JPS60229007A - 非等方的光スポツト形成方法 - Google Patents
非等方的光スポツト形成方法Info
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- JPS60229007A JPS60229007A JP59083837A JP8383784A JPS60229007A JP S60229007 A JPS60229007 A JP S60229007A JP 59083837 A JP59083837 A JP 59083837A JP 8383784 A JP8383784 A JP 8383784A JP S60229007 A JPS60229007 A JP S60229007A
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
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- G02B27/095—Refractive optical elements
- G02B27/0955—Lenses
- G02B27/0966—Cylindrical lenses
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
- G11B7/1372—Lenses
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
- G11B7/1398—Means for shaping the cross-section of the beam, e.g. into circular or elliptical cross-section
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
ビデオ、オーディオ、データー等を、蓄積する手段とし
ての光ディスクは、情報追記型光ディスクとして各社で
開発が進められており、一部では既に市場に出ているも
のもある。記録材料としては、Ｔｅ、Ｔｅ合金、 Ｔｅ
低酸化物、カルコゲナイド系材料９芭素系材料等が多く
研究の対象にされている。一方、記録のみならず更に書
き換えも出来る記録材料も各所で研究が進められている
。この方式には大別して２つの方式があり、１つは結晶
。
ての光ディスクは、情報追記型光ディスクとして各社で
開発が進められており、一部では既に市場に出ているも
のもある。記録材料としては、Ｔｅ、Ｔｅ合金、 Ｔｅ
低酸化物、カルコゲナイド系材料９芭素系材料等が多く
研究の対象にされている。一方、記録のみならず更に書
き換えも出来る記録材料も各所で研究が進められている
。この方式には大別して２つの方式があり、１つは結晶
。
非晶質の相転移を利用して書き換えを行なうものであり
、もう１つは磁性薄膜に記録消去を行なうものである。
、もう１つは磁性薄膜に記録消去を行なうものである。
本発明は、相転移を利用して記録消去を行なうための光
学系に関するものである。
学系に関するものである。
（従来例の構成と、その問題点）
記録消去を行なう方式は、可逆的に相転移可能な記録材
料を薄膜状に基板に形成しておき、レーザー光をレンズ
で収束させ、熱的に書き込み、消去を行なうものである
。カルコゲナイド系の化合物。
料を薄膜状に基板に形成しておき、レーザー光をレンズ
で収束させ、熱的に書き込み、消去を行なうものである
。カルコゲナイド系の化合物。
合金等を真空蒸着又はスパッタリング等で基板上に付着
させると、付着時の急冷効果のため非晶質状態の薄膜を
得ることができる。これを一度加熱。
させると、付着時の急冷効果のため非晶質状態の薄膜を
得ることができる。これを一度加熱。
徐冷することによシ、結晶化した記録薄膜を得ることが
できる。この状態の薄膜に記録スポットで急峻な・ぐル
ス加熱を行なうことにより、加熱部分のみが加熱急冷さ
れ非晶質化する。この相変化により記録信号は、反射率
変化又は透過率変化の違いとなって記録される。この変
化を利用して光学的に読み出すことができる。これを消
去するには、記録信号により非晶質化された部分を転移
温度以上に加熱して徐冷する。その結果、再び結晶化し
て、元の反射率、透過率に戻り、記録信号が消去される
。このために用いられる材料としては、Ｔｅ。
できる。この状態の薄膜に記録スポットで急峻な・ぐル
ス加熱を行なうことにより、加熱部分のみが加熱急冷さ
れ非晶質化する。この相変化により記録信号は、反射率
変化又は透過率変化の違いとなって記録される。この変
化を利用して光学的に読み出すことができる。これを消
去するには、記録信号により非晶質化された部分を転移
温度以上に加熱して徐冷する。その結果、再び結晶化し
て、元の反射率、透過率に戻り、記録信号が消去される
。このために用いられる材料としては、Ｔｅ。
Ｔｅ合金、 Ｔｅ低酸化物、これに他のカルジグナイド
金属を添加したもの、又は他のカルコゲン合金等がある
。結晶、非晶質のサイクルを繰り返す場合、転移温度は
、記録薄膜の＠度安定性及び記録特性を考慮して、１０
０℃ないし２００℃程度に設定するのが、一般的である
。結晶状態から、非晶質状態の相変化を引き起こすため
には、一度溶融状態もしくはそれに近い状態まで加熱し
急冷する必要がある。このための記録スポットとしては
、レンズ回折限界まで絞り込んだ等方向な丸スポットが
用いられる。エアリ−ディスク径で言うとスジ、λ−０
，８３μｍ 、 Ｎ、Ａ＝０．５３とすれば、φ、＝１
．９μｍ、φ１／ｌ！ ＝ ０．８２μｍとなる。この
スポットを用いて回転しているディスク上に記録を行な
う場合、はぼ断熱的に加熱が行なわれ、記録膜はいった
ん溶融状態になり、レーザー光がオフになると急速に冷
却され非晶質化する。記録ビットの形状は、照射レーザ
ー・ぐワー、線速度、記録周波数等によ １り変化する
。消去の際は、転移温度以上に加熱し練塗状態にする。
金属を添加したもの、又は他のカルコゲン合金等がある
。結晶、非晶質のサイクルを繰り返す場合、転移温度は
、記録薄膜の＠度安定性及び記録特性を考慮して、１０
０℃ないし２００℃程度に設定するのが、一般的である
。結晶状態から、非晶質状態の相変化を引き起こすため
には、一度溶融状態もしくはそれに近い状態まで加熱し
急冷する必要がある。このための記録スポットとしては
、レンズ回折限界まで絞り込んだ等方向な丸スポットが
用いられる。エアリ−ディスク径で言うとスジ、λ−０
，８３μｍ 、 Ｎ、Ａ＝０．５３とすれば、φ、＝１
．９μｍ、φ１／ｌ！ ＝ ０．８２μｍとなる。この
スポットを用いて回転しているディスク上に記録を行な
う場合、はぼ断熱的に加熱が行なわれ、記録膜はいった
ん溶融状態になり、レーザー光がオフになると急速に冷
却され非晶質化する。記録ビットの形状は、照射レーザ
ー・ぐワー、線速度、記録周波数等によ １り変化する
。消去の際は、転移温度以上に加熱し練塗状態にする。
このために、記録トラック方向に記録スポットよシは長
くてパワー密度の低い消去スポットを用いる。第１図に
記録スポットと消去スポットの配置を示す。ｌは消去ス
ポット、２は記録スポット、３はディスク、４は未記録
状態のガイドトラック、５は記録ビットである。消去ス
ポット１は必要で十分な徐冷効果を出すために、記録ス
ポット径に比して数倍以上にトラック方向に長くしてお
く。パワー密度はスポット面積が大きい分だけ下げ、総
ｉ９ワーとして記録スポットとはｌ！同程度にしておく
。この長楕円型の消去スポットを得る方法としては、第
２図に示すように、従来は長楕円状に発光する半導体レ
ーザー光をそのまま記録媒体面上に結像し、長楕円スポ
ット】０を得ていた。この場合、半導体レーザー発光パ
ターン７の大きさを長楕円発光型にし、かつ、長さ自体
も必要な長さになるようレーザー製作プロセスを変更す
る必要があった。特に記録消去の線速度が異なる場合、
必要カスポット長は変化するので、そのために多くの異
な。た大きさの発光パタは不合理でありコスト的にも高
くつく。またガスレーザー、イオンレーザ−等を使用す
る場合の光学系として、第３図に示すような方式がある
。レンズ１１にレーザーからの平行光束を入射させ、ス
リット１２によりギャップδを調整し１．コリメーター
レンズ８に入射した光束を、収速レンズ９に入射して、
記録媒体上に非等方的なスポット１０を形成する。スリ
、ト幅δを変えることによりスポット１０の縦横比を変
えることができる。形状は連続的に変化させることがで
きるが、不透明なスリット１２で光束を切ることにより
、透過光量の損失を招き光の利用効率が下がってしまう
。捷たスリット設定位置におけるビーム径は数十μｍの
オーダーであシ、光軸変動、スリットの熱的なドリフト
等の影響によシ、光軸中心にスリットを精度良く保持す
ることはむずかしい。
くてパワー密度の低い消去スポットを用いる。第１図に
記録スポットと消去スポットの配置を示す。ｌは消去ス
ポット、２は記録スポット、３はディスク、４は未記録
状態のガイドトラック、５は記録ビットである。消去ス
ポット１は必要で十分な徐冷効果を出すために、記録ス
ポット径に比して数倍以上にトラック方向に長くしてお
く。パワー密度はスポット面積が大きい分だけ下げ、総
ｉ９ワーとして記録スポットとはｌ！同程度にしておく
。この長楕円型の消去スポットを得る方法としては、第
２図に示すように、従来は長楕円状に発光する半導体レ
ーザー光をそのまま記録媒体面上に結像し、長楕円スポ
ット】０を得ていた。この場合、半導体レーザー発光パ
ターン７の大きさを長楕円発光型にし、かつ、長さ自体
も必要な長さになるようレーザー製作プロセスを変更す
る必要があった。特に記録消去の線速度が異なる場合、
必要カスポット長は変化するので、そのために多くの異
な。た大きさの発光パタは不合理でありコスト的にも高
くつく。またガスレーザー、イオンレーザ−等を使用す
る場合の光学系として、第３図に示すような方式がある
。レンズ１１にレーザーからの平行光束を入射させ、ス
リット１２によりギャップδを調整し１．コリメーター
レンズ８に入射した光束を、収速レンズ９に入射して、
記録媒体上に非等方的なスポット１０を形成する。スリ
、ト幅δを変えることによりスポット１０の縦横比を変
えることができる。形状は連続的に変化させることがで
きるが、不透明なスリット１２で光束を切ることにより
、透過光量の損失を招き光の利用効率が下がってしまう
。捷たスリット設定位置におけるビーム径は数十μｍの
オーダーであシ、光軸変動、スリットの熱的なドリフト
等の影響によシ、光軸中心にスリットを精度良く保持す
ることはむずかしい。
（発明の目的）
本発明は、結晶、非晶質の相転移を利用して情報信号の
記録再生を行う場合、各種の線速度に対で、一定の発光
・やターンを有する半導体レーザーを用いて、種々の大
きさの非等方的な光スポットを得ることを目的とする。
記録再生を行う場合、各種の線速度に対で、一定の発光
・やターンを有する半導体レーザーを用いて、種々の大
きさの非等方的な光スポットを得ることを目的とする。
（発明の構成）
レーザー記録のための光源としては、ガスレーザー、半
導体レーザーが一般的に用いられる。ガスレーザーの場
合、発振モードは等方向でち９１基本モーＫＴＥＭｏｏ
のガウスビーム型になっている。半導体レーザーの場合
は、発光パターンはストライプ状で非等方的である。本
発明では、記録媒体上で所望のスポット形状を得るため
のビーム成形光学系を光源と収速レンズ間に設け、記録
媒体上で所望のスポット形状にする。ビーム成形光学系
としては、非点収差を有する円筒レンズの組み合わせ、
又は、単一の円筒レンズを用いる。組み合わせて用いる
場合は、合成レンズの焦点距離が無限大にならないよう
に焦点距離、レンズ間隔を設定する。そうすることによ
り収束レンズの光束の収束側で非点収差を発生させ、メ
リジオナル又はサジタルの一方の像面を記録媒体上に合
致させることによりスポット形状のコントロールを行な
う。単一レンズの場合も同様で、非点収差を利用し非等
方的な種々のスポット形状を得ることができる。
導体レーザーが一般的に用いられる。ガスレーザーの場
合、発振モードは等方向でち９１基本モーＫＴＥＭｏｏ
のガウスビーム型になっている。半導体レーザーの場合
は、発光パターンはストライプ状で非等方的である。本
発明では、記録媒体上で所望のスポット形状を得るため
のビーム成形光学系を光源と収速レンズ間に設け、記録
媒体上で所望のスポット形状にする。ビーム成形光学系
としては、非点収差を有する円筒レンズの組み合わせ、
又は、単一の円筒レンズを用いる。組み合わせて用いる
場合は、合成レンズの焦点距離が無限大にならないよう
に焦点距離、レンズ間隔を設定する。そうすることによ
り収束レンズの光束の収束側で非点収差を発生させ、メ
リジオナル又はサジタルの一方の像面を記録媒体上に合
致させることによりスポット形状のコントロールを行な
う。単一レンズの場合も同様で、非点収差を利用し非等
方的な種々のスポット形状を得ることができる。
（実施例の説明）
コリメーターレンズと収束レンズの間に一組の円筒レン
ズを挿入した場合の実施例を、第４図（４）。
ズを挿入した場合の実施例を、第４図（４）。
（Ｂ）に示す。同図（４）は、焦点距離の異なる凸レン
ズを用いた場合、同図（Ｂ）は、凸レンズと凹レンズの
組み合わせからなる場合である。半導体レーザーの発光
・ぐターン７は、ニアフィールド分布を示しており、こ
れに対応するファーフィールド分布は、第５図の１６の
ようになる。第４図に示す実施例ノ場合ハ、円筒レンズ
１３．１４により、ファーフィールドにおいて一軸方向
のみ縮小光学系とし、記録媒体面上にて一軸方向（トラ
ック接線方向）に長い非等方的スポットを形成する光学
系である。
ズを用いた場合、同図（Ｂ）は、凸レンズと凹レンズの
組み合わせからなる場合である。半導体レーザーの発光
・ぐターン７は、ニアフィールド分布を示しており、こ
れに対応するファーフィールド分布は、第５図の１６の
ようになる。第４図に示す実施例ノ場合ハ、円筒レンズ
１３．１４により、ファーフィールドにおいて一軸方向
のみ縮小光学系とし、記録媒体面上にて一軸方向（トラ
ック接線方向）に長い非等方的スポットを形成する光学
系である。
２枚の円筒レンズを距離ｄだけ離して置いた場合、各々
の焦点距離をｆ、、ｆ３とすれば合成焦点距離ｆは、 となる。本実施例ではｄ（ｆ、 十ｔ、に設定して、望
遠系の条件から外すようにする。第６図に示すように、
合成円筒レンズの主平面と収束レンズ間の距離をｔとす
る。第６図の場合はｄ （ｆ２＋ｆ３でｆ〉０となシ、
凸の円筒レンズとして作用する場合である。光線１９は
、円筒レンズの作用自愛けないで収束レンズ９により収
束される光線を示している。光線２０は、円筒レンズの
作用を受ける光線を示す。円筒レンズの作用を受けない
方向の光線１９が収束レンズ９でほぼ回折限界まで絞ら
れているとする。円筒レンズ１３．１４によシ縮小され
た光線２０は、縮小比＝ｂの場合（ｄ＝ｆ２２ ＋ｆ３）、収束レンズ９によシ形成されるスポットの大
きさは、円筒レンズがない場合に比べて、ユ３ 倍に大きくなる。例えば、”ｆ２＝９０ ｖａｎ 、
ｆ３ ＝３０謔とすれば、焦点面でのスポットの大きさ
は３倍になる。ｄ＜ｆ２＋ｆ３とした場合、合成焦点距
離ｆはｆ）Ｑとなり非点隔差Δを生じる。第６図よシ次
式が成立する。
の焦点距離をｆ、、ｆ３とすれば合成焦点距離ｆは、 となる。本実施例ではｄ（ｆ、 十ｔ、に設定して、望
遠系の条件から外すようにする。第６図に示すように、
合成円筒レンズの主平面と収束レンズ間の距離をｔとす
る。第６図の場合はｄ （ｆ２＋ｆ３でｆ〉０となシ、
凸の円筒レンズとして作用する場合である。光線１９は
、円筒レンズの作用自愛けないで収束レンズ９により収
束される光線を示している。光線２０は、円筒レンズの
作用を受ける光線を示す。円筒レンズの作用を受けない
方向の光線１９が収束レンズ９でほぼ回折限界まで絞ら
れているとする。円筒レンズ１３．１４によシ縮小され
た光線２０は、縮小比＝ｂの場合（ｄ＝ｆ２２ ＋ｆ３）、収束レンズ９によシ形成されるスポットの大
きさは、円筒レンズがない場合に比べて、ユ３ 倍に大きくなる。例えば、”ｆ２＝９０ ｖａｎ 、
ｆ３ ＝３０謔とすれば、焦点面でのスポットの大きさ
は３倍になる。ｄ＜ｆ２＋ｆ３とした場合、合成焦点距
離ｆはｆ）Ｑとなり非点隔差Δを生じる。第６図よシ次
式が成立する。
これよりｂ＝ｆ４（ｆ４−Δ）／Δとなる。Δについて
ｆ 十ｆ−ｄ することにより、−軸方向のス余ット幅を一定に保持し
たままで、それと直交する方向のスポット幅を、自由に
コントロールすることができる。第７図は、焦点近傍で
の光束を示す。０は収束レンズの主平面Ａからの焦点面
を示す（メリジオナル像面）。０′は、サジタル像面を
示し、０，０′は非点隔差を示す。非点隔差を適当に選
ぶことにより、スポット幅ｒ７の大きさを任意に選べる
様子がわかる。ｒよはそれと垂直方向のスポット幅であ
る。今迄の説明は、２枚の円筒レンズを用いる場合であ
るが、単一レンズを用いる場合は、前者の場合程幅広い
形状コントロールはできないが、レーザー発光スポット
がほぼ必要な大きさであシ、大幅な変化を必要としない
場合光学系が簡単になシ有利である。第８図は、単一円
筒レンズを用いた非点隔差方式のスポット調整光学系を
示す。光線１９は円筒レンズ２１にょシ影響を受けない
光線、２０は収束又は拡散される光線である。第６図に
示した実施例のように円筒レンズ１３．１４による縮小
による大幅なスポット幅の変化は望めないが、第７図に
示すよう゛な非点隔差によるスポット幅調整ができるた
め、結晶、非晶質の相転移を利用した記録材料の可逆変
化のための加熱徐冷のための消去スポットとしては条件
に応じた大きさに設定することが容易である。第６図、
第８図の実施例の場合、合成レンズ又は単一レンズの焦
点距離を一定値にしたままで、第４図に示すような半導
体レーザー発光面７とコリメーターレンズ８との間隔を
ｆ８ よシわずかに変えることにょシ、収束レンズ９に
よシー軸方向は回折限界まで絞られているとすると、も
う一つの軸方向のスポット幅を相当変化させることがで
きる。この場合、収束レンズが平行設計になっておれば
、回折限界での一軸方向の収束状態は少し悪くなる。第
４図（Ｂ）に示す実施例は、凸及び凹の円筒レンズの組
み合わせによるものであシ、このような凸、凸の組み合
わせによシスペースを若干節約てきる。
ｆ 十ｆ−ｄ することにより、−軸方向のス余ット幅を一定に保持し
たままで、それと直交する方向のスポット幅を、自由に
コントロールすることができる。第７図は、焦点近傍で
の光束を示す。０は収束レンズの主平面Ａからの焦点面
を示す（メリジオナル像面）。０′は、サジタル像面を
示し、０，０′は非点隔差を示す。非点隔差を適当に選
ぶことにより、スポット幅ｒ７の大きさを任意に選べる
様子がわかる。ｒよはそれと垂直方向のスポット幅であ
る。今迄の説明は、２枚の円筒レンズを用いる場合であ
るが、単一レンズを用いる場合は、前者の場合程幅広い
形状コントロールはできないが、レーザー発光スポット
がほぼ必要な大きさであシ、大幅な変化を必要としない
場合光学系が簡単になシ有利である。第８図は、単一円
筒レンズを用いた非点隔差方式のスポット調整光学系を
示す。光線１９は円筒レンズ２１にょシ影響を受けない
光線、２０は収束又は拡散される光線である。第６図に
示した実施例のように円筒レンズ１３．１４による縮小
による大幅なスポット幅の変化は望めないが、第７図に
示すよう゛な非点隔差によるスポット幅調整ができるた
め、結晶、非晶質の相転移を利用した記録材料の可逆変
化のための加熱徐冷のための消去スポットとしては条件
に応じた大きさに設定することが容易である。第６図、
第８図の実施例の場合、合成レンズ又は単一レンズの焦
点距離を一定値にしたままで、第４図に示すような半導
体レーザー発光面７とコリメーターレンズ８との間隔を
ｆ８ よシわずかに変えることにょシ、収束レンズ９に
よシー軸方向は回折限界まで絞られているとすると、も
う一つの軸方向のスポット幅を相当変化させることがで
きる。この場合、収束レンズが平行設計になっておれば
、回折限界での一軸方向の収束状態は少し悪くなる。第
４図（Ｂ）に示す実施例は、凸及び凹の円筒レンズの組
み合わせによるものであシ、このような凸、凸の組み合
わせによシスペースを若干節約てきる。
（発明の効果）
相転移による可逆的な記録消去の繰り返しの場合、消去
光としては比較的パワー密度の低い発光幅の大きいスポ
ットで、記録トラックをなぞって非晶質から結晶への変
化をおこす必要がある。本発明では、非点収差発生のた
め２枚又は１枚の円筒レンズを用い、非点隔差を発生せ
しめスポット幅を調整する。２枚の円筒レンズ使用の場
合は、その焦点距離の比により大幅にスポット幅を変え
られ、非点隔差により必要な大きさに精密に合わすこと
ができる。単一レンズの場合も同様に精密に調整するこ
とができる。合成焦点距離もしくは単一レンズの焦点距
離は一定にしたままでコリメーターレンズ８とレーザー
発光面の距離を調整することによシ、収束レンズによる
一軸方向の回折限界スポットの大きさをほとんど変化さ
せること Ｉなく、もう一つの軸方向のスポット幅を変
えるととができる。こうすることによシ、光量損失をほ
とんど生じることなく、消去の場合の線速度が異なる場
合にも最適の消去スポットを形成することができる。半
導体レーザーのニアフィールドパターンに対する要求も
、緩和することが可能である。
光としては比較的パワー密度の低い発光幅の大きいスポ
ットで、記録トラックをなぞって非晶質から結晶への変
化をおこす必要がある。本発明では、非点収差発生のた
め２枚又は１枚の円筒レンズを用い、非点隔差を発生せ
しめスポット幅を調整する。２枚の円筒レンズ使用の場
合は、その焦点距離の比により大幅にスポット幅を変え
られ、非点隔差により必要な大きさに精密に合わすこと
ができる。単一レンズの場合も同様に精密に調整するこ
とができる。合成焦点距離もしくは単一レンズの焦点距
離は一定にしたままでコリメーターレンズ８とレーザー
発光面の距離を調整することによシ、収束レンズによる
一軸方向の回折限界スポットの大きさをほとんど変化さ
せること Ｉなく、もう一つの軸方向のスポット幅を変
えるととができる。こうすることによシ、光量損失をほ
とんど生じることなく、消去の場合の線速度が異なる場
合にも最適の消去スポットを形成することができる。半
導体レーザーのニアフィールドパターンに対する要求も
、緩和することが可能である。
第１図は、記録消去スポットとディスクを示す図、第２
図は、非等方的発光パターンを有する半導体レーザーを
記録面に収束した図、第３図は、スリットに・より、収
束スポットを調整する場合を示す図、第４図は、２枚の
円筒レンズを用いてスポット形状調整を行なう場合の光
学系を示す図、第５図は、半導体レーザーの非等方的ニ
アフィールドパターンとファーフィールド０パターンを
示ス図、第６図は、２枚の円筒レンズを用いた場合の非
点隔差を示す図、第７図は、非点隔差がある場合の焦点
近傍の状態を表れず図、第８図は、単一の円筒レンズを
用いた場合の非点隔差を示す図である。 １・・・消去スポット、２・・・記録スポット、３・・
・ディスク、４・・・未記録ガイ−トラック、８・・コ
リメーターレンズ、９・・・収束レンズ、１２・・・ス
リット、１３．１４．１５．２１・・・円筒レンズ、１
６・・・非等方的ファーフィールド・母ターン、１８・
・・等方向ファーフィールド・母ターン、１９・・・非
点光学系に影響を受けない光線、２０・・・非点光学系
によシ拡大、縮小される光線。 第１図 ｖＪ２図 第３図 第４図 知）
図は、非等方的発光パターンを有する半導体レーザーを
記録面に収束した図、第３図は、スリットに・より、収
束スポットを調整する場合を示す図、第４図は、２枚の
円筒レンズを用いてスポット形状調整を行なう場合の光
学系を示す図、第５図は、半導体レーザーの非等方的ニ
アフィールドパターンとファーフィールド０パターンを
示ス図、第６図は、２枚の円筒レンズを用いた場合の非
点隔差を示す図、第７図は、非点隔差がある場合の焦点
近傍の状態を表れず図、第８図は、単一の円筒レンズを
用いた場合の非点隔差を示す図である。 １・・・消去スポット、２・・・記録スポット、３・・
・ディスク、４・・・未記録ガイ−トラック、８・・コ
リメーターレンズ、９・・・収束レンズ、１２・・・ス
リット、１３．１４．１５．２１・・・円筒レンズ、１
６・・・非等方的ファーフィールド・母ターン、１８・
・・等方向ファーフィールド・母ターン、１９・・・非
点光学系に影響を受けない光線、２０・・・非点光学系
によシ拡大、縮小される光線。 第１図 ｖＪ２図 第３図 第４図 知）
Claims (2)
- （１） 光照射により、吸収されたエネルギーで、熱的
に情報信号の可逆的な記録消去が可能な情報記録媒体上
に、光束を収束させるための収束レンズと、光源を含み
、前記光源と収束レンズ間の光路中に非点収差を発生さ
せるための光学素子を配設し、収束レンズにおける像面
側において、サジタル又はメリジオナル像面の一方を、
前記情報記録媒体上に一致させ、所望の非等方性を得る
ことを特徴とする非等方的光スＩ、ト形成方法。 - （２） 前記非点収差を発生せしめる手段として、正及
び負の焦点距離を有するｍ円筒レンズ、又は正の焦点距
離を有する２個の円筒レンズを配設したことを特徴とす
る特許請求の範囲第（１）項記載の非等方的光スポツト
形成方法。 正又は負の焦点距離を有する単一の円筒レンズを配設し
たことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の非
等方的光スポツト形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59083837A JPS60229007A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 非等方的光スポツト形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59083837A JPS60229007A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 非等方的光スポツト形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60229007A true JPS60229007A (ja) | 1985-11-14 |
| JPH057690B2 JPH057690B2 (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=13813813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59083837A Granted JPS60229007A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 非等方的光スポツト形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60229007A (ja) |
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|---|---|---|---|
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