JPS60257104A - 薄膜サ−ジアブソ−バ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は主に電子機器等に使われる集積回路の静電気か
らの保護等に利用されるサージアブソーバに関する。

従来例の構成とその問題点 第１図と共に従来の構成を説明し、その問題点を述べる
。

従来では、先ず、酸化亜鉛と不純物（例えばアンチモン
ビスマス）を−緒に混合した後、焼成して焼結体（１２
）を作成していた。焼結体（１２）の断面図は、酸化亜
鉛（１）のまわりを不純物（２）が覆っている。そして
、この酸化亜鉛（１）と不純物（２）の焼結体（１２）
の両生平面に銀電極（３）を設け、　これに端子（５）
を半田（４）で半田付けした後、エポキシ系樹脂（６）
によって全体をモールドして１個の製品となっていた。

この構成の場合、次のような問題点がある。

■　低電圧のサージ吸収能力が低い。

■　形状が大きく集積回路等のパッケージ内に収める事
が困難である。

■　大量生産に成型機、焼成炉等の大がかりな設備が必
要となり、投資額が大きくなる。

発明の目的 本発明は低電圧のサージ吸収能力が高く、し、かも小型
で、大量生産可能な薄膜サージアブソーバを提供するこ
とを目的とする。

発明の構成 本発明の薄膜サージアブソーバは、絶縁体」二に酸化亜
鉛および不純物を積層し、この酸化亜鉛と不純物の積層
方向両端面に電極を設けたことを特徴とする。

実施例の説明 以下、本発明の一実施例を第２図に基づいて説明する。

第２図に示すように本発明の薄膜サージアブソーバハ、
　シリコン等の絶縁基板（７）の−ににアルミ等の電極
（１０）を蒸着等によって設け、その上に酸化亜鉛（８
）をスパッタリング等で結晶成長させる。

さらに、その」−にアンチモンビスマス等の不純物（９
）をスパッタリングで層状に形成する。上記の酸化亜鉛
（８）と不純物（９）のスパッタリングを繰り返して酸
化亜鉛（８）と不純物（９）の多層構造をつくり上げる
。この多層膜の上にアルミ等の電極（１０）を設ける。

外部の電極に接続する場合には、第２図の如くアルミ線
または金線のリード（１１）によって接続される。

なお、サージ電圧は酸化亜鉛（８）と不純物（９）との
多層膜の層の数、さらには各層の厚みによって決定され
、容易に低電圧のサージ吸収を実現できる。

このように構成したため、シリコンウェハーＬに酸化亜
鉛（８）と不純物（９）の多層構造の薄膜を形成し、こ
のシリコンウェハからチップを切出し、これを集積回路
のパッケージの中に収め、これを集積回路のバイアスラ
イン、または各ラインとアース間に挿入することによっ
てサージを吸収することができる。

発明の詳細 な説明のように本発明の薄膜サージアブソーバによると
次のような効果が得られる。

■　酸化亜鉛の厚み、層の数を自由に決定できるため、
低電圧のサージ吸収も充分可能となった・ ■　絶縁体〔シリコンウェハ〕から自由に分割、切り出
しが可能なため、極めて形状寸法を小さくすることがで
きる。

■　蒸着材やスパッタ装置等、比較的スペースをとらな
い設備で量産できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のサージアブソーバの拡大縦断面図、第２
図は本発明の一実施例の拡大縦断面図である。 −，５− （７）絶縁基板、（８）・・・酸化亜鉛、（９）・・・
不純物、（１０）・・・電極、（１１）・・・リード代
理人　森　本　義　弘 ＝４− 第１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、絶縁体上に酸化亜鉛および不純物を積層し、この酸
   化亜鉛と不純物の積層方向両端面に電極を設けた薄膜サ
   ージアブソーバ。