JPS63271254A - 高解像度放射線感応性ポジ型レジスト - Google Patents
高解像度放射線感応性ポジ型レジストInfo
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- JPS63271254A JPS63271254A JP30723987A JP30723987A JPS63271254A JP S63271254 A JPS63271254 A JP S63271254A JP 30723987 A JP30723987 A JP 30723987A JP 30723987 A JP30723987 A JP 30723987A JP S63271254 A JPS63271254 A JP S63271254A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
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- General Physics & Mathematics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はメチレンマロン酸エステルの単分散単独重合体
もしくはこのモノマ一群の2種以上よりなる単分散共重
合体又はこのモノマーとα−シアノアクリル酸エステル
の単分散共重合体を主剤とした高解像度放射線感応性ポ
ジ型レジストに関するものである。
もしくはこのモノマ一群の2種以上よりなる単分散共重
合体又はこのモノマーとα−シアノアクリル酸エステル
の単分散共重合体を主剤とした高解像度放射線感応性ポ
ジ型レジストに関するものである。
半導体集積回路の光学式露光の限界である0、 5μ−
以下のレベルのリソグラフィー技術として電子線直接描
画、X線リソグラフィーさらには集束イオンビームによ
る露光技術が提案されており、既に実現化の段階を迎え
つつあるが、これに対応できるレジストの開発がおくれ
でいる。これらレジスト材料には放射線を照射すること
により、架橋反応を起し、現像液に不溶化するネガ型と
放射線を照射することにより、レジストの主剤ポリマ−
が主鎖分裂反応を起こし、低分子量化することにより現
像液に溶は易くなり照射頭載のレジストが除かれるポジ
型がある。
以下のレベルのリソグラフィー技術として電子線直接描
画、X線リソグラフィーさらには集束イオンビームによ
る露光技術が提案されており、既に実現化の段階を迎え
つつあるが、これに対応できるレジストの開発がおくれ
でいる。これらレジスト材料には放射線を照射すること
により、架橋反応を起し、現像液に不溶化するネガ型と
放射線を照射することにより、レジストの主剤ポリマ−
が主鎖分裂反応を起こし、低分子量化することにより現
像液に溶は易くなり照射頭載のレジストが除かれるポジ
型がある。
ネガ型レジストの特徴は高感度で、耐エツチング性に優
れているが、解像力が低いことである。
れているが、解像力が低いことである。
これに対し、ポジ型レジストの特徴は解像度は高いが、
耐エツチング性、感度が劣ることである。
耐エツチング性、感度が劣ることである。
最近、半導体集積回路の高集積化への産業界の欲求はま
すますニスカレートして来ており、高感度で生産性の優
れたネガ型レジストも、その低解像度の故に、後退を余
儀なくされ、ポジ型レジストが主流となってきている。
すますニスカレートして来ており、高感度で生産性の優
れたネガ型レジストも、その低解像度の故に、後退を余
儀なくされ、ポジ型レジストが主流となってきている。
ポジ型レジストの代表的主剤ポリマーにはポリメチルメ
タクリレート(P−MMA)があり、その解像度は0.
3〜0.5μ−と云われtいるが、電子ビームに対する
感度が5 X 10−’C/c−と極めて低く、その上
、耐エツチング性もネガ型レジストに比べて劣り、実用
レジストには程遠い。
タクリレート(P−MMA)があり、その解像度は0.
3〜0.5μ−と云われtいるが、電子ビームに対する
感度が5 X 10−’C/c−と極めて低く、その上
、耐エツチング性もネガ型レジストに比べて劣り、実用
レジストには程遠い。
ポジ型レジストはその解像度に比べ、従来開発されてい
るレジストの大半が感度と耐エツチング性が劣り、性能
的にバランスを欠くため、集中的に検討されている。
るレジストの大半が感度と耐エツチング性が劣り、性能
的にバランスを欠くため、集中的に検討されている。
これらの感度の改善の為めに提案されている多(が、C
I!、、 Br、 F、 S、 O,Nなどの電子吸引
基の導入によるものであり、−例を挙げれば、ポリへキ
サフルオロブチルメタクリレート、ポリトリクロロエチ
ルメタクリレート、ポリブテン−1スルホン、ポリトリ
フルオロエチルα−クロロアクリレート、ノボラック−
ポリ2−メチルペンテン−1スルホン混合物などがある
が、耐ドライエツチング性を低下させないで、感度を改
善し得たケースは少ない、一方、耐エツチング性の改善
にはレジスト主剤ポリマーの側鎖に■ベンゼン環の導入
■架橋基の導入■分子量の大きなアルキル基の導入■ラ
ジカル捕捉剤の添加などが提案されているが、感度の低
下を招くケースが多い。
I!、、 Br、 F、 S、 O,Nなどの電子吸引
基の導入によるものであり、−例を挙げれば、ポリへキ
サフルオロブチルメタクリレート、ポリトリクロロエチ
ルメタクリレート、ポリブテン−1スルホン、ポリトリ
フルオロエチルα−クロロアクリレート、ノボラック−
ポリ2−メチルペンテン−1スルホン混合物などがある
が、耐ドライエツチング性を低下させないで、感度を改
善し得たケースは少ない、一方、耐エツチング性の改善
にはレジスト主剤ポリマーの側鎖に■ベンゼン環の導入
■架橋基の導入■分子量の大きなアルキル基の導入■ラ
ジカル捕捉剤の添加などが提案されているが、感度の低
下を招くケースが多い。
解像度の改善にはネガ型レジストでは、スチレン、P−
ジメチルアミノメチルスチレン、イソプレンなどをアル
キルリチウムなどのアニオン重合開始剤を使用して、単
分散ポリマーを合成し、解像度が顕著に向上することが
報告されている。
ジメチルアミノメチルスチレン、イソプレンなどをアル
キルリチウムなどのアニオン重合開始剤を使用して、単
分散ポリマーを合成し、解像度が顕著に向上することが
報告されている。
本発明はメチレンマロン酸エステルの単分散単独重合体
、もしくは共重合体又はメチレンマロン酸エステルとα
−シアノアクリル酸酸エステル型単分散共重合体レジス
ト主剤ポリマーに採用することにより例えばD−RAM
にして64メガビツト以降の大規模集積回路用レジスト
材料の提供を目的とする。
、もしくは共重合体又はメチレンマロン酸エステルとα
−シアノアクリル酸酸エステル型単分散共重合体レジス
ト主剤ポリマーに採用することにより例えばD−RAM
にして64メガビツト以降の大規模集積回路用レジスト
材料の提供を目的とする。
本発明はその分子内に電子吸引基0. N、 (1゜F
、 Brなどを保有し、放射線に対して極めて高い感度
特性を持ち、解、像度の顕著な向上が期待される単分散
ポリマーを導入したメチレンマロン酸エステルとα−シ
アノアクリル酸エステルで構成される。これらポリマー
を主剤とするポジ型レジストは5 X 10−’C/c
−程度の実用感度、即ちP−MMAの約100倍の生産
性を持ち、線幅0.3μ驕以下の実用解像度即ち、64
メカ゛ピツ)D−RAM以降の大規模集積回路にも充分
適応する大幅な加工精度の向上の見とおしを得て本発明
を完成させた。
、 Brなどを保有し、放射線に対して極めて高い感度
特性を持ち、解、像度の顕著な向上が期待される単分散
ポリマーを導入したメチレンマロン酸エステルとα−シ
アノアクリル酸エステルで構成される。これらポリマー
を主剤とするポジ型レジストは5 X 10−’C/c
−程度の実用感度、即ちP−MMAの約100倍の生産
性を持ち、線幅0.3μ驕以下の実用解像度即ち、64
メカ゛ピツ)D−RAM以降の大規模集積回路にも充分
適応する大幅な加工精度の向上の見とおしを得て本発明
を完成させた。
本発明で用いられるメチレンマロン酸エステルは次式で
表わされる。
表わされる。
ただし、式中のR1+ Rx はアルキル基又はハロゲ
ン化アルキル基であり、具体的にはメチレンマロン酸ジ
メチル、メチレンマロン酸ジエチル、メチレンマロン酸
ジn−プロピル、メチレンマロン酸ジイソプロピル、メ
チレンマロン酸ジn−ブチル。
ン化アルキル基であり、具体的にはメチレンマロン酸ジ
メチル、メチレンマロン酸ジエチル、メチレンマロン酸
ジn−プロピル、メチレンマロン酸ジイソプロピル、メ
チレンマロン酸ジn−ブチル。
メチレンマロン酸ジイソブチル、メチレンマロン酸ジn
−ペンチル、メチレンマロン酸ジトリフルオロエチル、
メチレンマロン酸ジヘキサフルオロプチルなとである。
−ペンチル、メチレンマロン酸ジトリフルオロエチル、
メチレンマロン酸ジヘキサフルオロプチルなとである。
これに対するα−シアノアクリル酸エステルは次式で表
わされる。
わされる。
N
CHg = CCOOR1
ただし、式中のR8はアルキル基、アルケニル基。
ハロゲン化アルキル基であり、具体的にはα−シアノア
クリル酸メチル、α−シアノアクリル酸エチル、α−シ
アノアクリル酸n−プロピル、α−シアノアクリル酸イ
ソプロピル、α−シアノアクリル酸n−ブチル、α−シ
アノアクリル酸イソブチル、α−シアノアクリル酸n−
ペンチル、α−シアノアクリル酸イソアミル、α−シア
ノアクリル酸n−ヘキシル、α−シアノアクリル酸n−
オクチル、α−シアノアクリル酸シクロヘキシル。
クリル酸メチル、α−シアノアクリル酸エチル、α−シ
アノアクリル酸n−プロピル、α−シアノアクリル酸イ
ソプロピル、α−シアノアクリル酸n−ブチル、α−シ
アノアクリル酸イソブチル、α−シアノアクリル酸n−
ペンチル、α−シアノアクリル酸イソアミル、α−シア
ノアクリル酸n−ヘキシル、α−シアノアクリル酸n−
オクチル、α−シアノアクリル酸シクロヘキシル。
α−シアノアクリル酸トリクロロエチル、α−シアノア
クリル酸へキサフルオロブチルなどである。
クリル酸へキサフルオロブチルなどである。
これらのモノマーは通常の合成法で得られたもので良く
、アニオン重合抑制剤を混入したままで良い。
、アニオン重合抑制剤を混入したままで良い。
以上の単分散単独重合体、単分散共重合体ともに通常分
子量は2万〜200万であるが、好ましくは20万〜1
00万のものが使用される。
子量は2万〜200万であるが、好ましくは20万〜1
00万のものが使用される。
本発明による高解像度放射線感応性レジストは従来のP
−MMAレジストに比べて、1/100程度の放射線照
射量で足りる、極めて高い感度特性を有するとともに単
分散ポリマーの採用により、線幅0.3μ−以下の極め
て高い実用解像度を示す優れたレジストであり、例えば
、64メガビットD−RAM以降の半導体大規模集積回
路製造の際の電子ビーム、X線リソグラフィ一工程にお
けるような超高密度彫刻に適するものであり、加工精度
の大幅な向上とラティチュードの広い回路設計を保証す
るとともに放射線に対する優れた感度特性はX線リソグ
ラフィーにおけるスループットの向上とコストの低減に
大きな効果をもたらすものである。
−MMAレジストに比べて、1/100程度の放射線照
射量で足りる、極めて高い感度特性を有するとともに単
分散ポリマーの採用により、線幅0.3μ−以下の極め
て高い実用解像度を示す優れたレジストであり、例えば
、64メガビットD−RAM以降の半導体大規模集積回
路製造の際の電子ビーム、X線リソグラフィ一工程にお
けるような超高密度彫刻に適するものであり、加工精度
の大幅な向上とラティチュードの広い回路設計を保証す
るとともに放射線に対する優れた感度特性はX線リソグ
ラフィーにおけるスループットの向上とコストの低減に
大きな効果をもたらすものである。
以下、この発明の実施例を示すが、電子線もX線リング
ラフイーに使用される軟X線(波長4〜10人)も物質
に及ぼす化学作用は同じであり、レジストの電子線に対
する感度とX線に対する感度とは比例関係(例えばto
−’C/c濾−10sJ / cd )にあることが、
Proc International Con1旧’
crol−ithoghaphy、 Paris、 J
uly+ 261(1977)等で公知になっているの
で、煩雑を避けるため、電子線照射による結果を実施例
とするとにした。
ラフイーに使用される軟X線(波長4〜10人)も物質
に及ぼす化学作用は同じであり、レジストの電子線に対
する感度とX線に対する感度とは比例関係(例えばto
−’C/c濾−10sJ / cd )にあることが、
Proc International Con1旧’
crol−ithoghaphy、 Paris、 J
uly+ 261(1977)等で公知になっているの
で、煩雑を避けるため、電子線照射による結果を実施例
とするとにした。
この発明はこれらの実施例に限定されるものでないこと
は云うまでもない。
は云うまでもない。
以下、実施例を挙げて本発明を更に説明する。
実施例1
アニオン重合開始剤ジエチルアミン5X10−’モルヲ
含ム800111のトルエン溶液をフラスコ中に導入し
、フラスコ内を一60°Cに冷却した。この系内を十分
にかきまぜながら、アニオン重合抑制剤5Ox50pp
鴫を含むメチレンマロン酸ジエチル0.1 モル/10
100lトルエン溶液を系内温度を−60’C以下に保
ちつつ徐々に加えて反応させた。これにアニオン重合停
止剤を加えて反応を停止させ、系外に止り出して、再沈
澱法により、精製を行なった後、ゲルバーミニ−シラン
・クロマトグラフィー(GPC)−光散乱法によりその
分子量を測定したところ、その分子量は35.5万で分
散度(MM/Mn)=1.06であった。
含ム800111のトルエン溶液をフラスコ中に導入し
、フラスコ内を一60°Cに冷却した。この系内を十分
にかきまぜながら、アニオン重合抑制剤5Ox50pp
鴫を含むメチレンマロン酸ジエチル0.1 モル/10
100lトルエン溶液を系内温度を−60’C以下に保
ちつつ徐々に加えて反応させた。これにアニオン重合停
止剤を加えて反応を停止させ、系外に止り出して、再沈
澱法により、精製を行なった後、ゲルバーミニ−シラン
・クロマトグラフィー(GPC)−光散乱法によりその
分子量を測定したところ、その分子量は35.5万で分
散度(MM/Mn)=1.06であった。
この重合体の5重量%トルエン溶液を作り、回転塗布法
により、0.5p霞厚の熱酸化シリコン層上に塗布して
0.52μ髄の膜厚の重合体膜を得た。
により、0.5p霞厚の熱酸化シリコン層上に塗布して
0.52μ髄の膜厚の重合体膜を得た。
これを150℃、30分加熱処理(プリベーク)した後
、加速電圧10KV、 6 x 10−’C/ell
の電子線を所定パターンに従ってレジスト膜面に照射し
た。続いて、これを大気中に取出して、25°Cのエチ
ルセロソルブとn−ブチルセロソルブの1=2の現像液
に2分間浸漬して現像し、イソプロピルアルコールでリ
ンスし乾燥した0次いで130”C,30分加熱処理(
ポストベーク)し、このレジスト膜を走査型電子顕微鏡
(SEM)で観察したところ、電子線照射領域のレジス
トは完全に除去され、しかも酸化シリコン層とレジスト
膜の接着性も良好であることを確認した。
、加速電圧10KV、 6 x 10−’C/ell
の電子線を所定パターンに従ってレジスト膜面に照射し
た。続いて、これを大気中に取出して、25°Cのエチ
ルセロソルブとn−ブチルセロソルブの1=2の現像液
に2分間浸漬して現像し、イソプロピルアルコールでリ
ンスし乾燥した0次いで130”C,30分加熱処理(
ポストベーク)し、このレジスト膜を走査型電子顕微鏡
(SEM)で観察したところ、電子線照射領域のレジス
トは完全に除去され、しかも酸化シリコン層とレジスト
膜の接着性も良好であることを確認した。
これを反応性イオンエツチング装ff (RI E)に
よりエツチングしたところ、0.3μ曽の直線上のシャ
ープなパターンがSEMにより観察された。
よりエツチングしたところ、0.3μ曽の直線上のシャ
ープなパターンがSEMにより観察された。
これに対し、比較の為に行なったP−MMAレジストの
電子線感度は5 X 10−’C/cdと実施例1の約
1/100.解像度は実施例1と同一条件で0.5μ霧
と実施例1の解像度に及ばなかった。
電子線感度は5 X 10−’C/cdと実施例1の約
1/100.解像度は実施例1と同一条件で0.5μ霧
と実施例1の解像度に及ばなかった。
注:実施例および比較例中のポリマーの分子量測定はG
PC−光散乱法によった。
PC−光散乱法によった。
実施例2
アニオン重合開始剤n−ブチルアミンを5X10−’モ
ル含むトルエン・アセトン混合溶液700m l をフ
ラスコ内に導入し、系内温度を一70°Cに冷却した。
ル含むトルエン・アセトン混合溶液700m l をフ
ラスコ内に導入し、系内温度を一70°Cに冷却した。
この系内を十分にかきまぜながら、重合抑制剤SO、5
0ppmを含むメチレンマロン酸ジエチルの0.04モ
ル/100m1 トルエン・アセトン混合溶液を一7
0°C以下に保ちながら徐々に加えて反応させ、生成し
たリビング)ポリマー中に重合抑制剤So、 50pp
mを含むα−シアノアクリル酸シクロヘキシル0.06
モル/100m1 )ルエン・アセトン混合溶液を一
70℃以下に保ち十分かきまぜながら徐々に加えて反応
させた0反応はアニオン重合停止剤を加えて停止させた
。この共重合体を系外にとり出して、再沈澱法により精
製した後、その分子量を測定したところ、その分子量は
30.7万で、分散度(M w/′Frn)−1,05
であった。
0ppmを含むメチレンマロン酸ジエチルの0.04モ
ル/100m1 トルエン・アセトン混合溶液を一7
0°C以下に保ちながら徐々に加えて反応させ、生成し
たリビング)ポリマー中に重合抑制剤So、 50pp
mを含むα−シアノアクリル酸シクロヘキシル0.06
モル/100m1 )ルエン・アセトン混合溶液を一
70℃以下に保ち十分かきまぜながら徐々に加えて反応
させた0反応はアニオン重合停止剤を加えて停止させた
。この共重合体を系外にとり出して、再沈澱法により精
製した後、その分子量を測定したところ、その分子量は
30.7万で、分散度(M w/′Frn)−1,05
であった。
この5重量%シクロヘキサノン溶液を作り、回転塗布法
により、0.5μm厚の熱酸化シリコン層上に塗布して
、0.46μmの膜厚の共重合体膜を得た。これを13
0°C130分熱処理(プリベーク)した後、加速電圧
10KV、 6 X 10−’C/cJノ電子線を所
定パターンに従ってレジスト膜面に照射した。続いてこ
れを大気中に取出して、25°Cのシクロヘキサノンと
メチルイソブチルケトンの1:2の現像液に2分間浸漬
することによって現像し、イソプロピルアルコールでリ
ンスし乾燥させた0次いで130°C,30分間加熱処
理(ポストベーク)し、SEMでこのレジスト膜を観察
したところ、電子線照射領域のレジストは完全に除去さ
れ、しかもレジスト膜と酸化シリコン層との接着性も良
好であることを61!認した。
により、0.5μm厚の熱酸化シリコン層上に塗布して
、0.46μmの膜厚の共重合体膜を得た。これを13
0°C130分熱処理(プリベーク)した後、加速電圧
10KV、 6 X 10−’C/cJノ電子線を所
定パターンに従ってレジスト膜面に照射した。続いてこ
れを大気中に取出して、25°Cのシクロヘキサノンと
メチルイソブチルケトンの1:2の現像液に2分間浸漬
することによって現像し、イソプロピルアルコールでリ
ンスし乾燥させた0次いで130°C,30分間加熱処
理(ポストベーク)し、SEMでこのレジスト膜を観察
したところ、電子線照射領域のレジストは完全に除去さ
れ、しかもレジスト膜と酸化シリコン層との接着性も良
好であることを61!認した。
またRIEによるエツチング結果0.3μmの直線状の
シャープなパターンがSEMで確認された。
シャープなパターンがSEMで確認された。
実施例3
メチレンマロン酸ジエチルとα−シアノアクリル酸トリ
フルオロエチルのモル比3ニアの単分散共重合体を実施
例2に準じて低温アニオン重合法に より得た。このポ
リマーの分子量は36.2万で分散度(M w/M n
) = 1.06であった。この5重量%シクロヘキサ
ノン溶液を作り、回転塗布法により、0.5μ−厚の熱
酸化シリコン層上に塗布し、0.51μmの膜厚の共重
合体膜を得た。これを実施例2に準じてプリベーク後、
加速電圧10KV。
フルオロエチルのモル比3ニアの単分散共重合体を実施
例2に準じて低温アニオン重合法に より得た。このポ
リマーの分子量は36.2万で分散度(M w/M n
) = 1.06であった。この5重量%シクロヘキサ
ノン溶液を作り、回転塗布法により、0.5μ−厚の熱
酸化シリコン層上に塗布し、0.51μmの膜厚の共重
合体膜を得た。これを実施例2に準じてプリベーク後、
加速電圧10KV。
4 X 10−’C/cdの電子線を所定パターンに従
ってレジスト膜に照射した。続いてこれを大気中に取出
して、実施例2に準じて現像・リンス・ポストベークを
行ない、SEMでこのレジスト膜を観察したところ電子
線照射領域のレジストは残膜もなく完全に除去され、現
像による膜減りもないことが確認された。これをRIH
によりエツチングしたところ0.3μ謡の直線状のシャ
ープなパターンがSEMで&fi認された。
ってレジスト膜に照射した。続いてこれを大気中に取出
して、実施例2に準じて現像・リンス・ポストベークを
行ない、SEMでこのレジスト膜を観察したところ電子
線照射領域のレジストは残膜もなく完全に除去され、現
像による膜減りもないことが確認された。これをRIH
によりエツチングしたところ0.3μ謡の直線状のシャ
ープなパターンがSEMで&fi認された。
実施例4
メチレンマロン酸ジブチルとα−シアノアクリル酸へキ
サフルオロブチルのモル比3ニアの単分散共重合体を実
施例2に準じ低温アニオン重合法により得たが、その分
子量は50.7万で分散度(π賀/M 11)= 1.
06であった。この5重量%シクロヘキサノン溶液を作
り、回転塗布法により0.5μ■厚の熱酸化シリコン層
上に塗布して0.58μ園の膜厚の共重合体膜を得た。
サフルオロブチルのモル比3ニアの単分散共重合体を実
施例2に準じ低温アニオン重合法により得たが、その分
子量は50.7万で分散度(π賀/M 11)= 1.
06であった。この5重量%シクロヘキサノン溶液を作
り、回転塗布法により0.5μ■厚の熱酸化シリコン層
上に塗布して0.58μ園の膜厚の共重合体膜を得た。
これを実施例3に準じて、プリベータ、電子線照射・現
像・リンス・ポストベークを行なった後、SEMでこの
レジスト膜を観察したところ、電子線照射領域のレジス
ト膜−は完全に除去されていた。
像・リンス・ポストベークを行なった後、SEMでこの
レジスト膜を観察したところ、電子線照射領域のレジス
ト膜−は完全に除去されていた。
この共重合体レジストのRIEによるエツチング結果は
0.3μ四の直線上のパターンがSEMで確認された。
0.3μ四の直線上のパターンがSEMで確認された。
比較例
メチレンマロン酸ジエチル15部、酢酸3部、アゾビス
イソブチロニトリル0.1部をガラス封管に仕込み、窒
素中で50°C,15時間加熱することにより分子量3
2.5万の非単分散重合体12.4部を得た。
イソブチロニトリル0.1部をガラス封管に仕込み、窒
素中で50°C,15時間加熱することにより分子量3
2.5万の非単分散重合体12.4部を得た。
これを5重量%のトルエン溶液に調製し、0.5μm厚
の熱酸化シリコン層上に回転塗布法により塗布し、0,
48μmの膜厚の重合体膜を得た。これを実施例1に準
じてプリベーク・電子線照射・現像・リンス・ポストベ
ークを行ない、このレジスト膜をRIHによりエツチン
グした。
の熱酸化シリコン層上に回転塗布法により塗布し、0,
48μmの膜厚の重合体膜を得た。これを実施例1に準
じてプリベーク・電子線照射・現像・リンス・ポストベ
ークを行ない、このレジスト膜をRIHによりエツチン
グした。
この結果をSEMで観察したところ、0.6μmの直線
状のパターンを確認した。この結果は実施例1〜4が単
分散ポリマー採用による解像力向上効果を示しているも
のである。
状のパターンを確認した。この結果は実施例1〜4が単
分散ポリマー採用による解像力向上効果を示しているも
のである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (ただし、式中のR_1、R_2はアルキル基及びハロ
ゲン化アルキル基)にて表わされるモノマーの単分散単
独重合体もしくはこの群から選ばれる2種以上を重合さ
せて得た単分散共重合体、又はこのモノマーと一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (ただし、式中のR_3はアルキル基、アルケニル基、
ハロゲン化アルキル基)にて表わされるモノマーとの単
分散単独共重合体からなることを特徴とする放射線感応
性ポジ型レジスト。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30723987A JPS63271254A (ja) | 1986-12-29 | 1987-12-04 | 高解像度放射線感応性ポジ型レジスト |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31422186 | 1986-12-29 | ||
JP61-314221 | 1986-12-29 | ||
JP30723987A JPS63271254A (ja) | 1986-12-29 | 1987-12-04 | 高解像度放射線感応性ポジ型レジスト |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63271254A true JPS63271254A (ja) | 1988-11-09 |
Family
ID=26565029
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30723987A Pending JPS63271254A (ja) | 1986-12-29 | 1987-12-04 | 高解像度放射線感応性ポジ型レジスト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63271254A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH022564A (ja) * | 1988-06-15 | 1990-01-08 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | ポジ型電子線レジスト |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55105244A (en) * | 1979-02-06 | 1980-08-12 | Victor Co Of Japan Ltd | Electron beam resist |
JPS55134845A (en) * | 1979-04-06 | 1980-10-21 | Fuji Yakuhin Kogyo Kk | Electron beam resist |
JPS55147624A (en) * | 1979-05-07 | 1980-11-17 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Ionized radiation sensitive positive type resist |
JPS58108213A (ja) * | 1981-12-22 | 1983-06-28 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | 2−シアノアクリル酸エステル重合体の製造方法 |
-
1987
- 1987-12-04 JP JP30723987A patent/JPS63271254A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55105244A (en) * | 1979-02-06 | 1980-08-12 | Victor Co Of Japan Ltd | Electron beam resist |
JPS55134845A (en) * | 1979-04-06 | 1980-10-21 | Fuji Yakuhin Kogyo Kk | Electron beam resist |
JPS55147624A (en) * | 1979-05-07 | 1980-11-17 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Ionized radiation sensitive positive type resist |
JPS58108213A (ja) * | 1981-12-22 | 1983-06-28 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | 2−シアノアクリル酸エステル重合体の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH022564A (ja) * | 1988-06-15 | 1990-01-08 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | ポジ型電子線レジスト |
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