
該方法では、６５℃以上に保ったアルカリ水溶液中に、
塩化第二スズ水溶液を加え最終的にｐｌ＋を５以下に入
る。アルカリ水中に塩化第二スズを加えていった場合、
初期のｐＨは当然１４に近く、ρ１１が１０になるまで
は塩化第二スズ溶液を加えてＶＸっても沈澱が析出しな
い。ＰＨが１０以下で急激器こ沈澱が析出する。すなわ
ちｐＨが１０以−１ユで溶解していた塩化第二スズがＰ
Ｈが下がることによりｌ −気に水酸化スズとして析出
し、微細な生成物となる。さらに塩化第二スズを加えて
最終的にｐｌ＋を５以下に保つことにより分散性が高ま
る。このようにして生成した沈澱は、その後の粉末の焼
成処理において焼結することが少なく、粉末の粒子を細
かいままに保っておくことができる。この範囲外で反応
を終了させると焼成時に粉末が焼結しやすくなる。以上
のことにより、粉末の粒子は５０イ／ｇ以上の微細なも
のでしかも分散性の良いものが得られる。（これに対し
、塩化第二スズ溶液をアルカリで中和していく手法では
、アルカリを添加した時点から沈澱が生成し始め２反応
が進むにしたがい粒子が成長をおこし、微細な粉末が得
られない。）゛′アルカリ水溶液としては、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム、アンモニア、炭酸ナトリウム
を水に溶解した溶液を使用できる。塩化第二スズ溶液は
水に溶解したモの、または塩酸水溶液に溶解したものま
たはアルコールに溶解したものまたはアルコールに溶解
した溶液を用いることができる。
塩化第二スズ水溶液を加え最終的にｐｌ＋を５以下に入
る。アルカリ水中に塩化第二スズを加えていった場合、
初期のｐＨは当然１４に近く、ρ１１が１０になるまで
は塩化第二スズ溶液を加えてＶＸっても沈澱が析出しな
い。ＰＨが１０以下で急激器こ沈澱が析出する。すなわ
ちｐＨが１０以−１ユで溶解していた塩化第二スズがＰ
Ｈが下がることによりｌ −気に水酸化スズとして析出
し、微細な生成物となる。さらに塩化第二スズを加えて
最終的にｐｌ＋を５以下に保つことにより分散性が高ま
る。このようにして生成した沈澱は、その後の粉末の焼
成処理において焼結することが少なく、粉末の粒子を細
かいままに保っておくことができる。この範囲外で反応
を終了させると焼成時に粉末が焼結しやすくなる。以上
のことにより、粉末の粒子は５０イ／ｇ以上の微細なも
のでしかも分散性の良いものが得られる。（これに対し
、塩化第二スズ溶液をアルカリで中和していく手法では
、アルカリを添加した時点から沈澱が生成し始め２反応
が進むにしたがい粒子が成長をおこし、微細な粉末が得
られない。）゛′アルカリ水溶液としては、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム、アンモニア、炭酸ナトリウム
を水に溶解した溶液を使用できる。塩化第二スズ溶液は
水に溶解したモの、または塩酸水溶液に溶解したものま
たはアルコールに溶解したものまたはアルコールに溶解
した溶液を用いることができる。
該方法ではアルカリ水溶液中に注入する塩化第二スズ溶
液はその濃度に特に限定はないが、好ましい濃度は１０
〜６０％である。注入速度にも特に限定はない。沈澱析
出温度は約６５℃が臨界値である。これにより低いと焼
成時に粒子が焼結を起こしやすい。生成した沈澱を洗浄
後乾燥を行ないさらに焼成することにより、二酸化スズ
粉末とすることができるが、焼成温度が３５０℃以下で
は結晶の発達が悪く非晶質であり、７００℃以上にする
と焼結が起る。このため焼成温度を３５０℃〜７００℃
としたが、粉末の抵抗と粒度との関連上、望ましくは４
００℃〜６００℃である。前記方法で製造したノンドー
プＳｎ０２は、］００ｋｇ／Ｃ♂に加圧した圧粉体の形
で測定した電気抵抗は１０６ Ω・備オーダーである。
液はその濃度に特に限定はないが、好ましい濃度は１０
〜６０％である。注入速度にも特に限定はない。沈澱析
出温度は約６５℃が臨界値である。これにより低いと焼
成時に粒子が焼結を起こしやすい。生成した沈澱を洗浄
後乾燥を行ないさらに焼成することにより、二酸化スズ
粉末とすることができるが、焼成温度が３５０℃以下で
は結晶の発達が悪く非晶質であり、７００℃以上にする
と焼結が起る。このため焼成温度を３５０℃〜７００℃
としたが、粉末の抵抗と粒度との関連上、望ましくは４
００℃〜６００℃である。前記方法で製造したノンドー
プＳｎ０２は、］００ｋｇ／Ｃ♂に加圧した圧粉体の形
で測定した電気抵抗は１０６ Ω・備オーダーである。
これをさらに低抵抗化するために本発明者等は先にＮ２
のような環元性雰囲気、 Ｈｅ、 Ｎ２ 、 Ａｒのよ
うな不活性雰囲気、または真空中で焼成することにより
、５ｎ０２の一部を金属スズに環元し、 Ｓｎをドープ
したＳｎ０２すなわち５ｎ０２−ｘ というべき状態に
し、電気抵抗が１０’−１０５Ω・備の低電気抵抗酸化
スズ粉末の製造法を出願した。（特願昭５８−１５４Ｃ
ｒ７９および１５４０８０）。
のような環元性雰囲気、 Ｈｅ、 Ｎ２ 、 Ａｒのよ
うな不活性雰囲気、または真空中で焼成することにより
、５ｎ０２の一部を金属スズに環元し、 Ｓｎをドープ
したＳｎ０２すなわち５ｎ０２−ｘ というべき状態に
し、電気抵抗が１０’−１０５Ω・備の低電気抵抗酸化
スズ粉末の製造法を出願した。（特願昭５８−１５４Ｃ
ｒ７９および１５４０８０）。
またｓｂをドープすることによりｌＯ″′Ω・備オーグ
ーの粉末が得られている。しかし、この粉末は灰青色を
呈することとｓｂの毒性に問題が提起されている。
ーの粉末が得られている。しかし、この粉末は灰青色を
呈することとｓｂの毒性に問題が提起されている。
発明の目的
本発明はｓｂにかわりＧｅ、 Ｐ、 Ｌｉ’、 Ｚｎ等
をＳｎ０２に対し１〜２０モル％ドープすることによっ
て低抵抗で無害かつ白色ｉ近い粉末を得る製造法を提供
−する。
をＳｎ０２に対し１〜２０モル％ドープすることによっ
て低抵抗で無害かつ白色ｉ近い粉末を得る製造法を提供
−する。
発明の構成
本発明によればｐＨ１０以上のアルカリ水溶液を６５℃
以上に保ちながら、この溶液に、塩化スズ溶液にＧｅ、
Ｐ、 Ｌｉ、 Ｚｎをスズに対して１〜２０モル％溶
解した液を加えて沈殿を生成させ、最終的にＰＨを５以
下、に保つことによって微細な沈殿を得。
以上に保ちながら、この溶液に、塩化スズ溶液にＧｅ、
Ｐ、 Ｌｉ、 Ｚｎをスズに対して１〜２０モル％溶
解した液を加えて沈殿を生成させ、最終的にＰＨを５以
下、に保つことによって微細な沈殿を得。
これを洗浄乾燥後空気中で３５０℃〜７００ ℃で焼成
することからなる低電気抵抗酸化スズ微粉末の製造方法
が提供される。
することからなる低電気抵抗酸化スズ微粉末の製造方法
が提供される。
また上記の方法に加えて、空気中で焼成した粉末をさら
に水素を含んでもよい不活性ガス雰囲気中でまたは真空
中で焼成する工程を含む方法で提供される。 ゛ 水または塩酸、またはアルコールに塩化第二スズを溶解
した溶液にスズに対して１〜２０モル％゛のＧｅ、 Ｐ
、 Ｌｉ、’Ｚｎを溶解する。ドーパントは１モル％以
下では低抵抗化にほとんど影響がなく２０モル％ではノ
ンドープよりも抵抗が高くなる。塩化スズ溶液の濃度は
特に限定はないが、好ましい濃度は１０〜６０ｗ／ｖ％
である。
に水素を含んでもよい不活性ガス雰囲気中でまたは真空
中で焼成する工程を含む方法で提供される。 ゛ 水または塩酸、またはアルコールに塩化第二スズを溶解
した溶液にスズに対して１〜２０モル％゛のＧｅ、 Ｐ
、 Ｌｉ、’Ｚｎを溶解する。ドーパントは１モル％以
下では低抵抗化にほとんど影響がなく２０モル％ではノ
ンドープよりも抵抗が高くなる。塩化スズ溶液の濃度は
特に限定はないが、好ましい濃度は１０〜６０ｗ／ｖ％
である。
アルカリ水溶液としては、水酸化ナトリウム。
水酸化カリウム、アンモニア、炭酸ナトリウムを水に溶
解した溶液が使用できる。沈澱析出温度は６５℃が臨界
値でありこれにより低いと焼成時に粒子が焼結を起しや
すい。生成した沈澱は洗浄後乾燥し、さらに焼成するこ
とによりドープド二酸化スズとすることができる。
解した溶液が使用できる。沈澱析出温度は６５℃が臨界
値でありこれにより低いと焼成時に粒子が焼結を起しや
すい。生成した沈澱は洗浄後乾燥し、さらに焼成するこ
とによりドープド二酸化スズとすることができる。
焼成温度は３５０℃以下では結晶の発達が悪く非晶質で
あり、７００℃以上にすると焼結が起る。
あり、７００℃以上にすると焼結が起る。
郷成温度は３５０℃〜７００℃としたが望ましくは４０
０℃〜６００℃゛である。ここまでの製造法においても
ノンドー２Ｓｎ０２が１０６Ω・ａｍオーダーの抵抗に
対し１０４Ω・備オーダーの低抵抗粉末が得られるがこ
れをさらにＨｅ、 Ｎ２ 、’ Ａｒの単体。
０℃〜６００℃゛である。ここまでの製造法においても
ノンドー２Ｓｎ０２が１０６Ω・ａｍオーダーの抵抗に
対し１０４Ω・備オーダーの低抵抗粉末が得られるがこ
れをさらにＨｅ、 Ｎ２ 、’ Ａｒの単体。
あるいはＮ２との混合ガス中、あめいは真空雰囲気中で
再焼成することにより１０”〜１０３Ω・□□□オーダ
ーの低抵抗粉末が得られる。
再焼成することにより１０”〜１０３Ω・□□□オーダ
ーの低抵抗粉末が得られる。
実施例１
炭酸ナトリウムｊ７ｏｇを水５Ｑに溶解し９４℃に加熱
した。これに無水塩化第二スズ６０％を含有する水溶液
５００ｇと過塩素酸リチウム２０．５５（１０モル％）
および６Ｎ塩酸６００ｍＱを混合し。
した。これに無水塩化第二スズ６０％を含有する水溶液
５００ｇと過塩素酸リチウム２０．５５（１０モル％）
および６Ｎ塩酸６００ｍＱを混合し。
定量ポンプで滴下させ反応を行なった。出来た沈澱を洗
浄乾燥後空気中５００℃で２時間焼成した。
浄乾燥後空気中５００℃で２時間焼成した。
この粉末の比抵抗は９１にΩ・ｌであった。これを雰囲
気炉で窒素置換後水素と窒素各１ｊ２／分で流し４００
℃で１時焼成した。この粉末の比抵抗は９５０Ω・ｃｍ
であった。
気炉で窒素置換後水素と窒素各１ｊ２／分で流し４００
℃で１時焼成した。この粉末の比抵抗は９５０Ω・ｃｍ
であった。
実施例２
水酸化カリウム１３８ｇを水５Ｑに溶解し９０℃に加熱
した。これに塩化第二スズ２００ｇと四塩化ゲルマニウ
ム８．６ ｇ （５モル％）をエチルアルコール６００
ｗＱ に溶解した溶液を定量ポンプで滴下させ反応を行
ない最終ｐＨを３とした。出来た沈澱を水で洗浄後乾燥
し、空気中５ｏｏ℃で焼成した。この粉末をアトマイザ
−で粉砕後１００ ｋｇ−／ ｃＪに加圧して比抵抗を
測定した結果２８にΩ・口であった。
した。これに塩化第二スズ２００ｇと四塩化ゲルマニウ
ム８．６ ｇ （５モル％）をエチルアルコール６００
ｗＱ に溶解した溶液を定量ポンプで滴下させ反応を行
ない最終ｐＨを３とした。出来た沈澱を水で洗浄後乾燥
し、空気中５ｏｏ℃で焼成した。この粉末をアトマイザ
−で粉砕後１００ ｋｇ−／ ｃＪに加圧して比抵抗を
測定した結果２８にΩ・口であった。
この粉末を雰囲気炉を用いＮ２雰囲気中で、２時間、４
００℃焼成後焼成後左抵抗した結果２．ＩＫΩ・口であ
った。
００℃焼成後焼成後左抵抗した結果２．ＩＫΩ・口であ
った。
実施例３
水酸化ナトリウム３２８ｇを水５ρに溶解し７０℃に加
熱した。これに無水塩化第二スズ６０％を含有する水溶
液５００ｇにリン酸水素二ナトリウム５．１ｇ（３モル
％）と６Ｎ塩酸６００ｍ１２を混合した溶液を定量ポン
プで滴下し、最終ｐＨを１とした。出来た沈澱を洗浄後
乾燥し、空気中６５０℃で２時間焼成した。この粉末を
実施例１と同様の方法で比抵抗を測定した結果６０にΩ
・ａｍであった。
熱した。これに無水塩化第二スズ６０％を含有する水溶
液５００ｇにリン酸水素二ナトリウム５．１ｇ（３モル
％）と６Ｎ塩酸６００ｍ１２を混合した溶液を定量ポン
プで滴下し、最終ｐＨを１とした。出来た沈澱を洗浄後
乾燥し、空気中６５０℃で２時間焼成した。この粉末を
実施例１と同様の方法で比抵抗を測定した結果６０にΩ
・ａｍであった。
これを窒素中４００℃で２時間再焼成したところ１２に
Ω・印となった。
Ω・印となった。
実施例４
水酸化ナトリウム６５０ｇを水１０ｆｌに溶解し８５℃
に加熱した。これに無水塩化第二スズ６０％を含有系る
水溶液１ ｋｇと、フッ化すチウム１５ｇ（２０モル％
）および６Ｎ塩酸１２００ｍｆｌを混合し、定量ポンプ
で滴下させ反応を行なった。出来た沈澱を乾燥後空気中
４００℃で２時間焼成した。この粉末の比抵抗は９５に
Ω・ｌであった。この粉末を直径１０ｃｍの石英ガラス
製流動床に入れアルゴンを２ｆｌ／分流しながら４００
℃で２時間焼成した。この粉末の比抵抗は２２にΩ・印
であった。
に加熱した。これに無水塩化第二スズ６０％を含有系る
水溶液１ ｋｇと、フッ化すチウム１５ｇ（２０モル％
）および６Ｎ塩酸１２００ｍｆｌを混合し、定量ポンプ
で滴下させ反応を行なった。出来た沈澱を乾燥後空気中
４００℃で２時間焼成した。この粉末の比抵抗は９５に
Ω・ｌであった。この粉末を直径１０ｃｍの石英ガラス
製流動床に入れアルゴンを２ｆｌ／分流しながら４００
℃で２時間焼成した。この粉末の比抵抗は２２にΩ・印
であった。
実施例５
塩化第二スズ８ｋｇをメチルアルコール１４ｋｇに溶解
しこれに塩化亜鉛１３１ｇ（３モル％）を溶解した。ま
たアンモニア水６．９ρに水１５ρ加えた液を用意した
。９２℃に加熱した水に定量ポンプを用いｐＨを１０以
上に保ちながら両溶液を滴下させ反応を行ない最終ｐＨ
を４とルだ、出来た沈澱を空気中５００℃で２時間焼成
した。この粉末の比抵抗は８４にΩ・】であった。これ
をヘリウム中で４００℃２時間再焼成したところ１７に
Ω・口となった。
しこれに塩化亜鉛１３１ｇ（３モル％）を溶解した。ま
たアンモニア水６．９ρに水１５ρ加えた液を用意した
。９２℃に加熱した水に定量ポンプを用いｐＨを１０以
上に保ちながら両溶液を滴下させ反応を行ない最終ｐＨ
を４とルだ、出来た沈澱を空気中５００℃で２時間焼成
した。この粉末の比抵抗は８４にΩ・】であった。これ
をヘリウム中で４００℃２時間再焼成したところ１７に
Ω・口となった。
比較例
水酸化ナトリウム２，５７４ ｇを水４０Ｑに溶解し９
０℃に加熱した。これに無水塩化第二スズ６０％を水に
溶解した液４ ｋｇを定量ポンプで滴下させｐＨを２と
した。これを空気中５００℃で２時間焼成した。この粉
末の比抵抗は５．０ ・ＣＩｍであった。
０℃に加熱した。これに無水塩化第二スズ６０％を水に
溶解した液４ ｋｇを定量ポンプで滴下させｐＨを２と
した。これを空気中５００℃で２時間焼成した。この粉
末の比抵抗は５．０ ・ＣＩｍであった。
（これを窒素中：４００℃２時間再焼した。この粉末の
比抵抗は３３０にΩ・艶であった。）特許出願人 已ｔ
か４殉ｆ象へシカ才去代理人 弁理士松井政広
比抵抗は３３０にΩ・艶であった。）特許出願人 已ｔ
か４殉ｆ象へシカ才去代理人 弁理士松井政広
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １： ２０１０以上のアルカリ水溶液を６５℃以上に保
ちながら、この溶液に、塩化スズ溶液にＧｓ、Ｐ。 Ｌｉ、 Ｚｎをスズに対して１〜２０モル％溶解した液
を加えて沈殿を生成させ、最終的にｐＨを５以下に保つ
ことによって微細な沈殿を得、これを洗浄乾燥後空気中
で３５０℃〜７００℃で焼成することからなる低電気抵
抗酸化スズ微粉末の製造方法。 ２、ｐＨ１０以上のアルカリ水溶液を６５℃以上に保ち
ながら、この溶液に、塩化スズ溶液にＧｅ、Ｐ。 Ｌｉ、Ｚｎをスズに対して１〜２０モル％溶解した液を
加えて沈殿を生成させ、最終的にｐＨを５以下に保つこ
とによって微細な沈殿を得、これを洗浄乾燥後空気中で
３５０℃〜７００℃で焼成し、さらにその粉末をＨｅ、
Ｎｅ、 Ａｒのいずれか、末たはそれらとＨ２の組合
せ中、あるいは真空中で焼成することからなる低電気抵
抗酸化スズ微粉末の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11384384A JPH0232213B2 (ja) | 1984-06-05 | 1984-06-05 | Teidenkiteikosankasuzubifunmatsunoseizoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11384384A JPH0232213B2 (ja) | 1984-06-05 | 1984-06-05 | Teidenkiteikosankasuzubifunmatsunoseizoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60260424A true JPS60260424A (ja) | 1985-12-23 |
| JPH0232213B2 JPH0232213B2 (ja) | 1990-07-19 |
Family
ID=14622442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11384384A Expired - Lifetime JPH0232213B2 (ja) | 1984-06-05 | 1984-06-05 | Teidenkiteikosankasuzubifunmatsunoseizoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0232213B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5269970A (en) * | 1990-02-26 | 1993-12-14 | Th. Goldschmidt Ag | Electrically conductive tin-IV-oxide and method for production thereof |
| EP0647687A1 (de) * | 1993-10-02 | 1995-04-12 | MERCK PATENT GmbH | Substratfreie leitfähige Pigmente |
| US5720904A (en) * | 1993-10-18 | 1998-02-24 | Alcan International Limited | Electroconductive tin oxide |
| JP2006338899A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Mitsubishi Materials Corp | 高分散性の導電性微粉末とその応用 |
| JP2007331966A (ja) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Tayca Corp | 導電性酸化スズ粒子およびその製造方法 |
| WO2009018984A1 (en) | 2007-08-08 | 2009-02-12 | Merck Patent Gmbh | Conductive powder |
| JP2010168260A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Mitsubishi Materials Corp | 針状酸化錫微粉末およびその製造方法 |
| JP2011026189A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-02-10 | Mitsubishi Materials Corp | 導電性針状酸化アンチモン錫微粉末およびその製造方法 |
| CN102385270A (zh) * | 2010-08-25 | 2012-03-21 | 富士施乐株式会社 | 锡-锌复合氧化物粉末及其制造方法、电子照相用载体以及显影剂 |
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|---|---|---|---|---|
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1984
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