JPH087442B2 - 放射線感応性レジスト - Google Patents
放射線感応性レジストInfo
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- JPH087442B2 JPH087442B2 JP30471687A JP30471687A JPH087442B2 JP H087442 B2 JPH087442 B2 JP H087442B2 JP 30471687 A JP30471687 A JP 30471687A JP 30471687 A JP30471687 A JP 30471687A JP H087442 B2 JPH087442 B2 JP H087442B2
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- resist
- cyanoacrylate
- monodisperse
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は耐ドライエッチング性がすぐれ、且つ高解像
度の放射線感応性レジストに関するものである。
度の放射線感応性レジストに関するものである。
更に詳しくは、架橋性α−シアノアクリル酸エステル
の単独重合又はこれと架橋性もしくは、非架橋性α−シ
アノアクリル酸エステルを共重合させて得られた単分散
ポリマーにより、解像度の改善を図るとともに、α−シ
アノアクリル酸エステルの側鎖の架橋による耐ドライエ
ッチング性の改善により、例えば64メガビットＤ−RAM
以降の半導体大規模集積回路用レジストの提供を目的と
したものである。
の単独重合又はこれと架橋性もしくは、非架橋性α−シ
アノアクリル酸エステルを共重合させて得られた単分散
ポリマーにより、解像度の改善を図るとともに、α−シ
アノアクリル酸エステルの側鎖の架橋による耐ドライエ
ッチング性の改善により、例えば64メガビットＤ−RAM
以降の半導体大規模集積回路用レジストの提供を目的と
したものである。
半導体集積回路は光学式露光の限界である線幅0.5μ
ｍ以下のレベルのリソブラフィー技術として、電子線直
接描画、Ｘ線リソグラフィーなどの技術が開発されてい
るが、これに適合するレジストの開発も急を要する段階
になっている。
ｍ以下のレベルのリソブラフィー技術として、電子線直
接描画、Ｘ線リソグラフィーなどの技術が開発されてい
るが、これに適合するレジストの開発も急を要する段階
になっている。
これらレジスト材料には放射線を照射することによ
り、架橋反応を起し、現像液に不溶化するネガ型と放射
線を照射することにより、レジストの主剤ポリマーが主
鎖分裂反応を起し、低分子量化することにより、現像液
に易溶性となり、照射領域のレジストのみ除去されるポ
ジ型とある。
り、架橋反応を起し、現像液に不溶化するネガ型と放射
線を照射することにより、レジストの主剤ポリマーが主
鎖分裂反応を起し、低分子量化することにより、現像液
に易溶性となり、照射領域のレジストのみ除去されるポ
ジ型とある。
ネガ型レジストの特徴は、高感度で、耐エッチング性
が優れているが、解像度が低いことである。
が優れているが、解像度が低いことである。
これに対して、ポジ型レジストの特徴は、解像度が高
いが、感度や耐エッチング性がネガ型レジストより劣る
ことである。
いが、感度や耐エッチング性がネガ型レジストより劣る
ことである。
最近、大規模集積回路の高集積化速度は一段と加速さ
れており、放射線感応性レジストの主流はポジ型レジス
トへ移行している。然しながら、このレジストは低感度
と耐ドライエッチング性に大きな弱点があり、未だ解決
されていない。
れており、放射線感応性レジストの主流はポジ型レジス
トへ移行している。然しながら、このレジストは低感度
と耐ドライエッチング性に大きな弱点があり、未だ解決
されていない。
ポジ型レジストの代表的主剤ポリマーとしては、ポリ
メチルメタクリレート（Ｐ−MMA）があるが、その優れ
た解像度（0.3〜0.5μｍ）とは極めてアンバランスな低
感度（５×10-5C/cm2）と不十分な耐ドライエッチング
性の故に、実用化レジストとしては認知されていない。
メチルメタクリレート（Ｐ−MMA）があるが、その優れ
た解像度（0.3〜0.5μｍ）とは極めてアンバランスな低
感度（５×10-5C/cm2）と不十分な耐ドライエッチング
性の故に、実用化レジストとしては認知されていない。
この為、業界の関心は耐ドライエッチング性と感度向
上に集中しており、多くの提案がなされているが、放射
線に対する感度と耐ドライエッチング性は互いに相反す
る機能である為、クリチカルな改善実績は挙っていな
い。レジスト感度の改善にはCl,Br,F,S,O,Nなどの電子
吸引基の導入が考えられ、例えばポリヘキサフルオロブ
チルメタクリレート，ポリトリクロロエチルメタクリレ
ート，ポリトリフルオロエチルα−クロルアクリレー
ト，ポリブテン−１スルホン，ポリ２−メチルペンテン
−１スルホン−ノボラック樹脂混合物などが提案されて
いるが、その大半が電子吸引基の導入により耐ドライエ
ッチング性の低下を招き、本格的レジストには程遠いの
が実情である。
上に集中しており、多くの提案がなされているが、放射
線に対する感度と耐ドライエッチング性は互いに相反す
る機能である為、クリチカルな改善実績は挙っていな
い。レジスト感度の改善にはCl,Br,F,S,O,Nなどの電子
吸引基の導入が考えられ、例えばポリヘキサフルオロブ
チルメタクリレート，ポリトリクロロエチルメタクリレ
ート，ポリトリフルオロエチルα−クロルアクリレー
ト，ポリブテン−１スルホン，ポリ２−メチルペンテン
−１スルホン−ノボラック樹脂混合物などが提案されて
いるが、その大半が電子吸引基の導入により耐ドライエ
ッチング性の低下を招き、本格的レジストには程遠いの
が実情である。
耐ドライエッチング性の改善には、主剤ポリマーの側
鎖にベンゼン環の導入、分子量の大きなアルキル基
の導入架橋基の導入ラジカル捕捉剤の添加等がある
が、感度低下を招きバランスのとれたレジストがないの
で、使用条件により、レジストを選んでいるのが実情で
ある。
鎖にベンゼン環の導入、分子量の大きなアルキル基
の導入架橋基の導入ラジカル捕捉剤の添加等がある
が、感度低下を招きバランスのとれたレジストがないの
で、使用条件により、レジストを選んでいるのが実情で
ある。
解像度の改善にはネガ型レジストでは、スチレン,P−
ジメチルアミノメチルスチレン，イソプレンなどをアル
キルリチウムなどのアニオン重合開始剤を使用して単分
散ポリマーにし、解像度の顕著に向上することが報告さ
れている。
ジメチルアミノメチルスチレン，イソプレンなどをアル
キルリチウムなどのアニオン重合開始剤を使用して単分
散ポリマーにし、解像度の顕著に向上することが報告さ
れている。
本発明はα−シアノアクリル酸エステルを主剤ポリマ
ーとするレジストの最大の欠点とされている耐ドライエ
ッチング性はレジスト膜の架橋により改善し、解像度の
向上には単分散ポリマーを採用、必要に応じて電子吸引
基を導入することにより、Ｄ−RAMにして例えば64メガ
ビット以降の高解像度レジストの提供を目的としてい
る。
ーとするレジストの最大の欠点とされている耐ドライエ
ッチング性はレジスト膜の架橋により改善し、解像度の
向上には単分散ポリマーを採用、必要に応じて電子吸引
基を導入することにより、Ｄ−RAMにして例えば64メガ
ビット以降の高解像度レジストの提供を目的としてい
る。
即ち、本発明は架橋性α−シアノアクリル酸エステル
単独重合体又は架橋性共重合体として単分散ポリマーを
採用し、解像度の向上を図るとともに、これら架橋性ポ
リマーを放射線照射の前又は後で架橋させることによ
り、耐ドライエッチング性を向上させることに成功し
た。
単独重合体又は架橋性共重合体として単分散ポリマーを
採用し、解像度の向上を図るとともに、これら架橋性ポ
リマーを放射線照射の前又は後で架橋させることによ
り、耐ドライエッチング性を向上させることに成功し
た。
本発明に使用される架橋性α−シアノアクリル酸エス
テルは次式で表わされるものである。
テルは次式で表わされるものである。
ただし、式中のＲは、アルコキシアルキル基，ヒドロキ
シアルキル基，アルキニル基，アリル基などの架橋性基
であり、具体的には、α−シアノアクリル酸２−メトキ
シエチル，α−シアノアクリル酸２−ヒドロキシエチ
ル，α−シアノアクリル酸プロパギル，α−シアノアク
リル酸アリル等である。
シアルキル基，アルキニル基，アリル基などの架橋性基
であり、具体的には、α−シアノアクリル酸２−メトキ
シエチル，α−シアノアクリル酸２−ヒドロキシエチ
ル，α−シアノアクリル酸プロパギル，α−シアノアク
リル酸アリル等である。
これに対応するα−シアノアクリル酸エステルは耐エ
ッチング性，耐熱性，レジスト膜の酸化シリコン層との
密着性など、レジストの主要特性を左右する可能性のあ
るプロセスコントロール上の諸条件を考慮して、必要に
応じて架橋性α−シアノアクリル酸エステルのみなら
ず、非架橋性α−シアノアクリル酸エステルも使用され
る。
ッチング性，耐熱性，レジスト膜の酸化シリコン層との
密着性など、レジストの主要特性を左右する可能性のあ
るプロセスコントロール上の諸条件を考慮して、必要に
応じて架橋性α−シアノアクリル酸エステルのみなら
ず、非架橋性α−シアノアクリル酸エステルも使用され
る。
使用される非架橋性α−シアノアクリル酸エステルは
具体的にはα−シアノアクリル酸メチル，α−シアノア
クリル酸エチル，α−シアノアクリル酸ｎ−プロピル，
α−シアノアクリル酸イソプロピル，α−シアノアクリ
ル酸ｎ−ブチル，α−シアノアクリル酸イソブチル，α
−シアノアクリル酸ｎ−ペンチル，α−シアノアクリル
酸イソアミル，α−シアノアクリル酸ｎ−ヘキシル，α
−シアノアクリル酸シクロヘキシル，α−シアノアクリ
ル酸ｎ−オクチル，α−シアノアクリル酸２−エチルヘ
キシル，α−シアノアクリル酸トリフルオロエチル，α
−シアノアクリル酸トリクロロエチル，α−シアノアク
リル酸フェニル等である。
具体的にはα−シアノアクリル酸メチル，α−シアノア
クリル酸エチル，α−シアノアクリル酸ｎ−プロピル，
α−シアノアクリル酸イソプロピル，α−シアノアクリ
ル酸ｎ−ブチル，α−シアノアクリル酸イソブチル，α
−シアノアクリル酸ｎ−ペンチル，α−シアノアクリル
酸イソアミル，α−シアノアクリル酸ｎ−ヘキシル，α
−シアノアクリル酸シクロヘキシル，α−シアノアクリ
ル酸ｎ−オクチル，α−シアノアクリル酸２−エチルヘ
キシル，α−シアノアクリル酸トリフルオロエチル，α
−シアノアクリル酸トリクロロエチル，α−シアノアク
リル酸フェニル等である。
これらのモノマーは通常の合成法で得られたもので良
く、アニオン重合抑制剤の混入したままで良い。
く、アニオン重合抑制剤の混入したままで良い。
以上の重合体は分子量が２万〜200万であるが好まし
くは20万〜100万のものが使用される。
くは20万〜100万のものが使用される。
本発明によるポジ型レジスト材料はその抜群の解像度
と従来のポジ型レジストに見られない感度特性の優秀性
に加えて高い耐ドライエッチング性により、Ｄ−RAMに
して例えば64メガビット以降の半導体大規模集積回路製
造の際の電子ビーム、Ｘ線リソグラフィー工程における
ような超高密度彫刻に適合するものであり、加工精度の
大幅な向上により回路設計に充分な余裕を保証するとと
もに極めて高い高度特性とすぐれた耐ドライエッチング
性によりコストの低減と高い生産性に大きな効果をもた
らすものである。
と従来のポジ型レジストに見られない感度特性の優秀性
に加えて高い耐ドライエッチング性により、Ｄ−RAMに
して例えば64メガビット以降の半導体大規模集積回路製
造の際の電子ビーム、Ｘ線リソグラフィー工程における
ような超高密度彫刻に適合するものであり、加工精度の
大幅な向上により回路設計に充分な余裕を保証するとと
もに極めて高い高度特性とすぐれた耐ドライエッチング
性によりコストの低減と高い生産性に大きな効果をもた
らすものである。
以下、この発明の実施例を示すが、電子線もＸ線リン
グラフィーに使用される軟Ｘ線（波長４〜10Å）も物質
に及ぼす化学作用は同じであり、レジストの電子線に対
する感度とＸ線に対する感度とは比例関係（例えば10-7
C/cm2＝10mJ/cm2）にあることが、Proc International
Conf.Microlithography,Paris,July 261（1977）等で公
知になっているので、煩雑を避けるため、電子線照射に
よる結果を実施例とするとにした。
グラフィーに使用される軟Ｘ線（波長４〜10Å）も物質
に及ぼす化学作用は同じであり、レジストの電子線に対
する感度とＸ線に対する感度とは比例関係（例えば10-7
C/cm2＝10mJ/cm2）にあることが、Proc International
Conf.Microlithography,Paris,July 261（1977）等で公
知になっているので、煩雑を避けるため、電子線照射に
よる結果を実施例とするとにした。
この発明はこれらの実施例に限定されるものでないこ
とは云うまでもない。
とは云うまでもない。
以下、実施例を挙げて本発明を更に説明する。
実施例１ アニオン重合開始剤チオ尿素５×10-5モルを含む700m
lのアセトン溶液をフラスコ内に導入し、系内温度を−7
0℃に冷却した。この系内を十分かきまぜながら、アニ
オン重合抑制剤SO250ppmを含むα−シアノアクリル酸ア
リル0.01モルを含有する100mlのアセトン溶液を系内温
度を−70℃以下に保ちながら加え，リビングポリマーを
生成せしめ、これにアニオン重合抑制SO250ppmを含むα
−シアノアクリル酸シクロヘキシル0.09モルを含有する
100mlのアセトン溶液を、引続き系内温度を−70℃以下
に保ちながら加えて共重合反応を行った後、重合停止剤
を加えて重合反応を停止した。得られた共重合体は再沈
澱法で精製した後、ゲルパーミエーション・クロマトブ
ラフィー（GPC）−光散乱法でその分子量を測定したと
ころ、その分子量は33.8万でその分散度（Mw/Mn）は1.0
5であった。
lのアセトン溶液をフラスコ内に導入し、系内温度を−7
0℃に冷却した。この系内を十分かきまぜながら、アニ
オン重合抑制剤SO250ppmを含むα−シアノアクリル酸ア
リル0.01モルを含有する100mlのアセトン溶液を系内温
度を−70℃以下に保ちながら加え，リビングポリマーを
生成せしめ、これにアニオン重合抑制SO250ppmを含むα
−シアノアクリル酸シクロヘキシル0.09モルを含有する
100mlのアセトン溶液を、引続き系内温度を−70℃以下
に保ちながら加えて共重合反応を行った後、重合停止剤
を加えて重合反応を停止した。得られた共重合体は再沈
澱法で精製した後、ゲルパーミエーション・クロマトブ
ラフィー（GPC）−光散乱法でその分子量を測定したと
ころ、その分子量は33.8万でその分散度（Mw/Mn）は1.0
5であった。
このポリマーの５重量％シクロヘキサノン溶液を作
り、これに紫外線架橋剤を加えてレジストを調製した。
このレジストを回転塗布法により、0.5μｍ厚の熱酸化
シリコン層上に塗布して、0.53μｍの膜厚の共重合体膜
を得た。これを130℃,30分熱処理（プリベーク）後、紫
外線架橋させて、加速電圧10KV,4×10-7C/cm2の電子線
を所定パターンに従ってレジスト膜面に照射した。続い
て、これを大気中に取出して、25℃のシクロヘキサノン
とメチルイソブチルケトンの1:2の現像液に３分間浸漬
することによって現像後、イソプロピルアルコールでリ
ンスし乾燥させた。次いで、130℃,30分間加熱処理（ポ
ストベーク）した。
り、これに紫外線架橋剤を加えてレジストを調製した。
このレジストを回転塗布法により、0.5μｍ厚の熱酸化
シリコン層上に塗布して、0.53μｍの膜厚の共重合体膜
を得た。これを130℃,30分熱処理（プリベーク）後、紫
外線架橋させて、加速電圧10KV,4×10-7C/cm2の電子線
を所定パターンに従ってレジスト膜面に照射した。続い
て、これを大気中に取出して、25℃のシクロヘキサノン
とメチルイソブチルケトンの1:2の現像液に３分間浸漬
することによって現像後、イソプロピルアルコールでリ
ンスし乾燥させた。次いで、130℃,30分間加熱処理（ポ
ストベーク）した。
このレジスト膜をCF4反応性イオンエッチング装置
で、CF4＋５％O2 10SCCM 60mtorr,印加パワー13.56MHz,
150Wの条件でエッチングしたところ、Ｐ−MMAのエッチ
ングレートは750Å/minであったのに対し、このレジス
トのエッチングレートは450Å/minで、Ｐ−MMAより優れ
た耐性を示した。この系の酸化シリコン層のパターンを
走査型電子顕微鏡（SEM）で、観察したが、0.3μｍの直
線状のパターンの形成が観察された。
で、CF4＋５％O2 10SCCM 60mtorr,印加パワー13.56MHz,
150Wの条件でエッチングしたところ、Ｐ−MMAのエッチ
ングレートは750Å/minであったのに対し、このレジス
トのエッチングレートは450Å/minで、Ｐ−MMAより優れ
た耐性を示した。この系の酸化シリコン層のパターンを
走査型電子顕微鏡（SEM）で、観察したが、0.3μｍの直
線状のパターンの形成が観察された。
注：実施例および比較例中のポリマーの分子量測定は
いずれもGPC−光散乱法によった。
いずれもGPC−光散乱法によった。
実施例２ α−シアノアクリル産２−エチルヘキシルとα−シア
ノアクリル酸２−ヒドロキシエチルのモル比9:1の単分
散共重合体を実施例１に準じて低温アニオン重合法によ
り得たが、その分子量は41.8万、分散度（w ｎ）＝
1.04であった。このポリマーの５重量％シクロヘキサノ
ン溶液を作り、これに熱架橋剤を添加してレジストを調
製した。このレジストを回転塗布法により、0.5μｍの
厚さの熱酸化シリコン層上に0.54μｍの膜厚の共重合体
膜を得た。
ノアクリル酸２−ヒドロキシエチルのモル比9:1の単分
散共重合体を実施例１に準じて低温アニオン重合法によ
り得たが、その分子量は41.8万、分散度（w ｎ）＝
1.04であった。このポリマーの５重量％シクロヘキサノ
ン溶液を作り、これに熱架橋剤を添加してレジストを調
製した。このレジストを回転塗布法により、0.5μｍの
厚さの熱酸化シリコン層上に0.54μｍの膜厚の共重合体
膜を得た。
これを150℃、30分熱処理し、架橋させた後、実施例
１に準じて電子線照射、現像後、リンス、ポストベーク
を行った。
１に準じて電子線照射、現像後、リンス、ポストベーク
を行った。
このレジスト膜を実施例１の条件で、エッチングした
ところ、このレジスト膜のエッチングレートは420Å/mi
nで、Ｐ−MMAより優れた耐性を示した。この系のRIEに
よる酸化シリコン層のパターニング結果をSEMにより観
察し、ファインな0.3μｍの直線状のパターンを確認し
た。
ところ、このレジスト膜のエッチングレートは420Å/mi
nで、Ｐ−MMAより優れた耐性を示した。この系のRIEに
よる酸化シリコン層のパターニング結果をSEMにより観
察し、ファインな0.3μｍの直線状のパターンを確認し
た。
実施例３ α−シアノアクリル酸プロパギルとα−シアノアクリ
ル酸ヘキサフルオロブチルのモル比1:9の単分散共重合
体を実施例１に準じて低温アニオン重合法により得た
が、その分子量46.4万、分散度（w ｎ）＝1.05であ
った。このポリマーの５重量％シクロヘキサノン溶液を
作り、これに熱架橋剤を添加してレジストを調製した。
このレジストを回転塗布法により、0.5μｍ厚の熱酸化
シリコン層上に塗布して、0.56μｍの膜厚の共重合体膜
を得た。
ル酸ヘキサフルオロブチルのモル比1:9の単分散共重合
体を実施例１に準じて低温アニオン重合法により得た
が、その分子量46.4万、分散度（w ｎ）＝1.05であ
った。このポリマーの５重量％シクロヘキサノン溶液を
作り、これに熱架橋剤を添加してレジストを調製した。
このレジストを回転塗布法により、0.5μｍ厚の熱酸化
シリコン層上に塗布して、0.56μｍの膜厚の共重合体膜
を得た。
これを実施例２に準じて、プリベーク・熱架橋・電子
線照射・現像・リンス後、ポストベークを行った。この
レジスト膜を実施例１に準じてエッチングしたところ、
このレジスト膜のエッチングレートは580Å/minで、Ｐ
−MMAより優れた耐性を示した。この系のRIEによる酸化
シリコン層のパターニング結果をSEMにより観察したと
ころ、ファインな0.3μｍの直線状のパターンを確認し
た。
線照射・現像・リンス後、ポストベークを行った。この
レジスト膜を実施例１に準じてエッチングしたところ、
このレジスト膜のエッチングレートは580Å/minで、Ｐ
−MMAより優れた耐性を示した。この系のRIEによる酸化
シリコン層のパターニング結果をSEMにより観察したと
ころ、ファインな0.3μｍの直線状のパターンを確認し
た。
実施例４ α−シアノアクリル酸アリルとα−シアノアクリル酸
プロピルのモル比1:9の単分散共重合体を実施例１に準
じ低温アニオン重合法により得たが、その分子量は31.1
万、分散度（w ｎ）＝1.07であった。このポリマー
の５重量％シクロヘキサノン溶液を作り、これに紫外線
架橋剤を添加してレジストを調製した。このレジストを
回転塗布法により、0.5μｍ厚の熱酸化シリコン層上に
塗布して、0.48μｍの膜厚の共重合体膜を得た。これを
実施例１に準じて、プリベーク・紫外線架橋・電子線照
射・現像・リンスをし、ポストベークを行った。このレ
ジスト膜を実施例１に準じてエッチングした。このレジ
スト膜のエッチングレートは430Å/minでＰ−MMAより優
れた耐性を示した。この系のRIEによる酸化シリコン層
のパターニング結果をSEMにより観察したところ、0.3μ
ｍの直線状のシャープなパターンを確認した。
プロピルのモル比1:9の単分散共重合体を実施例１に準
じ低温アニオン重合法により得たが、その分子量は31.1
万、分散度（w ｎ）＝1.07であった。このポリマー
の５重量％シクロヘキサノン溶液を作り、これに紫外線
架橋剤を添加してレジストを調製した。このレジストを
回転塗布法により、0.5μｍ厚の熱酸化シリコン層上に
塗布して、0.48μｍの膜厚の共重合体膜を得た。これを
実施例１に準じて、プリベーク・紫外線架橋・電子線照
射・現像・リンスをし、ポストベークを行った。このレ
ジスト膜を実施例１に準じてエッチングした。このレジ
スト膜のエッチングレートは430Å/minでＰ−MMAより優
れた耐性を示した。この系のRIEによる酸化シリコン層
のパターニング結果をSEMにより観察したところ、0.3μ
ｍの直線状のシャープなパターンを確認した。
実施例５ α−シアノアクリル酸プロパギルとα−シアノアクリル
酸シクロヘキシルのモル比1:9の単分散共重合体を実施
例１に準じ低温アニオン重合法により得たが、その分子
量33.8万、分散度（w ｎ）＝1.04であった。この５
重量％シクロヘキサノン溶液を作り、これに熱架橋剤を
添加してレジストを調製した。このレジストを回転塗布
法により、0.5μｍ厚の熱酸化シリコン層上に塗布して
0.51μｍの膜厚の共重合体膜を得た。
酸シクロヘキシルのモル比1:9の単分散共重合体を実施
例１に準じ低温アニオン重合法により得たが、その分子
量33.8万、分散度（w ｎ）＝1.04であった。この５
重量％シクロヘキサノン溶液を作り、これに熱架橋剤を
添加してレジストを調製した。このレジストを回転塗布
法により、0.5μｍ厚の熱酸化シリコン層上に塗布して
0.51μｍの膜厚の共重合体膜を得た。
これを実施例２に準じて、プリベーク・熱架橋・電子
線照射・現像・リンス・ポストベークを行った。このレ
ジスト膜を実施例１に準じてエッチングした。このレジ
スト膜のエッチングレートは465Å/minでＰ−MMAより優
れた耐性を示した。
線照射・現像・リンス・ポストベークを行った。このレ
ジスト膜を実施例１に準じてエッチングした。このレジ
スト膜のエッチングレートは465Å/minでＰ−MMAより優
れた耐性を示した。
この系のRIEによる酸化シリコン層のパターンニング
結果をSEMにより観察したところ、0.3μｍの直線状のパ
ターンの形成が確認された。
結果をSEMにより観察したところ、0.3μｍの直線状のパ
ターンの形成が確認された。
比較例１ α−シアノアクリル酸エチルの単分散単独重合体を実
施例１に準じ低温アニオン重合法により得たが、その分
子量は24.5万、分散度（w ｎ）＝1.06であった。こ
の重合体の５重量％シクロヘキサノン溶液を作り、回転
塗布法により、0.5μｍ厚の熱酸化シリコン層上に塗布
して、0.48μｍの膜厚の重合体膜を得た。これを130℃,
30分加熱処理（プリベーク）後、加速電圧10KV,6×10-7
C/cm2の電子線を所定パターンに従ってレジスト膜面に
照射した。続いて実施例１に準じて現像・リンス・ポス
トベークした。このレジスト膜を実施例１に準じてエッ
チングしたところ、エッチングレートは810Å/minでＰ
−MMAより低い耐性を示した。このレジストの解像度は
実施例１〜５同様0.3μｍであった。
施例１に準じ低温アニオン重合法により得たが、その分
子量は24.5万、分散度（w ｎ）＝1.06であった。こ
の重合体の５重量％シクロヘキサノン溶液を作り、回転
塗布法により、0.5μｍ厚の熱酸化シリコン層上に塗布
して、0.48μｍの膜厚の重合体膜を得た。これを130℃,
30分加熱処理（プリベーク）後、加速電圧10KV,6×10-7
C/cm2の電子線を所定パターンに従ってレジスト膜面に
照射した。続いて実施例１に準じて現像・リンス・ポス
トベークした。このレジスト膜を実施例１に準じてエッ
チングしたところ、エッチングレートは810Å/minでＰ
−MMAより低い耐性を示した。このレジストの解像度は
実施例１〜５同様0.3μｍであった。
比較例２ α−シアノアクリル酸トリフルオロエチルとα−シア
ノアクリル酸エチルのモル比6:4の単分散共重合体を実
施例１に準じ低温アニオン重合法により得たが、その分
子量は31.7万、分散度 （w ｎ）＝1.04であった。
ノアクリル酸エチルのモル比6:4の単分散共重合体を実
施例１に準じ低温アニオン重合法により得たが、その分
子量は31.7万、分散度 （w ｎ）＝1.04であった。
この５重量％シクロヘキサノン溶液を作り、これを回
転塗布法により、0.5μｍ厚の熱酸化シリコン層上に塗
布して、0.46μｍの膜厚の共重合体膜を得た。これを実
施例１に準じて、プリベーク・電子線照射・現像・リン
ス・ポストベークを行った。
転塗布法により、0.5μｍ厚の熱酸化シリコン層上に塗
布して、0.46μｍの膜厚の共重合体膜を得た。これを実
施例１に準じて、プリベーク・電子線照射・現像・リン
ス・ポストベークを行った。
このレジスト膜をエッチングしたところ、エッチング
レートは860Å/minでＰ−MMAより低い耐性を示した。こ
のレジストの解像度は実施例１〜５同様0.3μｍであっ
た。
レートは860Å/minでＰ−MMAより低い耐性を示した。こ
のレジストの解像度は実施例１〜５同様0.3μｍであっ
た。
比較例３ α−シアノアクリル酸エチル15部、酢酸３部アゾビス
イソブチロニトリル0.1部をガラス封管に仕込み、窒素
中で50℃、15時間加熱することにより、14.1部の分子量
32万の非単分散単独重合体をえた。
イソブチロニトリル0.1部をガラス封管に仕込み、窒素
中で50℃、15時間加熱することにより、14.1部の分子量
32万の非単分散単独重合体をえた。
これを５重量％のシクロヘキサノン溶液に調製し、0.
5μｍ厚の熱酸化シリコン層上に塗布して、0.42μｍの
膜厚の単独重合体膜を得た。これを実施例１に準じて、
プリベーク・電子線照射・現像・リンス・ポストベーク
を行い、このレジスト膜をRIEによりエッチングした。
この結果をSEMで観察したところ、0.4μｍの直線状のパ
ターンを確認した。
5μｍ厚の熱酸化シリコン層上に塗布して、0.42μｍの
膜厚の単独重合体膜を得た。これを実施例１に準じて、
プリベーク・電子線照射・現像・リンス・ポストベーク
を行い、このレジスト膜をRIEによりエッチングした。
この結果をSEMで観察したところ、0.4μｍの直線状のパ
ターンを確認した。
比較例１〜３と実施例１〜５の結果は単分散ポリマー
と架橋性α−シアノアクリル酸エステルの導入により、
解像度と耐ドライエッチング性のクリチカルな改善がな
されたことを示すものである。
と架橋性α−シアノアクリル酸エステルの導入により、
解像度と耐ドライエッチング性のクリチカルな改善がな
されたことを示すものである。
Claims (1)
- 【請求項１】側鎖に架橋性基を有する架橋性α−シアノ
アクリル酸エステルの分散度（Mw/Mn）が1.05以下の単
分散単独重合体もしくはこのモノマー群の２種以上より
なる分散度（Mw/Mn）が1.05以下の単分散共重合体又は
このモノマーの１種以上と非架橋性α−シアノアクリル
酸エステルの１種以上よりなる分散度（Mw/Mn）が1.05
以下の単分散共重合体を主剤とする耐ドライエッチング
性高解像度を備えることを特徴とする放射線感応性レジ
スト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30471687A JPH087442B2 (ja) | 1986-12-29 | 1987-12-02 | 放射線感応性レジスト |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31422586 | 1986-12-29 | ||
| JP61-314225 | 1986-12-29 | ||
| JP30471687A JPH087442B2 (ja) | 1986-12-29 | 1987-12-02 | 放射線感応性レジスト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63271252A JPS63271252A (ja) | 1988-11-09 |
| JPH087442B2 true JPH087442B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=26564020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30471687A Expired - Lifetime JPH087442B2 (ja) | 1986-12-29 | 1987-12-02 | 放射線感応性レジスト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH087442B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH022564A (ja) * | 1988-06-15 | 1990-01-08 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | ポジ型電子線レジスト |
| JP3031421B2 (ja) * | 1990-11-28 | 2000-04-10 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト材 |
| JP2707164B2 (ja) * | 1991-05-28 | 1998-01-28 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材 |
-
1987
- 1987-12-02 JP JP30471687A patent/JPH087442B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63271252A (ja) | 1988-11-09 |
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