JPS61133039A - 光記録再生方式 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、複数のレーザ光源を用い、これらを微小スポ
ットに絞って、光学的な案内トラックを有する光記録デ
ィスク上に照射して、王にレーザ光の熱エネルギーを用
いて高密度に信号を記録再生し、かつ一旦記録した信号
を消去できる光記録再生方式に係る。

〔発明の背景〕

レーザ光をφ１μｍ以下の微小スポットに絞り光感応性
記録層を有する光ディスクに照射して信号を高密度に記
録再生できる装置は、■ビット当りのメモリコストを安
くできる点、■高速でアクセスできる点、■非接触で安
定な記録再生を行なえる等の点で多くの特長を有する。

上記の光記録再生装置として、従来、ヒートモード記録
による追記形の記録再生装置と、光磁気による消去可能
形の記録再生装置が提案され研究されている。また上記
のヒートモードによる記録においても消去可能な記録材
料および、それに対厄した光学ヘッドが提案されている
。以下にヒートモード記録について藺単に説明する。ヒ
ートモードによる信号の記録方法として、微小レーザビ
ームを記録薄膜に照射し、照射部位を局部的に昇温する
ことにより、記録薄膜を局部的に蒸発・溶融し小孔を形
成する方式、記録薄膜に微小バブルを形成する方式、記
録薄膜を局部的に昇温し光学的濃度を変化させる方式の
もの等が提案されている。上記の光学的！１度を変化さ
せる記録薄膜の一例として、非晶質の記録薄膜を用いて
、光学的濃ｌＬヲ可逆的に変化（記録薄膜の屈折率変化
した結光学的濃を変化するものも含む）させうろことも
報告されている。

この可逆的に光学的濃度を変化させうるということは、
直号の記録再生、および消去が可能でるるということに
なる。

一般に上記記録薄膜の可逆的濃度変化は記録材料の加熱
サイクルによる状態転移を用いて行なわれ、薄膜の非晶
質状態と結晶状態の間の転移、あるいは１つの非晶質状
態と、他の安定な非晶質状態との間の転移を繰返し利用
することにより行なわれる。以下に上記の状態間の転移
を原理的に簡単に説明する。説明の簡単のために、非晶
質状態と結晶状態の間の転移として光学的濃度変化を得
るものとして説明する。

第４図に上記の非晶質状態と、結晶状態の間の転移条件
のモデルを簡略化して示す。

第４図で非晶質状態ｔ−Ａとして示し、非晶質状態にお
ける記゛録薄膜の光の反射率は小さく、光の透過率は大
きい。結晶状態ｔ−Ｃで示し、結晶状態における記録薄
膜は反射率が大きく、透過率は小　。

さい。この可逆的光学濃度変化をし得る記録薄膜で第４
図における非晶質状態ＡＫある記録薄膜の温度を局部的
に融点近くまで昇温し除冷すると結晶状態Ｃ，！：なる
。一方、結晶状態にある記録薄膜の温度を局部的に融点
近くまで上げ急冷すると非晶質状態ＡＩＣなる。以上が
可逆的光学濃度変化の原理的な内容である。

記録薄膜上に２ける昇温急冷条件、および昇温徐冷条件
を実現する方法として、記録薄膜と微小光スポット光と
の相対スピード（光ディスクの回転数）を変える方法が
ある。すなわち、回転数の早い状態でレーザ光を照射す
ると、記録薄膜の局部には短かい時間のみ昇温し急冷す
る条件を満足し、回転数の遅い状態でレーザ光を照射す
ると記録薄膜の局部は長い時間かけて昇温し徐冷する条
件を満足する。しかし、この方法では信号の記録時と消
去時で光ディスクの回転数をいちいち変えなければなら
ず、記録、消去に時間がかがシ、実用性に乏しいものと
なる。

係る問題を解決するものとして、特開昭５９−１４４０
４９号「光学的記録再生方式」が知られている。これは
簡単に言えば、レーザ等の光源からの光を微小径の光ス
ポットに絞って相対的に移動する記録薄膜に照射し、そ
の記録薄膜の加熱サイクルの相異による状態転移を利用
して光学的な濃度変化として信号を可逆的に記録再生で
きる可逆的光学記録再生方式であって、昇温徐冷条件で
到達する記録薄膜の状態を信号を消去し九状態とし、昇
温急冷条件で到達する記録薄膜の状態を信号を記録した
状態として用いるものである。

しかしながら、実際問題としては係る要求を満足する安
定な記録媒体が未だ開発されていないのが実状である。

光デイスク用の記録媒体として現在広く開発の行なわれ
ているものの一例としては例えば光照射により結晶と非
晶質の間での相変化を生じる材料Ｔｅを利用したものが
あるが、これらは毒性を有し人体に悪影響を与えるもの
であるため、製造段階における使用に注意を要し、また
その封入のために盤構成が複雑となる。また、非晶質状
態は本質的に安定な状態とは言えず、放置すると結晶化
の傾向を示し、長期的な記録媒体には適さなかった。

〔発明の目的〕

以上のことから、不発明においては毒性を有さない、安
定な記録状態ｆｔ維持する本発明の新規な金属材料を用
いて、実用に適した記録、再生、消去の方式を提供する
ことを目的とする。

〔発明の概要〕

本発明の記録材料は、固体状態で少なくとも２種類の結
晶構造を有し、一方の＠度領域での結晶構造を他方の温
度領域で保持する金属又は合金を用いた記録再生媒体を
用いたものであシ、レーザ等の光源からの光を微小径の
光スポットに絞って相対的に移動する記録薄膜に照射し
、その記録薄膜の加熱サイクルの相異による状態転移を
利用して光学的な＠直置化として信号を可逆的に記録再
生できる可逆的光学記録再生方式であって、昇温徐冷条
件で到達する記録薄膜の状態を信号を消去した状態とし
、昇温急冷条件で到達する記録薄膜の状態を信号を記録
した状態として用いる点に特徴を有する。

〔発明の実施例〕

まず、新たに発見された前記紀録再生媒体用の合金組成
、ノンバルクとその製造法、組織、特性、用途について
説明する。

（合金組成） 本発明の結晶量転移合金は、高温及び低温状態で異なっ
た結晶構造を有するもので、高温からの急冷によってそ
の急冷された結晶構造が形成される。更に、この急冷さ
れて形成された相は所定の温度での加熱によって低温状
態での結晶構造に変化する。このように高温からの急冷
によって低温での結晶構造と異なった結晶構造を得る丸
めの冷却速度としてｌｏ”Ｃ／秒以上又は、ＩＯ”０７
秒以上で、このような結晶構造の変化が生じるものが好
ましい。

本発明の結晶量転移合金は、周期律表のＩｂ族元素の少
なくともｌ糧と１ｂ族、　ｌ［ｂ族、■ｂ族及びｙｂ族
元素から選ばれた少なくとも１種との合金からなるもの
が好ましい。これらの合金のうち、銅を主成分とし、Ａ
　Ｚ　ｔ　Ｇ　ａ　ｔ　　Ｉ　ｎ　＊　Ｇ　ｅ及びａｎ
との合金が好ましく、更にこれらの合金に第３元素とし
てＮ　ｉ、　Ｍｎ、Ｆ　ｅ及びＣｒを含む合金が好まし
い。

また、＠金主成分とし、Ａｔ、Ｃｄ及びｚｎｔ−含む合
金が好ましく、更にこれらの合金に第３元素としてＣｕ
、Ａ４．Ａｕｔ含有する合金が好ましい。

金を主成分とし、Ａｔ’を含む合金が好ましい。

本発明合金は前記Ｉｂ族元素とＩｂ族、ｌｌｂ族。

Ｉｙｂ族及びｙｂ族元素との金属間化合物を有するもの
が好ましい。

（ノンバルクとその製造法） 本発明の結晶間°転移合金は反射率の可変性を得るため
に材料の加熱急冷によって過冷相を形成できるものが必
要である。高速で情報の製作及び記はさせるには材料の
急熱急冷効果の高い熱容量の小さいノンバルクが望まし
い。即ち、所望の微小面積に対して投入されたエネルギ
ーによって実質的に所望の面積部分だけが深さ全体にわ
たって基卑となる結晶構造と異なる結晶構造に変り得る
容積を持つノンバルクであることが望ましい。従つて、
所望の微小面積によって高密匿の情報を製作する廻は、
熱容量の小さいノンバルクである箔。

膜、細線あるいは粉末等が望ましい。記録密度として、
２０メガビット／−以上となるような微小面積での情報
の裏作にはα０１〜０．２μｍの膜厚とするのがよい。

一般に金属間化合物は型性加工が為しい。従って、箔、
膜、細線あるいは粉末にする手法として材料を気相ある
いは液相から直接急冷固化させて所定の形状にすること
が有効である。これらの方法ＫｒｆＰＶＤ法（蒸着、ス
パッタリング法等）、ＣＶＤ法、溶湯を高速回転する高
熱伝導性を有する部材からなる、特に金属ロール円周面
上に注湯して急冷凝固させる溶湯急冷法。

電気メッキ、化学メッキ法等がある。膜あるいは粉末状
の材料を利用する場合、基板上に直接形成するか、塗布
して基板上に接着することが効果的である。塗布する場
合、粉末を加熱しても反応などを起゛こさないバインダ
ーがよい。また、加熱による材料の酸化等を防止するた
め、材料表面、基板上に形成した膜あるいは塗布層表面
をコーテイングすることも有効である。

箔又は細線は溶湯急冷法によって形成するのが好ましく
、厚さ又は直径０．１■以下が好ましい。

％に０゜１μｍ以下の結晶粒径の箔又は細＋［−製造す
るには０．０５■以下の厚さ又は直径が好ましい。

粉末は、溶湯を気体又は液体の冷媒とともに噴霧させて
水中に投入させて急冷するアトマイズ法によって形成さ
せることが好ましい。、その粒径は０、１　ｖａｎ以下
が好ましく、特に粒径１μｍ以下の超微粉が好ましい。

膜は前述の如く蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ電気メッ
キ、化学メッキ等によって形成できる。

％に、０．１μｍ以下の膜厚を形成するにはスパッタリ
ングが好ましい。スパッタリングは目標の合金組成のコ
ントロールが容易にできる。

（組織） 本発明の結晶量転移合金は、高温及び低温において異な
る結晶構造を有し、高温からの急冷によって高温におけ
る結晶構造を低温で保持される過冷相の組成を有するも
のでなければならない。高温では不規則格子の結晶構造
を有するが、過冷相は一例として０８−（、を型あるい
はＤ　Ｏｍ型の規則格子を有する金属間化合物が好まし
い。光学的性質を大きく変化させることのできるものと
して本発明合金はこの金属間化合物を主に形成する合金
が好ましく、特に合金全体が金属間化合物を形成する組
成が好ましい。この金属間化合物は電子化合物と呼ばれ
、特に３／２電子化合物（平均外殻電子濃度ｅ　／　ａ
が３／２）の合金組成付近のものが良好である。

また、本発明の結晶量転移合金は固相変態、たとえば共
析変態又は包析変態ｔＷする合金組成が好ましく、その
合金は高温からの急冷と非急冷によって分光反射率の差
の大きいものが得られる。

本発明合金は超微細結晶粒を有する合金が好ましく、特
に結晶粒径は０．１μｍ以下が好ましい。

ａち、結晶粒は可視光領域の波長の値より小さいのが好
ましいが、半導体レーザ光の波長の値よ）小さいもので
もよい。

（特性） 本発明の記録材料は、可視光領域における分光反射率を
同一温度で少なくとも２種類形成させることができる。

ｆｆＯち、高温からの急冷によって形成された結晶構造
（組織→を有するものの分光反射率が非急冷によって形
成された結晶構造（組織）を有するものの分光反射率と
異なっていることが必要である。

また、急冷と非急冷によって得られるものの分光反射率
の差は５チ以上が好ましく、特に１０％以上有すること
が好ましい。分光反射率の差が大きければ、目視による
色の識別が容易であシ、後で記載する各種用途において
顕著な効果がある。

分光反射させる光源として、電磁波であれば可視光以外
でも使用可能であシ、赤外線、紫外線なども使用可能で
ある。

本発明の結晶量転移合金のその他の特性として、電気抵
抗率、光の屈折率、光の偏光率、光の透過率なども分光
反射率と同様に可逆的に変えることができ、各種情報の
記録、記録された情報を再生することに利用することが
できる。

分光反射率は合金の表面あらさ状態に関係するので、前
述のように少なくとも可視光領域において１０１以上有
するように少なくとも目的とする部分において鏡面にな
っているのが好ましい。

（用途） 本発明の結晶量転移合金は、加熱急冷によって部分的又
は全体に結晶構造の変化による電磁波の分光反射率、電
気抵抗率、屈折率、偏光率、透過率等の物理的又は電気
的特性を変化させ、これらの特性の変化を利用して情報
の記録用素子に使用することができる。

情報の記録の手段として、電圧及び電流の形での電気エ
ネルギー、電磁波（可視光、１ｌｉｌ射熱、赤外線、紫
外線、写真用閃光ランプの光、電子ビーム、陽子線、ア
ルゴンンーザ、半導体レーザ等のレーザ光線、高電圧火
花放電等）１−用いることができ、特にその照射による
分光反射率の変化を利用して光ディスクの記録媒体に利
用するのが好ましい。光ディスクには、ディジタルオー
ディオディスク（ＤＡＤ又はコンパクトディスク）、ビ
デオディスク、メモリーディスクなどがアシ、これらに
使用可能である。本発明合金を光ディスクの記録媒体に
使用することにより再生専用型、追加記録型、書換型デ
ィスク装置にそれぞれ使用でき、特に書換型ディスク装
置においてきわめて有効である。記録方法はエネルギー
を断続的にパルス的に与えるやシ方又は連続的に与える
やυ方のいずれで奄よい。前者ではディジタル信号とし
て記録できる。

本発明者等は、この本発明の結晶量転移合金について種
々の実数を行ない、光デイスク装置に使用することを意
図して記録前と記録後とで光の反射率がどのように変化
するかを調べてみた。具体的にどのようにして結晶量転
移合金を作成し、そたので説明を省略することとし、第
６図にその典を的−例を示す。この図でａが記録前、ｂ
が記録後を表わす。光デイスク装置はこの特性を利用す
るものであり、例えば７００（ｎｍ）の波長の光ビーム
を用い、記録された所に光が当ったときの反射量と、記
録されない所に光が当ったときの反射量の差に応じて情
報の有無を判定するものである。この図から明らかなよ
うに、記録するときはＣのように反射率が犬きくな９、
消去するときはｄのように反射率が小さくなる。

ところで、この結晶量転移合金が情報を記録しあるいは
消去するためには、第７図に示すような温度θｌ、θ２
まで加熱されねばならない。つまシ、記録するときは、
温度θ１以上に記録媒体が加熱されその後速やかに冷却
されることが必要であシ、消去するときは温度θ冨以上
でおって温度０１以下の状態で十分な量のエネルギーを
記録媒体が受けることが必要である。従って、記録時に
は昇温急冷という条件が必要で６９、消去時には昇温徐
冷という条件が必要となる。

そこで、この記録、消去時の条件を適正に設定し、毒性
が無く、且つ長期記録が可能という優れた利点を有する
結晶量転移合金を用いて記録再生消去を実現し得る光記
録再生方式の実施例を以下に説明する。

第２図に本発明で用いる信号を記録再生消去できる光記
録ディスクの細部構成例を示す。基材ｌは透明な樹脂ま
たはガラスで構成され、表面に光学的に検出可能な案内
ｐ＃２を有する。この溝２は、ディスク上の信号記録領
域において、ディスクの回転中心に対して、スパイラル
状、あるいは同心円状に設けられ、溝深さは約λ／８ｎ
（λは照射レーザ光の波長、ｎは屈折率）に選ばれる。

記録薄膜３は、基材１の上に蒸着等の手段で形成される
。この記録薄膜３の上に樹脂の保護層４が形成され記録
薄膜を保護する。記録再生用のレーザビーム５は基材１
全通して溝２に照射される。この光ビームは、溝２によ
る反射光の回折バタンを検出して公知のトラッキング手
段により、溝２に沿って光を定食して信号を記録し再生
する。記録ドツト６は、信号の記録によって、光学的濃
度が変化した部分を示す。

第３図は、記録薄膜上で、昇温急冷条件、および昇温徐
冷条件を行るための光の照射方法の一例を示す。第３図
ａで絞りレンズ１０は、入射するレーザビームａｌ、ａ
ｌを微小な光に絞って光ディスクの記録薄膜３に照射す
るレンズを示す。入射ビームａｌは例えば絞りレンズ１
０の光軸に平行に入射し、記録薄膜３上に円形の微小光
スポラ）Ｌｔ　を発生する。一方、入射ビームａ３は絞
りレンズ１０の光軸とθの角度をもって入射し、記録薄
膜３上に溝にそって長円形の微小光スポットＬ！を発生
する。前記ディスク上の溝２に対する、光スポラ）Ｌｚ
、Ｌｘの位置関係は一例としてｂに示す。溝２上で記録
薄膜の進行方向から順にＬｔ　＃　Ｌｍと並び、同一の
溝上に距離ｔだけ近接して配置される。光スポツト間の
距離ｔは特に規定されるものでなく、お互いに重なシ合
っても良く、あるいはＬｌとＬ！が連続的に連らなって
も良く、それぞれの配置に応じた特長をもたすことがで
きる。第３図Ｃには上記の光スポラ）Ｌｔ。

Ｌ２を短時間記録薄膜上に照射した時に、それぞれの光
スポットによって、溝２に沿った方向で記録薄膜３上に
形成される＠度分布の様子を示す。

ＳＩは円形光スポラ）Ｌｔで形成される温度分布を示し
、光照射部位が局所的に昇温しシャープな温度分布とな
る。したがって走行している光記録媒体上に光スポット
Ｌｌを噸時間の繰シ返し光パルスとして照射すると記録
薄膜は局所的に昇温後光パルスが消えるとすみやかにそ
の熱が周囲に伝播し冷却するので昇温急冷条件を満たす
ことになる。したがって光スポットＬ１を照射する前の
記録薄膜の状態が消去状態にあったとすれば、光スポラ
）Ｌｔによる光照射部位のみ、前記記録状態となシ光学
的濃匪が変化する。これによって記録薄膜上に第２図の
記録ドツト６のように濃淡の繰少返しとして信号を記録
することができる。また第３図Ｃの８２は溝に沿って長
円形の光スポットＬ２の短時間照射による温度分布の例
を示す。図のように溝に沿ってブロードな！度分布を示
す。

したがって走行している記録媒体上に光スポットＬ２を
時間的に連続した光として照射すると記録薄膜は光パル
スＬｔを照射したときと比して、昇温後著しくゆつ〈シ
冷却され、昇温徐冷条件を満足することになる。したが
って、連続光Ｌｚｔ照射する前の記録薄膜の状態が記録
状態であれば、光Ｌ２を照射することによって消去状態
にもどる。

すなわち、第２図の記録ドツト６は消えることになる。

第３図に示すように、昇温急冷条件を作る光スポットＬ
ｔは、微小な光ビームで、かつ、光出力を断続的な光パ
ルスとして加える必要がある。したがって光スポットＬ
１ば、広帯域の繰υ返しの早い信号の記録に用いるのが
最適でおる。何故なら光スポットＬｚは、溝に沿って長
く、シたがって高い周波数による光学的濃度変化を記録
薄膜に与えることはできない。故に光スポットＬ２の光
出力は繰シ返しの遅い信号または直流信号で変調され、
記録媒体上の溝に沿った所望区間の記録信号の消去に用
いられる。

一方記録信号の再生は、光スポラ）Ｌｔ　′ｔ−記録薄
膜を余シ温度上昇させない程度の弱い連続光して＃ＩＫ
−沿って第２図に示す記録ドツト６ｔ−反射率または透
過率の変化として読み取ることにより行なわれる。

また第３図で光スポラ）　Ｌ　２　ｋｌｌ１２に沿って
長円形の例で説明したが光スポットＬ１より径の大きい
円形光スポットでも同じ効果を得ることができる。しか
しこの場合、隣接トラックへの影響を考慮する必要があ
る。

第１図に本発明にもとづいた具体的実施例を示す。記録
再生用レーザ光源と消去用レーザ光源の２ケのレーザ光
源を有し、各レーザ光源によって光ディスクの＃＄２上
に第３図すに示すように、円形の光ビームＬｔと、溝に
沿って長円形の光ビームＬ２を形成する光学的記録再生
装置の例を示す。

第４図で、１０は入射光を光デイスク上で微小な光スポ
ットに絞るための絞りレンズを示す。半導体レーザ１１
の出力光は記録再生用の光源で波長λ１を有し、集光レ
ンズ１２で集光され、光ビ板１５七通）、絞りレンズ１
０で絞られて、光ディスクＤ上で円形の微小光スポット
ｔ−形成する。

他の半導体レーザ１７の出力光は記録された信号を消去
するための光源で波長λ２を有し、集光レンズ１８で集
光され、光ビーム合成器１３で反射シレンズ１０ｔ−通
って光ディスクＤの溝２に沿って長円形の光スポットＬ
ｚを形成する。光スポットＬｔ　とＬ２は同一の縛止に
形成されるように、光源１１と光源１７の配置が決めら
れる。

ディスクからの反射光ｂ１ｓ　　ｂｌは従来公知の再生
信号の検出、フォーカスやトラッキングの誤差信号の検
出に用いられる。図ではディスクの反射光は偏光ビーム
スプリッタ１４で入射光路と分離され、単レンズ１９で
集束光に変換され、従来公知のナイフェツジ２０による
フォーカス誤差信号の検出方法を示している。光検出器
２１ば２分割ピンダイオード等が用いられ、これより、
フォーカス誤差信号、再生信号が検出される。アクチュ
エータ１６は、絞りレンズｔ−駆動して、フォーカス制
御およびトラッキング制御を行うものでおる。フォーカ
ス制御に対しては絞りレンズ１０をディスクに対して垂
直方向に駆動し、トラツキング制御に対しては、絞りレ
ンズ１０をディスク上の溝２に対して直角方向に駆動す
る。

２２は半導体レーザ１１の駆動回路を示し、信号の記録
時には、端子２２・ａに印加される記録信号に応じて半
導体レーザ１１の出力光を強度変調する。また信号の再
生時には半導体レーザの出力光を記録材料の光学的特性
が変化しない弱い一定の連続光に保持する。２３は半導
体レーザ１７の駆動回路を示し、端子２３ａから入力さ
れる消去指令信号に応じて、必要な時間のみ消去光上発
生し、ディスク上の溝２上の光スポットＬｚｔ所定の時
間、所定の強さで発光させる。

第５図にディスク上の溝２上に円形光スポットＬ１　と
溝方向に長円形の光Ｌｚ’ｔ”作る場合の絞りレンズ１
０への光の入射方法を示す。円形光スポットＬ１を作る
ための入射光ａ１は絞りレンズ１０の開口の全域を均等
に使用する。一方光スポットＬ２を作る入射ビームは絞
りレンズ１０の開口のうち溝方向には一部のみ用い溝方
向に直角な方向には全域を用いるように入射することに
よって溝上に溝方向に長円形の元スポットヲ得ることが
できる。光スボノＩ’Ｌｌ、Ｌ２間の距離は第３図ａＫ
示すように、入射光ビームａ１とａ２の光軸の角度金変
えることによって任意に設定できる。

〔発明の効果〕

以上のようにして、レーザの熱作用を主体的に利用した
ヒートモードによる光学的に信号を記録再生消去を行な
える光学的記録再生装置を得ることができ、以下の効果
を得ることができる。

１、記録媒体と照射光の相対速度金変えることなく、信
号の記録、再生、消去を行なえる。

２、記録薄膜が昇温徐冷条件で到達する状態、（記録薄
膜の反射率が低い状態、または記録薄膜の透過率の高い
状態）を信号が消去される状態とし、昇温急冷条件で記
録薄膜が到達する状態（記録薄膜の反射率が高い状態、
または記録薄膜の透過率が低い状態）ｔ−信号が記録さ
れる状態とすることによプ、高帯域の信号を記録再生で
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は光学的に信号を記録消去できる装置の説明図、
第２図は本発明で用いる溝付き光記録ディスクの１例の
要部断面斜視図、第３図ａは本発明で用いる、１つの絞
フレンズを用いて、円形の記録再生光Ｌｔと、溝方向に
長円形をした光Ｌ２を作る方法、および、構成を示す図
、ｂは溝上における光スポットの平面図、Ｃは光ＬＬ、
Ｌ２が、記録薄膜に与える熱的効果を説明するための図
、第４図ａは従来の記録媒体の性質を説明するための図
、ｂは同要部の平面図、第５図は絞りンンズ。 と絞りレンズへの入射光ａＬｐ　　ａ２および溝の方向
と溝上に形成される絞）光スポツｌ’Ｌｔ、Ｌｘの相互
の関係を説明するための平面図、第６図は、本発明で使
用する記録薄膜の典凰的な特性例、第７図は、記録消去
の原理図である。 １・・・基材、２・・・溝、３・・・記録薄膜、１０・
・・絞りレンズ、Ｌ　ｌ　ｚ　　Ｌ２・・・光スポット
。 も５図 寒６図 栽長（ηｍ） ２汁 時間

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、レーザ等の光源からの光ビームを微小径の光スポッ
   トに絞つて相対的に移動する記録合金に照射し、その記
   録合金の加熱サイクルの相異による状態転移を利用して
   光学的な濃度変化として信号を可逆的に記録、および消
   去する光学記録再生方式であつて、昇温徐冷条件で到達
   する記録薄膜の状態を信号を消去した状態とし、昇温急
   冷条件で到達する記録薄膜の状態を信号と記録した状態
   として用いるとともに、前記記録媒体は固体状態で少な
   くとも２種類の結晶構造を有し、一方の温度領域での結
   晶構造を他方の温度領域で保持する金属または合金から
   なることを特徴とする光記録再生方式。 ２、昇温急冷条件を、微小円形光スポットを、高い周波
   数の第１の信号で強度変調して記録薄膜上に照射して形
   成し、昇温徐冷条件を、微小で記録薄膜の相対的移動方
   向に長円形の光スポットを、第１の信号より低い周波数
   の信号で強度変調して記録薄膜上に形成して、それぞれ
   得ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記
   録再生方式。 ３、微小円形光スポットと、長円形の光スポットを同一
   の絞りレンズで絞り、記録薄膜上に近接して形成するこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第２項に記載の光記録再
   生方式。