JPS60225401A - バリスタ用磁器組成物 - Google Patents
バリスタ用磁器組成物Info
- Publication number
- JPS60225401A JPS60225401A JP59082491A JP8249184A JPS60225401A JP S60225401 A JPS60225401 A JP S60225401A JP 59082491 A JP59082491 A JP 59082491A JP 8249184 A JP8249184 A JP 8249184A JP S60225401 A JPS60225401 A JP S60225401A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- varistor
- voltage
- component
- porcelain
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電圧非直線指数値の大きなバリスタ用磁器組
成物に関する。
成物に関する。
電子回路には、異常電圧の吸収やノイズの除去等の目的
でバリスタ素子が用いられている。
でバリスタ素子が用いられている。
従来のバリスタ素子は、ＳｒＴｉＯ３を主成分とし、こ
の他多種の酸化物とから成る磁器組成物が使用されてい
る。例えば、直径５，３３．厚さ０ 、８ Ｉｌｌの上
記磁器の表面に対向する一対の銀電極を設けて構成され
たバリスタ素子では、バリスタ電圧（０，１ｍＡの電流
を流すのに要する印加電圧をいう、以下同じ）が１５〜
４０■、第２図で示すような波頭長８μｓ、波尾長２０
μｓのサージ電流を１０秒間隔で５回流した後、常温に
一時間放置した時のバリスタ電圧ｖ１の変化率（以下単
に「バリスタ電圧の変化率」という）Δ■１が−０，３
〜−０，８％、電圧非直線指数αが１３〜１５といった
特性を有しており、静電容量Ｃは。
の他多種の酸化物とから成る磁器組成物が使用されてい
る。例えば、直径５，３３．厚さ０ 、８ Ｉｌｌの上
記磁器の表面に対向する一対の銀電極を設けて構成され
たバリスタ素子では、バリスタ電圧（０，１ｍＡの電流
を流すのに要する印加電圧をいう、以下同じ）が１５〜
４０■、第２図で示すような波頭長８μｓ、波尾長２０
μｓのサージ電流を１０秒間隔で５回流した後、常温に
一時間放置した時のバリスタ電圧ｖ１の変化率（以下単
に「バリスタ電圧の変化率」という）Δ■１が−０，３
〜−０，８％、電圧非直線指数αが１３〜１５といった
特性を有しており、静電容量Ｃは。
３０、０００〜４０．０ＯＯＰＰである。
本件発明者等は、バリスタ電圧の変化率Δ■１を大幅に
変えることなく、従来のものに比べて静電容量Ｃの小さ
なバリスタ素子が得られる磁器組成物を昭和５９年特許
願第２７６７５号において開示した。その内容は、Ｓｒ
１−ｘＭｇｘＴｉ０３（但し０．０５≦Ｘ≦０．５）を
主成分とし１元素周期表のｍａ族（Ｌ ａ ＊ Ｃｅ
＋ Ｐ ｒ ＋ Ｎ ｄ ｒ Ｓ ｍ＊Ｅ ｕ ＋ Ｄ
ｙ 、Ｙ ） ＋ Ｖ ａ族（Ｎｂ、−Ｔａ）または
Ｖｉａ族（Ｗ）の酸化物で原子価制御材として作用する
成１分と、ＮａＦとからなる磁器組成物である。この磁
器を用いて作られた上記と同形のバリスタ素子では、バ
リスタ電圧■１が１２〜４０ｖ、同電圧の変化率ΔＶ！
が−０，４〜−１，０％９重圧非直線指数αが１１．１
〜１３．９であり、これらの静電容量Ｃは４５０〜２２
８０ＰＰであった。しかし、広汎な用途に対応するため
さらに電圧非直線指数αが得られる磁器組成物の開発が
望まれている。
変えることなく、従来のものに比べて静電容量Ｃの小さ
なバリスタ素子が得られる磁器組成物を昭和５９年特許
願第２７６７５号において開示した。その内容は、Ｓｒ
１−ｘＭｇｘＴｉ０３（但し０．０５≦Ｘ≦０．５）を
主成分とし１元素周期表のｍａ族（Ｌ ａ ＊ Ｃｅ
＋ Ｐ ｒ ＋ Ｎ ｄ ｒ Ｓ ｍ＊Ｅ ｕ ＋ Ｄ
ｙ 、Ｙ ） ＋ Ｖ ａ族（Ｎｂ、−Ｔａ）または
Ｖｉａ族（Ｗ）の酸化物で原子価制御材として作用する
成１分と、ＮａＦとからなる磁器組成物である。この磁
器を用いて作られた上記と同形のバリスタ素子では、バ
リスタ電圧■１が１２〜４０ｖ、同電圧の変化率ΔＶ！
が−０，４〜−１，０％９重圧非直線指数αが１１．１
〜１３．９であり、これらの静電容量Ｃは４５０〜２２
８０ＰＰであった。しかし、広汎な用途に対応するため
さらに電圧非直線指数αが得られる磁器組成物の開発が
望まれている。
〔発明の目的〕
この発明は、従来のバリスタ磁器組成物では得られなか
った電圧非直線指数αの大きなバリスタが、その形状や
その他の電気特性を変えずに得られる磁器組成物を提供
することを目的とするものである。
った電圧非直線指数αの大きなバリスタが、その形状や
その他の電気特性を変えずに得られる磁器組成物を提供
することを目的とするものである。
（発明の構成〕
本発明による磁器組成物は、５ｒ１−ｙＭｇｘＴｉＯ＋
（但し、 ０．０５≦Ｘ≦０．５）からなる成分（以下
、第一成分という）１００モル部と。
（但し、 ０．０５≦Ｘ≦０．５）からなる成分（以下
、第一成分という）１００モル部と。
Ｌａ２Ｏ３，ＣｅＯ２、、Ｎｄ２Ｏ３、Ｙ２０３゜Ｐｒ
ｅ Ｏｓ＋、３ｍ２０３ ＋ Ｅｕ２０３＋ ＤＦ２０
３ 、Ｎｂ２０６ 、Ｔａ２ ｏ５．ＷＯ３の内一種以
上からなる成分（以下、第二成分という）ｏ、ｏｉ〜ａ
、ｏｏモル部と、ＮａＦ （以下、第三成分という）
０．０１〜１．２５モル部と＊ Ａｇ２Ｏ，ＣｕＯ，Ａ
ｌ１０３，５ｉ０２．ＭｎＯ２の内一種以上からなる成
分（以下、第四成分という）０．０１〜３．００モル部
からなる磁器原料を焼結させたものである。
ｅ Ｏｓ＋、３ｍ２０３ ＋ Ｅｕ２０３＋ ＤＦ２０
３ 、Ｎｂ２０６ 、Ｔａ２ ｏ５．ＷＯ３の内一種以
上からなる成分（以下、第二成分という）ｏ、ｏｉ〜ａ
、ｏｏモル部と、ＮａＦ （以下、第三成分という）
０．０１〜１．２５モル部と＊ Ａｇ２Ｏ，ＣｕＯ，Ａ
ｌ１０３，５ｉ０２．ＭｎＯ２の内一種以上からなる成
分（以下、第四成分という）０．０１〜３．００モル部
からなる磁器原料を焼結させたものである。
この場合に、上記第三成分は、第一、第二及び第四成分
と共に出発原料として用いずに、いわゆる熱拡、散の手
段によって磁器中に含有させることもできる。即ち、こ
の第三成分を除く磁器原料を成形、焼結させた後、得ら
れた磁器の主面に第三成分の粉末を載せ、これを８００
〜１３００℃の温度で処理することにより、同成分を磁
器中に含ませることができる。
と共に出発原料として用いずに、いわゆる熱拡、散の手
段によって磁器中に含有させることもできる。即ち、こ
の第三成分を除く磁器原料を成形、焼結させた後、得ら
れた磁器の主面に第三成分の粉末を載せ、これを８００
〜１３００℃の温度で処理することにより、同成分を磁
器中に含ませることができる。
なお、既に述べた通り、バリスタ素子は、板状に成形し
た上記磁器組成物の両面に対向する一対の電極を設ける
ことにより構成される。
た上記磁器組成物の両面に対向する一対の電極を設ける
ことにより構成される。
次ぎにこの実施例をその比較例と共に説明する。
（実施例１）
最初に純度９７．５％のＳ ｒ ＣＯ３１Ｍ ｇ ＣＯ
３１ＴｉＯ３をそれぞれ表１の割合で秤量し、これらを
ボールミルに１０時間かけて混合した後、脱表１ 水乾燥し、さらに１２００℃の温度で２時間仮焼きした
。次いでこれをボールミルに８時間かけて粉砕し、 Ｓ
ｒ ｌ−Ｘ Ｍｇｘ、４Ｔ ｉ Ｏ：＋で示される第
一成分を得た。同成分のＸの値は２表１に示された通り
である。
３１ＴｉＯ３をそれぞれ表１の割合で秤量し、これらを
ボールミルに１０時間かけて混合した後、脱表１ 水乾燥し、さらに１２００℃の温度で２時間仮焼きした
。次いでこれをボールミルに８時間かけて粉砕し、 Ｓ
ｒ ｌ−Ｘ Ｍｇｘ、４Ｔ ｉ Ｏ：＋で示される第
一成分を得た。同成分のＸの値は２表１に示された通り
である。
次ぎに、純度９９％のＬａ２Ｏ３、ＣｅＯ２。
Ｎｄ２Ｏ３、Ｙ２０３ 、Ｐｒｓ ０１１．Ｓｍ２Ｏ３
、Ｅｕ２０３．Ｄｙ２０３．Ｎｂ２Ｏ５。
、Ｅｕ２０３．Ｄｙ２０３．Ｎｂ２Ｏ５。
Ｔ ａ ２０ｓ 、 ＷＯ３の内から選ばれた１種以上
のものからなる第二成分、純度９７％のＮａＦ。
のものからなる第二成分、純度９７％のＮａＦ。
即ち第三成分並びにＡｇ２０．Ｃｕｂ、Ａｌ２Ｏ３、Ｓ
ｉ ０２ 、ＭｎＯ２から選ばれた１種以上のものか
らなる第四成分を上記第一成分１００モル部に対して、
それぞれ表２に示す割合で配合し、播潰機で２０時間攪
拌した後、バインダを加えて造粒し、加圧成形して直径
６ 、１ ｍ 、厚さ１．０難の成形体を得た。次ぎに
、この成形体をＮ２ガス９５容量％ｌＨ２ガス５容量％
の雰囲気で１３００〜１４５０℃の温度にて３〜６時間
加熱し。
ｉ ０２ 、ＭｎＯ２から選ばれた１種以上のものか
らなる第四成分を上記第一成分１００モル部に対して、
それぞれ表２に示す割合で配合し、播潰機で２０時間攪
拌した後、バインダを加えて造粒し、加圧成形して直径
６ 、１ ｍ 、厚さ１．０難の成形体を得た。次ぎに
、この成形体をＮ２ガス９５容量％ｌＨ２ガス５容量％
の雰囲気で１３００〜１４５０℃の温度にて３〜６時間
加熱し。
焼結させた。この焼結体の寸法は、直径５．１±０．０
５ｍ、厚さ０．８°±０．０１ｍであった。さらにこれ
を空気中で８００〜１２００℃の温度で２時間加熱し、
再酸化処理を行い、磁器組成物を得た。
５ｍ、厚さ０．８°±０．０１ｍであった。さらにこれ
を空気中で８００〜１２００℃の温度で２時間加熱し、
再酸化処理を行い、磁器組成物を得た。
次いで、これら磁器組成物の両面に銀ペーストを直径３
．５ｆｉ塗布し、これを８００℃の温度で焼成して、対
向する一対の電極を設け、試料１〜１２６を得た。なお
、この内、試料１〜１２．１７〜２３．２８〜４７．５
２〜５８．６３〜８２．８７〜９３．９８〜１１８及び
１２４〜１２６が本実施例によるもので。
．５ｆｉ塗布し、これを８００℃の温度で焼成して、対
向する一対の電極を設け、試料１〜１２６を得た。なお
、この内、試料１〜１２．１７〜２３．２８〜４７．５
２〜５８．６３〜８２．８７〜９３．９８〜１１８及び
１２４〜１２６が本実施例によるもので。
その他の試料は、比較例 （表２において＊の符合で示
す）として作製したものである。
す）として作製したものである。
次ぎに、これら試料について、それぞれバリスタ電圧Ｖ
ｌ、同電圧の変化率ΔＶＩ＋電圧非直線指数α、静電容
量Ｃを測定し１表２の各欄に示した。なお、これらの測
定は２次のようにして実施した。静電容量Ｃは、ｌＫＨ
２の周波数で測定し、電圧非直線指数αは、電圧１ｓ＝
０．１１ＩＩＡのときの印加電圧Ｖ＋ （バリスタ電圧
）と。
ｌ、同電圧の変化率ΔＶＩ＋電圧非直線指数α、静電容
量Ｃを測定し１表２の各欄に示した。なお、これらの測
定は２次のようにして実施した。静電容量Ｃは、ｌＫＨ
２の周波数で測定し、電圧非直線指数αは、電圧１ｓ＝
０．１１ＩＩＡのときの印加電圧Ｖ＋ （バリスタ電圧
）と。
電流１２ ＝ １．０ｍＡのときの印加電圧ｖ２を測定
し１次の式でめた。
し１次の式でめた。
ｌｏｇ （１２／Ｉｓ ）
また、バリスタ電圧の変化率Δｖｌについては。
第１図で示す雷サージ許容度試験機によって。
スイッチＳを１０秒間隔で切り換えて第２図で示すよう
な波頭長８ｐａ＋波尾長２０μｓ＋波高２０ＯＡのサー
ジ電流を５回繰り返して流した後、１時間常温に放置し
てからバリスタ電圧ｖ３を測定し２次の式によりめた。
な波頭長８ｐａ＋波尾長２０μｓ＋波高２０ＯＡのサー
ジ電流を５回繰り返して流した後、１時間常温に放置し
てからバリスタ電圧ｖ３を測定し２次の式によりめた。
■１
この結果２本実施例の磁器を使用して作製された試料、
即゛ち１〜１２．１７〜２３．２８〜４７．５２〜５８
、６３〜８２．８７〜９３．９８〜１１８及び１２４〜
１２６の試料では、バリスタ電圧ｖ１が１３．０〜４５
． Ｉ Ｖ 。
即゛ち１〜１２．１７〜２３．２８〜４７．５２〜５８
、６３〜８２．８７〜９３．９８〜１１８及び１２４〜
１２６の試料では、バリスタ電圧ｖ１が１３．０〜４５
． Ｉ Ｖ 。
電圧非直線指数αが１６．１〜２１．３．静電容量Ｃが
３９６〜２３４０ＰＦ、バリスタ電圧の変化率Δｖ１が
−０，３〜−１，０％であり、従来のものと比較して電
圧非直線指数αの値が特に大きい。
３９６〜２３４０ＰＦ、バリスタ電圧の変化率Δｖ１が
−０，３〜−１，０％であり、従来のものと比較して電
圧非直線指数αの値が特に大きい。
これを比較例として作製された試料と比較してみると、
第一成分のＸの値が０．０２５と０．０５より小さい試
料１３．１４．４８．４９．８３．８４では、静電容量
Ｃが２６３００ＰＦ以上と上記実施例に比べて高い。他
方、Ｘの値が０．６と、０．５より大きい試料１５．１
６．５０．５１．８５．８８では、バリスタ電圧ｖ１が
２６１．２Ｖ以上と高かった。
第一成分のＸの値が０．０２５と０．０５より小さい試
料１３．１４．４８．４９．８３．８４では、静電容量
Ｃが２６３００ＰＦ以上と上記実施例に比べて高い。他
方、Ｘの値が０．６と、０．５より大きい試料１５．１
６．５０．５１．８５．８８では、バリスタ電圧ｖ１が
２６１．２Ｖ以上と高かった。
第二成分が０．００５モル部と０．０１モル部より少な
い試料２４．５９．９４では、バリスタ電圧ｖ１が２６
１．４Ｖ以上止高く、電圧非直線指数αが１１６０以下
と小さかった。また、同成分が３，０モル部を越えて３
．５モル部である試料２５．６０．９５では。
い試料２４．５９．９４では、バリスタ電圧ｖ１が２６
１．４Ｖ以上止高く、電圧非直線指数αが１１６０以下
と小さかった。また、同成分が３，０モル部を越えて３
．５モル部である試料２５．６０．９５では。
１３００−１４５０℃の温度範囲で焼結せず、バリスタ
素子として使用し得る素子が得られなかった。
素子として使用し得る素子が得られなかった。
第三成分を含まない試料２７．６２．９７と、同成分が
１．２５モル部を越えて１．５モル部含まれている試料
２６．６Ｌ ９６では、バリスタ電圧の変化率Δｖ１が
−１１，６％以上と大きかワた。
１．２５モル部を越えて１．５モル部含まれている試料
２６．６Ｌ ９６では、バリスタ電圧の変化率Δｖ１が
−１１，６％以上と大きかワた。
第四成分が０．０１モル部より少ない試料１１９゜１２
０、１２１では、電圧非直線指数αが１４．１以下と小
さい。他方、同成分が３．０モル部を越えて３．５モル
部含まれている試料１２２．１２３では、バリスタ電圧
の変化率Δｖ１が−２１，３％以上と大きかった。
０、１２１では、電圧非直線指数αが１４．１以下と小
さい。他方、同成分が３．０モル部を越えて３．５モル
部含まれている試料１２２．１２３では、バリスタ電圧
の変化率Δｖ１が−２１，３％以上と大きかった。
（実施例２）
ｘ＝０．２５の第一成分１００モル部と、第二成分であ
るＬ３２０３１．０モル部と、第四成分であるＡ ｇ
２０３．００モル部からなる磁器原料を用いて、上記実
施例１と同じ方法、同じ条件で円板形の焼結体を作製し
た。次いで、第三成分であるＮ ａ Ｆｏ、１４■を上
記焼結体の片主面に一様な厚さに載せ、空気中において
１０００℃の温度で２時間加熱し、ＮａＦを同焼結体中
に拡散させると同時に、酸化処理を施した。
るＬ３２０３１．０モル部と、第四成分であるＡ ｇ
２０３．００モル部からなる磁器原料を用いて、上記実
施例１と同じ方法、同じ条件で円板形の焼結体を作製し
た。次いで、第三成分であるＮ ａ Ｆｏ、１４■を上
記焼結体の片主面に一様な厚さに載せ、空気中において
１０００℃の温度で２時間加熱し、ＮａＦを同焼結体中
に拡散させると同時に、酸化処理を施した。
さらにこうして出来た磁器の両生面に、上記実施例１と
同じ方法で銀電極を設け、これを試料１２７とした。同
試料については、上記実施例１と同じ方法で試験を実施
したが、その結果は。
同じ方法で銀電極を設け、これを試料１２７とした。同
試料については、上記実施例１と同じ方法で試験を実施
したが、その結果は。
表２に示した通りであり、試料３５と同等の特性が得ら
れた。
れた。
この方法は、実施例１のように第三成分を出全原料とし
て用いる方法に比べて工程が多少複雑になるが、同成分
を工程の後半で添加するので、添加量を任意に変えて素
子の特性、殊にバリスタ電圧を制御し易い利点がある。
て用いる方法に比べて工程が多少複雑になるが、同成分
を工程の後半で添加するので、添加量を任意に変えて素
子の特性、殊にバリスタ電圧を制御し易い利点がある。
以上の通り本発明による磁器組成物を用いることにより
、小型化された形状のま−で、かつバリスタ電圧■１や
その変化率Δｖ１及び静電容量Ｃ等の特性を大幅に変え
ずに電圧依存非直線指数αの特に大きなバリスタ素子が
得られるようになる。これによってより広汎な用途に対
応できるようになる。
、小型化された形状のま−で、かつバリスタ電圧■１や
その変化率Δｖ１及び静電容量Ｃ等の特性を大幅に変え
ずに電圧依存非直線指数αの特に大きなバリスタ素子が
得られるようになる。これによってより広汎な用途に対
応できるようになる。
第１図は９本発明の実施例において試料のサージ電流に
よるバリスタ電圧の変化率を測定′する際に使用した雷
サージ許容度試験機を示す回路図、第２図は、同試験装
置において試料に流したサージ電流の波形を示す図表で
ある。 特許出願人 太陽誘電株式会社 代理人 弁理士 北條和由 第１閲 第２図 う皮蹟表 手続補正書 昭和６０年 ７月２４日 ５Ｔｈ） 需庁長官志賀 学殿 １、１９牛の１５Ｒ 昭和５９狛剌犠郭８２４９１号 ２、発明の名称 バリスタ用磁器組成物 住所 東京都台東区上野１丁目２番１２号氏名（名称）
太陽誘電株式会社 ４、代理人
よるバリスタ電圧の変化率を測定′する際に使用した雷
サージ許容度試験機を示す回路図、第２図は、同試験装
置において試料に流したサージ電流の波形を示す図表で
ある。 特許出願人 太陽誘電株式会社 代理人 弁理士 北條和由 第１閲 第２図 う皮蹟表 手続補正書 昭和６０年 ７月２４日 ５Ｔｈ） 需庁長官志賀 学殿 １、１９牛の１５Ｒ 昭和５９狛剌犠郭８２４９１号 ２、発明の名称 バリスタ用磁器組成物 住所 東京都台東区上野１丁目２番１２号氏名（名称）
太陽誘電株式会社 ４、代理人
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｓ ｒ Ｉ−ｘ Ｍｇｘ Ｔ ｉ Ｏ３（但し、 ０．
０５≦Ｘ≦０．５）からなる成分１００モル部と、Ｌ
ａ ２０３ ＋ＣｅＯ２、Ｎｄ２Ｏ３、Ｙ２０３ 、Ｐ
ｒｅ Ｏ１１＋Ｓｍ２０３ 、Ｅｕ２０３．Ｄ）’２０
３ 、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔ ａ ２．０５． 、 ＷＯ３の
内一種以上の成分０．０１〜３．００モル部と、 Ｎ
ａ Ｆｏ、０１〜１．２５モル部と＋ Ａｇ２０．Ｃｕ
ｂ、Ａ１２０３ 、Ｓ ｉ０２ 。 Ｍ ｎ Ｏ２の内一種以上の成分０．０１〜３．００モ
ル部からなるものを焼結させてなることを特徴とするバ
リスタ用磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59082491A JPS60225401A (ja) | 1984-04-24 | 1984-04-24 | バリスタ用磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59082491A JPS60225401A (ja) | 1984-04-24 | 1984-04-24 | バリスタ用磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60225401A true JPS60225401A (ja) | 1985-11-09 |
| JPH0248122B2 JPH0248122B2 (ja) | 1990-10-24 |
Family
ID=13775962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59082491A Granted JPS60225401A (ja) | 1984-04-24 | 1984-04-24 | バリスタ用磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60225401A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6348802A (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-01 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
-
1984
- 1984-04-24 JP JP59082491A patent/JPS60225401A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6348802A (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-01 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0248122B2 (ja) | 1990-10-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6257245B2 (ja) | ||
| JPS60225401A (ja) | バリスタ用磁器組成物 | |
| JPS62278703A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6229008A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| KR100295282B1 (ko) | 저전압용디스크및칩형세라믹바리스터제조방법 | |
| JPH0345559A (ja) | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物 | |
| JPS61131501A (ja) | 半導体磁器 | |
| JPH0249524B2 (ja) | ||
| JPS60170903A (ja) | 電圧依存非直線抵抗特性を有する磁器組成物 | |
| JPS6121183B2 (ja) | ||
| JP2944697B2 (ja) | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物 | |
| JPS5992503A (ja) | 電圧依存非直線抵抗特性を有する半導体磁器物質 | |
| JPH05250916A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPS62278704A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6243107A (ja) | バリスタ用磁器組成物 | |
| JP3303453B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS59218702A (ja) | 電圧非直線磁器組成物 | |
| JPS6243108A (ja) | バリスタ用磁器組成物 | |
| JPS6033258A (ja) | 磁器組成物 | |
| JPS6243106A (ja) | バリスタ用磁器組成物 | |
| JPS6243110A (ja) | バリスタ用磁器組成物 | |
| JPS63301410A (ja) | 粒界絶縁形半導体磁器組成物 | |
| JPS6243109A (ja) | バリスタ用磁器組成物 | |
| JPH0249522B2 (ja) | ||
| JPS59186308A (ja) | 電圧非直線抵抗体用半導体磁器組成物 |