JPS60236275A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
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- JPS60236275A JPS60236275A JP59094866A JP9486684A JPS60236275A JP S60236275 A JPS60236275 A JP S60236275A JP 59094866 A JP59094866 A JP 59094866A JP 9486684 A JP9486684 A JP 9486684A JP S60236275 A JPS60236275 A JP S60236275A
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- JP
- Japan
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- electrode
- semiconductor laser
- light
- surface acoustic
- upper electrode
- Prior art date
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0607—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature
-
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/1234—Actively induced grating, e.g. acoustically or electrically induced
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、光通信や光計測の光源として用いる半導体
レーザに関するものである。
レーザに関するものである。
第１図は従来の利（Ｍ導波形の半導体レーザの外観図を
示し、図において、１はｎ−ＧａＡｓ基扱、２はｎ−Ａ
６ｙＧａｌ−ｙＡｓＷ、３はＰ−へ１ｘＧａ１−ｘＡｓ
層、４はＰ−ＡＩ！ｙＧａ＋−ｙＡｓｌｉＪ、５はＰ−
ＧａＡｓＪ！ｆ、６は上部電極、７は下部電極、８は５
ｉ０２膜（絶縁膜）である。
示し、図において、１はｎ−ＧａＡｓ基扱、２はｎ−Ａ
６ｙＧａｌ−ｙＡｓＷ、３はＰ−へ１ｘＧａ１−ｘＡｓ
層、４はＰ−ＡＩ！ｙＧａ＋−ｙＡｓｌｉＪ、５はＰ−
ＧａＡｓＪ！ｆ、６は上部電極、７は下部電極、８は５
ｉ０２膜（絶縁膜）である。
次に動作について説明する。
上部電極６より電界を印加し、電流をＰ Ａ７！ｘＧａ
１−ｘＡｓ層３に注入ずれば、活性領域で電子が励起さ
れ、ホールと再結合して光を放出し、ファブリペロ−・
モードでレーザ発振する。このとき、上部電極６はスト
ライプ状となっているので、注入電流をストライプ状の
狭い領域に隼申させ、キャリアの分布により光の閉し込
めを行ない、横モードを制御している。
１−ｘＡｓ層３に注入ずれば、活性領域で電子が励起さ
れ、ホールと再結合して光を放出し、ファブリペロ−・
モードでレーザ発振する。このとき、上部電極６はスト
ライプ状となっているので、注入電流をストライプ状の
狭い領域に隼申させ、キャリアの分布により光の閉し込
めを行ない、横モードを制御している。
従来のストライプ構造の半導体レーザは以Ｉ−のように
構成されているので、キャリア注入領域が広がり、活性
層幅が増大するので横モードが不安定になるなどの欠点
があった。また、横モー１を安定にするには、半導体レ
ーザを利得導波形から屈折率導波形にする必要があり、
そのためにＬＪ製作プロセスが複雑になるなどの欠点が
あった。
構成されているので、キャリア注入領域が広がり、活性
層幅が増大するので横モードが不安定になるなどの欠点
があった。また、横モー１を安定にするには、半導体レ
ーザを利得導波形から屈折率導波形にする必要があり、
そのためにＬＪ製作プロセスが複雑になるなどの欠点が
あった。
この発明は」二記のような従来のものの欠点を除去する
ためになされたもので、Ｌ部電極Ｊ又は診１一部電極直
下の絶縁成上に圧電性成を形成し、該圧電性膜１−にく
し形電極を形成して、光伝搬方向に弾性表面波を励振さ
せることにより、簡単な製作プロセスで、横モートを安
定化できる半導体し・＝ザを擢供することを目的として
いる。
ためになされたもので、Ｌ部電極Ｊ又は診１一部電極直
下の絶縁成上に圧電性成を形成し、該圧電性膜１−にく
し形電極を形成して、光伝搬方向に弾性表面波を励振さ
せることにより、簡単な製作プロセスで、横モートを安
定化できる半導体し・＝ザを擢供することを目的として
いる。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第２図は本発明の一実施例による半導体レーザの外観図
を示す。第２図において、第１図と同一符号は同−又は
相当部分を示し、９はＬ部電極６上に形成されたＺｎＯ
圧電性股、１０はＩ−記ＺｎＯ圧電性股９」−に形成さ
ね光転１頒方向に伝搬するよう弾性表面波（ＳＡＷ）を
励振するためのくし形電極（以下ＩＤＴと記す）である
。
を示す。第２図において、第１図と同一符号は同−又は
相当部分を示し、９はＬ部電極６上に形成されたＺｎＯ
圧電性股、１０はＩ−記ＺｎＯ圧電性股９」−に形成さ
ね光転１頒方向に伝搬するよう弾性表面波（ＳＡＷ）を
励振するためのくし形電極（以下ＩＤＴと記す）である
。
次に動作について説明する。
第２図において、上部電極６より電界を印加し、電流を
Ｐ−Ａｅ ｘＧａ １−ｘＡｓ層３に注入ずれば、活性
領域で電子が励起され、ボールと百結合して光を放出す
る。この時、ＺｎＯ圧電性膜９上に形成されたＩＤＴｌ
０により、弾性表面波を励振し、該表面波が光伝搬方向
に伝搬すると、ｌ＋＋ｉ （！）領域においては光はブ
ラッグｌ！１８１折さね、Ｄ Ｆ Ｈモー１で発振する
。ＩＤＴｌ０の電極１ｈ交Ａ： ’ｌ’！ｉｆをｌ Ｑ
）ｔ ｍ程度にすれば、レーザ発振領域幅もＩ Ｏ／
Ｉ ｒｎｎ回度なるので、横モードは安定化する。
Ｐ−Ａｅ ｘＧａ １−ｘＡｓ層３に注入ずれば、活性
領域で電子が励起され、ボールと百結合して光を放出す
る。この時、ＺｎＯ圧電性膜９上に形成されたＩＤＴｌ
０により、弾性表面波を励振し、該表面波が光伝搬方向
に伝搬すると、ｌ＋＋ｉ （！）領域においては光はブ
ラッグｌ！１８１折さね、Ｄ Ｆ Ｈモー１で発振する
。ＩＤＴｌ０の電極１ｈ交Ａ： ’ｌ’！ｉｆをｌ Ｑ
）ｔ ｍ程度にすれば、レーザ発振領域幅もＩ Ｏ／
Ｉ ｒｎｎ回度なるので、横モードは安定化する。
このように本実施例半導体レーデでは、上部′１゛ｂ極
６上に形成されたＺｎＯ圧電性股９−ｌｘにＩ Ｉ）
−ｒｌｏを設けて弾性表面波を励振するようにしたので
、かつＩＤＴｌ０の電極指交差幅に応して、レーザ発振
領域幅を制御でき、その結果構モー１を安定化できる。
６上に形成されたＺｎＯ圧電性股９−ｌｘにＩ Ｉ）
−ｒｌｏを設けて弾性表面波を励振するようにしたので
、かつＩＤＴｌ０の電極指交差幅に応して、レーザ発振
領域幅を制御でき、その結果構モー１を安定化できる。
なお、上記実施例ではＧ ａ Ａ Ｉ Ａ ？＋ダブル
へテロ構造の利得導波形の半導体レーザに１ＤＴｌ。
へテロ構造の利得導波形の半導体レーザに１ＤＴｌ。
を設りたものを示したが、材料及び構造は他のものであ
ってもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。
ってもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。
また、上記実施例では、半導体レーザの一１部電極６上
にＩＤＴｌ０を設けたＤＦＢレーザについて述べたが、
第３図のこの発明の他の実施例の、１、うに、５ｉ０２
膜８の図示略左２１ト部、右里部ｉ−而に各々電流注入
部分１弾性表面波励振部分を形成して両者を分離しても
よい。
にＩＤＴｌ０を設けたＤＦＢレーザについて述べたが、
第３図のこの発明の他の実施例の、１、うに、５ｉ０２
膜８の図示略左２１ト部、右里部ｉ−而に各々電流注入
部分１弾性表面波励振部分を形成して両者を分離しても
よい。
また、−上記実施例では進行波弾性表面波を利用する場
合について述べたが、弾性表面波の定在波を用いてもよ
い。
合について述べたが、弾性表面波の定在波を用いてもよ
い。
以上のように、この発明に係る半導体レーザによれば、
半導体レーザ上に、弾性表面波が光伝搬方向に励振する
ようくし形電極を構成したので、簡単なプロセスにより
、横モートを安定化さセることができるという効果があ
る。
半導体レーザ上に、弾性表面波が光伝搬方向に励振する
ようくし形電極を構成したので、簡単なプロセスにより
、横モートを安定化さセることができるという効果があ
る。
第１図は従来の利得導波形の半導体レーザの外観図、第
２図はこの発明の一実施例による半導体レーザの外観図
、第３図はこの発明の他の実施例による半導体レーザの
外観図である。 ６・・・上部電極、８・・・５ｉ０２膜（絶縁膜）、９
・・・ＺｎＯ圧電性腺、１０・・・くし形電極。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄
２図はこの発明の一実施例による半導体レーザの外観図
、第３図はこの発明の他の実施例による半導体レーザの
外観図である。 ６・・・上部電極、８・・・５ｉ０２膜（絶縁膜）、９
・・・ＺｎＯ圧電性腺、１０・・・くし形電極。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄
Claims (1)
- （１） 利得導波形の半導体レーザにおいて、上部電極
上又は該上部電極直下の絶縁腟上に形成された圧電性成
と、該圧電性膜上に形成され光伝撤方向に伝搬するよう
弾性表面波を励振するためのくし形電極とを備えたこと
を特徴とする）１′導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59094866A JPS60236275A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59094866A JPS60236275A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60236275A true JPS60236275A (ja) | 1985-11-25 |
Family
ID=14121961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59094866A Pending JPS60236275A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60236275A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1038419C2 (en) * | 2010-12-02 | 2012-06-05 | Rotterdam Res B V | Wavelength tunable laser diode comprising a surface acoustic wave generator. |
| EP2866315A3 (de) * | 2013-10-25 | 2015-08-12 | Nanoplus Nanosystems and Technologies GmbH | Halbleiterlaserdiode mit einstellbarer Emissionswellenlänge |
-
1984
- 1984-05-09 JP JP59094866A patent/JPS60236275A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1038419C2 (en) * | 2010-12-02 | 2012-06-05 | Rotterdam Res B V | Wavelength tunable laser diode comprising a surface acoustic wave generator. |
| EP2866315A3 (de) * | 2013-10-25 | 2015-08-12 | Nanoplus Nanosystems and Technologies GmbH | Halbleiterlaserdiode mit einstellbarer Emissionswellenlänge |
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