JPS60228673A - プラズマ処理装置用制御装置 - Google Patents
プラズマ処理装置用制御装置Info
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- JPS60228673A JPS60228673A JP8186984A JP8186984A JPS60228673A JP S60228673 A JPS60228673 A JP S60228673A JP 8186984 A JP8186984 A JP 8186984A JP 8186984 A JP8186984 A JP 8186984A JP S60228673 A JPS60228673 A JP S60228673A
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- processing
- film
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C37/00—Component parts, details, accessories or auxiliary operations, not covered by group B29C33/00 or B29C35/00
- B29C2037/90—Measuring, controlling or regulating
- B29C2037/903—Measuring, controlling or regulating by means of a computer
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
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- B29C37/00—Component parts, details, accessories or auxiliary operations, not covered by group B29C33/00 or B29C35/00
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- B29C2037/906—Measuring, controlling or regulating using visualisation means or linked accessories, e.g. screens, printers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、フィルムなど被処理的のプラズマ処理装置の
制御装置に関するものである。
制御装置に関するものである。
従来、プラスチックフィルムなどのプラズマ処理装置に
おけるフィルムの巻出し、巻取装置の速度制御、シール
機構及び処理槽の中のフィルム速度制御、プラズマ処理
用高周波電源電圧あるいは電流制御、そして処理槽内ガ
ス濃度制御、処理槽内真空度制御等のフィルムのプラズ
マ処理に必要な各条件は各々単独に制御していた。その
ために処理条件を変更するときは全て必要な制御系の設
定をオペレータが再設定する必要があった。した（２） かって、もし、オペレータが設定を誤まったときは所期
の目的と異なった処理のフィルムができてしまうという
欠点があった。
おけるフィルムの巻出し、巻取装置の速度制御、シール
機構及び処理槽の中のフィルム速度制御、プラズマ処理
用高周波電源電圧あるいは電流制御、そして処理槽内ガ
ス濃度制御、処理槽内真空度制御等のフィルムのプラズ
マ処理に必要な各条件は各々単独に制御していた。その
ために処理条件を変更するときは全て必要な制御系の設
定をオペレータが再設定する必要があった。した（２） かって、もし、オペレータが設定を誤まったときは所期
の目的と異なった処理のフィルムができてしまうという
欠点があった。
本発明は、上記の点に鑑みてプラズマ処理装置の誤操作
を防止できる制御装置を提供することを目的とするもの
である。
を防止できる制御装置を提供することを目的とするもの
である。
本発明は、上記の目的を達成するために、真空引きされ
た処理槽内に処理ガスを放出するとともに、高周波電圧
により電極からプラズマを発生させてフィルムのプラズ
マ処理を行なうプラズマ処理装置において、プラズマ処
理するために必要な複数の条件の中から任意の条件を一
定に設定するとともに、他の条件の中で相関関係のある
条件をあらかじめ入力した演算装置と、この入力しであ
る条件のどちらか一方のデータを入力する設定器と、該
設定器からの信号を受けて演算した出力結果を表示する
表示制御装置と、」１記の制御経過を時系列的に一定時
間保持し記録する記録装置を設（３） けることにより、各条件データを操作デスクあるいはパ
ネル上でＣＲＴ表示による対話形設定により設定可能と
すると同時に、オペレータの設定項目を少なくして残り
の条件はコンピュータにより演算し、自動的に設定し、
運転できるようにしたことを特徴とするものである。
た処理槽内に処理ガスを放出するとともに、高周波電圧
により電極からプラズマを発生させてフィルムのプラズ
マ処理を行なうプラズマ処理装置において、プラズマ処
理するために必要な複数の条件の中から任意の条件を一
定に設定するとともに、他の条件の中で相関関係のある
条件をあらかじめ入力した演算装置と、この入力しであ
る条件のどちらか一方のデータを入力する設定器と、該
設定器からの信号を受けて演算した出力結果を表示する
表示制御装置と、」１記の制御経過を時系列的に一定時
間保持し記録する記録装置を設（３） けることにより、各条件データを操作デスクあるいはパ
ネル上でＣＲＴ表示による対話形設定により設定可能と
すると同時に、オペレータの設定項目を少なくして残り
の条件はコンピュータにより演算し、自動的に設定し、
運転できるようにしたことを特徴とするものである。
フィルムのプラズマ処理における処理ガス濃度、処理槽
内真空度、プラズマ発生用高周波電圧あるいは電流、そ
してフィルムの送り速度はプラズマ処理効果を決定する
重要な要素である。特に各々の処理ガスにより最適処理
濃度が存在する。この処理ガスの濃度と初期到達真空度
を最適条件で設定すれば、プラズマ発生用高周波電圧（
電流）とフィルム送り速度は成る範囲において一定の関
係があるので、この特性をコンピュータにあらかじめ入
力しておく。そして、プラズマ発生用高周波電圧（電流
）またはフィルム送り速度のどちらか一方の条件を設定
すると、他方の条件はコンピュータによって演算され自
動的に設定される。この結果をＣＲＴ表示し、記録装置
に記録する。オペ（４） レータは各々の重要な要素を確認しながら操作すること
ができるとともに、オペレータ自身の設定項目は少なく
なるので、それだけオペレータの負担は軽減され、誤操
作も防止できる。
内真空度、プラズマ発生用高周波電圧あるいは電流、そ
してフィルムの送り速度はプラズマ処理効果を決定する
重要な要素である。特に各々の処理ガスにより最適処理
濃度が存在する。この処理ガスの濃度と初期到達真空度
を最適条件で設定すれば、プラズマ発生用高周波電圧（
電流）とフィルム送り速度は成る範囲において一定の関
係があるので、この特性をコンピュータにあらかじめ入
力しておく。そして、プラズマ発生用高周波電圧（電流
）またはフィルム送り速度のどちらか一方の条件を設定
すると、他方の条件はコンピュータによって演算され自
動的に設定される。この結果をＣＲＴ表示し、記録装置
に記録する。オペ（４） レータは各々の重要な要素を確認しながら操作すること
ができるとともに、オペレータ自身の設定項目は少なく
なるので、それだけオペレータの負担は軽減され、誤操
作も防止できる。
以下、本発明を第１図乃至第５図に示す一実施例により
詳細な説明する。
詳細な説明する。
第１図（ａ）はフィルム処理効果とガス濃度の関係を表
わしたもので、ガス濃度がＡのときフィルム処理効果が
最も良いことを示している。また、第１図（ｂ）はガス
濃度を一定にしたときのフィルム送り速度と高周波電源
電圧の関係を表わした央にドラム２が駆動モータ１と連
結されており、回転自在に支承されている。該ドラム２
の外周部にはプラズマ発生用電極３が複数配設されてお
り、該電極３は高周波電源１３に接続されている。４は
ガス放出口で、ガス流量制御弁１５とガス流量機１８を
介してガスボンベ１６に接続されている。
わしたもので、ガス濃度がＡのときフィルム処理効果が
最も良いことを示している。また、第１図（ｂ）はガス
濃度を一定にしたときのフィルム送り速度と高周波電源
電圧の関係を表わした央にドラム２が駆動モータ１と連
結されており、回転自在に支承されている。該ドラム２
の外周部にはプラズマ発生用電極３が複数配設されてお
り、該電極３は高周波電源１３に接続されている。４は
ガス放出口で、ガス流量制御弁１５とガス流量機１８を
介してガスボンベ１６に接続されている。
（５）
２０はフィルム巻出側のシール装置で、モータ０−／し
２１によって駆動される複数のシール≠字省２２を備え
ている。３０は巻取側のシール装置で、モータ３１によ
って駆動される複数のシール≠テ六３２を備えており、
上記のシール装置２０．３０は前記プラズマ処理槽１０
と一体に形成されており、フィルム４０の出入口を構成
している。４１はフィルム４０の巻出装置で、モータ４
２と連結されている。４３は巻取装置で、モータ４４と
連結されている。５０は真空ポンプで、該真空ポンプ５
０に接続した真空配管５１を上記プラズマ処理槽１０内
に開口して接続している。５２は真空計である。
ている。３０は巻取側のシール装置で、モータ３１によ
って駆動される複数のシール≠テ六３２を備えており、
上記のシール装置２０．３０は前記プラズマ処理槽１０
と一体に形成されており、フィルム４０の出入口を構成
している。４１はフィルム４０の巻出装置で、モータ４
２と連結されている。４３は巻取装置で、モータ４４と
連結されている。５０は真空ポンプで、該真空ポンプ５
０に接続した真空配管５１を上記プラズマ処理槽１０内
に開口して接続している。５２は真空計である。
第３図において、６０はオペレーターズコンソールであ
る。６１は演算装置であるコンピュータ（μ−ＣＰＵ）
で、入力側には設定器６２が接続されており、出力側に
は表示制御装置（ＣＲＴ）６３と記録装置６４を接続し
ている。また、設定器６２はディジタル信号設定用押ボ
タン２４、入力用キー２５、真空変改定押ボタン２６、
ガス濃（６） 変改定押ボタン２７、高周波電源型圧設定押ボタン２８
、処理フィルム送り速度段定押ボタン２９を有している
。
る。６１は演算装置であるコンピュータ（μ−ＣＰＵ）
で、入力側には設定器６２が接続されており、出力側に
は表示制御装置（ＣＲＴ）６３と記録装置６４を接続し
ている。また、設定器６２はディジタル信号設定用押ボ
タン２４、入力用キー２５、真空変改定押ボタン２６、
ガス濃（６） 変改定押ボタン２７、高周波電源型圧設定押ボタン２８
、処理フィルム送り速度段定押ボタン２９を有している
。
また、第５図は出力表示制御装置（ＣＲＴ）である。
次にその作用を説明する。
フィルムにプラズマ処理を施す上で、重要な要素となる
条件、処理ガス濃度、処理槽内真空度、プラズマ発生用
高周波電圧（電流）、フィルム送り速度のうち、処理ガ
ス濃度の最適ガス濃度Ａと初期到達真空度を押ボタン２
７と２６により一定に設定する。次に、相関関係にある
フィルム送り速度と高周波電源電圧（電流）の特性を演
算装置のマイクロコンピュータ（μ−ＣＰＵ）６１にあ
らかじめ入力しておく。
条件、処理ガス濃度、処理槽内真空度、プラズマ発生用
高周波電圧（電流）、フィルム送り速度のうち、処理ガ
ス濃度の最適ガス濃度Ａと初期到達真空度を押ボタン２
７と２６により一定に設定する。次に、相関関係にある
フィルム送り速度と高周波電源電圧（電流）の特性を演
算装置のマイクロコンピュータ（μ−ＣＰＵ）６１にあ
らかじめ入力しておく。
次にオペレータはオペレータコンソール６ｏの設定器６
２から上記のコンピュータ６１に入力したフィルム送り
速度あるいは高周波世塵電圧（電流）のいずれか１つの
条件を入力する。これにより残りの条件はコンピュータ
６１により演算され、自動（７） 的に設定されて表示制御装置（ＣＲＴ）６３と記録装置
６４に出力される。
２から上記のコンピュータ６１に入力したフィルム送り
速度あるいは高周波世塵電圧（電流）のいずれか１つの
条件を入力する。これにより残りの条件はコンピュータ
６１により演算され、自動（７） 的に設定されて表示制御装置（ＣＲＴ）６３と記録装置
６４に出力される。
次にオペレータは出力された条件を確認したのち、プラ
ズマ処理装置の起動操作を行なう。また、記号Ａ、Ｂ、
Ｃ，Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｊ、ＩおよびＰはコンピュータ（μ−
ＣＰＵ）６１への入力信号、Ｖｖ ｆ＋ Ｐ＋ ａｙ
ｂ＋ ｌＺ＄ ｄおよびｅは各装置への制御出力信号で
ある。
ズマ処理装置の起動操作を行なう。また、記号Ａ、Ｂ、
Ｃ，Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｊ、ＩおよびＰはコンピュータ（μ−
ＣＰＵ）６１への入力信号、Ｖｖ ｆ＋ Ｐ＋ ａｙ
ｂ＋ ｌＺ＄ ｄおよびｅは各装置への制御出力信号で
ある。
処理対象フィルム４０は巻出装置４１より巻出され、大
気と真空処理槽との真空シールを行なうＱ−ＩＦ５ 巻出側シール装Ｍ２０内を回転する相手≠２２の間を通
ってプラズマ処理槽１０に入る。プラズマ処理槽】０内
は一定の真空度になるように真空ポンプ５０によって制
御されており、更に一定のガス濃度が制御弁１５により
制御されている。そして、プラズマ処理槽１０内の真空
度は常に真空計によって計測されている。フィルム４０
は回転する処理ドラム２とプラズマ電極３の間を通され
る（８） マ処理される。次にフィルム４０はプラズマ処理槽１０
から送り出され、シール装置３０を経て巻取装置４３に
巻取される。
気と真空処理槽との真空シールを行なうＱ−ＩＦ５ 巻出側シール装Ｍ２０内を回転する相手≠２２の間を通
ってプラズマ処理槽１０に入る。プラズマ処理槽】０内
は一定の真空度になるように真空ポンプ５０によって制
御されており、更に一定のガス濃度が制御弁１５により
制御されている。そして、プラズマ処理槽１０内の真空
度は常に真空計によって計測されている。フィルム４０
は回転する処理ドラム２とプラズマ電極３の間を通され
る（８） マ処理される。次にフィルム４０はプラズマ処理槽１０
から送り出され、シール装置３０を経て巻取装置４３に
巻取される。
上記の実施例によれば、フィルム処理に経験の浅いオペ
レータでも誤動作がなく、速やかに処理条件の設定がで
きると同時に、フィルムの不良防止ができる。また、高
周波電源や駆動モータ電源の省エネルギー効果もある。
レータでも誤動作がなく、速やかに処理条件の設定がで
きると同時に、フィルムの不良防止ができる。また、高
周波電源や駆動モータ電源の省エネルギー効果もある。
更にオペレータの精神的な負担も軽減される。
上記の実施例では、一定に設定する条件を処理ガス濃度
と真空度にした場合について述べたが、逆にこれらの条
件を変化させることも可能である。
と真空度にした場合について述べたが、逆にこれらの条
件を変化させることも可能である。
本発明は上記の如く構成したので、プラズマ処理装置の
誤動作を防止できる。
誤動作を防止できる。
第１図（ａ）は処理ガス濃度とフィルム処理効果の関係
曲線、第１図（ｂ）は処理ガス濃度を一定にした場合の
高周波電源電圧とフィルム送り速度の関係曲線、第２図
は本発明のプラズマ処理袋（９） 置の概念図、第３図は制御装置ブロック図、第４図は設
定器のキーボード説明図、第５図は表示状態を表わす表
示図面の一例である。 １０・・・プラズマ処理槽、２・・・ドラム、３・・・
電極、１３・・・高周波電源、１６・・・ガスボンベ、
２０゜３０・・・シール装置、４１・・・巻出装置、４
３・・・巻取装置、５０・・・真空ポンプ、６０・・・
オペレーターズコンソール、６１・・・コンピュータ、
６２・・・設定器、６３・・・表示制御装置（ＣＲＴ）
、６４・・・記録装置。 代理人 弁理士 高橋明夫、 （１０） 敬緊程− 凶や→く 贋二鰯癖
曲線、第１図（ｂ）は処理ガス濃度を一定にした場合の
高周波電源電圧とフィルム送り速度の関係曲線、第２図
は本発明のプラズマ処理袋（９） 置の概念図、第３図は制御装置ブロック図、第４図は設
定器のキーボード説明図、第５図は表示状態を表わす表
示図面の一例である。 １０・・・プラズマ処理槽、２・・・ドラム、３・・・
電極、１３・・・高周波電源、１６・・・ガスボンベ、
２０゜３０・・・シール装置、４１・・・巻出装置、４
３・・・巻取装置、５０・・・真空ポンプ、６０・・・
オペレーターズコンソール、６１・・・コンピュータ、
６２・・・設定器、６３・・・表示制御装置（ＣＲＴ）
、６４・・・記録装置。 代理人 弁理士 高橋明夫、 （１０） 敬緊程− 凶や→く 贋二鰯癖
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、真空引きされた処理槽内に処理ガスを放出するとと
もに、高周波電圧により電極からプラズマを発生させて
ｔフイルカ旨気理物ｙのプラズマ処理を行なうプラズマ
処理装置において、プラズマ処理するために必要な複数
の条件の中から任意の条件を一定に設定するとともに、
他の条件の中で相関関係のある条件をあらかじめ入力し
た演算装置と、この入力しである条件のどちらか一方の
データを入力する設定器と、該設定器からの信号を受け
て演算した出力結果を表示する表示制御装置と、上記の
制御経過を時系列的に一定時間保持し記録する記録装置
を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置用制御装置
。 ２、複数の条件が、処理ガス濃度と処理槽内真空度とプ
ラズマ発生用高周波電圧とフィルム送り速度である特許
請求の範囲第１項記載のプラ（１） ダマ処理装置用制御装置。 ３、相関関係のある条件が、フィルム送り速度とプラズ
マ発生用高周波電圧であり、一定に設定する条件が処理
ガス濃度と処理槽内真空度である特許請求の範囲第１項
記載のプラズマ処理装置用制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8186984A JPS60228673A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | プラズマ処理装置用制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8186984A JPS60228673A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | プラズマ処理装置用制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60228673A true JPS60228673A (ja) | 1985-11-13 |
| JPH0413022B2 JPH0413022B2 (ja) | 1992-03-06 |
Family
ID=13758469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8186984A Granted JPS60228673A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | プラズマ処理装置用制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60228673A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0820852A1 (fr) * | 1996-07-23 | 1998-01-28 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Procédé et dispositif de commande du fonctionnement d'un système de traitement de surface d'un substrat solide en défilement |
| KR980010673A (ko) * | 1996-07-23 | 1998-04-30 | 띠에리 쉬에르 | 표면 처리 시스템 동작에 관한 제어 방법 및 장치 |
| SG89379A1 (en) * | 2000-02-22 | 2002-06-18 | Tokyo Electron Ltd | Treatment apparatus |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55114953A (en) * | 1979-02-28 | 1980-09-04 | Sumitomo Rubber Ind Ltd | Reaction quantity measuring unit |
| JPS58120860A (ja) * | 1982-01-06 | 1983-07-18 | 株式会社山東鉄工所 | シ−ト状物質の低温プラズマ処理装置 |
-
1984
- 1984-04-25 JP JP8186984A patent/JPS60228673A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55114953A (en) * | 1979-02-28 | 1980-09-04 | Sumitomo Rubber Ind Ltd | Reaction quantity measuring unit |
| JPS58120860A (ja) * | 1982-01-06 | 1983-07-18 | 株式会社山東鉄工所 | シ−ト状物質の低温プラズマ処理装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0820852A1 (fr) * | 1996-07-23 | 1998-01-28 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Procédé et dispositif de commande du fonctionnement d'un système de traitement de surface d'un substrat solide en défilement |
| FR2751664A1 (fr) * | 1996-07-23 | 1998-01-30 | Air Liquide | Procede et dispositif de commande du fonctionnement d'un systeme de traitement de surface d'un substrat solide en defilement |
| KR980010674A (ko) * | 1996-07-23 | 1998-04-30 | 띠에리 쉬에르 | 고체 기판의 표면을 처리하는 시스템 동작에 관한 제어 방법 및 장치 |
| KR980010673A (ko) * | 1996-07-23 | 1998-04-30 | 띠에리 쉬에르 | 표면 처리 시스템 동작에 관한 제어 방법 및 장치 |
| AU729512B2 (en) * | 1996-07-23 | 2001-02-01 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Control process and device for the operation of a system for treating the surface of a solid running substrate |
| AU729660B2 (en) * | 1996-07-23 | 2001-02-08 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Control process and device for the operation of a surface treatment system |
| SG89379A1 (en) * | 2000-02-22 | 2002-06-18 | Tokyo Electron Ltd | Treatment apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0413022B2 (ja) | 1992-03-06 |
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