JPS60242579A - 磁気バブルメモリ装置の制御方法 - Google Patents
磁気バブルメモリ装置の制御方法Info
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- JPS60242579A JPS60242579A JP59096467A JP9646784A JPS60242579A JP S60242579 A JPS60242579 A JP S60242579A JP 59096467 A JP59096467 A JP 59096467A JP 9646784 A JP9646784 A JP 9646784A JP S60242579 A JPS60242579 A JP S60242579A
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- Japan
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- magnetic bubble
- bubble memory
- data
- memory device
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0875—Organisation of a plurality of magnetic shift registers
- G11C19/0883—Means for switching magnetic domains from one path into another path, i.e. transfer switches, swap gates or decoders
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/14—Protection against unauthorised use of memory or access to memory
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- G06F12/14—Protection against unauthorised use of memory or access to memory
- G06F12/1416—Protection against unauthorised use of memory or access to memory by checking the object accessibility, e.g. type of access defined by the memory independently of subject rights
- G06F12/1425—Protection against unauthorised use of memory or access to memory by checking the object accessibility, e.g. type of access defined by the memory independently of subject rights the protection being physical, e.g. cell, word, block
- G06F12/1433—Protection against unauthorised use of memory or access to memory by checking the object accessibility, e.g. type of access defined by the memory independently of subject rights the protection being physical, e.g. cell, word, block for a module or a part of a module
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- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0858—Generating, replicating or annihilating magnetic domains (also comprising different types of magnetic domains, e.g. "Hard Bubbles")
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- G11C—STATIC STORES
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- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0866—Detecting magnetic domains
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Storage Device Security (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気バブルメモリ装置の制御方法に係り、特に
記憶された情報の少なくとも一部を再書込み動作から保
護する際に好適な制御方法に関するものである。
記憶された情報の少なくとも一部を再書込み動作から保
護する際に好適な制御方法に関するものである。
近年、磁気バブルメモリ装置においては、例えば実開昭
58−72795号公報に開示されているように磁気バ
ブルメモリデバイスに書込まれている重要なデータを再
書込み動作により誤って消失してしまうことを防止する
ために、ライトプロテクト機能を備えている。これは外
部からの指示により書込み動作を禁止するもので、磁気
バブルメモリ制御装置内の特定のレジスタに例えば”ビ
を書込むことによって、あるいは特定の入力端子を例え
ば”H” レベルにすることによって以後の書込み動作
が実行されなくなる。
58−72795号公報に開示されているように磁気バ
ブルメモリデバイスに書込まれている重要なデータを再
書込み動作により誤って消失してしまうことを防止する
ために、ライトプロテクト機能を備えている。これは外
部からの指示により書込み動作を禁止するもので、磁気
バブルメモリ制御装置内の特定のレジスタに例えば”ビ
を書込むことによって、あるいは特定の入力端子を例え
ば”H” レベルにすることによって以後の書込み動作
が実行されなくなる。
しかしながら、このような方法は、例えば1つの磁気バ
ブルメモリデバイス内に書込まれた複数のファイルのう
ち、特定のファイルのみプロテクトしたいという場合に
は適さηい。そのためにはライトプロテクトが適用され
る範囲を規定する機能が必要となってくる。
ブルメモリデバイス内に書込まれた複数のファイルのう
ち、特定のファイルのみプロテクトしたいという場合に
は適さηい。そのためにはライトプロテクトが適用され
る範囲を規定する機能が必要となってくる。
したがって本発明は、前述した問題に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、磁気バブルメモリ
デバイス内の任意の指定された領域に対しては書込み命
令を実行しないようにしてそのデータを保護することを
可能にした磁気バブルメモリ装置の制御方法を提供する
ことにある。
のであり、その目的とするところは、磁気バブルメモリ
デバイス内の任意の指定された領域に対しては書込み命
令を実行しないようにしてそのデータを保護することを
可能にした磁気バブルメモリ装置の制御方法を提供する
ことにある。
このような目的を達成するために本発明は、磁気バブル
メモリデバイス内にライトプロテクト情報を書込み記憶
するための領域を設けたものである。すなわち、磁気バ
ブルメモリデバイスが磁気バブルメモリ装置から脱着又
換できるシステムもらるので、記憶されたデータの性質
や大きさの異る個々の磁気バブルメモリデバイスのプロ
テクト情報は磁気バブルメモリデバイス自体に記憶する
のが最も良い。tた、プロテクトしたい範囲が不連続な
複数の領域からなる場合も想定されるので。
メモリデバイス内にライトプロテクト情報を書込み記憶
するための領域を設けたものである。すなわち、磁気バ
ブルメモリデバイスが磁気バブルメモリ装置から脱着又
換できるシステムもらるので、記憶されたデータの性質
や大きさの異る個々の磁気バブルメモリデバイスのプロ
テクト情報は磁気バブルメモリデバイス自体に記憶する
のが最も良い。tた、プロテクトしたい範囲が不連続な
複数の領域からなる場合も想定されるので。
プロテクト情報も一般には複数組のデータとし、その数
はある上限値以下任意とする。この上限値は磁気バブル
メモリデバイス内に設けられたプロテクト情aを記憶す
る領域の大きさや磁気バブルメモリ制御装置の記憶容量
等によって決定される。
はある上限値以下任意とする。この上限値は磁気バブル
メモリデバイス内に設けられたプロテクト情aを記憶す
る領域の大きさや磁気バブルメモリ制御装置の記憶容量
等によって決定される。
さらにデータの数を任意とするためにこれ全磁気バブル
メモリ制御装置が効率良く検出するためにその数を特徴
付けるための情報をこれに付加する。
メモリ制御装置が効率良く検出するためにその数を特徴
付けるための情報をこれに付加する。
これらのプロテクト情報は磁気バブルメモリ制御装置に
初期設定ルーチンで、あるいは外部からの指示により検
出させ磁気バブルメモリ制御装置内のメモリに記憶させ
る。そして、外部から書込み命令を受付けたときにはこ
のデータを参照し、ライトプロテクト領域として指定式
れている領域であれば、命令を実行しないようにするも
のである。
初期設定ルーチンで、あるいは外部からの指示により検
出させ磁気バブルメモリ制御装置内のメモリに記憶させ
る。そして、外部から書込み命令を受付けたときにはこ
のデータを参照し、ライトプロテクト領域として指定式
れている領域であれば、命令を実行しないようにするも
のである。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳MK説明する。
図は本発明による磁気バブルメモリ装置の制御方法の一
例を説明するための磁気バブルメモリデバイスのマツプ
を示したものである。同図において、斜線部で示すlは
プロテクト情報を書込む領域、2,3.4はプロテクト
したい領域であシ、この場合、プロテクトしたい領域の
数は3である。
例を説明するための磁気バブルメモリデバイスのマツプ
を示したものである。同図において、斜線部で示すlは
プロテクト情報を書込む領域、2,3.4はプロテクト
したい領域であシ、この場合、プロテクトしたい領域の
数は3である。
また、aは領域2の初めのページの値、bはその終ジの
ページの値であj)、c、d、e’、fも領域3.4の
同様の値である。これらはすべて2バイトの値とする。
ページの値であj)、c、d、e’、fも領域3.4の
同様の値である。これらはすべて2バイトの値とする。
次に領mlに書込むプロテクトデータの様式の一例を下
百e表1に示す。
百e表1に示す。
表 1
この場合、表1において、第1バイト目のデータはプロ
テクトデータの組の数を表わし、第2バイト目からは前
述した領域1.2および3のそれぞれの初めのページと
終りのページとの値を表わしている。
テクトデータの組の数を表わし、第2バイト目からは前
述した領域1.2および3のそれぞれの初めのページと
終りのページとの値を表わしている。
そして、磁気バブルメモリ制御装置は、前述した最初の
データ3を認識し、これに続く3組のデ−夕を有効デー
タとして磁気バブルメモリデバイスから読み取って磁気
バブルメモリ制御装置内のメモリに記憶する。それ以降
のデータは無視する。
データ3を認識し、これに続く3組のデ−夕を有効デー
タとして磁気バブルメモリデバイスから読み取って磁気
バブルメモリ制御装置内のメモリに記憶する。それ以降
のデータは無視する。
その後、書込み命令を受付けると、指定された書込みペ
ージと、3組のプロテクト情報とを順次比較してゆき、
いずれの領域にも含まれない場合にのみ命令を実行する
ように磁気バブルメモリ制御装置をプログラムしておく
。
ージと、3組のプロテクト情報とを順次比較してゆき、
いずれの領域にも含まれない場合にのみ命令を実行する
ように磁気バブルメモリ制御装置をプログラムしておく
。
次に領域lに書込むプロテクト情報の様式の他の例を下
記表2に示す。
記表2に示す。
表 2
この様式では、各領域1,2.3の初めのページの値と
その領域の太き場とを1組のデータとし、3組のデータ
の直後にデータの終りを示すコード2が付加されている
。この場合、2の値はプロテクト情報と混同されないよ
うに例λばページを示す値としてはとり得ない値を選ぶ
必要がある。そして磁気バブルメモリ制御装置は、プロ
テクトデータを第1バイト目から順次読んでゆき、zf
認識したところでそれ以上プロテクト情報を読むこ 1
とを止める。以後の一理は前述の例と同じとなるので省
略する。この他にプロテクト情報の様式としては、前述
した2つの例の別の組合せも可能であることは言うまで
もない。
その領域の太き場とを1組のデータとし、3組のデータ
の直後にデータの終りを示すコード2が付加されている
。この場合、2の値はプロテクト情報と混同されないよ
うに例λばページを示す値としてはとり得ない値を選ぶ
必要がある。そして磁気バブルメモリ制御装置は、プロ
テクトデータを第1バイト目から順次読んでゆき、zf
認識したところでそれ以上プロテクト情報を読むこ 1
とを止める。以後の一理は前述の例と同じとなるので省
略する。この他にプロテクト情報の様式としては、前述
した2つの例の別の組合せも可能であることは言うまで
もない。
i!、た、プロテクトデータをデータ書込み領域以外の
領域、例えば冗長ループに書込んでも同様の効果が得ら
れることは勿論である。
領域、例えば冗長ループに書込んでも同様の効果が得ら
れることは勿論である。
以上説明したように本発明によれば、磁気バブルメモリ
デバイス内の任意の領域をライトプロテクトすることが
可能となるとともに、電源の切断や磁気バブルメモリデ
バイスの脱着、交換に対してもプロテクト情報をプロテ
クトするデータと一体化して保持できることおよびプロ
グラムによってその内容を容易に制御できるなどの極め
て優れた効果が得られる。
デバイス内の任意の領域をライトプロテクトすることが
可能となるとともに、電源の切断や磁気バブルメモリデ
バイスの脱着、交換に対してもプロテクト情報をプロテ
クトするデータと一体化して保持できることおよびプロ
グラムによってその内容を容易に制御できるなどの極め
て優れた効果が得られる。
図は本発明による磁気バブルメモリ装置の制御方法の一
例を説明するための磁気バブルメモリデバイスのメモリ
マツプである。 l・・・・ライトプロテクト情報記憶領域、2,3゜4
・・・・ライトプロテクト領域。
例を説明するための磁気バブルメモリデバイスのメモリ
マツプである。 l・・・・ライトプロテクト情報記憶領域、2,3゜4
・・・・ライトプロテクト領域。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 少なくとも磁気バブルを書込み、読出しおよび記
憶する磁気バブルメモリデバイスと、前記磁気バブルメ
モリデバイスの動作を制御する磁気バブルメモリ制御装
置とを備えた磁気バブルメモリ装置において、前記磁気
バブルメモリデバイスに、書込み禁止範囲を規定する複
数組のデータと、その数を特徴付けるコードとを記憶さ
せ、前記磁気バブルメモリ制御装置が前記記憶させたデ
ータおよびコードを検出して前記磁気バブルメモリデバ
イスの対応する範囲の記憶データを書込み動作から保護
することを特徴とした磁気バブルメモリ装置の制御方法
。 2、 前記データおよびコードを、データ書込み領域の
第1頁目に書込むことを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の磁気バプルメそり装置の制御方法。 3、 前記データおよびコードを、データ書込み領域以
外の専用ループに書込むことを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の磁気バブルメモリ装置の制御方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59096467A JPS60242579A (ja) | 1984-05-16 | 1984-05-16 | 磁気バブルメモリ装置の制御方法 |
US06/734,606 US4734884A (en) | 1984-05-16 | 1985-05-16 | Magnetic bubble memory system with function of protecting specific storage area of bubble memory from rewriting |
GB08512420A GB2161002B (en) | 1984-05-16 | 1985-05-16 | A magnetic bubble memory system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59096467A JPS60242579A (ja) | 1984-05-16 | 1984-05-16 | 磁気バブルメモリ装置の制御方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60242579A true JPS60242579A (ja) | 1985-12-02 |
Family
ID=14165835
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59096467A Pending JPS60242579A (ja) | 1984-05-16 | 1984-05-16 | 磁気バブルメモリ装置の制御方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4734884A (ja) |
JP (1) | JPS60242579A (ja) |
GB (1) | GB2161002B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2625592B1 (fr) * | 1988-01-05 | 1992-06-19 | Commissariat Energie Atomique | Memoire a bulles magnetiques en technologie hybride |
JP3970716B2 (ja) * | 2002-08-05 | 2007-09-05 | 松下電器産業株式会社 | 半導体記憶装置およびその検査方法 |
US7277433B2 (en) * | 2003-08-07 | 2007-10-02 | Cisco Technology, Inc. | Switch for implementing read only zones in a fibre channel fabric |
US20110225654A1 (en) * | 2008-08-25 | 2011-09-15 | Mao-Huai Weng | Write-Proof Protection Method of a Storage Device |
DE102013203365A1 (de) * | 2013-02-28 | 2014-08-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren und Schaltungsanordnung für kontrollierte Zugriffe auf Slave-Einheiten in einem Ein-Chip-System |
JP6927228B2 (ja) * | 2016-09-16 | 2021-08-25 | ソニーグループ株式会社 | メモリコントローラ、メモリシステム、情報システムおよびメモリ制御方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3792450A (en) * | 1972-05-08 | 1974-02-12 | Singer Co | System for overcoming faults in magnetic anisotropic material |
JPS5363823A (en) * | 1976-11-19 | 1978-06-07 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble cassette memory |
US4159412A (en) * | 1977-02-11 | 1979-06-26 | Texas Instruments Incorporated | Magnetic bubble memory chip synchronization and redundancy |
JPS53121428A (en) * | 1977-03-31 | 1978-10-23 | Toshiba Corp | Memory managing unit |
GB2018477B (en) * | 1978-04-07 | 1982-10-13 | Secr Defence | Memory protection |
JPS5568000A (en) * | 1978-11-13 | 1980-05-22 | Ibm | Maintenance and protection of control storage capable of writing |
US4301516A (en) * | 1979-12-12 | 1981-11-17 | Ncr Corporation | Bubble memory storage unit |
GB2088104B (en) * | 1980-11-21 | 1984-05-31 | Gen Electric Co Ltd | Data memories |
US4498146A (en) * | 1982-07-30 | 1985-02-05 | At&T Bell Laboratories | Management of defects in storage media |
JPS60117482A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-24 | Hitachi Ltd | 磁気バブルフアイル装置 |
-
1984
- 1984-05-16 JP JP59096467A patent/JPS60242579A/ja active Pending
-
1985
- 1985-05-16 US US06/734,606 patent/US4734884A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-05-16 GB GB08512420A patent/GB2161002B/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4734884A (en) | 1988-03-29 |
GB2161002B (en) | 1988-05-25 |
GB8512420D0 (en) | 1985-06-19 |
GB2161002A (en) | 1986-01-02 |
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