JPS6025390B2 - 電気絶縁材の製造法 - Google Patents

電気絶縁材の製造法

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JPS6025390B2
JPS6025390B2 JP56039353A JP3935381A JPS6025390B2 JP S6025390 B2 JPS6025390 B2 JP S6025390B2 JP 56039353 A JP56039353 A JP 56039353A JP 3935381 A JP3935381 A JP 3935381A JP S6025390 B2 JPS6025390 B2 JP S6025390B2
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JP
Japan
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beryllium
silicon carbide
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density
powder
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JP56039353A
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時夫 大越
浩介 中村
幸男 竹田
安男 松下
忠道 浅井
覚 荻原
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は高熱伝導率、高電気抵抗率を有し誘電損失の少
ない炭化ケィ素焼結体からなる電気絶縁体の製造法に関
する。
近年、大規模集積回路等に使用される絶縁基板には回路
構成要素がますます高密度に形成されるようになってき
た。
さらに小型化に対する要請も大きく、使用する絶縁基板
への流入熱量は大幅に増加してきた。従来、絶縁基板材
料としてァルミナ磁器、熱放散を必要とする場合はべり
リア磁器が使用されてきた。しかし、アルミナ基板では
集積度が高まるにつれ、熱放散はほぼ限界に達した。ま
た、ベリリア磁器は、その製造過程で取扱うべリリアの
有害性のため、現在国内では全く生産されていない。こ
のため、より熱放散が大さし、絶春該基板材料の開発が
要請されるようになってきた。こうした絶縁基板材料と
して具備すべき条件には、‘1’ 電気絶縁性が大きい
こと。
■ 熱伝導率が大きいこと。
脚 熱膨張係数がシリコンの熱膨張係数に近いこと。
(4’誘電損失が小さいこと。
‘5} 機械的強度が大きいこと。
等が挙げられる。
上託した条件のうち、炭化ケイ素は熱膨張係数が37×
10‐7/℃でアルミナ磁器の約80×10‐7/℃に
比べシリコンの熱膨張係数に極めて近く、機械的強度は
50k9/側2以上の曲げ強さを有し、アルミナ磁器の
約20k9/帆2に比べ高強度である。炭化ケイ素の熱
伝導率は0.1〜0.$a夕/肌・sec・℃が知られ
ており、アルミナ磁器の約3倍以上を有する。また炭化
ケイ素の単結晶では約0.4〜1.Za夕/肌・sec
・℃の高い値を有するものが知られている。また、アル
ミナ磁器の誘電体力率は約5〜7×10‐4である。譲
蚤体力率が大きい場合は、使用される周波数が高くなる
につれて誘電損失が大きくなり、その熱エネルギーとし
ての損失は基板の発祢を促進し熱放散に対して大きな障
害となる。炭化ケイ素は電気的に半導体に属し、電気抵
抗率が100〜10000・肌オーダで電気絶縁性では
ない。
大きな電気絶縁性を有し電気的損失の少ない高密度の暁
結体を得ることは困難と考えられており、従来、前記の
条件を満足する暁結体は知られていない。最近、高密度
の炭化ケィ素焼結体を製造する技術が開発された。
この技術の中には反応結合法、気相化学析出法、ホット
プレス法、無加圧競緒法がある。これらの技術により製
造された炭化ケィ素焼結体はタービン部品、熱交換器、
メカニカルシール部品、熱的・化学的に苛酷な条件下で
使用される装置や治具に使用される。従来技術によれば
、高密度の炭化ケイ素嬢結体を得るため、種々の添加剤
が加えられた。
例えば高密度を得るための添加剤としてアルミニウムや
鉄を添加してホットプレスすることにより、炭化ケイ素
の理論密度に対し聡%の密度を有する凝結体が得られる
(AIliegroetal.J.AM.Ceram.
Soc.,39 386〜389(1956))。最近
の技術では例えば高密度化助剤としてホウ素と炭素を用
いて、ホットプレスまたは無加圧法で高密度化を達成で
きる方法が開示されている(待開昭49−99308号
、同50−34608号)。さらにアルミニウム化合物
を用いる方法も開示されている(特開昭49−7911
号)。さらに多くの高密度化助剤を用いる方法が開示さ
れているが、これらはいずれもホウ素またはアルミニウ
ム化合物を使用するもので、これらの高密度化助剤を用
いた炭化ケィ素焼結体においてはその電気抵抗率は10
00・抑以下である。持関昭53−67711号によれ
ば炭化ケイ素粉末に0.5〜5重量%の過剰ケイ素と約
0.03〜3重量%のベリリウム含有化合物(元素状ベ
リリウム、炭化ベリリウム)から構成される粉末であり
、ホットプレス法または無加圧法によって炭化ケイ素の
理論密度の85%以上の密度を有する暁結体が得られる
。さらに炭化ケイ素粉末に0.5〜5重量%の過剰炭素
と約0.03〜3重量%のベリリウムとホウ素との混合
物から成る粉末をホットプレス法または無加圧法によっ
て炭化ケイ素合理論密度の85%以上の密度を有する焼
結体が得られる。しかし、これには暁結体の熱伝導率お
よび電気抵抗率の値は示されていないが、熱伝導率は約
0.母a〆・/仇・sec・00、電気抵抗率は1ぴ○
・肌以下と予想され絶縁基板用として使用できない。
また、誘電体力率の値も示されていない。本発明の目的
は熱伝導率が高くしかも電気絶縁性に優れ、さらに誘電
体力率が小さい亀気絶系漆基板として好適な炭化ケイ素
競結体の製造法を提供することにある。本発明は、炭化
ケイ素にBeまたはBe0,BeB,BeB2,BeB
4, 8eB6,BeB9,Bや2B,Be5B,Be
2C,Be3N2,Be3N4,BeF2,Be20F
2,BeS,控4Si4,BeSiN2,Be0・Aそ
203,Be○・Ti02,2¥0・Ti02,4Be
0・Ti02,紐e0・Ti02,技Te,Ba0・茂
0・Ti02,2Be0・Si02,CrBe2 ,
Hf2Be2 , Be40( 00CCH3 )6
,(C瓜COCHCOCH3 )2氏 ,Be4B ,
茂Br2 ,茂C03・XH20,BeC夕2 ,茂
(U04)2,Be(HC02)2,段(OH)2,B
e12,BeC204・XL○,BSe,BeSなどか
ら選ばれるベリリウム含有物質の1種以上を技量に感算
して0.02〜1の重量%と炭素0.1〜0.4重量%
を含む炭化ケイ素の圧粉成形体を無加圧競結することを
特徴とする電気絶縁材の製造法にある。
一般に電気絶縁材としては、室温における電気抵抗率が
1070・肌以上を有するものをいう。ベリリウムが0
.02重量%より少ない場合は高熱伝導率と高電気抵抗
率が得られないばかりでなく、鱗結体の機械的強度も小
さい。また1の重量%を越えると熱膨張係数が大きくな
る。また炭素が0.1重量%より少ない場合は、誘電体
力率を0.02以下にすることが困難になる。一方、0
.4重量%を越えると電気抵抗率も急激に小さくなる煩
向を示す。炭化ケイ素、ベリリウム含有化合物および炭
素は微細な粉末であることが望ましい。
炭化ケイ素粉末の粒蓬が大きい場合には高密度な蛭結体
が得難くなるので、平均粒径は10rm位下であること
が望ましい。また、添加物粉末の粒径も小さいことが望
ましい。粒径が大きい場合は均一な分散体が得られず焼
給体性能のバラツキが大きくなる。焼結雰囲気は不活性
雰囲気でないと原料が酸化して目的とする糠結体が得に
くい。なお、不活性気体の圧力を1.3MPa〜2MP
aに変化させて競結しても同じ特性値となり、雰囲気圧
力の効果は同じであった。より高圧雰囲気については実
験装置の仕様上できなかったが、同様な結果が得られる
と考えられる。本発明によれば、無加圧でも高密度に凝
結することができ、高熱伝導率、高電気抵抗率、低誘電
体力率を有する暁結体を得ることができる。
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。実施例
1 粒径が2.0ムの以下のSIC粉末に、粒径10りの以
下のBe○粉末0.1〜2の重量%(ベリリウムとして
約0.04〜7.5重量%)と、粒径1山肌以下の炭素
粉末0.05〜0.8重量%添加して混合した。
該混合粉末を圧粉体密度1.6〜1.67/榊(炭化ケ
イ素の理論密度の50〜52%密度)の成形体を作成し
、黒鉛ルッボ中で1×10‐4Torr以下で2100
00、1時間無加圧暁結した。得られた焼結体の各特性
を第1表に示す。
表から、炭素量0.1,0.4重量%としたとき、譲亀
体力率が2×10‐2以下の焼結体が得られる。
第1表熱伝導率、電気抵抗率は室温で測定()内はべり
リヮムとしての添加量実施例 2実施例1において、用
いた酸化ベリリウムの代わりに炭化ベリリウムを0.0
5〜15重量%および炭素粉末0.05〜0.頚重量%
添加し、実施例1に記載した方法により競結体を得た。
煉結体の密度、熱伝導率、電気抵抗率および誘電体力率
は実施例1とほぼ同じであり、また、炭化ベリリウムが
ベリリウムとして0.05〜7.5重量%含有した場合
に第1表の値とほぼ同じ誘電体力率の競結体を得た。比
較例実施例1と同様な組成で炭素粉末を入れない嫌結体
を作成した。
得られた暁結体の特性を第2表に示す。Be含有量が0
.05〜7.5重量%のとき、高電気抵抗率(1び1以
上)のものが得られる。
しかし、炭素を含まないため誘電体力率は0.15〜0
.5と極めて高い値を示している。また、氏含有量が7
.5重量%を越える場合は、暁結体の熱膨張係数は?5
×10‐7/℃と急激に大きくなる。第2表 熱伝導率、短気抵抗率は室温で測定、 熱膨張係数は室温」300℃の平均値

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 炭化ケイ素を主成分とし、これにベリリウム又はベ
    リリウム含有物質をベリリウムに換算して0.02〜1
    0重量%及び炭素を0.1〜0.4重量%含む圧粉成形
    体を無加圧焼結することを特徴とする電気絶縁材の製造
    法。 2 ベリリウム含有物質が酸化ベリリウムであることを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載の電気絶縁材の製
    造法。
JP56039353A 1981-03-20 1981-03-20 電気絶縁材の製造法 Expired JPS6025390B2 (ja)

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JPS57156374A JPS57156374A (en) 1982-09-27
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5384013A (en) * 1976-12-27 1978-07-25 Carborundum Co Silicon carbide powder composition
JPS5495616A (en) * 1977-12-27 1979-07-28 Carborundum Co Ceramic composition for injection molding and method thereof
JPS5585469A (en) * 1978-12-15 1980-06-27 Hitachi Ltd Silicon carbide sintered body and its manufacture

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