JPH0413022B2 - - Google Patents
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- JPH0413022B2 JPH0413022B2 JP59081869A JP8186984A JPH0413022B2 JP H0413022 B2 JPH0413022 B2 JP H0413022B2 JP 59081869 A JP59081869 A JP 59081869A JP 8186984 A JP8186984 A JP 8186984A JP H0413022 B2 JPH0413022 B2 JP H0413022B2
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
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- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C37/00—Component parts, details, accessories or auxiliary operations, not covered by group B29C33/00 or B29C35/00
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、フイルムなど被処理物のプラズマ処
理装置の制御装置に関するものである。
理装置の制御装置に関するものである。
〔発明の背景〕
従来、プラスチツクフイルムなどのプラズマ処
理装置におけるフイルムの巻出し、巻取装置の速
度制御、シール機構及び処理槽の中のフイルム速
度制御、プラズマ処理用高周波電源電圧あるいは
電流制御、そして処理槽内ガス濃度制御、処理槽
内真空度制御等のフイルムのプラズマ処理に必要
な各条件は各々単独に制御していた。そのために
処理条件を変更するときは全て必要な制御系の設
定をオペレータが再設定する必要があつた。した
がつて、もし、オペレータが設定を誤まつたとき
は所期の目的と異なつた処理のフイルムができて
しまうという欠点があつた。
理装置におけるフイルムの巻出し、巻取装置の速
度制御、シール機構及び処理槽の中のフイルム速
度制御、プラズマ処理用高周波電源電圧あるいは
電流制御、そして処理槽内ガス濃度制御、処理槽
内真空度制御等のフイルムのプラズマ処理に必要
な各条件は各々単独に制御していた。そのために
処理条件を変更するときは全て必要な制御系の設
定をオペレータが再設定する必要があつた。した
がつて、もし、オペレータが設定を誤まつたとき
は所期の目的と異なつた処理のフイルムができて
しまうという欠点があつた。
なお、この種の装置として関連するものには例
えば特開昭54−95672号が挙げられる。
えば特開昭54−95672号が挙げられる。
本発明は、上記の点に鑑みてプラズマ処理装置
の誤操作を防止できる制御装置を提供することを
目的とするものである。
の誤操作を防止できる制御装置を提供することを
目的とするものである。
本発明は、上記の目的を達成するために、真空
引きされた処理槽内に処理ガスを放出するととも
に、高周波電圧により電極からプラズマを発生さ
せて被処理物のプラズマ処理を行なうプラズマ処
理装置において、処理ガス濃度と処理槽内真空度
とを所定の値に設定するとともに、相関関係にあ
るプラズマ発生用高周波電圧と被処理物の送り速
度とをあらかじめ入力した演算装置と、この入力
してあるプラズマ発生用高周波電圧と被処理物の
送り速度とのどちらか一方を設定する設定器と、
この設定器からの信号を受けて演算した出力結果
を表示する表示制御装置と、上記の制御経過を時
系列的に一定時間保持し記録する記録装置を設け
たことにより、各条件データを操作デスクあるい
はパネル上でCRT表示による対話形設定により
設定可能とすると同時に、オペレータの設定項目
を少なくして残りの条件はコンピユータにより演
算し、自動的に設定し、運転できるようにしたこ
とを特徴とするものである。
引きされた処理槽内に処理ガスを放出するととも
に、高周波電圧により電極からプラズマを発生さ
せて被処理物のプラズマ処理を行なうプラズマ処
理装置において、処理ガス濃度と処理槽内真空度
とを所定の値に設定するとともに、相関関係にあ
るプラズマ発生用高周波電圧と被処理物の送り速
度とをあらかじめ入力した演算装置と、この入力
してあるプラズマ発生用高周波電圧と被処理物の
送り速度とのどちらか一方を設定する設定器と、
この設定器からの信号を受けて演算した出力結果
を表示する表示制御装置と、上記の制御経過を時
系列的に一定時間保持し記録する記録装置を設け
たことにより、各条件データを操作デスクあるい
はパネル上でCRT表示による対話形設定により
設定可能とすると同時に、オペレータの設定項目
を少なくして残りの条件はコンピユータにより演
算し、自動的に設定し、運転できるようにしたこ
とを特徴とするものである。
被処理物のプラズマ処理における処理ガス濃
度、処理槽内真空度、プラズマ発生用高周波電圧
あるいは電流、そして被処理物の送り速度はプラ
ズマ処理効果を決定する重要な要素である。特に
各々の処理ガスにより最適処理濃度が存在する。
この処理ガスの濃度と初期到達真空度を最適条件
で設定すれば、プラズマ発生用高周波電圧（電
流）と被処理物送り速度は或る範囲において一定
の関係があるので、この特性をコンピユータにあ
らかじめ入力しておく。そして、プラズマ発生用
高周波電圧（電流）または被処理物送り速度のど
ちらか一方の条件を設定すると、他方の条件はコ
ンピユータによつて演算され自動的に設定され
る。この結果をCRT表示し、記録装置に記録す
る。オペレータは各々の重要な要素を確認しなが
ら操作することができるとともに、オペレータ自
身の設定項目は少なくなるので、それだけオペレ
ータの負担は軽減され、誤操作も防止できる。
度、処理槽内真空度、プラズマ発生用高周波電圧
あるいは電流、そして被処理物の送り速度はプラ
ズマ処理効果を決定する重要な要素である。特に
各々の処理ガスにより最適処理濃度が存在する。
この処理ガスの濃度と初期到達真空度を最適条件
で設定すれば、プラズマ発生用高周波電圧（電
流）と被処理物送り速度は或る範囲において一定
の関係があるので、この特性をコンピユータにあ
らかじめ入力しておく。そして、プラズマ発生用
高周波電圧（電流）または被処理物送り速度のど
ちらか一方の条件を設定すると、他方の条件はコ
ンピユータによつて演算され自動的に設定され
る。この結果をCRT表示し、記録装置に記録す
る。オペレータは各々の重要な要素を確認しなが
ら操作することができるとともに、オペレータ自
身の設定項目は少なくなるので、それだけオペレ
ータの負担は軽減され、誤操作も防止できる。
以下、本発明を第１図乃至第５図に示す一実施
例により詳細に説明する。
例により詳細に説明する。
第１図ａはフイルム処理効果とガス濃度の関係
を表わしたもので、ガス濃度がＡのときフイルム
処理効果が最も良いことを示している。また、第
１図ｂはガス濃度を一定にしたときのフイルム送
り速度と高周波電源電圧の関係を表わしたもので
ある。
を表わしたもので、ガス濃度がＡのときフイルム
処理効果が最も良いことを示している。また、第
１図ｂはガス濃度を一定にしたときのフイルム送
り速度と高周波電源電圧の関係を表わしたもので
ある。
第２図において、１０はフイルムを真空状態で
連続的に処理するプラズマ処理槽で、中央にドラ
ム２が駆動モータ１と連結されており、回転自在
に支承されている。該ドラム２の外周部にはプラ
ズマ発生用電極３が複数配設されており、該電極
３は高周波電源１３に接続されている。４はガス
放出口で、ガス流量制御弁１５とガス流量機１８
を介してガスボンベ１６に接続されている。２０
はフイルム巻出側のシール装置で、モータ２１に
よつて駆動される複数のシールロール２２を備え
ている。３０は巻取側のシール装置で、モータ３
１によつて駆動される複数のシール３２を備えて
おり、上記のシール装置２０，３０は前記プラズ
マ処理槽１０と一体に形成されており、フイルム
４０の出入口を構成している。４１はフイルム４
０の巻出装置で、モータ４２と連結されている。
４３は巻取装置で、モータ４４と連結されてい
る。５０は真空ポンプで、該真空ポンプ５０に接
続した真空配管５１を上記プラズマ処理槽１０内
に開口して接続している。５２は真空計である。
連続的に処理するプラズマ処理槽で、中央にドラ
ム２が駆動モータ１と連結されており、回転自在
に支承されている。該ドラム２の外周部にはプラ
ズマ発生用電極３が複数配設されており、該電極
３は高周波電源１３に接続されている。４はガス
放出口で、ガス流量制御弁１５とガス流量機１８
を介してガスボンベ１６に接続されている。２０
はフイルム巻出側のシール装置で、モータ２１に
よつて駆動される複数のシールロール２２を備え
ている。３０は巻取側のシール装置で、モータ３
１によつて駆動される複数のシール３２を備えて
おり、上記のシール装置２０，３０は前記プラズ
マ処理槽１０と一体に形成されており、フイルム
４０の出入口を構成している。４１はフイルム４
０の巻出装置で、モータ４２と連結されている。
４３は巻取装置で、モータ４４と連結されてい
る。５０は真空ポンプで、該真空ポンプ５０に接
続した真空配管５１を上記プラズマ処理槽１０内
に開口して接続している。５２は真空計である。
第３図、第４図において、６０はオペレーター
ズコンソールである。６１は演算装置であるコン
ピユータ（μ−CPU）で、入力側には設定器６
２が接続されており、出力側には表示制御装置
（CRT）６３と記録装置６４を接続している。ま
た、設定器６２はデイジタル信号設定用押ボタン
２４、入力用キー２５、真空度設定押ボタン２
６、ガス濃度設定押ボタン２７、高周波電源電圧
設定押ボタン２８、処理フイルム送り速度設定押
ボタン２９を有している。
ズコンソールである。６１は演算装置であるコン
ピユータ（μ−CPU）で、入力側には設定器６
２が接続されており、出力側には表示制御装置
（CRT）６３と記録装置６４を接続している。ま
た、設定器６２はデイジタル信号設定用押ボタン
２４、入力用キー２５、真空度設定押ボタン２
６、ガス濃度設定押ボタン２７、高周波電源電圧
設定押ボタン２８、処理フイルム送り速度設定押
ボタン２９を有している。
また、第５図は出力表示制御装置（CRT）で
ある。
ある。
次にその作用を説明する。
フイルムにプラズマ処理を施す上で、重要な要
素となる条件、処理ガス濃度、処理槽内真空度、
プラズマ発生用高周波電圧（電流）、フイルム送
り速度のうち、処理ガス濃度の最適ガス濃度Ａと
初期到達真空度を押ボタン２７と２６により一定
に設定する。次に、相関関係にあるフイルム送り
速度と高周波電源電圧（電流）の特性を演算装置
のマイクロコンピユータ（μ−CPU）６１にあ
らかじめ入力しておく。
素となる条件、処理ガス濃度、処理槽内真空度、
プラズマ発生用高周波電圧（電流）、フイルム送
り速度のうち、処理ガス濃度の最適ガス濃度Ａと
初期到達真空度を押ボタン２７と２６により一定
に設定する。次に、相関関係にあるフイルム送り
速度と高周波電源電圧（電流）の特性を演算装置
のマイクロコンピユータ（μ−CPU）６１にあ
らかじめ入力しておく。
次にオペレータはオペレータコンソール６０の
設定器６２から上記のコンピユータ６１に入力し
たフイルム送り速度あるいは高周波電源電圧（電
流）のいずれか１つの条件を入力する。これによ
り残りの条件はコンピユータ６１により演算さ
れ、自動的に設定されて表示制御装置（CRT）
６３と記録装置６４に出力される。
設定器６２から上記のコンピユータ６１に入力し
たフイルム送り速度あるいは高周波電源電圧（電
流）のいずれか１つの条件を入力する。これによ
り残りの条件はコンピユータ６１により演算さ
れ、自動的に設定されて表示制御装置（CRT）
６３と記録装置６４に出力される。
次にオペレータは出力された条件を確認したの
ち、プラズマ処理装置の起動操作を行なう。ま
た、記号Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｊ，Ｉおよび
Ｐはコンピユータ（μ−CPU）６１への入力信
号、ｖ，ｆ，ｐ，ａ，ｂ，ｃ，ｄおよびｅは各装
置への制御出力信号である。
ち、プラズマ処理装置の起動操作を行なう。ま
た、記号Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｊ，Ｉおよび
Ｐはコンピユータ（μ−CPU）６１への入力信
号、ｖ，ｆ，ｐ，ａ，ｂ，ｃ，ｄおよびｅは各装
置への制御出力信号である。
処理対象フイルム４０は巻出装置４１より巻出
され、大気と真空処理槽との真空シールを行なう
巻出側シール装置２０内を回転するロール２２の
間を通つてプラズマ処理槽１０に入る。プラズマ
処理槽１０内は一定の真空度になるように真空ポ
ンプ５０によつて制御されており、更に一定のガ
ス濃度が制御弁１５により制御されている。そし
て、プラズマ処理槽１０内の真空度は常に真空計
によつて計測されている。フイルム４０は回転す
る処理ドラム２とプラズマ電極３の間を通される
間に高周波電源１３から供給される高周波電圧
（電流）によつて発生するプラズマにより連続的
にプラズマ処理される。次にフイルム４０はプラ
ズマ処理槽１０から送り出され、シール装置３０
を経て巻取装置４３に巻取される。
され、大気と真空処理槽との真空シールを行なう
巻出側シール装置２０内を回転するロール２２の
間を通つてプラズマ処理槽１０に入る。プラズマ
処理槽１０内は一定の真空度になるように真空ポ
ンプ５０によつて制御されており、更に一定のガ
ス濃度が制御弁１５により制御されている。そし
て、プラズマ処理槽１０内の真空度は常に真空計
によつて計測されている。フイルム４０は回転す
る処理ドラム２とプラズマ電極３の間を通される
間に高周波電源１３から供給される高周波電圧
（電流）によつて発生するプラズマにより連続的
にプラズマ処理される。次にフイルム４０はプラ
ズマ処理槽１０から送り出され、シール装置３０
を経て巻取装置４３に巻取される。
上記の実施例によれば、フイルム処理に経験の
浅いオペレータでも誤動作がなく、速やかに処理
条件の設定ができると同時に、フイルムの不良防
止ができる。また、高周波電源や駆動モータ電源
の省エネルギー効果もある。更にオペレータの精
神的な負担も軽減される。
浅いオペレータでも誤動作がなく、速やかに処理
条件の設定ができると同時に、フイルムの不良防
止ができる。また、高周波電源や駆動モータ電源
の省エネルギー効果もある。更にオペレータの精
神的な負担も軽減される。
上記の実施例では、一定に設定する条件を処理
ガス濃度と真空度にした場合について述べたが、
逆にこれらの条件を変化させることも可能であ
る。
ガス濃度と真空度にした場合について述べたが、
逆にこれらの条件を変化させることも可能であ
る。
本発明によれば、プラズマ処理を常に良好に行
ないうる。
ないうる。
第１図ａは処理ガス濃度とフイルム処理効果の
関係曲線、第１図ｂは処理ガス濃度を一定にした
場合の高周波電源電圧とフイルム送り速度の関係
曲線、第２図は本発明のプラズマ処理装置の概念
図、第３図は制御装置ブロツク図、第４図は設定
器のキーボード説明図、第５図は表示状態を表わ
す表示図面の一例である。 １０……プラズマ処理槽、２……ドラム、３…
…電極、１３……高周波電源、１６……ガスボン
ベ、２０，３０……シール装置、４１……巻出装
置、４３……巻取装置、５０……真空ポンプ、６
０……オペレーターズコンソール、６１……コン
ピユータ、６２……設定器、６３……表示制御装
置（CRT）、６４……記録装置。
関係曲線、第１図ｂは処理ガス濃度を一定にした
場合の高周波電源電圧とフイルム送り速度の関係
曲線、第２図は本発明のプラズマ処理装置の概念
図、第３図は制御装置ブロツク図、第４図は設定
器のキーボード説明図、第５図は表示状態を表わ
す表示図面の一例である。 １０……プラズマ処理槽、２……ドラム、３…
…電極、１３……高周波電源、１６……ガスボン
ベ、２０，３０……シール装置、４１……巻出装
置、４３……巻取装置、５０……真空ポンプ、６
０……オペレーターズコンソール、６１……コン
ピユータ、６２……設定器、６３……表示制御装
置（CRT）、６４……記録装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 真空引きされた処理槽内に処理ガスを放出す
るとともに、高周波電圧により電極からプラズマ
を発生させて被処理物のプラズマ処理を行なうプ
ラズマ処理装置において、処理ガス濃度と処理槽
内真空度とを所定の値に設定するとともに、相関
関係にあるプラズマ発生用高周波電圧と被処理物
の送り速度とをあらかじめ入力した演算装置と、
この入力してあるプラズマ発生用高周波電圧と被
処理物の送り速度とのどちらか一方を設定する設
定器と、この設定器からの信号を受けて演算した
出力結果を表示する表示制御装置と、上記の制御
経過を時系列的に一定時間保持し記録する記録装
置を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置用
制御装置。 ２ 特許請求の範囲第１項記載のプラズマ処理用
制御装置において、プラズマ発生用高周波電圧と
被処理物の送り速度とを所定の値に設定するとと
もに、処理ガス濃度と処理槽内真空度とを演算装
置にあらかじめ入力することを特徴とするプラズ
マ処理装置用制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8186984A JPS60228673A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | プラズマ処理装置用制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8186984A JPS60228673A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | プラズマ処理装置用制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60228673A JPS60228673A (ja) | 1985-11-13 |
| JPH0413022B2 true JPH0413022B2 (ja) | 1992-03-06 |
Family
ID=13758469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8186984A Granted JPS60228673A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | プラズマ処理装置用制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60228673A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2751665B1 (fr) * | 1996-07-23 | 1998-09-04 | Air Liquide | Procede et dispositif de commande du fonctionnement d'un systeme de traitement de surface |
| FR2751664B1 (fr) * | 1996-07-23 | 1998-09-04 | Air Liquide | Procede et dispositif de commande du fonctionnement d'un systeme de traitement de surface d'un substrat solide en defilement |
| SG89379A1 (en) * | 2000-02-22 | 2002-06-18 | Tokyo Electron Ltd | Treatment apparatus |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55114953A (en) * | 1979-02-28 | 1980-09-04 | Sumitomo Rubber Ind Ltd | Reaction quantity measuring unit |
| JPS58120860A (ja) * | 1982-01-06 | 1983-07-18 | 株式会社山東鉄工所 | シ−ト状物質の低温プラズマ処理装置 |
-
1984
- 1984-04-25 JP JP8186984A patent/JPS60228673A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55114953A (en) * | 1979-02-28 | 1980-09-04 | Sumitomo Rubber Ind Ltd | Reaction quantity measuring unit |
| JPS58120860A (ja) * | 1982-01-06 | 1983-07-18 | 株式会社山東鉄工所 | シ−ト状物質の低温プラズマ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60228673A (ja) | 1985-11-13 |
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