JPS60236276A - 多波長半導体レ−ザ - Google Patents
多波長半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS60236276A JPS60236276A JP59094867A JP9486784A JPS60236276A JP S60236276 A JPS60236276 A JP S60236276A JP 59094867 A JP59094867 A JP 59094867A JP 9486784 A JP9486784 A JP 9486784A JP S60236276 A JPS60236276 A JP S60236276A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- electrodes
- layer
- wavelength
- different
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1234—Actively induced grating, e.g. acoustically or electrically induced
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4087—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、光通信や光計測の光源として用いる多波長
半導体レーザに関するものである。
半導体レーザに関するものである。
第１図は例えば特開昭５８−９２２８９号公報に示され
た、従来の弾性表面波を用いて単−縦モード発振を生じ
させる半導体レーザの外観図を示し、図において、１は
ｎ−ＧａＡｓ基板、２はｎ−Ｇａｘ Ａ ｌ、−。
た、従来の弾性表面波を用いて単−縦モード発振を生じ
させる半導体レーザの外観図を示し、図において、１は
ｎ−ＧａＡｓ基板、２はｎ−Ｇａｘ Ａ ｌ、−。
ＡｓＩＷ、３は光閉じ込め層であるｒ’−ＧａＡｓ Ｎ
、４はＰ−Ｇａｙ Ａ ｌ１ｌ−ｙＡｓＪＷ−５はＰ−
ＧａＡｓ Ｎ、６は下部電極、７は上部電極、８はＺｎ
Ｏ膜、１０は電極間ピッチの異なるくし形電極（以下Ｉ
ＤＴと記す）、Ａはレーザ出射光である。
、４はＰ−Ｇａｙ Ａ ｌ１ｌ−ｙＡｓＪＷ−５はＰ−
ＧａＡｓ Ｎ、６は下部電極、７は上部電極、８はＺｎ
Ｏ膜、１０は電極間ピッチの異なるくし形電極（以下Ｉ
ＤＴと記す）、Ａはレーザ出射光である。
次に動作について説明する。第１図において、ＩＤＴｌ
０に周波数ｆの電界を印加すると、弾性表面波（以下Ｓ
ＡＷと記す）が発生し、Ｐ−ＧａＡｓ層３上に沿って光
出射方向に伝搬する。このＳＡＷにより、単−縦モード
レーザ発振を生しさせることができ、しかもＩＤＴｌ０
への印加電界の周波数ｒを変化させると、レーザの発振
波長λを変化させることができる。しかも、ＩＤＴｌ０
の電極間ピッチを異なるように形成しておけば、Ｉ Ｉ
）ＴＩＯへの印加周波数をΔｆずつ変化させるごとに対
応して、発振波長をΔλずつ変化さ・ｌることができる
。
０に周波数ｆの電界を印加すると、弾性表面波（以下Ｓ
ＡＷと記す）が発生し、Ｐ−ＧａＡｓ層３上に沿って光
出射方向に伝搬する。このＳＡＷにより、単−縦モード
レーザ発振を生しさせることができ、しかもＩＤＴｌ０
への印加電界の周波数ｒを変化させると、レーザの発振
波長λを変化させることができる。しかも、ＩＤＴｌ０
の電極間ピッチを異なるように形成しておけば、Ｉ Ｉ
）ＴＩＯへの印加周波数をΔｆずつ変化させるごとに対
応して、発振波長をΔλずつ変化さ・ｌることができる
。
従来の多波長半導体レーザは以上のように構成されてい
るので、単−縦モード発振が可能でかつ発振周波数を変
えることが可能であるが、波長の異なった光を同時にか
つ空間的に分離して発振させることはできないという欠
点があった。
るので、単−縦モード発振が可能でかつ発振周波数を変
えることが可能であるが、波長の異なった光を同時にか
つ空間的に分離して発振させることはできないという欠
点があった。
この発明は、」二記のような従来のものの欠点を除去す
るためになされたもので、光閉じ込めＪｉ上に複数のく
し形電極を、それぞれの電極間ピッチを変えて光伝搬方
向に並列に設けることにより、発振波長の異なった光を
同時にかつ空間的に分離して取り出すことのできる多波
長半導体レーザを提供するものである。
るためになされたもので、光閉じ込めＪｉ上に複数のく
し形電極を、それぞれの電極間ピッチを変えて光伝搬方
向に並列に設けることにより、発振波長の異なった光を
同時にかつ空間的に分離して取り出すことのできる多波
長半導体レーザを提供するものである。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第２図は本発明の一実施例による多波長半導体レーザを
示す。第２図において、第１図と同一符号は同−又は相
当部分を示し、ｌｏａ、］Ｏｂ及びｌｏｃはそれぞれお
互いの電極間ピンチが異なるくし形電極（ＩＤＴ）であ
り、該各ＩＤＴｌ０ａ、１０ｂ、ｌｏｃは光閉し込め層
、即ちＰ−ＧａＡｓ７Ｍ３上に光転ＩＭ方向に並列に設
けられている。
示す。第２図において、第１図と同一符号は同−又は相
当部分を示し、ｌｏａ、］Ｏｂ及びｌｏｃはそれぞれお
互いの電極間ピンチが異なるくし形電極（ＩＤＴ）であ
り、該各ＩＤＴｌ０ａ、１０ｂ、ｌｏｃは光閉し込め層
、即ちＰ−ＧａＡｓ７Ｍ３上に光転ＩＭ方向に並列に設
けられている。
Ａａ、Ａｂ及びＡｃは上記それぞれのＩＤＴｌ０ａ、］
Ｏｂ、１０ｃから発ηユした波長の異なる弾性表面波（
ＳＡＷ）により制御されたレーザ出射光である。
Ｏｂ、１０ｃから発ηユした波長の異なる弾性表面波（
ＳＡＷ）により制御されたレーザ出射光である。
次に動作について説明する。
各ＩＤＴｌ０ａ、１０ｂ、１０ｃのそれぞれの電極間ピ
ッチに対応した周波数ｒａ、ｆｂ、ｆｃの電界を各ＩＤ
Ｔ１０ａ、１０ｂ、ＩＯｃに印加する。この時、各ＩＤ
Ｔ］Ｏａ、］Ｏｂ、ＩＯＣにおいてそれぞれ異なる波長
Δａ、Δｂ、ＡＣのＳＡＷが発生し、これらがＰ−Ｇａ
Ａｓ 層３−１−に沿って光出射方向に伝搬する。する
と該Ｐ−ＧａＡｓ ｍ ３内ではこのＳＡＷによるブラ
ッグ反射が起こり、単−縦モード発振を各ＩＤＴ直下の
各々の領域で生しさせることができ、それぞれ、式 λ−２ｎ八／ｍｎ；活性層の屈折率 ｍ；ブラッグ回折の次数 を満足する波長λａ、Ａｂ、λ（のレーザ光がｉｉＩら
れる。このようにして、波長の異なったレーザ光を空間
的に分離し、独立に取り出すことができる。
ッチに対応した周波数ｒａ、ｆｂ、ｆｃの電界を各ＩＤ
Ｔ１０ａ、１０ｂ、ＩＯｃに印加する。この時、各ＩＤ
Ｔ］Ｏａ、］Ｏｂ、ＩＯＣにおいてそれぞれ異なる波長
Δａ、Δｂ、ＡＣのＳＡＷが発生し、これらがＰ−Ｇａ
Ａｓ 層３−１−に沿って光出射方向に伝搬する。する
と該Ｐ−ＧａＡｓ ｍ ３内ではこのＳＡＷによるブラ
ッグ反射が起こり、単−縦モード発振を各ＩＤＴ直下の
各々の領域で生しさせることができ、それぞれ、式 λ−２ｎ八／ｍｎ；活性層の屈折率 ｍ；ブラッグ回折の次数 を満足する波長λａ、Ａｂ、λ（のレーザ光がｉｉＩら
れる。このようにして、波長の異なったレーザ光を空間
的に分離し、独立に取り出すことができる。
このように本実施例の多波長半導体レーザでは、それぞ
れ電極間ピッチが気なる３つのＩＤＴｌ０ａ、ｌＯｂ、
１０ｃを光伝搬方向に並列に設け、これらによりそれぞ
れ異なる波長を有する３つのＳＡＷを励振さ・Ｕるよう
にしたので、単−縦モート発振をそれぞれの領域で生し
させることができ、その結果それぞれの領域から波長の
異なる３つのレーザ光Ａａ、Ａｂ、ＡＣを同時にかつ空
間的に分離して取り出すことができる。
れ電極間ピッチが気なる３つのＩＤＴｌ０ａ、ｌＯｂ、
１０ｃを光伝搬方向に並列に設け、これらによりそれぞ
れ異なる波長を有する３つのＳＡＷを励振さ・Ｕるよう
にしたので、単−縦モート発振をそれぞれの領域で生し
させることができ、その結果それぞれの領域から波長の
異なる３つのレーザ光Ａａ、Ａｂ、ＡＣを同時にかつ空
間的に分離して取り出すことができる。
なお、］二記実施例゛ζは３ツ（７） Ｉ Ｄ”ｒ］
Ｏａ、１０ｂ、ＩＯｃを備えたものを示したが、２一つ
あるいは４つ以上のＩＤＴでもよく、また光閉し込め層
の一部にＩＤＴを設け、他の部分に設けないという構成
をとってもよい。また上記実施例ではＧａＡｓ−ＤＦＢ
／ＤＢＲ構造の場合について説明したが、他の材料や構
造であってもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。
Ｏａ、１０ｂ、ＩＯｃを備えたものを示したが、２一つ
あるいは４つ以上のＩＤＴでもよく、また光閉し込め層
の一部にＩＤＴを設け、他の部分に設けないという構成
をとってもよい。また上記実施例ではＧａＡｓ−ＤＦＢ
／ＤＢＲ構造の場合について説明したが、他の材料や構
造であってもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。
また、上記実施例では、上部電極７ば一様に形成されて
いるが、この上部電極７は第３図に示す本発明の他の実
施例のように、各ＩＤＴ１０ａ。
いるが、この上部電極７は第３図に示す本発明の他の実
施例のように、各ＩＤＴ１０ａ。
１０ｂ、ＩＯＣに対応して、それぞれ上部電極７ａ、７
ｂ、７ｃに分割して形成してもよい。
ｂ、７ｃに分割して形成してもよい。
さらに、上記実施例では、光共振器ミラーの一方はへき
開面を用いる方法について述べたが、第４図に示す本発
明のさらに他の実施例のように、ミラーの両方ともにＳ
ＡＷを利用する方法にしてもよい。
開面を用いる方法について述べたが、第４図に示す本発
明のさらに他の実施例のように、ミラーの両方ともにＳ
ＡＷを利用する方法にしてもよい。
また、上記実施例では、進行波ＳＡＷを利用する場合に
ついて述べたが、ＳＡＷの定在波を用いてもよい。
ついて述べたが、ＳＡＷの定在波を用いてもよい。
以上のように、この発明に係る多波長半導体レーザによ
れば、それぞれの電極間ピッチが異なる複数のくし形電
極を光閉じ込め層」−１に光伝搬方向に並列に形成した
ので、波長の異なった複数のレーザ光を空間的に分離し
て独立に取り出すことができ、光波長多重伝送通信用や
光ヘテ１．１ダイン検出用光源として用いることができ
る効果がある。
れば、それぞれの電極間ピッチが異なる複数のくし形電
極を光閉じ込め層」−１に光伝搬方向に並列に形成した
ので、波長の異なった複数のレーザ光を空間的に分離し
て独立に取り出すことができ、光波長多重伝送通信用や
光ヘテ１．１ダイン検出用光源として用いることができ
る効果がある。
第１図は従来の多波長半導体レーザを示ず夕（観図、第
２図はこの発明の一実施例による多波長半導体レーザを
示す外観図、第３図及び第４図はこの発明の他の実施例
による多波長半導体レーザを示す外観図である。 図において、３はＰ−ＧａＡｓ ＩＦｆ （光間し込め
層）、１０ａ、１０ｂ、ｌＯｃはくし形電極、Δａ、へ
す、Ａｃ、はレーザ光である。 なお図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 人 岩 増 ｔｊｔ 第２図
２図はこの発明の一実施例による多波長半導体レーザを
示す外観図、第３図及び第４図はこの発明の他の実施例
による多波長半導体レーザを示す外観図である。 図において、３はＰ−ＧａＡｓ ＩＦｆ （光間し込め
層）、１０ａ、１０ｂ、ｌＯｃはくし形電極、Δａ、へ
す、Ａｃ、はレーザ光である。 なお図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 人 岩 増 ｔｊｔ 第２図
Claims (1)
- （１） 波長の異なる複数の光を発振出力する多波長半
導体レーザにおいて、光閉じ込め層上に光伝搬方向に並
列に設けられ、それぞれ電極間ピンチが異なり、相互に
波長の異なる弾性表面波を励振する複数のくし形電極を
備え、波長の異なる複数のレーザ光が同時に空間的に分
離して出力されるようにしたことを特徴とする多波長半
導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59094867A JPS60236276A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 多波長半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59094867A JPS60236276A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 多波長半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60236276A true JPS60236276A (ja) | 1985-11-25 |
Family
ID=14121991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59094867A Pending JPS60236276A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 多波長半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60236276A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4993036A (en) * | 1988-09-28 | 1991-02-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser array including lasers with reflecting means having different wavelength selection properties |
| US5138624A (en) * | 1989-11-16 | 1992-08-11 | The Boeing Company | Multiwavelength LED and laser diode optical source |
| US6522042B1 (en) * | 2000-01-27 | 2003-02-18 | Black & Decker Inc. | Anchoring system for injection molded magnets on a flux ring or motor housing |
| JP2006135256A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体レーザ素子 |
-
1984
- 1984-05-09 JP JP59094867A patent/JPS60236276A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4993036A (en) * | 1988-09-28 | 1991-02-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser array including lasers with reflecting means having different wavelength selection properties |
| US5138624A (en) * | 1989-11-16 | 1992-08-11 | The Boeing Company | Multiwavelength LED and laser diode optical source |
| US6522042B1 (en) * | 2000-01-27 | 2003-02-18 | Black & Decker Inc. | Anchoring system for injection molded magnets on a flux ring or motor housing |
| JP2006135256A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体レーザ素子 |
| JP4536488B2 (ja) * | 2004-11-09 | 2010-09-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体レーザ素子 |
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