JPS60240183A - 厚膜パタ−ンの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、厚膜・母ターンの形成方法に係ｐ１特に、微
細パターンの形成方法に関するものである。

〔従来技術〕

厚膜法は、製造が簡単で、製造設備も安価なものが多く
、開発コストも低くてすみ、膜の強度も大であることか
ら、広い分野での使用が進められてきている技術である
が、膜厚が大であシ、あまシ細かい回路パターンを形成
するのは困難である点で、使用範囲に限界があった。

近年、この厚膜で微細パターンを形成すべく、厚膜形成
後にフォ）　ＩＪメソゲラフィー法導入し、エツチング
によって・ぐターン形成を行なう方法等も試みられてい
る。しかしながら、厚膜は膜厚が大であることがら工、
チング時間を長くとらなければならず下地をいためたシ
する上、サイドエッチも生じ易く、微細パターンを精度
良く形成するのは困難であった。

〔発明の目的〕

本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、微細厚膜
・ぐターンを精度良く形成することを目的とする。

〔発明の構成〕

上記目的を達成するため、本発明は通常の方法で厚膜層
を形成した後、該厚膜層の所望の部分からガラス成分の
みを選択的に除去することにょシ、所望の形状の厚膜・
母ターンを形成するものである。

〔実施例〕

以下、本発明実施例の厚膜・やターンの形成方法につい
て、図面を参照しつつ詳細に説明する。

まず、第１図に示す如くアルミナ基板１上にＲＺ−ＧＺ
と指称されている日中マッセイ社Ｍ　ｔＤ　シート抵抗
の高い抵抗ペーストをインクとし、スクリーン印刷法に
よって、所望の形状の第１の厚膜・ぐターン２を形成し
、９００℃に加熱した焼成炉中で、焼成する。

次いで、第２図に示す如く、フォトリソ法によシ、前記
第１の厚膜パターン上に、レジスト・クターン３を形成
した後、弗硝酸溶液に浸漬し、該レジスト・タターン３
をマスクとしてエツチングを行なう。

このようにして、レジスト・母ターン３から露呈した領
域にある第１の厚膜パターンからガラス成分のみがエツ
チング除去され、レジストパターンを除去した後９００
℃で再焼成することによシ、第３図に示す如く第２の厚
膜・母ターン４が形成される。

ここで、形成される第２の厚膜パターンは、ガラス成分
を除去されて、抵抗値が第１の厚膜・母ターンに比べて
小さくなっておシ、はっきシと膜特性の区分された領域
となっている。そして、ガラス成分のみがエツチング除
去されることに・より形成されるため、エツチング時間
も短かくてすむため、サイドエッチ量も下地層への影響
度も小さく、微細・やターンが寸法精度良く形成されて
いる。従って、この第２の厚膜・臂ターンに電流を流し
、発熱抵抗体として用いる場合にも、ばらつきのない均
一な発熱量をもつ発熱抵抗体となる。

ところで、この第１の厚膜・臂ターンから第２の厚膜・
ぐターンに移る際の抵抗体の組成変化は第４ネ）慢乃至
第評モ函に示す如くである。第１の厚膜Ｒｕ　Ｏ２のチ
ェーンＲの間にガラス成分のチェーンＧ酸化ルテニウム
のチェー７８０間に空間が存在しターンＲの層となる。

なお、実施例においては、抵抗体の・中ターン形成につ
いて説明したが、必ずしも抵抗体の場合に限定されるも
のではなく、導体・母ターンの場合にも適用可能である
。

また、厚膜法によって多層配線パターンを形成する場合
等、厚膜パターン上に更に他の厚膜・ぐターンを重ねる
ようなとき、厚膜は膜厚が大であるため、上層にいく程
、厚膜・母ターン表面には下層の影響を受けて大きな段
差を形成してしまうことがある。この段差は、基板表面
を薄い保護膜で被覆する場合、あるいはさらに上層に薄
膜・ぐターンの形感がなされたシする場合には、段差部
で膜が切れたシする等、いろいろな不都合を生じること
がある。

この場合、本発明においてガラス成分除去後の厚膜パタ
ーンの膜厚が小さくなることを利用し、前記段差を緩和
するととも可能である。

例えば、第５図に示す如く、絶縁性基板ｌｌ上に厚膜法
によって第１の導体層１２を形成し、その上に抵抗体層
１３を形成する。

次いで、前記第１の導体層１２の存在によって表面から
隆起した状態にある抵抗体層の部分のみが露呈するよう
に、レジストパターンを形成し、これをマスクとして弗
硝酸溶液に浸漬して、露呈部の抵抗体層からガラス成分
をエツチング除去した後、焼成し、第６図に示す如く、
隆起部を低くする。

そして更に、この上に第２の導体層１４を第７図に示す
如く蒸着法によって形成する。

このようにして形成された多層基板では、抵抗体層表面
にほとんど段差がなくなっているため、この上に形成さ
れる導体薄膜、すなわち第２の導体層は、膜厚が薄くて
も、段切れを生じたシすることなく、信頼性の高いもの
となる。

なお、ここで、ガラス成分をエツチング除去され膜厚の
小さくなった部分の抵抗体層では、組成変化のために、
膜の特性が変化しているため、特性変化を考慮した上で
のパターン設計を行なう必要がある。

〔発明の効果〕

以上説明してきたように、本発明の方法によれば、通常
の厚膜法によりて、厚膜層を形成した後、該厚膜層の所
望の部分からガラス成分のみを選択的に除去し、所望の
形状の厚膜パターンを形成しているため、微細・ヂター
ンを寸法精度良く形成することが可能となる。

加えて、ガラス成分除去後の該厚膜層では、膜厚が低下
するため、これを利用して、多層配線基板等における表
面の段差の緩和を行なうことも可能である。

【図面の簡単な説明】

は、本発明の方法による厚膜層の組成変化を説明するた
めの図、第５図乃至第７図は、本発明の他の実施例であ
る多層基板の製造工程を示す図である。 １・・・アルミナ基板、２・・・第１の厚膜・９ターン
、３・・・レジストノリ−ン、４・・・第２０厚膜パタ
ーン、Ｒ・・・酸化ルテニウムのチェーン、Ｇ・・・ガ
ラス成分のチェーン、１１・・・絶縁性基板、１２・・
・第１の導体層、１３・・・抵抗体層、１４・・・第２
の導体層。 第１図 第２図 第３図 第４図（Ｃ１） 第４図（ｂ） 第４図（Ｃ） ρ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上にスクリーン印刷、および焼成によって厚
   膜層を形成する第１の工程と、該厚膜層の所望の部分か
   らガラス成分のみを選択的に除去する第２の工程とから
   なることを特徴とする厚膜パターンの形成方法。
2. （２）前記第２の工程は、所望の・ぐターン形状のフォ
   トマスクを用いたフォトリソエツチング工程と焼成工程
   とからなることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項
   記載の厚膜パターンの形成方法。