JPS60243083A - ピラゾ−ルスルホニルウレア誘導体、その製法および該誘導体を含有する除草剤 - Google Patents
ピラゾ−ルスルホニルウレア誘導体、その製法および該誘導体を含有する除草剤Info
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- JPS60243083A JPS60243083A JP10011084A JP10011084A JPS60243083A JP S60243083 A JPS60243083 A JP S60243083A JP 10011084 A JP10011084 A JP 10011084A JP 10011084 A JP10011084 A JP 10011084A JP S60243083 A JPS60243083 A JP S60243083A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規なピラゾールスルホニルウレア誘導体、当
該化合物の製法および当該化合物を有効成分とする選択
性除草剤に関するものである。
該化合物の製法および当該化合物を有効成分とする選択
性除草剤に関するものである。
イネ、小麦、トウモロコシ、線環重要な作物を雑草害か
ら守り増収をはかる為に除草剤を使用することは欠くこ
とができない。特に近年はこれらの有用作物と雑草の混
在する耕地において、作物と雑草の茎葉部へ同時処理し
ても作物に対して薬害を示さず雑草のみを選択的に枯殺
しうる選択性除草剤が望まれている。また、環境汚染防
止、輸送、散布の際の経済コスト低減等の観点から、で
きるだけ低薬量で高い除草効果をあげる化合物の探索研
究が長年にわたり続けられている。このような特性を有
する化合物のいくつかは選択性除草剤として現在使用さ
れているが、以前としてこれらの性質を備える新しい化
合物の需要も存在する。
ら守り増収をはかる為に除草剤を使用することは欠くこ
とができない。特に近年はこれらの有用作物と雑草の混
在する耕地において、作物と雑草の茎葉部へ同時処理し
ても作物に対して薬害を示さず雑草のみを選択的に枯殺
しうる選択性除草剤が望まれている。また、環境汚染防
止、輸送、散布の際の経済コスト低減等の観点から、で
きるだけ低薬量で高い除草効果をあげる化合物の探索研
究が長年にわたり続けられている。このような特性を有
する化合物のいくつかは選択性除草剤として現在使用さ
れているが、以前としてこれらの性質を備える新しい化
合物の需要も存在する。
本発明者らは、重要作物に対して選択性のある除草剤を
開発するため長年にわたる研湯をつづけ殺草力のより高
い、かつ選択性をもつ化合物を生み出すべく、多くの化
合物についてその除草特性を検討してきた。その結果前
記一般式(1)で表される本発明化合物が土壌処理、茎
葉処理のいずれの場合にも多くの雑草に対して強い殺草
力を有しかつ重要作物に対して高い安全性を有すること
を見いだして本発明を完成した。一方、本発明化合物は
従来の除草剤に比して非常に低薬量で高い除草活性を示
すことから他果樹園、非耕地用の除草剤としても有用で
ある。
開発するため長年にわたる研湯をつづけ殺草力のより高
い、かつ選択性をもつ化合物を生み出すべく、多くの化
合物についてその除草特性を検討してきた。その結果前
記一般式(1)で表される本発明化合物が土壌処理、茎
葉処理のいずれの場合にも多くの雑草に対して強い殺草
力を有しかつ重要作物に対して高い安全性を有すること
を見いだして本発明を完成した。一方、本発明化合物は
従来の除草剤に比して非常に低薬量で高い除草活性を示
すことから他果樹園、非耕地用の除草剤としても有用で
ある。
一般式(1)で表される本発明化合物は新規化合物であ
り、下記の反応式1〜2のいずれかを選ぶことにより容
易に製造できる。
り、下記の反応式1〜2のいずれかを選ぶことにより容
易に製造できる。
反応式1
〔式中Aは水素原子または低級アルキル基を示す。Bは
水素原子、ハロゲン原子またはハロアルキル基を示す。
水素原子、ハロゲン原子またはハロアルキル基を示す。
Dは水素原子、へロアルキル基またはGOOR(Rは低
級アルキル基を示す。)を示す。XおよびYはそれぞれ
独立して低級アルキル基、低級アルコキシ基または−W
CHF 2基(Wは酸素原子または硫黄原子を示す。
級アルキル基を示す。)を示す。XおよびYはそれぞれ
独立して低級アルキル基、低級アルコキシ基または−W
CHF 2基(Wは酸素原子または硫黄原子を示す。
)を示し、Zは窒素原子または−CH−基を示す。〕
すなわち、ピラゾールスルホニルイソシアナート誘導体
を、充分に乾燥したジオキサン、アセトニトリル等の不
活性溶媒に溶かし、これに式(1)で表されるピリミジ
ンまたはトリアジン誘導体を添加し攪拌することにより
、一般的に速やかに反応して本発明化合物(1)が得ら
れる。反応が進行しがたい場合には適当な塩基、例えば
トリエチルアミン、トリエチレンジアミン、ピリジン、
ナトリウムアルコキシド、水素化ナトリウム等の微少量
を添加することにより容易に反応が進行する。
を、充分に乾燥したジオキサン、アセトニトリル等の不
活性溶媒に溶かし、これに式(1)で表されるピリミジ
ンまたはトリアジン誘導体を添加し攪拌することにより
、一般的に速やかに反応して本発明化合物(1)が得ら
れる。反応が進行しがたい場合には適当な塩基、例えば
トリエチルアミン、トリエチレンジアミン、ピリジン、
ナトリウムアルコキシド、水素化ナトリウム等の微少量
を添加することにより容易に反応が進行する。
以下余白
及訴υ(λ
〔式中A、B、D、X、YおよびZは前記と同じ意味を
示す。R1はアルキル基もしくはフェニル基を示す。〕 すなわち、ピラゾールスルホンアミド誘導体(■)を、
アセトン、メチルエチルケトン等の溶媒中、炭酸カリウ
ム等の塩基存在下クロルギ酸エステルもしくは炭酸エス
テルと反応させ、反応後場酸等酸性物質で処理すること
により化合物(Vl)を得る。次いでトルエン等の溶媒
中にて化合物(III)と加熱することにより本発明化
合物(1)を得ることができる。
示す。R1はアルキル基もしくはフェニル基を示す。〕 すなわち、ピラゾールスルホンアミド誘導体(■)を、
アセトン、メチルエチルケトン等の溶媒中、炭酸カリウ
ム等の塩基存在下クロルギ酸エステルもしくは炭酸エス
テルと反応させ、反応後場酸等酸性物質で処理すること
により化合物(Vl)を得る。次いでトルエン等の溶媒
中にて化合物(III)と加熱することにより本発明化
合物(1)を得ることができる。
反応式1で用いられる原料のピラゾールスルホニルイソ
シアナートは以下に記載する方法にてピラゾールスルホ
ンアミドを合成し、さらに特開昭55−13266号公
報に記載されている方法を参考にして合成できる。
シアナートは以下に記載する方法にてピラゾールスルホ
ンアミドを合成し、さらに特開昭55−13266号公
報に記載されている方法を参考にして合成できる。
本発明に用いられる中間体のピラゾールスルホンアミド
の合成例を以下参考例として記す。
の合成例を以下参考例として記す。
参考開二上
3−クロル−1−メチルピラゾール−4−スルホンアミ
ドの合成 (1)3−クロル−1−メチルピラゾールの合成濃塩酸
150m1、リン酸(85%) 60m l 、水10
0m1の混合溶液中に、3−アミノ−1−メチルピラゾ
ール25gを溶解し、5〜10℃で水50m1に溶解し
た亜硝酸ナトリウム21.2gを滴下した。別に硫酸銅
(5水和物)90g、食塩60g、水200m1の混合
溶液を作り10〜15℃の温度にて先のジアゾ化反応液
を滴下した。50℃で1時間加熱後、冷却しアンモニア
水(28X)で中和し、クロロホルム抽出、水洗、乾燥
蒸溜することにより目的化合物15gを得た。
ドの合成 (1)3−クロル−1−メチルピラゾールの合成濃塩酸
150m1、リン酸(85%) 60m l 、水10
0m1の混合溶液中に、3−アミノ−1−メチルピラゾ
ール25gを溶解し、5〜10℃で水50m1に溶解し
た亜硝酸ナトリウム21.2gを滴下した。別に硫酸銅
(5水和物)90g、食塩60g、水200m1の混合
溶液を作り10〜15℃の温度にて先のジアゾ化反応液
を滴下した。50℃で1時間加熱後、冷却しアンモニア
水(28X)で中和し、クロロホルム抽出、水洗、乾燥
蒸溜することにより目的化合物15gを得た。
沸点 97℃/40mmHg
(2)3−クロル−1−メチルピラゾール−4−スルホ
ンアミドの合成 りロルスルホン酸100m1に水冷下3−クロルー1−
メチルピラゾール19.7gを滴下した。120〜13
0℃で6時間加熱後冷却し、氷水中に注ぐと3−クロル
−1−メチルピラゾール−4−スルホニルクロライドの
結晶30.4gが析出した。次ぎに得られたスルホニル
クロライド14.5gをテトラヒドロフラン50m1に
溶解し、水冷下アンモニア水(28χ) 70m1中に
滴下した。室温にて3時間攪拌後溶媒を留去し目的のス
ルホンアミド10.9gが得られた。鬼 融点 131〜132℃ 参考例−2 3−クロル−5−メトキシカルボニル−1−メチルピラ
ゾール−4−スルホンアミドの合成参考例−1(2)と
同様の方法で得られた3−クロル−1−メチルピラゾー
ル−4−スルホニルクロライド25gをテトラヒドロフ
ラン100+++1に溶解し、ターシャリ−ブチルアミ
ン25.4g中に0℃で滴下した。室温で1時間攪拌後
溶媒を留去した。次ぎに酢酸エチルで抽出し、希塩酸洗
浄、水洗、乾燥溶媒留去を行いN−(ターシャリ−ブチ
ル)−3−クロル−1−メチルピラゾール−4−スルホ
ンアミド25.4gを得た。融点80〜81℃次ぎに上
記スルホンアミド15gを乾燥テトラヒドロフラン50
0+++ 1に溶解し、水冷下水素化ナトリウム(55
χ)3g、次いでn−ブチルリチウム(15χヘキサン
溶液)60mlを加えた。次ぎに炭酸ガスを室温で1.
5時間吹き込んだ。反応終了後濃塩酸18m1を含む氷
水200n+ 1を加え、攪拌し有機層を分離し、水層
を酢酸エチルで抽出した。有機層を合わせ、水洗、乾燥
後溶媒を留去すると、油状物18gが得られた。放置す
ると結晶が析出したのでこれを濾取し、エーテルで洗浄
するとN−(ターシャリ−ブチル)−3−クロル−5−
カルボキシ−1−メチルピラゾール−4−スルホンアミ
ド13.4gが得られた。融点169〜170℃ 得られたスルホンアミド13.0gをメタノール170
IIllに溶解し、塩化水素ガスで飽和させ、4日間加
熱還流した。反応終了後溶媒を留去し、析出した結晶を
濾取、少量の水及びエーテルで洗浄後乾燥すると目的物
8.0gが得られた。融点147〜149℃1支■ニエ 1−メチル−3−トリフルオロメチルピラゾール−4−
スルホンアミドの合成 りロルスルホン酸100m1に水冷下1−メチルー3−
トリフルオロメチルピラゾール14gを滴下した。13
0〜140℃で18時間攪攪拌後化チオニル40m1を
加え、更に130〜140℃にて4時間攪拌した。反応
液を氷にあけエーテル抽出し、水洗、乾燥後溶媒を留去
すると1−メチル−3−トリフルオロメチルピラゾール
−4−スルホニルクロライド22gが油状物として得ら
れた。
ンアミドの合成 りロルスルホン酸100m1に水冷下3−クロルー1−
メチルピラゾール19.7gを滴下した。120〜13
0℃で6時間加熱後冷却し、氷水中に注ぐと3−クロル
−1−メチルピラゾール−4−スルホニルクロライドの
結晶30.4gが析出した。次ぎに得られたスルホニル
クロライド14.5gをテトラヒドロフラン50m1に
溶解し、水冷下アンモニア水(28χ) 70m1中に
滴下した。室温にて3時間攪拌後溶媒を留去し目的のス
ルホンアミド10.9gが得られた。鬼 融点 131〜132℃ 参考例−2 3−クロル−5−メトキシカルボニル−1−メチルピラ
ゾール−4−スルホンアミドの合成参考例−1(2)と
同様の方法で得られた3−クロル−1−メチルピラゾー
ル−4−スルホニルクロライド25gをテトラヒドロフ
ラン100+++1に溶解し、ターシャリ−ブチルアミ
ン25.4g中に0℃で滴下した。室温で1時間攪拌後
溶媒を留去した。次ぎに酢酸エチルで抽出し、希塩酸洗
浄、水洗、乾燥溶媒留去を行いN−(ターシャリ−ブチ
ル)−3−クロル−1−メチルピラゾール−4−スルホ
ンアミド25.4gを得た。融点80〜81℃次ぎに上
記スルホンアミド15gを乾燥テトラヒドロフラン50
0+++ 1に溶解し、水冷下水素化ナトリウム(55
χ)3g、次いでn−ブチルリチウム(15χヘキサン
溶液)60mlを加えた。次ぎに炭酸ガスを室温で1.
5時間吹き込んだ。反応終了後濃塩酸18m1を含む氷
水200n+ 1を加え、攪拌し有機層を分離し、水層
を酢酸エチルで抽出した。有機層を合わせ、水洗、乾燥
後溶媒を留去すると、油状物18gが得られた。放置す
ると結晶が析出したのでこれを濾取し、エーテルで洗浄
するとN−(ターシャリ−ブチル)−3−クロル−5−
カルボキシ−1−メチルピラゾール−4−スルホンアミ
ド13.4gが得られた。融点169〜170℃ 得られたスルホンアミド13.0gをメタノール170
IIllに溶解し、塩化水素ガスで飽和させ、4日間加
熱還流した。反応終了後溶媒を留去し、析出した結晶を
濾取、少量の水及びエーテルで洗浄後乾燥すると目的物
8.0gが得られた。融点147〜149℃1支■ニエ 1−メチル−3−トリフルオロメチルピラゾール−4−
スルホンアミドの合成 りロルスルホン酸100m1に水冷下1−メチルー3−
トリフルオロメチルピラゾール14gを滴下した。13
0〜140℃で18時間攪攪拌後化チオニル40m1を
加え、更に130〜140℃にて4時間攪拌した。反応
液を氷にあけエーテル抽出し、水洗、乾燥後溶媒を留去
すると1−メチル−3−トリフルオロメチルピラゾール
−4−スルホニルクロライド22gが油状物として得ら
れた。
得られたスルホニルクロライド7.0gをテトラヒドロ
フラン5(In lに溶解し、水冷下アンモニア水(2
8χ)50811中に滴下した。室温にて1時間攪拌後
溶媒を留去し析出した結晶を濾取、水洗後乾燥すると目
的のスルホンアミド4.9gが得られた。
フラン5(In lに溶解し、水冷下アンモニア水(2
8χ)50811中に滴下した。室温にて1時間攪拌後
溶媒を留去し析出した結晶を濾取、水洗後乾燥すると目
的のスルホンアミド4.9gが得られた。
融点 145〜146℃
会ILffi
1−メチル−5−トリフルオロメチルピラゾール−4−
スルホンアミドの合成 上記参考例3に準じて1−メチル−5−トリフルオロメ
チルピラゾールより得た。
スルホンアミドの合成 上記参考例3に準じて1−メチル−5−トリフルオロメ
チルピラゾールより得た。
融点138〜139℃
奎考■二】
5−メトキシカルボニル−1−メチル−3−トリフルオ
ロメチルピラゾール−4−スルホンアミドの合成 参考例3で得られたスルホニルクロライド14 、7g
を乾燥テトラヒドロフラン50m lに溶解し、乾燥テ
トラヒドロフラン50m1に溶解したターシャリ−ブチ
ルアミン12.9g中に0℃で滴下した。室温で1時間
攪拌後溶媒を留去した。次ぎに酢酸エチルで抽出し、希
塩酸洗浄、水洗、乾燥溶媒留去を行いN−(ターシャリ
−ブチル)−1−メチル−3−トリフルオロメチルピラ
ゾール−4−スルホンアミド15.6gを得た。融点1
26〜128℃次ぎに上記スルホンアミド10.5gを
乾燥テトラヒドロフラン2001に溶解し、−40〜−
50℃にてn−ブチルリチウム(15χヘキサン溶液)
75mlを加えた。
ロメチルピラゾール−4−スルホンアミドの合成 参考例3で得られたスルホニルクロライド14 、7g
を乾燥テトラヒドロフラン50m lに溶解し、乾燥テ
トラヒドロフラン50m1に溶解したターシャリ−ブチ
ルアミン12.9g中に0℃で滴下した。室温で1時間
攪拌後溶媒を留去した。次ぎに酢酸エチルで抽出し、希
塩酸洗浄、水洗、乾燥溶媒留去を行いN−(ターシャリ
−ブチル)−1−メチル−3−トリフルオロメチルピラ
ゾール−4−スルホンアミド15.6gを得た。融点1
26〜128℃次ぎに上記スルホンアミド10.5gを
乾燥テトラヒドロフラン2001に溶解し、−40〜−
50℃にてn−ブチルリチウム(15χヘキサン溶液)
75mlを加えた。
−50℃にて攪拌0.5時間後−40℃以下にて炭酸ガ
スを1.5時間吹き込んだ。反応終了後濃塩酸15m1
を含む氷水1001を加え、攪拌し有機層を分離し水層
を酢酸エチルで抽出した。有機層を合わせ、水洗、乾燥
後溶媒を留去し、析出した結晶を濾取し、エーテルで洗
浄するとN−(ターシャリ−ブチル)−5−カルボキシ
−1−メチル−3−トリフルオロメチルピラゾール−4
−スルホンアミド7.1gが得られた。 融点176〜
177℃得られたスルホンアミド6.5gをメタノール
150 R11に溶解し、塩化水素ガスで飽和させ、5
日間加熱還流した。反応終了後溶媒を留去し、析出した
結晶を濾取、少量の水及びエーテルで洗浄後乾燥すると
目的物3.8gが得られた。融点148〜150℃灸考
■ニエ 5−メトキシカルボニル−1−メチルピラゾール−4−
スルホンアミドの合成 (IIN−(ターシャリ−ブチル)−1−メチルピラゾ
ール−4−スルホンアミドの合成 ■−メチルピラゾールー4−スルホニルクロライド24
、6gを乾燥テトラヒドロフラン50m lに溶解し
乾燥テトラヒドロフラン15h+1に溶解したターシャ
リ−ブチルアミン40g中に冷却下滴下した。室温で1
夜間攪拌後溶媒を留去した。次ぎに酢酸エチルで抽出し
、希塩酸洗浄、水洗、乾燥溶媒留去を行いN−(ターシ
ャリ−ブチル)−1−メチルピラゾール−4−スルホン
アミド26g ヲ得た。
スを1.5時間吹き込んだ。反応終了後濃塩酸15m1
を含む氷水1001を加え、攪拌し有機層を分離し水層
を酢酸エチルで抽出した。有機層を合わせ、水洗、乾燥
後溶媒を留去し、析出した結晶を濾取し、エーテルで洗
浄するとN−(ターシャリ−ブチル)−5−カルボキシ
−1−メチル−3−トリフルオロメチルピラゾール−4
−スルホンアミド7.1gが得られた。 融点176〜
177℃得られたスルホンアミド6.5gをメタノール
150 R11に溶解し、塩化水素ガスで飽和させ、5
日間加熱還流した。反応終了後溶媒を留去し、析出した
結晶を濾取、少量の水及びエーテルで洗浄後乾燥すると
目的物3.8gが得られた。融点148〜150℃灸考
■ニエ 5−メトキシカルボニル−1−メチルピラゾール−4−
スルホンアミドの合成 (IIN−(ターシャリ−ブチル)−1−メチルピラゾ
ール−4−スルホンアミドの合成 ■−メチルピラゾールー4−スルホニルクロライド24
、6gを乾燥テトラヒドロフラン50m lに溶解し
乾燥テトラヒドロフラン15h+1に溶解したターシャ
リ−ブチルアミン40g中に冷却下滴下した。室温で1
夜間攪拌後溶媒を留去した。次ぎに酢酸エチルで抽出し
、希塩酸洗浄、水洗、乾燥溶媒留去を行いN−(ターシ
ャリ−ブチル)−1−メチルピラゾール−4−スルホン
アミド26g ヲ得た。
融点 99〜100℃
(21N−(ターシャリ−ブチル)−5−カルボキシ−
1−メチルピラゾール−4−スルホンアミドの合成 N−(ターシャリ−ブチル)−1−メチルピラゾール−
4−スルホンアミド13gを乾燥テトラヒドロフラン3
00m lに溶解し、−40〜−50℃にてn−ブチル
リチウム(15χヘキサン溶液)100mlを加えた。
1−メチルピラゾール−4−スルホンアミドの合成 N−(ターシャリ−ブチル)−1−メチルピラゾール−
4−スルホンアミド13gを乾燥テトラヒドロフラン3
00m lに溶解し、−40〜−50℃にてn−ブチル
リチウム(15χヘキサン溶液)100mlを加えた。
滴下後室温で1時間攪拌し次いで一30℃にて二酸化炭
素を吹き込み始め、その後室温にて3時間に渡って吹き
込み続けた。反応終了後濃塩酸18m1を含む氷水15
0+lllを加え、攪拌し有機層を分離し水層を酢酸エ
チルで抽出した。有機層を合わせ、水洗乾燥後溶媒を留
去し、析出した結晶を濾取し、エーテルで洗浄するとN
−(ターシャリ−ブチル)−5−カルボキシ−1−メチ
ルピラゾール−4−スルホンアミド11.0gが得られ
た。
素を吹き込み始め、その後室温にて3時間に渡って吹き
込み続けた。反応終了後濃塩酸18m1を含む氷水15
0+lllを加え、攪拌し有機層を分離し水層を酢酸エ
チルで抽出した。有機層を合わせ、水洗乾燥後溶媒を留
去し、析出した結晶を濾取し、エーテルで洗浄するとN
−(ターシャリ−ブチル)−5−カルボキシ−1−メチ
ルピラゾール−4−スルホンアミド11.0gが得られ
た。
融点178〜179℃
(3)5−メトキシカルボニル−1−メチルピラゾール
−4−スルホンアミドの合成 rl−(ターシャリ−ブチル)−5−カルボキシ−1−
メチルピラゾール−4−スルホンアミド9.7gをメタ
ノール300m1に溶解し、塩化水素ガスで飽和させ、
2日間加熱還流した。反応終了後溶媒を留去し、氷水2
00m1及び酢酸エチル200m1を加え攪拌した。有
機層を分離、水洗し乾燥後、溶媒を留去し析出した結晶
を濾別、エーテル−酢酸エチルにて洗浄することにより
目的化合物6.5gを得た。
−4−スルホンアミドの合成 rl−(ターシャリ−ブチル)−5−カルボキシ−1−
メチルピラゾール−4−スルホンアミド9.7gをメタ
ノール300m1に溶解し、塩化水素ガスで飽和させ、
2日間加熱還流した。反応終了後溶媒を留去し、氷水2
00m1及び酢酸エチル200m1を加え攪拌した。有
機層を分離、水洗し乾燥後、溶媒を留去し析出した結晶
を濾別、エーテル−酢酸エチルにて洗浄することにより
目的化合物6.5gを得た。
融点121〜122℃
上記参考例で得られた置換ピラゾールスルホンアミドを
用いて、本発明化合物の具体的な合成例を以下説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。
用いて、本発明化合物の具体的な合成例を以下説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。
裏施±
N−((4,6−シメトキシピリミジンー2−イル)ア
ミノカルボニルツー3−クロル−5−メトキシカルボニ
ル−1−メチルピラゾール−4=スルホンアミドの合成
(化合物Na15)3−クロル−5−メトキシカルボニ
ル−1−メチルピラゾール−4−スルホンアミド6.6
g、乾燥炭酸カリウム5.3gのアセトン50m lの
混合物にn−プチルイソシアナーH,8gを室温で加え
、加熱還流下、3時間攪拌した。反応後アセトンを減圧
留去し、残渣に氷水を加え、不溶物を濾過した。濾液を
塩酸で酸沈し、析出した結晶を濾別、水洗、乾燥LN−
(n−ブチルカルバモイル)−3−クロル−5−メトキ
シカルボニル−1−メチルピラゾール−4−スルホンア
ミド5.2gを得た。
ミノカルボニルツー3−クロル−5−メトキシカルボニ
ル−1−メチルピラゾール−4=スルホンアミドの合成
(化合物Na15)3−クロル−5−メトキシカルボニ
ル−1−メチルピラゾール−4−スルホンアミド6.6
g、乾燥炭酸カリウム5.3gのアセトン50m lの
混合物にn−プチルイソシアナーH,8gを室温で加え
、加熱還流下、3時間攪拌した。反応後アセトンを減圧
留去し、残渣に氷水を加え、不溶物を濾過した。濾液を
塩酸で酸沈し、析出した結晶を濾別、水洗、乾燥LN−
(n−ブチルカルバモイル)−3−クロル−5−メトキ
シカルボニル−1−メチルピラゾール−4−スルホンア
ミド5.2gを得た。
融点179〜181℃。
次いでこれを乾燥トルエン120m1中に加え加熱還流
下、ホスゲン4.2gを吹き込みその後さらに1.5時
間加熱還流した。反応終了後減圧濃縮し、粗スルホニル
イソシアナートを得た。この粗スルホニルイソシアナー
)0.98gを2−アミノ−4,6−ジメトキシピリミ
ジン400Bの乾燥アセトニトリル20n+ 1溶液に
加え、室温にて撹拌した。生成した結晶を濾別、洗浄、
乾燥することにより目的物0.8gを得た。
下、ホスゲン4.2gを吹き込みその後さらに1.5時
間加熱還流した。反応終了後減圧濃縮し、粗スルホニル
イソシアナートを得た。この粗スルホニルイソシアナー
)0.98gを2−アミノ−4,6−ジメトキシピリミ
ジン400Bの乾燥アセトニトリル20n+ 1溶液に
加え、室温にて撹拌した。生成した結晶を濾別、洗浄、
乾燥することにより目的物0.8gを得た。
融点199〜200℃
次に本発明に含まれる化合物の例を、前記実施例で合成
した化合物と以下第1表に示すが本発明化合物はこれら
に限定されるものではない。
した化合物と以下第1表に示すが本発明化合物はこれら
に限定されるものではない。
以下余白
発明化合物を除草剤として施用するにあたっては一般に
は適当な担体、例えばクレー、タルク、ベントナイト、
珪藻上等の固体担体あるいは水、アルコール(メタノー
ル、エタノール等) 、芳香族炭化水素類(ヘンゼン、
トルエン、キシレン等)、塩素化炭化水素類、エーテル
類、ケトン類、エステル類(酢酸エチル等)、酸アミド
類(ジメチルホルムアミド等)などの液体担体と混用し
て適用することができ、所望により乳化剤、分散剤、懸
濁剤、浸透剤、展着剤、安定剤などを添加し、液剤、乳
剤、水和剤、粉剤、粒剤等任意の剤型にて実用に供する
ことができる。
は適当な担体、例えばクレー、タルク、ベントナイト、
珪藻上等の固体担体あるいは水、アルコール(メタノー
ル、エタノール等) 、芳香族炭化水素類(ヘンゼン、
トルエン、キシレン等)、塩素化炭化水素類、エーテル
類、ケトン類、エステル類(酢酸エチル等)、酸アミド
類(ジメチルホルムアミド等)などの液体担体と混用し
て適用することができ、所望により乳化剤、分散剤、懸
濁剤、浸透剤、展着剤、安定剤などを添加し、液剤、乳
剤、水和剤、粉剤、粒剤等任意の剤型にて実用に供する
ことができる。
次に本発明化合物を有効成分とする除草剤の配合例を示
すがこれらのみに限定されるものではない。
すがこれらのみに限定されるものではない。
なお、以下の配合例において「部」は重量部を意味する
。
。
酊令鼾 水和剤
本発明化合物 撞)、 3 −−−−−−50部シーク
ライ1−A−−46部 (カオリン系クレー:ジ−クライト工業(■商品名)ツ
ルポール5039−〜−−−−−−−−− 2部(非イ
オン性界面活性剤とアニオン性界面活性剤との混合物:
東邦化学■商品名) カープレックス(固結防止剤)−−−−2部(ホワイト
カーボン:塩野義製薬■商品名)以上を均一に混合粉砕
して水和剤とする。使用に際しては上記水和剤を50〜
50,000倍に希釈して、有効成分量かへクタール当
たり0.005 kir〜10kgになるように散布す
る。
ライ1−A−−46部 (カオリン系クレー:ジ−クライト工業(■商品名)ツ
ルポール5039−〜−−−−−−−−− 2部(非イ
オン性界面活性剤とアニオン性界面活性剤との混合物:
東邦化学■商品名) カープレックス(固結防止剤)−−−−2部(ホワイト
カーボン:塩野義製薬■商品名)以上を均一に混合粉砕
して水和剤とする。使用に際しては上記水和剤を50〜
50,000倍に希釈して、有効成分量かへクタール当
たり0.005 kir〜10kgになるように散布す
る。
配合例2 水和剤
本発明化合物 N1117 ・−一−−−−−−75部
シータライトA −−−−−−・−−−−−−−−−−
−−−19部(カオリン系クレー:ジークライト工業■
商品名)ツルポール5039 −−−−−−−−−−−
−−− 2部(非イオン性界面活性剤とアニオン性界面
活性剤との混合物:東邦化学6K)商品名)カープレッ
クス(固結防止剤) −=−4部(ホワイトカーボン;
塩野義製薬■商品名)以上を均一に混合粉砕して水和剤
とする。
シータライトA −−−−−−・−−−−−−−−−−
−−−19部(カオリン系クレー:ジークライト工業■
商品名)ツルポール5039 −−−−−−−−−−−
−−− 2部(非イオン性界面活性剤とアニオン性界面
活性剤との混合物:東邦化学6K)商品名)カープレッ
クス(固結防止剤) −=−4部(ホワイトカーボン;
塩野義製薬■商品名)以上を均一に混合粉砕して水和剤
とする。
配合例3 水和剤
本発明化合物 隘14 −−−−−−−−−−−−−−
−−50部ジークライトA −−−−−−−−−−−−
−−−−−−−−16部(カオリン系クレー:ジークラ
イト工業■商品名)ツルポール5039 −−−−−−
−−−・−−−−−−−2部(非イオン性界面活性剤と
アニオン性界面活性剤との混合物:東邦化学■商品名) カープレックス(固結防止剤) −−−−−2部(ホワ
イトカーボン:塩野義製薬■商品名)以上を均一に混合
粉砕して水和剤とする。
−−50部ジークライトA −−−−−−−−−−−−
−−−−−−−−16部(カオリン系クレー:ジークラ
イト工業■商品名)ツルポール5039 −−−−−−
−−−・−−−−−−−2部(非イオン性界面活性剤と
アニオン性界面活性剤との混合物:東邦化学■商品名) カープレックス(固結防止剤) −−−−−2部(ホワ
イトカーボン:塩野義製薬■商品名)以上を均一に混合
粉砕して水和剤とする。
配合例4 水和剤
本発明化合物 陽20 −−−−−−−−−・−−−−
25部シータライトA −−−−−−−−−−−−一・
−−−−71部(カオリン系クレー:ジークライト工業
■商品名)ツルポール5039 −−−−−−−−−−
・−−−−2部(非イオン性界面活性剤とアニオン性界
面活性剤との混合物:東邦化学■商品名) カープレックス(固結防止剤)−−−−−2部(ホワイ
トカーボン:塩野義製薬■商品名)以上を均一に混合粉
砕して水和剤とする。
25部シータライトA −−−−−−−−−−−−一・
−−−−71部(カオリン系クレー:ジークライト工業
■商品名)ツルポール5039 −−−−−−−−−−
・−−−−2部(非イオン性界面活性剤とアニオン性界
面活性剤との混合物:東邦化学■商品名) カープレックス(固結防止剤)−−−−−2部(ホワイ
トカーボン:塩野義製薬■商品名)以上を均一に混合粉
砕して水和剤とする。
4畳1例擾〜 乳剤
本発明化合物 隘15−−−−・−・−−−〜−−2部
キ シ し ン −−−−−−−−−−−−−−−−−
78部ジメチルホルムアミド −・・−・−15部ツル
ポール2680 −一−−−−−−−−5部(非イオン
性界面活性剤とアニオン性界面活性剤との混合物:東邦
化学■商品名) 以上を均一に混合して乳剤とする。使用に際しては上記
乳剤をlO〜10,000倍に希釈して有効成分量がへ
クタール当たりO,’005kg〜10kgになるよう
に散布する。
キ シ し ン −−−−−−−−−−−−−−−−−
78部ジメチルホルムアミド −・・−・−15部ツル
ポール2680 −一−−−−−−−−5部(非イオン
性界面活性剤とアニオン性界面活性剤との混合物:東邦
化学■商品名) 以上を均一に混合して乳剤とする。使用に際しては上記
乳剤をlO〜10,000倍に希釈して有効成分量がへ
クタール当たりO,’005kg〜10kgになるよう
に散布する。
聞介桝五 フロアブル
本発明化合物 N11L16 −−−−−−−・−・2
5部アゲリシールS−710−・−・10部(非イオン
性界面活性剤:花王アトラス■商品名) ルノソクスI O00C−−−−”−−−−−0、5部
(アニオン性界面活性剤:東邦化学(■商品名)1%ロ
ドポール水 −・−−−−−−−−−−−−−−−−2
0部(増粘剤:ローン・ブーラン社商品名)水 −一−
−−−−−・−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
44、5部以上を均一に混合してフロアブル剤とする。
5部アゲリシールS−710−・−・10部(非イオン
性界面活性剤:花王アトラス■商品名) ルノソクスI O00C−−−−”−−−−−0、5部
(アニオン性界面活性剤:東邦化学(■商品名)1%ロ
ドポール水 −・−−−−−−−−−−−−−−−−2
0部(増粘剤:ローン・ブーラン社商品名)水 −一−
−−−−−・−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
44、5部以上を均一に混合してフロアブル剤とする。
配合例7− 粒剤
本発明化合物 階15 −−−−−−−”−・−0,1
部ベントナイト −−−−−−−−−−−−−−55,
0部タルク −−−−−−−−−−−−−44,9部以
上を均一に混合粉砕して後、少量の水を加えて撹拌混合
捏和し、押出式増粒機で増粒し、乾燥して粒剤にする。
部ベントナイト −−−−−−−−−−−−−−55,
0部タルク −−−−−−−−−−−−−44,9部以
上を均一に混合粉砕して後、少量の水を加えて撹拌混合
捏和し、押出式増粒機で増粒し、乾燥して粒剤にする。
配合例8 粒剤
本発明化合物 隘21 −−−−−−−−−−−−−
0.5部ベントナイト −−−−−−−−−−−−−−
”−55,0部タルク −−−−−−−−−−−−−−
−44,5部以上を均一に混合粉砕して後、少量の水を
加えて攪拌混合捏和し、押出式増粒機で増粒し、乾燥し
て粒剤にする。
0.5部ベントナイト −−−−−−−−−−−−−−
”−55,0部タルク −−−−−−−−−−−−−−
−44,5部以上を均一に混合粉砕して後、少量の水を
加えて攪拌混合捏和し、押出式増粒機で増粒し、乾燥し
て粒剤にする。
また、本発明化合物は必要に応じて製剤または散布時に
他種の除草剤、各種殺虫剤、殺菌剤、共力剤などと混合
施用しても良い。
他種の除草剤、各種殺虫剤、殺菌剤、共力剤などと混合
施用しても良い。
上記の他種の除草剤としては、例えば、ファーム・ケミ
カルズ、ハンドブック(Farm Chemicals
Handbook) 68版(1982)に記載されて
いる化合物などがある。
カルズ、ハンドブック(Farm Chemicals
Handbook) 68版(1982)に記載されて
いる化合物などがある。
なお、本発明化合物は畑地、水田、果樹園などの農園芸
分野以外に運動場、空地、線路端など非農耕地における
各種雑草の防除にも適用することができ、その施用薬量
は適用場面、施用時期、施用方法、対象草種、栽培作物
等により差異はあるが、一般には有効成分量としてヘク
タール当たり0.005〜10kg程度が適当である。
分野以外に運動場、空地、線路端など非農耕地における
各種雑草の防除にも適用することができ、その施用薬量
は適用場面、施用時期、施用方法、対象草種、栽培作物
等により差異はあるが、一般には有効成分量としてヘク
タール当たり0.005〜10kg程度が適当である。
次に、本発明化合物の除草剤としての有用性を以下の試
験例において具体的に説明する。
験例において具体的に説明する。
跋駿炎二上 土壌処理による除草効果試験縦15cm、
横22cm、深さ6cInのプラスチック製箱に殺菌し
た洪積土壌を入れ、稲、ノビエ、メヒシバ、カヤツリグ
サ、コアカザ、スヘリヒュ、ハキダメギク、イヌガラシ
、ワタを混播し、約1.5σ覆土した後有効成分量が所
定の割合となるように土壌表面へ均一に散布した。
横22cm、深さ6cInのプラスチック製箱に殺菌し
た洪積土壌を入れ、稲、ノビエ、メヒシバ、カヤツリグ
サ、コアカザ、スヘリヒュ、ハキダメギク、イヌガラシ
、ワタを混播し、約1.5σ覆土した後有効成分量が所
定の割合となるように土壌表面へ均一に散布した。
散布の際の薬液は、前記配合例の水和剤を水で希釈して
小型スプレーで全面に散布した。薬液散布4週間後に稲
および各種雑草に対する除草効果を下記の判定基準に従
い調査した。
小型スプレーで全面に散布した。薬液散布4週間後に稲
および各種雑草に対する除草効果を下記の判定基準に従
い調査した。
結果は第2表に示す。
本発明化合物のいくつかは、ある種の作物に対して選択
性を有する。
性を有する。
判定基準
5− 殺草率 90%以上(はとんど完全枯死)4−
殺草率 70〜90% 3− 殺草率 40〜70% 2−=殺草率 20〜40% 1− 殺草率 5〜20% 0−=−殺草率 5%以下(はとんど効力なし)但し、
上記の殺草率は、薬剤処理区の地上部生草重および無処
理区の地上部生草重を測定して下記の式によりめたもの
である。
殺草率 70〜90% 3− 殺草率 40〜70% 2−=殺草率 20〜40% 1− 殺草率 5〜20% 0−=−殺草率 5%以下(はとんど効力なし)但し、
上記の殺草率は、薬剤処理区の地上部生草重および無処
理区の地上部生草重を測定して下記の式によりめたもの
である。
成狡桝二↓ 茎葉処理による除草効果試験線15cm、
横22cI01深さ6■のプラスチック製箱に殺菌した
洪積土壌を入れ、稲、メヒシバ、カヤツリグサ、コアカ
ザ、スベリヒュ、ハキダメギク、イヌガラシ、トーモロ
コシ、ダイズ、コムギ、トマトの種子をそれぞれスポッ
ト状に播種し約1.5cI11覆土した。各種植物が2
〜3葉期に達したとき、有効成分量が所定の・割合とな
るように茎葉部へ均一に散布した。
横22cI01深さ6■のプラスチック製箱に殺菌した
洪積土壌を入れ、稲、メヒシバ、カヤツリグサ、コアカ
ザ、スベリヒュ、ハキダメギク、イヌガラシ、トーモロ
コシ、ダイズ、コムギ、トマトの種子をそれぞれスポッ
ト状に播種し約1.5cI11覆土した。各種植物が2
〜3葉期に達したとき、有効成分量が所定の・割合とな
るように茎葉部へ均一に散布した。
散布の際の薬液は、前記配合例の水和剤を水で希釈して
小型スプレーで各種雑草の茎葉部の全面に散布した。薬
液散布4週間後に稲および各種雑草に対する除草効果を
試験例−1の判定基準に従い調査した。
小型スプレーで各種雑草の茎葉部の全面に散布した。薬
液散布4週間後に稲および各種雑草に対する除草効果を
試験例−1の判定基準に従い調査した。
結果は第3表に示す。
以下余白
第2表
Claims (3)
- (1)一般式(I): C式中Aは水素原子または低級アルキル基を示す。Bは
水素原子、ハロゲン原子またはハロアルキル基を示す。 Dは水素原子、ハロアルキル基またはC0OR(Rは低
級アルキル基を示す。)を示す。XおよびYはそれぞれ
独立して低級アルキル基、低級アルコキシ基または−W
CHF z基(Wは酸素原子または硫黄原子を示す。 )を示し、Zは窒素原子または−CH=基を示す。〕で
表されるピラゾールスルホニルウレア誘導体。 - (2)一般式(■): 大 〔式中Aは水素原子または低級アルキル基を示す。Bは
水素原子、ハロゲン原子またはハロアルキル基を示す。 Dは水素原子、ハロアルキル基またはC0OR(Rは低
級アルキル基を示す。)を示す。〕 で表されるピラゾールスルホニルイソシアナート誘導体
と、 次式(■): 〔式中XおよびYはそれぞれ独立して低級アルキル基、
低級アルコキシ基または −WCHF2基(Wは酸素原子または硫黄原子を示す。 )を示し、Zは窒素原子または−CH−基を示す。〕 で表されるアミノピリミジンまたはアミノトリアジン誘
導体とを、不活性溶媒中で反応させることを特徴とする
一般式(I): 〔式中Aは水素原子または低級アルキル基を示す。Bは
水素原子、ハロゲン原子またはハロアルキル基を示す。 Dは水素原子、ハロアルキル基またはCO,0R(Rは
低級アルキル基を示す。)を示す。XおよびYはそれぞ
れ独立して低級アルキル基、低級アルコキシ基または−
WCHF2基(Wは酸素原子または硫黄原子を示す。)
を示し、Zは窒素原子または−CH−基を示す。〕で表
されるピラゾールスルホニルウレア誘導体の製法。 - (3)一般式(■): 〔式中Aは水素原子または低級アルキル基を示す。Bは
水素原子、ハロゲン原子またはハロアルキル基を示す。 Dは水素原子、ハロアルキル基またはC0OR(Rは低
級アルキル基を示す。)を示す。XおよびYはそれぞれ
独立して低級アルキル基、低級アルコキシ基または−W
CHF2基(Wは酸素原子または硫黄原子を示す。)を
示し、Zは窒素原子または−CH−基を示す。〕で表さ
れるピラゾールスルホニルウレア誘導体の1種または2
種以上を有効成分として含有することを特徴とする除草
剤。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10011084A JPS60243083A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | ピラゾ−ルスルホニルウレア誘導体、その製法および該誘導体を含有する除草剤 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10011084A JPS60243083A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | ピラゾ−ルスルホニルウレア誘導体、その製法および該誘導体を含有する除草剤 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60243083A true JPS60243083A (ja) | 1985-12-03 |
Family
ID=14265230
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10011084A Pending JPS60243083A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | ピラゾ−ルスルホニルウレア誘導体、その製法および該誘導体を含有する除草剤 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60243083A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06247642A (ja) * | 1993-02-22 | 1994-09-06 | Canon Inc | 自動原稿送り装置 |
WO2008072743A1 (ja) * | 2006-12-15 | 2008-06-19 | Ishihara Sangyo Kaisha, Ltd. | 新規ピラゾール化合物を中間体として用いるアントラニルアミド系化合物の製造方法 |
US12043626B2 (en) | 2021-10-01 | 2024-07-23 | Nuvalent, Inc. | Solid forms, pharmaceutical compositions and preparation of heteroaromatic macrocyclic ether compounds |
US12054498B2 (en) | 2020-05-05 | 2024-08-06 | Nuvalent, Inc. | Heteroaromatic macrocyclic ether chemotherapeutic agents |
-
1984
- 1984-05-18 JP JP10011084A patent/JPS60243083A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06247642A (ja) * | 1993-02-22 | 1994-09-06 | Canon Inc | 自動原稿送り装置 |
WO2008072743A1 (ja) * | 2006-12-15 | 2008-06-19 | Ishihara Sangyo Kaisha, Ltd. | 新規ピラゾール化合物を中間体として用いるアントラニルアミド系化合物の製造方法 |
US12054498B2 (en) | 2020-05-05 | 2024-08-06 | Nuvalent, Inc. | Heteroaromatic macrocyclic ether chemotherapeutic agents |
US12043626B2 (en) | 2021-10-01 | 2024-07-23 | Nuvalent, Inc. | Solid forms, pharmaceutical compositions and preparation of heteroaromatic macrocyclic ether compounds |
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