JPH0377985B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0377985B2 JPH0377985B2 JP57200735A JP20073582A JPH0377985B2 JP H0377985 B2 JPH0377985 B2 JP H0377985B2 JP 57200735 A JP57200735 A JP 57200735A JP 20073582 A JP20073582 A JP 20073582A JP H0377985 B2 JPH0377985 B2 JP H0377985B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- film
- radiation
- sensitivity
- polymer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 20
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 20
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 2
- 229910052717 sulfur Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 34
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- -1 poly(glycidyl methacrylate) Polymers 0.000 description 22
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 14
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 11
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 11
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 10
- 238000011161 development Methods 0.000 description 10
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 10
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 4
- XVXKXOPCFWAOLN-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-(methoxymethyl)benzene Chemical compound COCC1=CC=C(C=C)C=C1 XVXKXOPCFWAOLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Natural products C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 150000003440 styrenes Chemical class 0.000 description 3
- 125000004206 2,2,2-trifluoroethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C(F)(F)F 0.000 description 2
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 125000000000 cycloalkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 2
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- HDEWQSUXJCDXIX-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-3-(methoxymethyl)benzene Chemical compound COCC1=CC=CC(C=C)=C1 HDEWQSUXJCDXIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVWXAPBYNJYTAJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-ethylsulfanylbenzene Chemical compound CCSC1=CC=C(C=C)C=C1 RVWXAPBYNJYTAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000453 2,2,2-trichloroethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C(Cl)(Cl)Cl 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTPCKWYKRLIVJX-UHFFFAOYSA-N 3-phenylprop-2-ene-1-thiol Chemical compound SCC=CC1=CC=CC=C1 BTPCKWYKRLIVJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004800 4-bromophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C([H])=C1Br 0.000 description 1
- 125000006306 4-iodophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C([H])=C1I 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005336 allyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010539 anionic addition polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000005998 bromoethyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000008280 chlorinated hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004663 dialkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010528 free radical solution polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000010550 living polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- VSQYNPJPULBZKU-UHFFFAOYSA-N mercury xenon Chemical compound [Xe].[Hg] VSQYNPJPULBZKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 125000003854 p-chlorophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C([H])=C1Cl 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002454 poly(glycidyl methacrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical group 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 239000008207 working material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Description
本発明は新規な感放射線材料に関するものであ
る。さらに詳しくは優れた感度特性および耐ドラ
イエツチング耐性を有し、半導体素子や光応用部
品などの製造工程における微細パターンの形成に
適する新規な芳香環含有感放射線材料に関するも
のである。 従来、可視光線または近紫外線に感応性を有す
るホトレジストと呼ばれる感光材料が各種の情報
記録や半導体工業における微細パターンの形成の
目的に用いられてきた。 しかし、パターンの微細化および複雑化の要求
に伴なつて、このような光とホトレジストを用い
るパターン形成技術には、回析現象などのために
本質的な描画能力の限界が存在することが判明し
た。このために、これに代つて、より波長の短い
遠紫外線や、電子線、Ｘ線、イオンビームなどの
高エネルギー放射線を用いる新しいパターン形成
技術が開発され、上記の目的に用いられるように
なりつつある。これらのパターン形成技術によれ
ば、従来の可視光線または近紫外線を用いる方法
にくらべて、パターン微細化し、また、パターン
精度を高めることができる。これらの新しいパタ
ーン形成技術に用いる感放射線材料はいくつかの
基本的な要件を満たしている必要がある。その要
件の一つは感度特性である。すなわち、これらの
新しいパターン形成技術では高価な設備を用いる
ため、能率的な生産を行なわなければならず、こ
のため、感材については高い感度が必要であり、
また、高度のパターン精度を得るために解像度特
性が優れていることが重要である。感材に要求さ
れる他の重要な条件として乾式エツチング耐性が
ある。従来、半導体集積回路等の製造工程では感
材によつて基板上にパターンを形成した後エツチ
ング液と接触させて、感材に覆われていない部分
の基板をエツチングするという工程が含まれてい
た。しかし、このような湿式エツチング工程では
いわゆるサイドエツチングをさせることができ
ず、必然的にパターンの加工精度の低下を伴な
う。このため、遠紫外線や電子線などを用いるパ
ターン形成技術ではエツチング時のパターン精度
の低下を軽減できる乾式エツチングの方法が用い
られる傾向が強まつている。乾式エツチングには
イオンミリング方式、プラズマ方式、スパツタリ
ング方式などがあるが、微細パターンの高精度の
加工のためには感材がこれらの乾式エツチング加
工に十分な耐性をもつことが必要である。これら
のほかに塗膜形成性などの操作性、保存安定性な
どの条件が感材に要求されている。 遠紫外線、電子線、Ｘ線などを用いるパターン
形成のための感材は従来多数提案されている。 しかし、上記の諸条件とくに感度特性と乾式エ
ツチング耐性を同時に満足し、しかも合成、取扱
いの容易な材料はまだ知られていない。たとえ
ば、感電子材料としてもつとも広く用いられてい
るネガ型材のポリ（（グリシジルメタクリラート）
またはグリシジルメタクリラート−エチルアクリ
ラートコポリマは50％残膜時の感度が約0.4μC／
cm2と優れているが乾式エツチング耐性はきわめて
劣ることが知られている。ポリスチレンやポリビ
ニルナフタレンは乾式エツチング耐性は優れてい
るが感度は通常50μC／cm2以上で不十分である。
ポジ型材料ではポリ（メチルメタクリラート）や
ポリ（２，２，２−トリフルオロエチルα−クロ
ロアクリラート）などが知られており、後者は〜
％残膜時の感度が1μC／cm2以下で優れているが、
いずれも乾式エツチング耐性は不満足である。乾
式エツチング耐性を高めるためにベンゼン環、ナ
フタレン環などの芳香環構造を分子内に導入する
と有効であることは経験的に知られている。この
ため、芳香環構造をもつ高感度感材を探索する試
みも行なわれているが、性能面または製法上の問
題点が多い。このような現状にかんがみ、本発明
者は、新しい微細パターンの形成および加工技術
に適合する高性能感材を得るため鋭意研究を重ね
た結果本発明に到達した。 すなわち、本発明の目的は、感度および解像度
特性が優れ、各種の乾式エツチングに優れた耐性
を有す感放射線材料を提供することである。本発
明の感放射線材料は遠紫外線、電子線、Ｘ線、シ
ンクロトロン放射線、イオンビームなどの放射線
を用いるパターン形成用に適しており、製造が容
易で保存安定性も優れている。 本発明の感放射線材料は次の一般式で示される
構造を分子内に含むポリマから成る。 ここにＸは酸素またはイオウ原子であり、Ｒは
置換基をもち、または置換基をもたないアルキル
基、アリール基、シクロアルキル基およびそれら
の複合基からなる群から選ばれた炭化水素基であ
つて、１個以上の置換基を含んでいてもさしつか
えない。Ｒが置換基を含むとき、Ｒの置換基とし
てはハロゲン、アルコキシ基、アリロキシ基、シ
クロアルコキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、シ
クロアルコキシ基、アルキルアミノ基、ジアルキ
ルアミノ基、シアノ基、ニトロ基などが好まし
い。原子団Ｒの具体例を挙げると、メチル基、エ
チル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert
−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基、
ｎ−ヘキシル基、イソオクチル基、ｎ−オクタデ
シル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、
フエニル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基、
ベンジル基、テトラヒドロフルフリル基、ｐ−ク
ロロフエニル基、ｍ−ニトロベンジル基、ｍ−ト
ルイル基、２，６−ジクロロフエニル基、ｐ−ブ
ロモフエニル基、ｐ−ヨードフエニル基、ｐ−エ
トキシベンジル基、２，２，２−トリクロロエチ
ル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２−
ブロモエチル基、２，２，３，４，４，４−ヘキ
サフルオロブチル基などである。 これらの基本構造を含む構造単位の具体例は後
述の実施例で詳述するが１例を示すと次のとおり
である。 本発明の材料は、上記の置換スチレンの構造単
位から成る単独重合体のほか、上記の置換スチレ
ンの構造単位２種以上から成る共重合体、上記の
置換スチレン構造単位と他のビニルモノマとの共
重合体などであつてもさしつかえない。 本発明の材料でベンゼン環に結合した−
CH2XR基のポリマ中における好ましい濃度範囲
はポリマ１ｇにつき８〜0.01ミリ当量である。と
くに好ましいのはポリマ１ｇにつき７〜0.2ミリ
当量の範囲である。この濃度は所望の感度やポリ
マの分子量などによつて任意に選ぶことができ
る。 本発明の材料の合成は重合（共重合）による方
法と高分子反応による方法によつて行なうことが
できる。合成については公知の高分子化学の手法
が幅広く利用できる。すなわち、−CH2XR基を
置換基としてもつベンゼン環を含有するモノマを
ビニル重合の技術により単独重合または共重合す
る。共重合によつて得られる材料の各種の性質た
とえば、基板との密着性、塗膜性、現像特性、耐
熱性などを調節することができる。ビニル重合で
はラジカル重合、アニオン重合およびカチオン重
合などのうち、ビニル基の反応性およびモノマ構
造の安定性などから適当な重合法を選ぶことがで
きる。共重合成分としては共重合可能なモノマは
いずれも利用可能である。 本発明の材料であるポリマの平均分子量は500
〜10000000の範囲が好ましい。とくに好ましい範
囲は30000〜3000000の範囲である。ポリマの固有
粘度の範囲でいえば0.05〜３がとくに好ましい範
囲に相当する。一般に平均分子量は大きいほうが
感度は高くなるが、現像時の膜の膨潤が著しくな
るため解像度は低下する。したがつて必要とする
感度および解像度を考慮し、用途によつて平均分
子量をきめることができる。また、ポリマの分子
量分布の広がりの程度はコントラストに影響を与
え分子量分布の幅は狭いほど解像度特性の上では
有利である。本発明の材料は解像度特性が優れて
いるため、一般にとくに分子量分布の幅に考慮に
払う必要はないが、さらに高い解像度が必要な場
合には特殊な重合方法（たとえばアニオンリビン
グ重合法）をとるか、ポリマの分別法によつて分
子量分布の幅の狭い材料を得ることができる。 本発明の感放射線材料を用いる微細パターンの
形成は次のように行なう。 感放射線材料を溶媒に溶解し、必要によつてロ
過を行なつた後シリコンウエフア、クロム基板そ
の他の基板の上に塗布して均一な薄膜を形成させ
る。塗膜のための溶媒としては芳香族炭化水素、
塩素化炭化水素、酢酸エステル類、ケトン類など
が通常用いられる。塗膜はスピナーまたは噴霧塗
布装置が用いられる。必要によつてはプレベーク
処理を行つたのち、薄膜の所望部分に放射線を露
光する。 放射線としては電子線、Ｘ線、遠紫外線、シン
クロトロン放射線、イオンビームなどが用いられ
る。放射線源と被露光面との間に所望のパターン
のみ放射線が被露光面に到達しうるようなマスク
を介在させる一括露光方式と放射線を細いビーム
にして所望のパターンを描画してゆく走査露光方
式とが知られている。電子線やイオンビームを放
射線源として用いるときは後者の方法が可能であ
る。現像は浸漬または噴霧方式が可能である。現
像液としてはポリマの溶媒を用いるが、水、アル
コール類、脂肪族炭化水素などの非溶媒を混合し
て用いることができる。非溶媒の混合によつて残
膜の膨潤を抑制し、パターンの精度を向上させる
ことができることがある。リンスおよびポストベ
ークについては公知の技術が適用できる。 本発明の感放射線材料は多くの公知のネガ型レ
ジスト材料のようにビニル基やエポキシ基のよう
な酸素または熱に対して不安定な構造を含まない
ため保存安定性に優れている。また、可視光線に
対しては感受性をもたないため、明所で取扱うこ
とができる。このような安定性のために、本発明
の材料は常に一定の画像形成特性を発揮すること
ができ、工業生産のためにきわめて有利である。 以下実施例を挙げて本発明を具体的に説明す
る。 実施例 １ ｍ−メトキシメチルスチレン60％とｐ−メトキ
シメチルスチレン40％とから成る混合モノマをラ
ジカル重合して得たポリ（メトキシメチルスチレ
ン）（トルエン中、25℃で測定した固有粘度0.42）
をトルエンに溶解し、ネサガラス（酸化インジユ
ウム導電膜）上に常法によつてスピンコーテイン
グして、膜厚6400Åの塗膜を得た。この塗膜に加
速電圧30KVの電子線露光装置を用いて、露光量
を変えて多数のスポツトを露光し、メチルエチル
ケトンを用いて25℃で現像処理を行なつた。現像
後の膜厚は露光量を増すと次第に大きくなり、一
定の値に飽和するためこの飽和値の膜厚を１と
し、それぞれの露光量における現像後の膜厚の相
対値を求めた。この方法で得られた感度曲線を第
１図のＡに示した。現像後に膜が残りはじめる限
界の露光量は1.3μC／cm2、50％残膜率のときの露
光量は2.8μC／cm2であつた。比較のため、トルエ
ン中、25℃で測定した固有粘度が0.45のポリスチ
レンについて、上記と同様の方法で露光し、キシ
レンによる現像処理を行なつて得た感度曲線を第
１図のＢに示した。膜が残りはじめる限界の露光
量は92μC／cm2、50％残膜率における露光量は
170μC／cm2であつた。この両者の感度特性を比較
すると、ポリ（メトキシメチルスチレン）のほう
がポリスチレンよりも固有粘度が小さいにもかか
わらず、ポリスチレンに比較し約70倍高感度であ
ることがわかる。 次に、プラズマエツチング耐性をしらべるため
に、円筒型のプラズマリアクターを用い酸素圧
80Pa、高周波出力200Wで塗膜の減少速度をしら
べた。ポリ（メトキシメチルスチレン）の膜減り
速度は12.3nm／min、ポリスチレンは11.9nm／
minであり、両者の耐プラズマエツチング耐性は
ほぼ同じであつた。なお、同じ条件でポリメタク
リル酸メチルの膜減り速度は26.9nm／minであつ
た。 実施例 ２−11 一般式 （ｍ−体60％、ｐ−体40％の混合物）で示され
る構造式をもつ種々のモノマをアゾビスイソブチ
ロニトリルを開始剤とする溶液重合法で重合し
て、ポリマを作成した。それぞれのポリマについ
て、実施例１に記載した方法にしたがつて電子線
に対する感度特性を測定した。結果を表１にまと
めた。いずれの場合も基板としてネサガラスを用
い塗膜厚さは5750〜6430Åの範囲であつた。表１
の中で、Q0.5は現像後の残膜率50％のとき露光電
気量を、また、γ0.5は感度曲線の残膜率50％の点
で感度曲線に引いた接線の勾配から求めたコント
ラストの値をそれぞれ表わす。
る。さらに詳しくは優れた感度特性および耐ドラ
イエツチング耐性を有し、半導体素子や光応用部
品などの製造工程における微細パターンの形成に
適する新規な芳香環含有感放射線材料に関するも
のである。 従来、可視光線または近紫外線に感応性を有す
るホトレジストと呼ばれる感光材料が各種の情報
記録や半導体工業における微細パターンの形成の
目的に用いられてきた。 しかし、パターンの微細化および複雑化の要求
に伴なつて、このような光とホトレジストを用い
るパターン形成技術には、回析現象などのために
本質的な描画能力の限界が存在することが判明し
た。このために、これに代つて、より波長の短い
遠紫外線や、電子線、Ｘ線、イオンビームなどの
高エネルギー放射線を用いる新しいパターン形成
技術が開発され、上記の目的に用いられるように
なりつつある。これらのパターン形成技術によれ
ば、従来の可視光線または近紫外線を用いる方法
にくらべて、パターン微細化し、また、パターン
精度を高めることができる。これらの新しいパタ
ーン形成技術に用いる感放射線材料はいくつかの
基本的な要件を満たしている必要がある。その要
件の一つは感度特性である。すなわち、これらの
新しいパターン形成技術では高価な設備を用いる
ため、能率的な生産を行なわなければならず、こ
のため、感材については高い感度が必要であり、
また、高度のパターン精度を得るために解像度特
性が優れていることが重要である。感材に要求さ
れる他の重要な条件として乾式エツチング耐性が
ある。従来、半導体集積回路等の製造工程では感
材によつて基板上にパターンを形成した後エツチ
ング液と接触させて、感材に覆われていない部分
の基板をエツチングするという工程が含まれてい
た。しかし、このような湿式エツチング工程では
いわゆるサイドエツチングをさせることができ
ず、必然的にパターンの加工精度の低下を伴な
う。このため、遠紫外線や電子線などを用いるパ
ターン形成技術ではエツチング時のパターン精度
の低下を軽減できる乾式エツチングの方法が用い
られる傾向が強まつている。乾式エツチングには
イオンミリング方式、プラズマ方式、スパツタリ
ング方式などがあるが、微細パターンの高精度の
加工のためには感材がこれらの乾式エツチング加
工に十分な耐性をもつことが必要である。これら
のほかに塗膜形成性などの操作性、保存安定性な
どの条件が感材に要求されている。 遠紫外線、電子線、Ｘ線などを用いるパターン
形成のための感材は従来多数提案されている。 しかし、上記の諸条件とくに感度特性と乾式エ
ツチング耐性を同時に満足し、しかも合成、取扱
いの容易な材料はまだ知られていない。たとえ
ば、感電子材料としてもつとも広く用いられてい
るネガ型材のポリ（（グリシジルメタクリラート）
またはグリシジルメタクリラート−エチルアクリ
ラートコポリマは50％残膜時の感度が約0.4μC／
cm2と優れているが乾式エツチング耐性はきわめて
劣ることが知られている。ポリスチレンやポリビ
ニルナフタレンは乾式エツチング耐性は優れてい
るが感度は通常50μC／cm2以上で不十分である。
ポジ型材料ではポリ（メチルメタクリラート）や
ポリ（２，２，２−トリフルオロエチルα−クロ
ロアクリラート）などが知られており、後者は〜
％残膜時の感度が1μC／cm2以下で優れているが、
いずれも乾式エツチング耐性は不満足である。乾
式エツチング耐性を高めるためにベンゼン環、ナ
フタレン環などの芳香環構造を分子内に導入する
と有効であることは経験的に知られている。この
ため、芳香環構造をもつ高感度感材を探索する試
みも行なわれているが、性能面または製法上の問
題点が多い。このような現状にかんがみ、本発明
者は、新しい微細パターンの形成および加工技術
に適合する高性能感材を得るため鋭意研究を重ね
た結果本発明に到達した。 すなわち、本発明の目的は、感度および解像度
特性が優れ、各種の乾式エツチングに優れた耐性
を有す感放射線材料を提供することである。本発
明の感放射線材料は遠紫外線、電子線、Ｘ線、シ
ンクロトロン放射線、イオンビームなどの放射線
を用いるパターン形成用に適しており、製造が容
易で保存安定性も優れている。 本発明の感放射線材料は次の一般式で示される
構造を分子内に含むポリマから成る。 ここにＸは酸素またはイオウ原子であり、Ｒは
置換基をもち、または置換基をもたないアルキル
基、アリール基、シクロアルキル基およびそれら
の複合基からなる群から選ばれた炭化水素基であ
つて、１個以上の置換基を含んでいてもさしつか
えない。Ｒが置換基を含むとき、Ｒの置換基とし
てはハロゲン、アルコキシ基、アリロキシ基、シ
クロアルコキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、シ
クロアルコキシ基、アルキルアミノ基、ジアルキ
ルアミノ基、シアノ基、ニトロ基などが好まし
い。原子団Ｒの具体例を挙げると、メチル基、エ
チル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert
−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基、
ｎ−ヘキシル基、イソオクチル基、ｎ−オクタデ
シル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、
フエニル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基、
ベンジル基、テトラヒドロフルフリル基、ｐ−ク
ロロフエニル基、ｍ−ニトロベンジル基、ｍ−ト
ルイル基、２，６−ジクロロフエニル基、ｐ−ブ
ロモフエニル基、ｐ−ヨードフエニル基、ｐ−エ
トキシベンジル基、２，２，２−トリクロロエチ
ル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２−
ブロモエチル基、２，２，３，４，４，４−ヘキ
サフルオロブチル基などである。 これらの基本構造を含む構造単位の具体例は後
述の実施例で詳述するが１例を示すと次のとおり
である。 本発明の材料は、上記の置換スチレンの構造単
位から成る単独重合体のほか、上記の置換スチレ
ンの構造単位２種以上から成る共重合体、上記の
置換スチレン構造単位と他のビニルモノマとの共
重合体などであつてもさしつかえない。 本発明の材料でベンゼン環に結合した−
CH2XR基のポリマ中における好ましい濃度範囲
はポリマ１ｇにつき８〜0.01ミリ当量である。と
くに好ましいのはポリマ１ｇにつき７〜0.2ミリ
当量の範囲である。この濃度は所望の感度やポリ
マの分子量などによつて任意に選ぶことができ
る。 本発明の材料の合成は重合（共重合）による方
法と高分子反応による方法によつて行なうことが
できる。合成については公知の高分子化学の手法
が幅広く利用できる。すなわち、−CH2XR基を
置換基としてもつベンゼン環を含有するモノマを
ビニル重合の技術により単独重合または共重合す
る。共重合によつて得られる材料の各種の性質た
とえば、基板との密着性、塗膜性、現像特性、耐
熱性などを調節することができる。ビニル重合で
はラジカル重合、アニオン重合およびカチオン重
合などのうち、ビニル基の反応性およびモノマ構
造の安定性などから適当な重合法を選ぶことがで
きる。共重合成分としては共重合可能なモノマは
いずれも利用可能である。 本発明の材料であるポリマの平均分子量は500
〜10000000の範囲が好ましい。とくに好ましい範
囲は30000〜3000000の範囲である。ポリマの固有
粘度の範囲でいえば0.05〜３がとくに好ましい範
囲に相当する。一般に平均分子量は大きいほうが
感度は高くなるが、現像時の膜の膨潤が著しくな
るため解像度は低下する。したがつて必要とする
感度および解像度を考慮し、用途によつて平均分
子量をきめることができる。また、ポリマの分子
量分布の広がりの程度はコントラストに影響を与
え分子量分布の幅は狭いほど解像度特性の上では
有利である。本発明の材料は解像度特性が優れて
いるため、一般にとくに分子量分布の幅に考慮に
払う必要はないが、さらに高い解像度が必要な場
合には特殊な重合方法（たとえばアニオンリビン
グ重合法）をとるか、ポリマの分別法によつて分
子量分布の幅の狭い材料を得ることができる。 本発明の感放射線材料を用いる微細パターンの
形成は次のように行なう。 感放射線材料を溶媒に溶解し、必要によつてロ
過を行なつた後シリコンウエフア、クロム基板そ
の他の基板の上に塗布して均一な薄膜を形成させ
る。塗膜のための溶媒としては芳香族炭化水素、
塩素化炭化水素、酢酸エステル類、ケトン類など
が通常用いられる。塗膜はスピナーまたは噴霧塗
布装置が用いられる。必要によつてはプレベーク
処理を行つたのち、薄膜の所望部分に放射線を露
光する。 放射線としては電子線、Ｘ線、遠紫外線、シン
クロトロン放射線、イオンビームなどが用いられ
る。放射線源と被露光面との間に所望のパターン
のみ放射線が被露光面に到達しうるようなマスク
を介在させる一括露光方式と放射線を細いビーム
にして所望のパターンを描画してゆく走査露光方
式とが知られている。電子線やイオンビームを放
射線源として用いるときは後者の方法が可能であ
る。現像は浸漬または噴霧方式が可能である。現
像液としてはポリマの溶媒を用いるが、水、アル
コール類、脂肪族炭化水素などの非溶媒を混合し
て用いることができる。非溶媒の混合によつて残
膜の膨潤を抑制し、パターンの精度を向上させる
ことができることがある。リンスおよびポストベ
ークについては公知の技術が適用できる。 本発明の感放射線材料は多くの公知のネガ型レ
ジスト材料のようにビニル基やエポキシ基のよう
な酸素または熱に対して不安定な構造を含まない
ため保存安定性に優れている。また、可視光線に
対しては感受性をもたないため、明所で取扱うこ
とができる。このような安定性のために、本発明
の材料は常に一定の画像形成特性を発揮すること
ができ、工業生産のためにきわめて有利である。 以下実施例を挙げて本発明を具体的に説明す
る。 実施例 １ ｍ−メトキシメチルスチレン60％とｐ−メトキ
シメチルスチレン40％とから成る混合モノマをラ
ジカル重合して得たポリ（メトキシメチルスチレ
ン）（トルエン中、25℃で測定した固有粘度0.42）
をトルエンに溶解し、ネサガラス（酸化インジユ
ウム導電膜）上に常法によつてスピンコーテイン
グして、膜厚6400Åの塗膜を得た。この塗膜に加
速電圧30KVの電子線露光装置を用いて、露光量
を変えて多数のスポツトを露光し、メチルエチル
ケトンを用いて25℃で現像処理を行なつた。現像
後の膜厚は露光量を増すと次第に大きくなり、一
定の値に飽和するためこの飽和値の膜厚を１と
し、それぞれの露光量における現像後の膜厚の相
対値を求めた。この方法で得られた感度曲線を第
１図のＡに示した。現像後に膜が残りはじめる限
界の露光量は1.3μC／cm2、50％残膜率のときの露
光量は2.8μC／cm2であつた。比較のため、トルエ
ン中、25℃で測定した固有粘度が0.45のポリスチ
レンについて、上記と同様の方法で露光し、キシ
レンによる現像処理を行なつて得た感度曲線を第
１図のＢに示した。膜が残りはじめる限界の露光
量は92μC／cm2、50％残膜率における露光量は
170μC／cm2であつた。この両者の感度特性を比較
すると、ポリ（メトキシメチルスチレン）のほう
がポリスチレンよりも固有粘度が小さいにもかか
わらず、ポリスチレンに比較し約70倍高感度であ
ることがわかる。 次に、プラズマエツチング耐性をしらべるため
に、円筒型のプラズマリアクターを用い酸素圧
80Pa、高周波出力200Wで塗膜の減少速度をしら
べた。ポリ（メトキシメチルスチレン）の膜減り
速度は12.3nm／min、ポリスチレンは11.9nm／
minであり、両者の耐プラズマエツチング耐性は
ほぼ同じであつた。なお、同じ条件でポリメタク
リル酸メチルの膜減り速度は26.9nm／minであつ
た。 実施例 ２−11 一般式 （ｍ−体60％、ｐ−体40％の混合物）で示され
る構造式をもつ種々のモノマをアゾビスイソブチ
ロニトリルを開始剤とする溶液重合法で重合し
て、ポリマを作成した。それぞれのポリマについ
て、実施例１に記載した方法にしたがつて電子線
に対する感度特性を測定した。結果を表１にまと
めた。いずれの場合も基板としてネサガラスを用
い塗膜厚さは5750〜6430Åの範囲であつた。表１
の中で、Q0.5は現像後の残膜率50％のとき露光電
気量を、また、γ0.5は感度曲線の残膜率50％の点
で感度曲線に引いた接線の勾配から求めたコント
ラストの値をそれぞれ表わす。
【表】
【表】
実施例 12−16
アルコキシメチルスチレンと他のビニルモノマ
との共重合体を作成し、電子線に対する感度特性
の測定を行なつた。結果は表２のとおりであつ
た。なお、アルコキシメチルスチレンはいずれも
ｍ−体60％ｐ−体40％の混合物を用い、塗膜の厚
さは5600〜8350Åの範囲であつた。測定方法は実
施例１に記載したとおりである。
との共重合体を作成し、電子線に対する感度特性
の測定を行なつた。結果は表２のとおりであつ
た。なお、アルコキシメチルスチレンはいずれも
ｍ−体60％ｐ−体40％の混合物を用い、塗膜の厚
さは5600〜8350Åの範囲であつた。測定方法は実
施例１に記載したとおりである。
【表】
実施例 17
ｐ−メトキシメチルスチレンのラジカル重合に
よつて作成した固有粘度0.76（25℃、トルエン中）
のポリ（ｐ−メトキシメチルスチレン）の80％酢
酸メチルセルソルブ溶液をネサ板上にスピンコー
テイングした。回転数1800rpmで6000Åの膜厚が
得られた。この塗膜に実施例１に記載した方法で
電子線露光を行ない、感度特性を測定した。現像
はメチルエチルケトンを用い、25℃で行なつた。
現像後に膜が残りはじめる露光量（Q0）は
27μC／cm2、50％残膜率における露光量（Q0.5）は
4.2μC／cm2、コントラスト（γ0.5）は1.87であつ
た。 実施例 18−21 実施例１，４，７および14で用いたポリマにつ
いて遠赤外線に対する感度特性の測定を行なつ
た。500Wのキセノン−水銀ランプを光源とする
遠紫外線露光装置で空気中で露光時間を変えて多
数のスポツトの露光を行ない、実施例１に記載し
た電子線に対する感度特性測定の方法にならつて
感度曲線を求めた。また、感度曲線から現像後に
残膜を生ずる限界の露光時間（T0）、50％残膜率
に対応する露光時間（T0.5）および残膜率50％の
点において感度曲線に引いた接線の勾配から求め
たコントラスト（γ0.5）の値を求めた。結果は表
３のとおりであつた。なお、比較のため個有粘度
0.45のポリスチレンについて同様の露光を行な
い、キシレンで現像処理した結果では、露光時間
3600secまでの範囲で全く残膜が得られなかつた。
しかし、固有粘度2.01の高分子量ポリスチレンで
はT0＝500sec、T0.5＝1300secであつた。ポリ
（メトキシメチルスチレン）、ポリ（イソプロポキ
シメチルスチレン）および比較のために測定した
高分子量ポリスチレンの遠紫外線露光における感
度特性曲線をそれぞれ第２図のＡ，ＢおよびＣに
示した。
よつて作成した固有粘度0.76（25℃、トルエン中）
のポリ（ｐ−メトキシメチルスチレン）の80％酢
酸メチルセルソルブ溶液をネサ板上にスピンコー
テイングした。回転数1800rpmで6000Åの膜厚が
得られた。この塗膜に実施例１に記載した方法で
電子線露光を行ない、感度特性を測定した。現像
はメチルエチルケトンを用い、25℃で行なつた。
現像後に膜が残りはじめる露光量（Q0）は
27μC／cm2、50％残膜率における露光量（Q0.5）は
4.2μC／cm2、コントラスト（γ0.5）は1.87であつ
た。 実施例 18−21 実施例１，４，７および14で用いたポリマにつ
いて遠赤外線に対する感度特性の測定を行なつ
た。500Wのキセノン−水銀ランプを光源とする
遠紫外線露光装置で空気中で露光時間を変えて多
数のスポツトの露光を行ない、実施例１に記載し
た電子線に対する感度特性測定の方法にならつて
感度曲線を求めた。また、感度曲線から現像後に
残膜を生ずる限界の露光時間（T0）、50％残膜率
に対応する露光時間（T0.5）および残膜率50％の
点において感度曲線に引いた接線の勾配から求め
たコントラスト（γ0.5）の値を求めた。結果は表
３のとおりであつた。なお、比較のため個有粘度
0.45のポリスチレンについて同様の露光を行な
い、キシレンで現像処理した結果では、露光時間
3600secまでの範囲で全く残膜が得られなかつた。
しかし、固有粘度2.01の高分子量ポリスチレンで
はT0＝500sec、T0.5＝1300secであつた。ポリ
（メトキシメチルスチレン）、ポリ（イソプロポキ
シメチルスチレン）および比較のために測定した
高分子量ポリスチレンの遠紫外線露光における感
度特性曲線をそれぞれ第２図のＡ，ＢおよびＣに
示した。
【表】
実施例 22−25
一般式
で表わされるアルキル（またはアリール）メルカ
プトメチルスチレンをラジカル重合してポリマを
作成した。モノマはｍ−体60％、ｐ−体40％の混
合物である。実施例１および18−21に記載した露
光装置を用いて電子線および遠紫外線に対する感
度特性を測定した。また、実施例１に記載した方
法でプラズマエツチング耐性を測定した。これら
の結果を表４に示した。 これらの実験では基板にネサガラスを用い、塗
膜溶媒としてトルエンを用いた。また、塗膜の厚
さは6000〜6500Åの範囲であつた。現像は25℃で
5min行ない、イソプロパノールで1minリンスし
た。 これらのチオエーテル構造をもつポリマのプラ
ズマエツチ速度は同一条件でポリスチレンの50％
前後であり、非常に優れている。
プトメチルスチレンをラジカル重合してポリマを
作成した。モノマはｍ−体60％、ｐ−体40％の混
合物である。実施例１および18−21に記載した露
光装置を用いて電子線および遠紫外線に対する感
度特性を測定した。また、実施例１に記載した方
法でプラズマエツチング耐性を測定した。これら
の結果を表４に示した。 これらの実験では基板にネサガラスを用い、塗
膜溶媒としてトルエンを用いた。また、塗膜の厚
さは6000〜6500Åの範囲であつた。現像は25℃で
5min行ない、イソプロパノールで1minリンスし
た。 これらのチオエーテル構造をもつポリマのプラ
ズマエツチ速度は同一条件でポリスチレンの50％
前後であり、非常に優れている。
【表】
実施例 26
ｐ−メトキシメチルスチレンとｐ−エチルメル
カプトスチレンをモル比で63：37の割合で含む固
有粘度（トルエン中、25℃）0.18のポリマを酢酸
メチルセルゾルブに溶解し、シリコンウエフア上
にスピンコーテイングして膜厚7100Åの塗膜を得
た。加速電圧30KVの電子線に対する感度特性を
しらべたところ残膜を形成する最小の露光量は
4.1μC／cm2、残膜50％に相当する露光量は6.4μC／
cm2、また残膜率50％の点で感度曲線に引いた接線
の勾配から求めたガンマ値は1.87であつた。
カプトスチレンをモル比で63：37の割合で含む固
有粘度（トルエン中、25℃）0.18のポリマを酢酸
メチルセルゾルブに溶解し、シリコンウエフア上
にスピンコーテイングして膜厚7100Åの塗膜を得
た。加速電圧30KVの電子線に対する感度特性を
しらべたところ残膜を形成する最小の露光量は
4.1μC／cm2、残膜50％に相当する露光量は6.4μC／
cm2、また残膜率50％の点で感度曲線に引いた接線
の勾配から求めたガンマ値は1.87であつた。
第１図は本発明の感放射線材料の１例であるポ
リ（メトキシメチルスチレン）の電子線に対する
感度特性曲線をポリスチレンと対比して示したも
のである。第２図は本発明の感放射線材料である
ポリ（メトキシメチルスチレン）およびポリ（イ
ソプロポキシメチルスチレン）の遠紫外線に対す
る感度特性曲線をポリスチレンと対比して示した
ものである。
リ（メトキシメチルスチレン）の電子線に対する
感度特性曲線をポリスチレンと対比して示したも
のである。第２図は本発明の感放射線材料である
ポリ（メトキシメチルスチレン）およびポリ（イ
ソプロポキシメチルスチレン）の遠紫外線に対す
る感度特性曲線をポリスチレンと対比して示した
ものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 （ただし、Ｘは酸素またはイオウ原子、Ｒは置
換基をもちまたは置換基をもたないアルキル基、
アリール基、シクロアルキル基およびそれらの複
合基のうちいずれかを表わす）で表わされる構造
を分子内に含むポリマから成る感放射線材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20073582A JPS5990846A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | 感放射線材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20073582A JPS5990846A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | 感放射線材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5990846A JPS5990846A (ja) | 1984-05-25 |
| JPH0377985B2 true JPH0377985B2 (ja) | 1991-12-12 |
Family
ID=16429302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20073582A Granted JPS5990846A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | 感放射線材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5990846A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2640100B2 (ja) * | 1986-11-04 | 1997-08-13 | 東洋紡績株式会社 | 重合性ハロゲン化合物から得られる防黴性重合体を用いた防黴剤 |
| US6231783B1 (en) | 1995-11-14 | 2001-05-15 | Massachusetts Institute Of Technology | Replacement solvents for use in chemical synthesis |
| JP2009167430A (ja) * | 2009-05-07 | 2009-07-30 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 芳香族オリゴマ―とその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56165141A (en) * | 1980-05-26 | 1981-12-18 | Univ Tohoku | Resist material composition for working integrated circuit |
| JPS5842040A (ja) * | 1981-08-28 | 1983-03-11 | ヘキスト・アクチエンゲゼルシヤフト | 放射線重合可能な混合物及び該混合物から製造された光重合可能な複写材料 |
| JPS6260691A (ja) * | 1985-09-11 | 1987-03-17 | Ricoh Co Ltd | 転写型感熱記録媒体 |
-
1982
- 1982-11-16 JP JP20073582A patent/JPS5990846A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56165141A (en) * | 1980-05-26 | 1981-12-18 | Univ Tohoku | Resist material composition for working integrated circuit |
| JPS5842040A (ja) * | 1981-08-28 | 1983-03-11 | ヘキスト・アクチエンゲゼルシヤフト | 放射線重合可能な混合物及び該混合物から製造された光重合可能な複写材料 |
| JPS6260691A (ja) * | 1985-09-11 | 1987-03-17 | Ricoh Co Ltd | 転写型感熱記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5990846A (ja) | 1984-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1634916B1 (en) | Hydroxy-amino thermally cured undercoat for 193 NM lithography | |
| US5326840A (en) | Radiation-sensitive mixture containing novel polymers embodying units composed of amides of α, β-unsaturated carboxylic acids as binders | |
| US4686168A (en) | Fluoroalkyl acrylate resist material and process for forming fine resist pattern | |
| EP1210651B1 (en) | Antireflective coating for photoresist compositions | |
| US4788127A (en) | Photoresist composition comprising an interpolymer of a silicon-containing monomer and an hydroxystyrene | |
| JP3368888B2 (ja) | 有機金属重合体およびその使用 | |
| JPS6048022B2 (ja) | 電子感応レジスト | |
| US6770720B2 (en) | Organic polymer for organic anti-reflective coating layer and preparation thereof | |
| JP3221909B2 (ja) | フォトレジスト材料およびそれを用いるパターン形成方法 | |
| JPH0377985B2 (ja) | ||
| US4808682A (en) | Copolymers having o-nitrocarbinol ester groups, production of two-layer resists, and fabrication of semiconductor components | |
| EP0064864B1 (en) | Method of making sensitive positive electron beam resists | |
| JPS62240953A (ja) | レジスト | |
| JPH087443B2 (ja) | 高解像度ポジ型放射線感応性レジスト | |
| US4617254A (en) | Process for forming detailed images | |
| KR100557606B1 (ko) | 유기 난반사 방지용 중합체 | |
| US4795692A (en) | Negative-working polymers useful as X-ray or E-beam resists | |
| JPS60212755A (ja) | 感放射線材料 | |
| KR20030089171A (ko) | 유기 난반사 방지막 형성용 광흡수성 고분자, 이를포함하는 조성물, 및 이를 이용한 반도체 소자 패턴의형성 방법 | |
| US4504631A (en) | Photoresist material | |
| JPS62223750A (ja) | 放射線感応ポジ型レジストおよび該レジスト組成物 | |
| JPH087441B2 (ja) | ポジ型高感度放射線感応性レジスト | |
| JPH0381143B2 (ja) | ||
| JPS6349213B2 (ja) | ||
| KR100871772B1 (ko) | 이소시아네이트계 유도체를 포함하는 공중합체, 상기공중합체의 제조방법, 상기 공중합체를 포함하는유기반사방지막 조성물 및 상기 조성물을 포함하는유기반사방지막 |