JPS60236276A - 多波長半導体レ−ザ - Google Patents
多波長半導体レ−ザInfo
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- JPS60236276A JPS60236276A JP59094867A JP9486784A JPS60236276A JP S60236276 A JPS60236276 A JP S60236276A JP 59094867 A JP59094867 A JP 59094867A JP 9486784 A JP9486784 A JP 9486784A JP S60236276 A JPS60236276 A JP S60236276A
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- JP
- Japan
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- light
- electrodes
- layer
- wavelength
- different
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1234—Actively induced grating, e.g. acoustically or electrically induced
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4087—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、光通信や光計測の光源として用いる多波長
半導体レーザに関するものである。
半導体レーザに関するものである。
第1図は例えば特開昭58−92289号公報に示され
た、従来の弾性表面波を用いて単−縦モード発振を生じ
させる半導体レーザの外観図を示し、図において、1は
n−GaAs基板、2はn−Gax A l、−。
た、従来の弾性表面波を用いて単−縦モード発振を生じ
させる半導体レーザの外観図を示し、図において、1は
n−GaAs基板、2はn−Gax A l、−。
AsIW、3は光閉じ込め層であるr’−GaAs N
、4はP−Gay A l1l−yAsJW−5はP−
GaAs N、6は下部電極、7は上部電極、8はZn
O膜、10は電極間ピッチの異なるくし形電極(以下I
DTと記す)、Aはレーザ出射光である。
、4はP−Gay A l1l−yAsJW−5はP−
GaAs N、6は下部電極、7は上部電極、8はZn
O膜、10は電極間ピッチの異なるくし形電極(以下I
DTと記す)、Aはレーザ出射光である。
次に動作について説明する。第1図において、IDTl
0に周波数fの電界を印加すると、弾性表面波(以下S
AWと記す)が発生し、P−GaAs層3上に沿って光
出射方向に伝搬する。このSAWにより、単−縦モード
レーザ発振を生しさせることができ、しかもIDTl0
への印加電界の周波数rを変化させると、レーザの発振
波長λを変化させることができる。しかも、IDTl0
の電極間ピッチを異なるように形成しておけば、I I
)TIOへの印加周波数をΔfずつ変化させるごとに対
応して、発振波長をΔλずつ変化さ・lることができる
。
0に周波数fの電界を印加すると、弾性表面波(以下S
AWと記す)が発生し、P−GaAs層3上に沿って光
出射方向に伝搬する。このSAWにより、単−縦モード
レーザ発振を生しさせることができ、しかもIDTl0
への印加電界の周波数rを変化させると、レーザの発振
波長λを変化させることができる。しかも、IDTl0
の電極間ピッチを異なるように形成しておけば、I I
)TIOへの印加周波数をΔfずつ変化させるごとに対
応して、発振波長をΔλずつ変化さ・lることができる
。
従来の多波長半導体レーザは以上のように構成されてい
るので、単−縦モード発振が可能でかつ発振周波数を変
えることが可能であるが、波長の異なった光を同時にか
つ空間的に分離して発振させることはできないという欠
点があった。
るので、単−縦モード発振が可能でかつ発振周波数を変
えることが可能であるが、波長の異なった光を同時にか
つ空間的に分離して発振させることはできないという欠
点があった。
この発明は、」二記のような従来のものの欠点を除去す
るためになされたもので、光閉じ込めJi上に複数のく
し形電極を、それぞれの電極間ピッチを変えて光伝搬方
向に並列に設けることにより、発振波長の異なった光を
同時にかつ空間的に分離して取り出すことのできる多波
長半導体レーザを提供するものである。
るためになされたもので、光閉じ込めJi上に複数のく
し形電極を、それぞれの電極間ピッチを変えて光伝搬方
向に並列に設けることにより、発振波長の異なった光を
同時にかつ空間的に分離して取り出すことのできる多波
長半導体レーザを提供するものである。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第2図は本発明の一実施例による多波長半導体レーザを
示す。第2図において、第1図と同一符号は同−又は相
当部分を示し、loa、]Ob及びlocはそれぞれお
互いの電極間ピンチが異なるくし形電極(IDT)であ
り、該各IDTl0a、10b、locは光閉し込め層
、即ちP−GaAs7M3上に光転IM方向に並列に設
けられている。
示す。第2図において、第1図と同一符号は同−又は相
当部分を示し、loa、]Ob及びlocはそれぞれお
互いの電極間ピンチが異なるくし形電極(IDT)であ
り、該各IDTl0a、10b、locは光閉し込め層
、即ちP−GaAs7M3上に光転IM方向に並列に設
けられている。
Aa、Ab及びAcは上記それぞれのIDTl0a、]
Ob、10cから発ηユした波長の異なる弾性表面波(
SAW)により制御されたレーザ出射光である。
Ob、10cから発ηユした波長の異なる弾性表面波(
SAW)により制御されたレーザ出射光である。
次に動作について説明する。
各IDTl0a、10b、10cのそれぞれの電極間ピ
ッチに対応した周波数ra、fb、fcの電界を各ID
T10a、10b、IOcに印加する。この時、各ID
T]Oa、]Ob、IOCにおいてそれぞれ異なる波長
Δa、Δb、ACのSAWが発生し、これらがP−Ga
As 層3−1−に沿って光出射方向に伝搬する。する
と該P−GaAs m 3内ではこのSAWによるブラ
ッグ反射が起こり、単−縦モード発振を各IDT直下の
各々の領域で生しさせることができ、それぞれ、式 λ−2n八/mn;活性層の屈折率 m;ブラッグ回折の次数 を満足する波長λa、Ab、λ(のレーザ光がiiIら
れる。このようにして、波長の異なったレーザ光を空間
的に分離し、独立に取り出すことができる。
ッチに対応した周波数ra、fb、fcの電界を各ID
T10a、10b、IOcに印加する。この時、各ID
T]Oa、]Ob、IOCにおいてそれぞれ異なる波長
Δa、Δb、ACのSAWが発生し、これらがP−Ga
As 層3−1−に沿って光出射方向に伝搬する。する
と該P−GaAs m 3内ではこのSAWによるブラ
ッグ反射が起こり、単−縦モード発振を各IDT直下の
各々の領域で生しさせることができ、それぞれ、式 λ−2n八/mn;活性層の屈折率 m;ブラッグ回折の次数 を満足する波長λa、Ab、λ(のレーザ光がiiIら
れる。このようにして、波長の異なったレーザ光を空間
的に分離し、独立に取り出すことができる。
このように本実施例の多波長半導体レーザでは、それぞ
れ電極間ピッチが気なる3つのIDTl0a、lOb、
10cを光伝搬方向に並列に設け、これらによりそれぞ
れ異なる波長を有する3つのSAWを励振さ・Uるよう
にしたので、単−縦モート発振をそれぞれの領域で生し
させることができ、その結果それぞれの領域から波長の
異なる3つのレーザ光Aa、Ab、ACを同時にかつ空
間的に分離して取り出すことができる。
れ電極間ピッチが気なる3つのIDTl0a、lOb、
10cを光伝搬方向に並列に設け、これらによりそれぞ
れ異なる波長を有する3つのSAWを励振さ・Uるよう
にしたので、単−縦モート発振をそれぞれの領域で生し
させることができ、その結果それぞれの領域から波長の
異なる3つのレーザ光Aa、Ab、ACを同時にかつ空
間的に分離して取り出すことができる。
なお、]二記実施例゛ζは3ツ(7) I D”r]
Oa、10b、IOcを備えたものを示したが、2一つ
あるいは4つ以上のIDTでもよく、また光閉し込め層
の一部にIDTを設け、他の部分に設けないという構成
をとってもよい。また上記実施例ではGaAs−DFB
/DBR構造の場合について説明したが、他の材料や構
造であってもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。
Oa、10b、IOcを備えたものを示したが、2一つ
あるいは4つ以上のIDTでもよく、また光閉し込め層
の一部にIDTを設け、他の部分に設けないという構成
をとってもよい。また上記実施例ではGaAs−DFB
/DBR構造の場合について説明したが、他の材料や構
造であってもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。
また、上記実施例では、上部電極7ば一様に形成されて
いるが、この上部電極7は第3図に示す本発明の他の実
施例のように、各IDT10a。
いるが、この上部電極7は第3図に示す本発明の他の実
施例のように、各IDT10a。
10b、IOCに対応して、それぞれ上部電極7a、7
b、7cに分割して形成してもよい。
b、7cに分割して形成してもよい。
さらに、上記実施例では、光共振器ミラーの一方はへき
開面を用いる方法について述べたが、第4図に示す本発
明のさらに他の実施例のように、ミラーの両方ともにS
AWを利用する方法にしてもよい。
開面を用いる方法について述べたが、第4図に示す本発
明のさらに他の実施例のように、ミラーの両方ともにS
AWを利用する方法にしてもよい。
また、上記実施例では、進行波SAWを利用する場合に
ついて述べたが、SAWの定在波を用いてもよい。
ついて述べたが、SAWの定在波を用いてもよい。
以上のように、この発明に係る多波長半導体レーザによ
れば、それぞれの電極間ピッチが異なる複数のくし形電
極を光閉じ込め層」−1に光伝搬方向に並列に形成した
ので、波長の異なった複数のレーザ光を空間的に分離し
て独立に取り出すことができ、光波長多重伝送通信用や
光ヘテ1.1ダイン検出用光源として用いることができ
る効果がある。
れば、それぞれの電極間ピッチが異なる複数のくし形電
極を光閉じ込め層」−1に光伝搬方向に並列に形成した
ので、波長の異なった複数のレーザ光を空間的に分離し
て独立に取り出すことができ、光波長多重伝送通信用や
光ヘテ1.1ダイン検出用光源として用いることができ
る効果がある。
第1図は従来の多波長半導体レーザを示ず夕(観図、第
2図はこの発明の一実施例による多波長半導体レーザを
示す外観図、第3図及び第4図はこの発明の他の実施例
による多波長半導体レーザを示す外観図である。 図において、3はP−GaAs IFf (光間し込め
層)、10a、10b、lOcはくし形電極、Δa、へ
す、Ac、はレーザ光である。 なお図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 人 岩 増 tjt 第2図
2図はこの発明の一実施例による多波長半導体レーザを
示す外観図、第3図及び第4図はこの発明の他の実施例
による多波長半導体レーザを示す外観図である。 図において、3はP−GaAs IFf (光間し込め
層)、10a、10b、lOcはくし形電極、Δa、へ
す、Ac、はレーザ光である。 なお図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 人 岩 増 tjt 第2図
Claims (1)
- (1) 波長の異なる複数の光を発振出力する多波長半
導体レーザにおいて、光閉じ込め層上に光伝搬方向に並
列に設けられ、それぞれ電極間ピンチが異なり、相互に
波長の異なる弾性表面波を励振する複数のくし形電極を
備え、波長の異なる複数のレーザ光が同時に空間的に分
離して出力されるようにしたことを特徴とする多波長半
導体レーザ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59094867A JPS60236276A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 多波長半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59094867A JPS60236276A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 多波長半導体レ−ザ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60236276A true JPS60236276A (ja) | 1985-11-25 |
Family
ID=14121991
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59094867A Pending JPS60236276A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 多波長半導体レ−ザ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60236276A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4993036A (en) * | 1988-09-28 | 1991-02-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser array including lasers with reflecting means having different wavelength selection properties |
US5138624A (en) * | 1989-11-16 | 1992-08-11 | The Boeing Company | Multiwavelength LED and laser diode optical source |
US6522042B1 (en) * | 2000-01-27 | 2003-02-18 | Black & Decker Inc. | Anchoring system for injection molded magnets on a flux ring or motor housing |
JP2006135256A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体レーザ素子 |
-
1984
- 1984-05-09 JP JP59094867A patent/JPS60236276A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4993036A (en) * | 1988-09-28 | 1991-02-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser array including lasers with reflecting means having different wavelength selection properties |
US5138624A (en) * | 1989-11-16 | 1992-08-11 | The Boeing Company | Multiwavelength LED and laser diode optical source |
US6522042B1 (en) * | 2000-01-27 | 2003-02-18 | Black & Decker Inc. | Anchoring system for injection molded magnets on a flux ring or motor housing |
JP2006135256A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体レーザ素子 |
JP4536488B2 (ja) * | 2004-11-09 | 2010-09-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体レーザ素子 |
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