JPS60244052A - 半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents
半導体装置用リ−ドフレ−ムInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置の製造に用いられるリー
ドフレームの改良に関する。
ドフレームの改良に関する。
第１図は樹脂封止型半導体装置の一例として、ＤＩＲ（
デュアル・イン・リード・パッケージ）型半導体装置の
一般的な構造を示す断面図である。
デュアル・イン・リード・パッケージ）型半導体装置の
一般的な構造を示す断面図である。
同図において、１はベッド部である。該ベッド部１上に
は、銀／エポキシ系接着剤等からなるマウント剤２を介
して半導体チップ３がマウントされている。この半導体
チップ３の表面に形成された内部端子は、ボンディング
ワイヤ４を介してベッド部１の周囲に配設されたり一部
５に接続されている。そして、ベッド部１、半導体チッ
プ３、ボンディングワイヤ４及びリード５の一部はエポ
キシ樹脂等の樹脂モールド層６で封止されている。
は、銀／エポキシ系接着剤等からなるマウント剤２を介
して半導体チップ３がマウントされている。この半導体
チップ３の表面に形成された内部端子は、ボンディング
ワイヤ４を介してベッド部１の周囲に配設されたり一部
５に接続されている。そして、ベッド部１、半導体チッ
プ３、ボンディングワイヤ４及びリード５の一部はエポ
キシ樹脂等の樹脂モールド層６で封止されている。
また、リード５は樹脂モールド層６の側壁から外部に延
出され、下方に折り曲げられている。
出され、下方に折り曲げられている。
上記の樹脂封止型半導体装置は、第２図に示すようなリ
ードフレームＬを用いて製造される。このリードフレー
ム７は、銅あるいは鉄系合金等の導電性金属板をプレス
加工、エツチング加工等によって所定のパターン形状と
したものである。第２図のリードフレームＬでは外枠８
によって三つの領域に区画され、夫々の領域内に同一の
パターンが形成されている。即ち、左端の単位パターン
に示すように夫々の領域の略中央部にはベッド部１が配
置され、該ベッド部１はツリビン９１を介して外枠８に
連結され、支持されている。ベッド部１の周囲には多数
のリード５・・・がベッド部を取り囲んで配設され、こ
れらのリード５・・・は夫々外枠８に連結されちる。ま
た、同じ方向に延出されたリード５・・・はタイバー９
２で相互に連結され、該タイバー９２は外枠８に連結さ
れている。このタイバー９２を境にして、リード５・・
・は内部り−ド５１と外部リード５２とに分けられてい
る。
ードフレームＬを用いて製造される。このリードフレー
ム７は、銅あるいは鉄系合金等の導電性金属板をプレス
加工、エツチング加工等によって所定のパターン形状と
したものである。第２図のリードフレームＬでは外枠８
によって三つの領域に区画され、夫々の領域内に同一の
パターンが形成されている。即ち、左端の単位パターン
に示すように夫々の領域の略中央部にはベッド部１が配
置され、該ベッド部１はツリビン９１を介して外枠８に
連結され、支持されている。ベッド部１の周囲には多数
のリード５・・・がベッド部を取り囲んで配設され、こ
れらのリード５・・・は夫々外枠８に連結されちる。ま
た、同じ方向に延出されたリード５・・・はタイバー９
２で相互に連結され、該タイバー９２は外枠８に連結さ
れている。このタイバー９２を境にして、リード５・・
・は内部り−ド５１と外部リード５２とに分けられてい
る。
ところで、第２図のリードフレームを用いて第１図の樹
脂封止型半導体装置を製造するには、まず第２図の中間
の単位パターンに示したように、ベッド部１上に半導体
チップ３をマウントする。
脂封止型半導体装置を製造するには、まず第２図の中間
の単位パターンに示したように、ベッド部１上に半導体
チップ３をマウントする。
続いて、ワイヤボンディングを行なって半導体チップ３
の内部端子と内部リード５１の先端部との間を接続した
後、右端の単位パターンに示すように所定の領域を樹脂
モールド層６で封止する。次いでツリビン９１及びタイ
バー９２を切除すると共に、外部リード５２を外枠８か
ら切り離した後、分離された夫々の外部リード５２を所
定の方向に折り曲げれば第１図の構造をもった樹脂封止
型半導体装置が得られる。
の内部端子と内部リード５１の先端部との間を接続した
後、右端の単位パターンに示すように所定の領域を樹脂
モールド層６で封止する。次いでツリビン９１及びタイ
バー９２を切除すると共に、外部リード５２を外枠８か
ら切り離した後、分離された夫々の外部リード５２を所
定の方向に折り曲げれば第１図の構造をもった樹脂封止
型半導体装置が得られる。
このように、リードフレームは樹脂封止型半導体装置を
製造するに当って半導体チップ３とり一部５とを所定の
位置関係に保持し、ワイヤボンディングを確実に行なう
と共に、リード相互間の接触を防止して樹脂封止を行な
うことを可能にするものである。
製造するに当って半導体チップ３とり一部５とを所定の
位置関係に保持し、ワイヤボンディングを確実に行なう
と共に、リード相互間の接触を防止して樹脂封止を行な
うことを可能にするものである。
リードフレームを用いて上述のように製造された樹脂封
止型半導体装置は、第３図に示すような温度サイクル試
験に投入されて熱負荷に対する信頼性をテストされる。
止型半導体装置は、第３図に示すような温度サイクル試
験に投入されて熱負荷に対する信頼性をテストされる。
その際、樹脂モールド層６、特にその裏面に亀裂が発生
するという問題が生じていた。これは樹脂モールド層６
とリードフレーム７との熱膨張差によって、熱負荷時に
応力が加わるからである。そして、パッケージの外形寸
法に対して半導体チップ３のサイズが大きくなっている
最近の樹脂封止型半導体装置では、上記の熱負荷による
不良発生率が増大し、第４図に示すように製品によって
は２０サイクルまでしか熱サイクル試験に耐え得ないと
いった事態も生じている。
するという問題が生じていた。これは樹脂モールド層６
とリードフレーム７との熱膨張差によって、熱負荷時に
応力が加わるからである。そして、パッケージの外形寸
法に対して半導体チップ３のサイズが大きくなっている
最近の樹脂封止型半導体装置では、上記の熱負荷による
不良発生率が増大し、第４図に示すように製品によって
は２０サイクルまでしか熱サイクル試験に耐え得ないと
いった事態も生じている。
既述のように、上記問題を生じる基本的な原因は樹脂モ
ールド層６とベッド部１との熱膨張率の差によるもので
あるが、熱負荷時に樹脂モールド層６とベッド部１とが
スライドを起すことがより直接的な原因と考えられる。
ールド層６とベッド部１との熱膨張率の差によるもので
あるが、熱負荷時に樹脂モールド層６とベッド部１とが
スライドを起すことがより直接的な原因と考えられる。
この観点から従来のリードフレームを検討してみると、
その表面は第５図に示すように極めて平滑で、樹脂のス
ライドを生じ易いことが明らかになった。このようなベ
ッド部１の表面状態が今まで問題にされていなかったの
は、半導体チップ３のサイズがそれ程大きくなく、樹脂
クラックの問題がそれほど顕著には現れていなかったか
らである。
その表面は第５図に示すように極めて平滑で、樹脂のス
ライドを生じ易いことが明らかになった。このようなベ
ッド部１の表面状態が今まで問題にされていなかったの
は、半導体チップ３のサイズがそれ程大きくなく、樹脂
クラックの問題がそれほど顕著には現れていなかったか
らである。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、樹５−
脂封止型半導体装置の製造に用いて熱負荷時における樹
脂モールド層のスライドを防止し、以て樹脂クラックの
発生を抑制し得る半導体装置用リードフレームを提供す
るものである。
脂モールド層のスライドを防止し、以て樹脂クラックの
発生を抑制し得る半導体装置用リードフレームを提供す
るものである。
本発明による半導体装置用リードフレームは、導電性金
属の薄板を所定のパターンに加工して製造されたリボン
状部材であって、リードパターンを支持固定する外枠と
、該外枠に連結支持されてこの外枠で囲まれた領域内に
延設され、且つその先端が半導体チップの設置予定部を
取り囲むように配設された多数のリードパターンと、こ
れらリードパターンの先端に囲まれた領域に該リードパ
ターンから離間して配置されると共に、タイバーを介し
て前記外枠に連結支持されたベッド部とを具備し、該ベ
ッド部の裏面が略Ｒｍａｘ＝１０μｍ程度以上に粗面化
されていることを特徴とするものである。
属の薄板を所定のパターンに加工して製造されたリボン
状部材であって、リードパターンを支持固定する外枠と
、該外枠に連結支持されてこの外枠で囲まれた領域内に
延設され、且つその先端が半導体チップの設置予定部を
取り囲むように配設された多数のリードパターンと、こ
れらリードパターンの先端に囲まれた領域に該リードパ
ターンから離間して配置されると共に、タイバーを介し
て前記外枠に連結支持されたベッド部とを具備し、該ベ
ッド部の裏面が略Ｒｍａｘ＝１０μｍ程度以上に粗面化
されていることを特徴とするものである。
上記本発明のリードフレームを用いて製造された樹脂封
止型半導体装置では、ベッド部裏面が粗６− 回生されているために両者の密着性が高い。従って熱負
荷時における樹脂モールド層の動きに対して強く抵抗し
、そのスライドを抑制する結果、樹脂クランクの発生を
顕著に防止し得、信頼性を向上することができる。
止型半導体装置では、ベッド部裏面が粗６− 回生されているために両者の密着性が高い。従って熱負
荷時における樹脂モールド層の動きに対して強く抵抗し
、そのスライドを抑制する結果、樹脂クランクの発生を
顕著に防止し得、信頼性を向上することができる。
以下、第６図および第７図を参照して本発明の一実施例
を説明する。
を説明する。
まず、４２７０イ（Ｎｉ４２％、Ｆｅ５８％）からなる
板厚０．２ｈｍの金属板にプレス金型による打ち抜き加
工を施し、ビンが両サイドに延出したＤＩＰタイプのリ
ードフレームを製造した。この得られたリードフレーム
は第４図の熱サイクル試験結果を得た樹脂封止型半導体
装置を製造する際に用いたものと全く同じである。
板厚０．２ｈｍの金属板にプレス金型による打ち抜き加
工を施し、ビンが両サイドに延出したＤＩＰタイプのリ
ードフレームを製造した。この得られたリードフレーム
は第４図の熱サイクル試験結果を得た樹脂封止型半導体
装置を製造する際に用いたものと全く同じである。
次に、上記リードフレームのベッド部裏面にドライホー
ニングを施し、粗面化することにより本発明の一実施例
になる半導体装置用リードフレームを製造した。この実
施例今におけるベッド部裏面の表面粗さを測定したとこ
ろ、第６図に示すようにＲｍａｘ＝１０μｍであった。
ニングを施し、粗面化することにより本発明の一実施例
になる半導体装置用リードフレームを製造した。この実
施例今におけるベッド部裏面の表面粗さを測定したとこ
ろ、第６図に示すようにＲｍａｘ＝１０μｍであった。
上記実施例のリードフレームを用い、第４図の熱サイク
ル試験に供したのと同じ樹脂封止型半導体装置を製造し
、該樹脂封止型半導体装置について同様の熱サイクル試
験を行なったところ、第７図に示す結果が得られた。こ
の結果から明らかなように、上記実施例のリードフレー
ムを用いた樹脂封止型半導体装置では熱サイクル試験に
おいても１００サイクルまでは樹脂モールド層にクラッ
クが発生せず、本発明による効果が立証されている。
ル試験に供したのと同じ樹脂封止型半導体装置を製造し
、該樹脂封止型半導体装置について同様の熱サイクル試
験を行なったところ、第７図に示す結果が得られた。こ
の結果から明らかなように、上記実施例のリードフレー
ムを用いた樹脂封止型半導体装置では熱サイクル試験に
おいても１００サイクルまでは樹脂モールド層にクラッ
クが発生せず、本発明による効果が立証されている。
なお、ベッド部裏面の粗面化はドライホーニング法に限
らず、例えばミニグラインダーを用いる方法により行な
うことができる。
らず、例えばミニグラインダーを用いる方法により行な
うことができる。
以上詳述したように、本発明にのリードフレームを用い
て樹脂封止型半導体装置を製造すれば、熱負荷時におけ
る樹脂モールド層のスライドを防止し、以て樹脂クラッ
クの発生を抑制し得る等、顕著な効果が得られるもので
ある。
て樹脂封止型半導体装置を製造すれば、熱負荷時におけ
る樹脂モールド層のスライドを防止し、以て樹脂クラッ
クの発生を抑制し得る等、顕著な効果が得られるもので
ある。
第１図はｍ脂封止型半導体装置の一般的な構造を示す断
面図、第２図はリードフレーム及び該リードフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置の製造工程を示す平面図、
第３図は熱サイクル試験における熱負荷の様子を示す縮
図、第４図は従来のリードフレームを用いた樹脂封止型
半導体装置の熱サイクル試験結果を示す線図、第５図は
従来のリードフレームにおけるベッド部裏面の粗さを測
定した結果を示す線図、第６図は本発明の一実施例にな
るリードフレームにおいて、そのベッド部裏面の粗さを
測定した結果を示す絵図、第７図は本発明の一実施例に
なるリードフレームを用いて製造した樹脂封止型半導体
装置について熱サイクル試験を行なった結果を示す線図
である。 １・・・ベッド部、２・・・マウント剤、３・・・半導
体チップ、４・・・ボンディングワイヤ、５・・・リー
ド、５１・・・内部リード、５２・・・外部リード、６
・・・樹脂モールド層、７−・・・リードフレーム、８
・・・外枠、９！・・・ツリビン、９２・・・タイバー
。 −〇− −９曹 ｃｍ ぐ 藪 派 紐柩井 号 冒 Ｕ） −へ 弱 派 第５図 第６０ ５２０ 坂↓ 第７図 ＡＪ ４υ Ｉ）ＵＩＵ（Ｊ ２００ Ｗイア＋１ｚ＝
２８５−
面図、第２図はリードフレーム及び該リードフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置の製造工程を示す平面図、
第３図は熱サイクル試験における熱負荷の様子を示す縮
図、第４図は従来のリードフレームを用いた樹脂封止型
半導体装置の熱サイクル試験結果を示す線図、第５図は
従来のリードフレームにおけるベッド部裏面の粗さを測
定した結果を示す線図、第６図は本発明の一実施例にな
るリードフレームにおいて、そのベッド部裏面の粗さを
測定した結果を示す絵図、第７図は本発明の一実施例に
なるリードフレームを用いて製造した樹脂封止型半導体
装置について熱サイクル試験を行なった結果を示す線図
である。 １・・・ベッド部、２・・・マウント剤、３・・・半導
体チップ、４・・・ボンディングワイヤ、５・・・リー
ド、５１・・・内部リード、５２・・・外部リード、６
・・・樹脂モールド層、７−・・・リードフレーム、８
・・・外枠、９！・・・ツリビン、９２・・・タイバー
。 −〇− −９曹 ｃｍ ぐ 藪 派 紐柩井 号 冒 Ｕ） −へ 弱 派 第５図 第６０ ５２０ 坂↓ 第７図 ＡＪ ４υ Ｉ）ＵＩＵ（Ｊ ２００ Ｗイア＋１ｚ＝
２８５−
Claims (1)
- 導電性金属の薄板を所定のパターンに加工して製造され
たリボン状部材であって、リードパターンを支持固定す
る外枠と、該外枠に連結支持されてこの外枠で囲まれた
領域内に延設され、且つその先端が半導体チップの設置
予定部を取り囲むように配設された多数のリードパター
ンと、これらリードパターンの先端に囲まれた領域に該
リードパターンから離間して配置されると共に、タイバ
ーを介して前記外枠に連結支持されたベッド部とを具備
し、該ベッド部の裏面が略Ｒ１１１ａＸ−１０μ爪程度
以上に粗面化されていることを特徴とする半導体装置用
リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59099244A JPS60244052A (ja) | 1984-05-17 | 1984-05-17 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59099244A JPS60244052A (ja) | 1984-05-17 | 1984-05-17 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60244052A true JPS60244052A (ja) | 1985-12-03 |
Family
ID=14242279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59099244A Pending JPS60244052A (ja) | 1984-05-17 | 1984-05-17 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60244052A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6366953A (ja) * | 1986-09-08 | 1988-03-25 | Toshiba Corp | 樹脂絶縁型半導体装置 |
-
1984
- 1984-05-17 JP JP59099244A patent/JPS60244052A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6366953A (ja) * | 1986-09-08 | 1988-03-25 | Toshiba Corp | 樹脂絶縁型半導体装置 |
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