JPS60254041A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS60254041A JPS60254041A JP10851784A JP10851784A JPS60254041A JP S60254041 A JPS60254041 A JP S60254041A JP 10851784 A JP10851784 A JP 10851784A JP 10851784 A JP10851784 A JP 10851784A JP S60254041 A JPS60254041 A JP S60254041A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- copolymer
- polymer
- pattern
- resist material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はパターン形成方法に関する。本発明は、さらに
詳しく述べると、特に電子線のような高エネルギー輻射
線をレジスト材料に照射して現像後にポジ型のレジスト
パターンを形成する方法に関する。このパターン形成方
法は、半導体装置製造の微細加工プロセスにおいて有利
に使用することができる。
詳しく述べると、特に電子線のような高エネルギー輻射
線をレジスト材料に照射して現像後にポジ型のレジスト
パターンを形成する方法に関する。このパターン形成方
法は、半導体装置製造の微細加工プロセスにおいて有利
に使用することができる。
従来の技術
種々のタイプの電子ｓｉ光用ポジ型レジスト材料が提案
され、そして市販されてい・る。なかんずく、初期に開
発され、実用化されたポリメチルメタクリレートは、電
子線照射の結果としてその材料に溶、解度差を生じさせ
、よって、高解像性を保証するもので、現在もなお広く
用いられている。
され、そして市販されてい・る。なかんずく、初期に開
発され、実用化されたポリメチルメタクリレートは、電
子線照射の結果としてその材料に溶、解度差を生じさせ
、よって、高解像性を保証するもので、現在もなお広く
用いられている。
しかしながら、ポリメチルメタクリレートには、感度に
乏しいという本質的な欠点がある。加えて、この材料は
耐熱性及び耐プラズマ性に乏しく、パターン形成後のプ
ラズマエツチング工程においてレジストパターンの変形
及び分解を被り、レジストとしての満足のいく機能を保
証し得ないことが屡々である。
乏しいという本質的な欠点がある。加えて、この材料は
耐熱性及び耐プラズマ性に乏しく、パターン形成後のプ
ラズマエツチング工程においてレジストパターンの変形
及び分解を被り、レジストとしての満足のいく機能を保
証し得ないことが屡々である。
従来、上述のようなポリメチルメタクリレートに特有な
欠点を克服するため、ポリメチルメタクリレートのα−
位に電子吸引基としての塩素を導入するのが有効である
ことが見い出され、実用されている。このポリメチルメ
タクリレート誘導体は、しかし、使用中に脱＃！Ｌ酸を
おこしやすく、容易にゲル化してしまうので使用しすら
い。さらに、α位に電子吸引基としてのトリフルオロメ
チル基を導入されたポリメチルメタクリレート誘導体も
実用されている。しかしながら、この材料は、塩素の導
入に原因する脱塩酸の問題をひきおこさない反面、前記
ポリメチルメタクリレートと同様に耐熱性及び耐プラズ
マ性が十分でない。
欠点を克服するため、ポリメチルメタクリレートのα−
位に電子吸引基としての塩素を導入するのが有効である
ことが見い出され、実用されている。このポリメチルメ
タクリレート誘導体は、しかし、使用中に脱＃！Ｌ酸を
おこしやすく、容易にゲル化してしまうので使用しすら
い。さらに、α位に電子吸引基としてのトリフルオロメ
チル基を導入されたポリメチルメタクリレート誘導体も
実用されている。しかしながら、この材料は、塩素の導
入に原因する脱塩酸の問題をひきおこさない反面、前記
ポリメチルメタクリレートと同様に耐熱性及び耐プラズ
マ性が十分でない。
発明が解決しようとする問題点
本発明は、前記”従来の技術”の説明から明らかなよう
に、ポジ型レジスト材料の主流であるポリメチルメタク
リレートは高感度ではない、高感度を有するポリメチル
メタクリレート誘導体は脱塩酸等の不所望な反応を伴な
う、脱塩酸の問題を解決したレジスト材料はポリメチル
メタクリレートと同等の耐熱性及び耐プラズマ性しか有
さない、等の問題点を解決し、よって、半導体装置製造
の微細・・・加１エプロセスに有用なパターン形成方法
を提供しようとするものである。
に、ポジ型レジスト材料の主流であるポリメチルメタク
リレートは高感度ではない、高感度を有するポリメチル
メタクリレート誘導体は脱塩酸等の不所望な反応を伴な
う、脱塩酸の問題を解決したレジスト材料はポリメチル
メタクリレートと同等の耐熱性及び耐プラズマ性しか有
さない、等の問題点を解決し、よって、半導体装置製造
の微細・・・加１エプロセスに有用なパターン形成方法
を提供しようとするものである。
問題点を解決するための手段
本発明者は、上述の問題点を解決すべく研究の結果１．
電子線・照射によりポジ型レジストパターンを形成する
に際して、α−トリフルオロメチルアクリル酸と電子吸
引基を有するアルコールのエステルを１繰り返し？林位
として含むポリマー又はコーポリマーを晰独で含んでな
るかもしくは他のポリマー又はコーポリマーと組み合わ
せて含んでなるレジスト拐利ヲ用いるのが有用であるこ
とを見い出した。
電子線・照射によりポジ型レジストパターンを形成する
に際して、α−トリフルオロメチルアクリル酸と電子吸
引基を有するアルコールのエステルを１繰り返し？林位
として含むポリマー又はコーポリマーを晰独で含んでな
るかもしくは他のポリマー又はコーポリマーと組み合わ
せて含んでなるレジスト拐利ヲ用いるのが有用であるこ
とを見い出した。
本発明者は、前記電子吸引基としてトリフルオロメチル
基（−ＣＦｓ ） ｆ特に有利に使用し得るということ
を見い出した。すなわち、本発明によれば、α−トリフ
ルオロメチルアクリル酸とともにエステルを形成するた
め、次式により表わされるヘキサフルオ四イソプロパツ
ール： Ｆ５ ＨＯ−ＯＨ−Ｃ’？５ を有利に使用することかできる。このエステル形成反応
は、次式によって進行するであろう。
基（−ＣＦｓ ） ｆ特に有利に使用し得るということ
を見い出した。すなわち、本発明によれば、α−トリフ
ルオロメチルアクリル酸とともにエステルを形成するた
め、次式により表わされるヘキサフルオ四イソプロパツ
ール： Ｆ５ ＨＯ−ＯＨ−Ｃ’？５ を有利に使用することかできる。このエステル形成反応
は、次式によって進行するであろう。
０Ｈ２＝：Ｏ−）−ＨＯ−ＯＨ−ＯＨ３００Ｈ
α−トリフルオロメ へキサフルオロイソチルアクリル
酸 プロパツール Ｆ３ Ｃｏｏ −ＯＨ−ＯＨ５ α−トリフルオロメチルアクリル 酸へキサフルオロイソプロピル 出発物質として使用するα−トリフルオロメチルアクリ
ル酸は、例えば、市販のエステル：α−トリフルオロメ
チルアクリル酸メチルを加水分解することによって調製
することができる。
酸 プロパツール Ｆ３ Ｃｏｏ −ＯＨ−ＯＨ５ α−トリフルオロメチルアクリル 酸へキサフルオロイソプロピル 出発物質として使用するα−トリフルオロメチルアクリ
ル酸は、例えば、市販のエステル：α−トリフルオロメ
チルアクリル酸メチルを加水分解することによって調製
することができる。
本発明の実施において有利に使用することのできるレジ
スト材料は、第１に、上述のα−トリフルオロメチルア
クリル酸へキサフルオロイソプロピルにより例示される
エステル化合物を１繰り返し単位として含むポリマー又
はコポリマーからなる。この第１のタイプに属する好ま
しいレジスト材料として、次式により表わされるポリ（
α−トリフルオロメチルアクリル酸へキサフルオ日イソ
プロピルーコーメタクリル南メチル）：ａＦ５ ０Ｈ３ などをあげることができる。このようなレジスト材料を
使用して電子線照射に−よりポジ型レジストパターンを
形成すると、高解像性はもちろんのこと、従来のポリメ
チルメタクリレートに較べておよそ２桁はど高められた
感度を達成することができる。
スト材料は、第１に、上述のα−トリフルオロメチルア
クリル酸へキサフルオロイソプロピルにより例示される
エステル化合物を１繰り返し単位として含むポリマー又
はコポリマーからなる。この第１のタイプに属する好ま
しいレジスト材料として、次式により表わされるポリ（
α−トリフルオロメチルアクリル酸へキサフルオ日イソ
プロピルーコーメタクリル南メチル）：ａＦ５ ０Ｈ３ などをあげることができる。このようなレジスト材料を
使用して電子線照射に−よりポジ型レジストパターンを
形成すると、高解像性はもちろんのこと、従来のポリメ
チルメタクリレートに較べておよそ２桁はど高められた
感度を達成することができる。
本発明の実施においで有利に使用することのできるレジ
スト材料は、第２に、上述のα−トリフルオロメチルア
クリル酸へキサフルオロイソプロピルにより例示される
エステル化合物を１繰り返し単位として含むポリマー又
はコポリマーの単独からなるのではなくて、そのエステ
ル化合物含有ポリマー又はコポリマー（第１ポリマー成
分）と他のポリマー又はコポリマー（第２ポリマー成分
として）との組み合わせからなる。この第２のタイプの
レジスト材料はいわゆる架橋分解型である。
スト材料は、第２に、上述のα−トリフルオロメチルア
クリル酸へキサフルオロイソプロピルにより例示される
エステル化合物を１繰り返し単位として含むポリマー又
はコポリマーの単独からなるのではなくて、そのエステ
ル化合物含有ポリマー又はコポリマー（第１ポリマー成
分）と他のポリマー又はコポリマー（第２ポリマー成分
として）との組み合わせからなる。この第２のタイプの
レジスト材料はいわゆる架橋分解型である。
すなわち、前記第２ポリマー成分は架橋剤として用いら
れる。
れる。
この第２のタイプのレジスト材料において、前記第１ポ
リマー成分の１繰り返し単位として用いられるα−トリ
フルオロメチルアクリル酸誘導体は理Ｓｈ的に全体の５
０モル％を上廻ってはならず、したがって、もしもこの
千ツマ−を例えばメタクリル酸、メタクリル酸り四ライ
ド等のモノマーと重合させたいならば、さらにメタクリ
ル醜メチル等のモノマーを重合反応にＪｕｌ与させて、
ターポリマー（６成分共重合体）からなるレジスト材料
とすることが望ましい。
リマー成分の１繰り返し単位として用いられるα−トリ
フルオロメチルアクリル酸誘導体は理Ｓｈ的に全体の５
０モル％を上廻ってはならず、したがって、もしもこの
千ツマ−を例えばメタクリル酸、メタクリル酸り四ライ
ド等のモノマーと重合させたいならば、さらにメタクリ
ル醜メチル等のモノマーを重合反応にＪｕｌ与させて、
ターポリマー（６成分共重合体）からなるレジスト材料
とすることが望ましい。
前記第２のタイプに属する好ましいレジスト材料として
、第１ポリマー成分としての次式により表わされるポリ
（α−トリフルオはメチルアクリル酸ヘキサフルオロイ
ンプロピルーコーメタクリル酔メチルーコーメタクリル
酸クロライド）：Ｈ５ ｏａｔ と、第２ポリマー成分としての次式により表ゎされるポ
リ（α−メチルスチレンーコーメタクリル酸）： との混合物などをあげることができる。このようなレジ
スト材料を使用して電子線照射によりポジ型レジストパ
ターンを形成すると、高解像性及び高感度はもちろんの
こと、高められた耐熱性及び耐プラズマ性をあわせて達
成することができる。
、第１ポリマー成分としての次式により表わされるポリ
（α−トリフルオはメチルアクリル酸ヘキサフルオロイ
ンプロピルーコーメタクリル酔メチルーコーメタクリル
酸クロライド）：Ｈ５ ｏａｔ と、第２ポリマー成分としての次式により表ゎされるポ
リ（α−メチルスチレンーコーメタクリル酸）： との混合物などをあげることができる。このようなレジ
スト材料を使用して電子線照射によりポジ型レジストパ
ターンを形成すると、高解像性及び高感度はもちろんの
こと、高められた耐熱性及び耐プラズマ性をあわせて達
成することができる。
本発明によるパターン形成方法は、例えば、次のように
して実施することができる： 最初に、レジスト材料として選らばれたポリマー又はコ
ポリマーを適当な溶剤、例えばジオキサン、エチルセ四
ソルブ等に溶解してレジスト溶液を得る。このレジスト
をシリコンウェハー等の適当な基板上に約０．５〜１．
５μｍの膜厚で塗布する。
して実施することができる： 最初に、レジスト材料として選らばれたポリマー又はコ
ポリマーを適当な溶剤、例えばジオキサン、エチルセ四
ソルブ等に溶解してレジスト溶液を得る。このレジスト
をシリコンウェハー等の適当な基板上に約０．５〜１．
５μｍの膜厚で塗布する。
この塗布には、スピンコード法、スプレー法等の塗布法
を使用することができる。次い゛で、形成されたレジス
ト膜なベータしてその中の残留溶剤を除去する。その後
、必要に応じてハードベークを行なって゛もよい。ベー
クの完了後、この技術分野において一般的な電子線露光
装置を用いて所望な像パターンの露光を行なう。露光の
完了後、例えばエチル七四ソルプ、３−へブタン等の現
像液を用いて現像を行ない、露光域のレジスト膜を溶解
除去する。このようにして、前記像パターンに対応する
ポジ型のレジストパターンが得られる。
を使用することができる。次い゛で、形成されたレジス
ト膜なベータしてその中の残留溶剤を除去する。その後
、必要に応じてハードベークを行なって゛もよい。ベー
クの完了後、この技術分野において一般的な電子線露光
装置を用いて所望な像パターンの露光を行なう。露光の
完了後、例えばエチル七四ソルプ、３−へブタン等の現
像液を用いて現像を行ない、露光域のレジスト膜を溶解
除去する。このようにして、前記像パターンに対応する
ポジ型のレジストパターンが得られる。
実施例
下記の実施例により、本発明によるパターン形成方法な
さらに説明する： 例１： ポリ（α−トリフルオロメチルアクリル酸へキサフルオ
ロイソプロピルーコーメタクリル酸メチル（ｘ： ｙ中
４ ： ６ ） （Ｍｗ中１２０．［１００）の調製：
α−トリフルオロメチルアクリル酸へキサフルオロイソ
プロピル及びメタクリル酸メチル、２゜２′−アゾビス
（２−メチルプロピオニトリル（ＡよりＮ）、そしてジ
オキサンからなる反応溶液を調製した。この溶液を重合
反応容器に収容し、所定の時間をかけて８０Ｃで重合さ
せたところ、所望のコポリマーが得られた。
さらに説明する： 例１： ポリ（α−トリフルオロメチルアクリル酸へキサフルオ
ロイソプロピルーコーメタクリル酸メチル（ｘ： ｙ中
４ ： ６ ） （Ｍｗ中１２０．［１００）の調製：
α−トリフルオロメチルアクリル酸へキサフルオロイソ
プロピル及びメタクリル酸メチル、２゜２′−アゾビス
（２−メチルプロピオニトリル（ＡよりＮ）、そしてジ
オキサンからなる反応溶液を調製した。この溶液を重合
反応容器に収容し、所定の時間をかけて８０Ｃで重合さ
せたところ、所望のコポリマーが得られた。
ポリ（α−トリフルオロメチルアクリル酸へキサフルオ
ロイソプロピルーコーメタクリル酸メチルーコーメタク
リル酸クロライド）（ａ：ｂＳｃ中４：４：２）（Ｍｗ
中８４，０００）の訪製：α−トリフルオロメチルアク
リル醪ヘキサフルオ四インプロピル、メタクリル酸メチ
ル及びメタクリル酸クロライド、ＡよりＮ（前出）、そ
してジオキサンからなるモノマー溶液を調製した。この
溶液を重合反応容器に収容し、所定の時間をかけて８０
Ｃで重合させたところ、所望のターポリマーか得られた
。
ロイソプロピルーコーメタクリル酸メチルーコーメタク
リル酸クロライド）（ａ：ｂＳｃ中４：４：２）（Ｍｗ
中８４，０００）の訪製：α−トリフルオロメチルアク
リル醪ヘキサフルオ四インプロピル、メタクリル酸メチ
ル及びメタクリル酸クロライド、ＡよりＮ（前出）、そ
してジオキサンからなるモノマー溶液を調製した。この
溶液を重合反応容器に収容し、所定の時間をかけて８０
Ｃで重合させたところ、所望のターポリマーか得られた
。
ポリ（α−メチルスチレンーコーメタクリル酸）（ｍ
： ｎ ＋ ９５ ： ５ ） ＣＭｗ中１１５，０Ｄ
Ｄ）の調製：α−メチルスチレン及びメタクリル酸メチ
ルＮ＆−ナフタレン（触媒）、そしてテトラヒト四フラ
ンからなるモノマー溶液を調製した。この溶液を重合反
応容器に収容し、所定の時間をかけて−７５０で重合さ
せ、その後加水分解させたところ、所望のコポリマーが
得られた。
： ｎ ＋ ９５ ： ５ ） ＣＭｗ中１１５，０Ｄ
Ｄ）の調製：α−メチルスチレン及びメタクリル酸メチ
ルＮ＆−ナフタレン（触媒）、そしてテトラヒト四フラ
ンからなるモノマー溶液を調製した。この溶液を重合反
応容器に収容し、所定の時間をかけて−７５０で重合さ
せ、その後加水分解させたところ、所望のコポリマーが
得られた。
例２：
前記例１において調製したポリ（α−トリフルオロメチ
ルアクリル酸へキサフルオロイソプロピルーコーメタク
リル酸メチルーコーメタクリル酸クロライド）及びポリ
（α−メチルスチレンーコーメタクリル酸〕の混合物（
重量比＝９０／１０）をジオキサンに溶解して２０重量
％ジオキサン溶液を得た。この溶液をシリコンウェハー
上に約０５μｍの膜厚でスピンコードし、さらに窒素雰
囲気中で８０Ｃで６０分間にわたってベークし、さらに
同一雰囲気中で１８ＤＣで５０分間にわたってハードベ
ークした。ハードベーク後、通常の？ｌｆ、子線露光装
Ｆｌ：を使用して加速′屯田２０ ＫｅＶでＥＢバター
ニングした。バターニング後、エチルセロソルブで現像
したところ、解像性にすぐれたポジパターン（感度り。
ルアクリル酸へキサフルオロイソプロピルーコーメタク
リル酸メチルーコーメタクリル酸クロライド）及びポリ
（α−メチルスチレンーコーメタクリル酸〕の混合物（
重量比＝９０／１０）をジオキサンに溶解して２０重量
％ジオキサン溶液を得た。この溶液をシリコンウェハー
上に約０５μｍの膜厚でスピンコードし、さらに窒素雰
囲気中で８０Ｃで６０分間にわたってベークし、さらに
同一雰囲気中で１８ＤＣで５０分間にわたってハードベ
ークした。ハードベーク後、通常の？ｌｆ、子線露光装
Ｆｌ：を使用して加速′屯田２０ ＫｅＶでＥＢバター
ニングした。バターニング後、エチルセロソルブで現像
したところ、解像性にすぐれたポジパターン（感度り。
＝ ３ Ｘ １０−’ ０／ｃｄｔ ）がイエ１うした
。このレジストパターンは、解像性及び感度に加えて、
耐熱性及び耐プラズマ性にもずぐれていた。
。このレジストパターンは、解像性及び感度に加えて、
耐熱性及び耐プラズマ性にもずぐれていた。
例３：
［）口記例１において調製したポリ（α−トリフルオロ
メチルアクリル酸ヘキサフルオロイソプ四ピルーコーメ
タクリル酸メチル）をエチルセロソルブトし、さらに窒
素雰囲気中で１５ＤＣで３０分間にわたってベークした
。ベータ後、通常の電子線露光装置を使用して加速電圧
２０にθＶでＥＢパターニングした。パターニング後、
３−へブタンで現像したところ、解像性にすぐれたポジ
パターン（感ＪＯＤ０＝５ｘ１０ ０／ｄ）か得られた
。このレジストパターンは前記例２のそれに較べて耐執
性及び耐プラズマ性にや＼劣るというものの、パターン
形成目的に十分にｆ！Ｉ弓１ ’ｕＪ能であった。
メチルアクリル酸ヘキサフルオロイソプ四ピルーコーメ
タクリル酸メチル）をエチルセロソルブトし、さらに窒
素雰囲気中で１５ＤＣで３０分間にわたってベークした
。ベータ後、通常の電子線露光装置を使用して加速電圧
２０にθＶでＥＢパターニングした。パターニング後、
３−へブタンで現像したところ、解像性にすぐれたポジ
パターン（感ＪＯＤ０＝５ｘ１０ ０／ｄ）か得られた
。このレジストパターンは前記例２のそれに較べて耐執
性及び耐プラズマ性にや＼劣るというものの、パターン
形成目的に十分にｆ！Ｉ弓１ ’ｕＪ能であった。
発明の効果
本発明によれば、高解像性に加えて、従来のポリメチル
メタクリレートよりも２桁も大である高７７（、’、度
を提供することができる。さらに、本発明によれば、高
感度とひきかえに脱塩酸等の不所ヤな反応を被る必ザが
ない。さらに、本発明によれば今日のドライエツチング
プロセスに必要な耐熱性及び耐プラズマ性をあわせて提
供することも可能である。
メタクリレートよりも２桁も大である高７７（、’、度
を提供することができる。さらに、本発明によれば、高
感度とひきかえに脱塩酸等の不所ヤな反応を被る必ザが
ない。さらに、本発明によれば今日のドライエツチング
プロセスに必要な耐熱性及び耐プラズマ性をあわせて提
供することも可能である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 α−トリフルオロメチルアクリル酸と電子眼ジ１
基を有するアルコールのエステルを１繰り返し単位とし
て含むポリマー又はコーポリマーを単独で含んでなるか
もしくは他のポリマー又はコボ−リマーと組み合わせて
含んでなるレジスト材料を用いて電子線照射によりポジ
型レジストパターンを形成することを特徴とする、パタ
ーン形成方法。 ２、前記繰り返し単位がα−トリフルオロメチルアクリ
ル酸とヘキサフルオルイソプロパツールのエステルであ
り、そして次式により表わされる、特許請求の範囲第１
項に記載のパターン形成方法。 ｙ５ ＆ 前記レジスト材料がα−トリフルオロメチルアクリ
ル酸へキサフルオロイソプロピルとメタクリル酸メチル
のコポリマーからなる、特許請求の範Ｍ第２項に記載の
パターン形成方法。 ４、前記レジスト材料がα−トリフルオロメチルアクリ
ル酸へキサフルオロイソプロピル、メタクリル酸エチル
及びメタクリル酸り四ライドのターポリマーとα−メチ
ルスチレン及びメタクリル酸のコーポリマーとの混合物
からなる、特許請求の範囲第２項に記載のパターン形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10851784A JPS60254041A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10851784A JPS60254041A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60254041A true JPS60254041A (ja) | 1985-12-14 |
Family
ID=14486796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10851784A Pending JPS60254041A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60254041A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5326670A (en) * | 1990-06-08 | 1994-07-05 | Fujitsu Limited | Process for forming resist pattern |
| US6673523B2 (en) | 1999-03-09 | 2004-01-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pattern formation method |
-
1984
- 1984-05-30 JP JP10851784A patent/JPS60254041A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5326670A (en) * | 1990-06-08 | 1994-07-05 | Fujitsu Limited | Process for forming resist pattern |
| US6673523B2 (en) | 1999-03-09 | 2004-01-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pattern formation method |
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