JPS62278704A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPS62278704A JPS62278704A JP61121966A JP12196686A JPS62278704A JP S62278704 A JPS62278704 A JP S62278704A JP 61121966 A JP61121966 A JP 61121966A JP 12196686 A JP12196686 A JP 12196686A JP S62278704 A JPS62278704 A JP S62278704A
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
（産業上の利用分野）
この発明は誘電体磁器組成物に関し、特に積層コンデン
サなどの誘電体材料に適する誘電体磁器組成物に関する
。
サなどの誘電体材料に適する誘電体磁器組成物に関する
。
（従来技術）
従来、この種の誘電体磁器組成物としては、ＢａＴｉ０
ｚあるいはＴｉＯ□を主成分とする磁器組成物が用いら
れてきた。
ｚあるいはＴｉＯ□を主成分とする磁器組成物が用いら
れてきた。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、そのような従来のＫｎ ！組成物を用い
て、たとえば積層コンデンサを作成し、これをレーザに
よって静電容量調整すると、レーザ光の照射によって磁
器損傷部の絶縁抵抗値が著しく低下してしまい、コンデ
ンサとしての性能を著しく損なうという欠点があった。
て、たとえば積層コンデンサを作成し、これをレーザに
よって静電容量調整すると、レーザ光の照射によって磁
器損傷部の絶縁抵抗値が著しく低下してしまい、コンデ
ンサとしての性能を著しく損なうという欠点があった。
そこで、レーザ光の照射を受けても絶縁抵抗値が低下し
ない、＾１□０３系に！ ２３を用いることが考えられ
るが、へ１□０３系磁器はその焼結温度が１６００℃以
上と著しく高いため、従来のＰｄやｐｔでさえも内部電
極として使用できない。
ない、＾１□０３系に！ ２３を用いることが考えられ
るが、へ１□０３系磁器はその焼結温度が１６００℃以
上と著しく高いため、従来のＰｄやｐｔでさえも内部電
極として使用できない。
それゆえに、この発明の主たる目的は、Ａｈａ：ｌ系磁
器より低温で焼結することができ、かつレーザ光の照射
を受けてもｔ員傷部の絶縁抵抗値が低下しない誘電体磁
器組成物を提供することである。
器より低温で焼結することができ、かつレーザ光の照射
を受けてもｔ員傷部の絶縁抵抗値が低下しない誘電体磁
器組成物を提供することである。
（問題点を解決するための手段）
この発明は、Ａｌｚ（ｈ １００重量部に対して、Ｔ
ｉＯ□を０．５〜１０．０重量部、およびＭｎＯ２をＯ
９５〜６．０重量部含む、誘電体磁器組成物である。
ｉＯ□を０．５〜１０．０重量部、およびＭｎＯ２をＯ
９５〜６．０重量部含む、誘電体磁器組成物である。
（発明の効果）
この発明によれば、１３６０°Ｃ以下の温度で焼結でき
、レーザ光の照射を受けても絶縁抵抗値が著しく低下し
ない誘電体磁器組成物を得ることができる。そして、特
に、この発明による誘電体磁器組成物を用いれば、内部
電極の材料として、たとえば二・７ケルなどを用いるこ
とができるので、パラジウムや白金を用いなくてもよく
、さらに、レーザによるトリミングの可能な積層コンデ
ンサを作成することができる。
、レーザ光の照射を受けても絶縁抵抗値が著しく低下し
ない誘電体磁器組成物を得ることができる。そして、特
に、この発明による誘電体磁器組成物を用いれば、内部
電極の材料として、たとえば二・７ケルなどを用いるこ
とができるので、パラジウムや白金を用いなくてもよく
、さらに、レーザによるトリミングの可能な積層コンデ
ンサを作成することができる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
（実施例）
原料として、Ａｌ２Ｏ２，Ｔｉ０ｚ、 ＭｎＣ０ｚ 、
Ｆｅ２０ｉ 。
Ｆｅ２０ｉ 。
Ｃ０ＣＯ３、ＮｉＯ、Ｃｒ２（ｈおよびＣｕＯを、別表
１の組成となるように秤量し、ボールミルで１６時間、
湿式混合した。この混合物を脱水乾燥し、１０００〜１
２００℃で２時間仮焼した後、バインダとしてポリビニ
ルアルコールを６〜１５重量％添加し、ボールミルで１
６時間混合粉砕した。次に、この粉砕物を２０００ ｋ
ｇ／ｃＡの圧力で乾式プレスし、直径３０ｖｗ、厚さ０
．８＋ｕの円板に成形し、１２４０℃〜１５５０°Ｃで
焼結した後、銀電極を８００℃で焼き付けて試料とした
。
１の組成となるように秤量し、ボールミルで１６時間、
湿式混合した。この混合物を脱水乾燥し、１０００〜１
２００℃で２時間仮焼した後、バインダとしてポリビニ
ルアルコールを６〜１５重量％添加し、ボールミルで１
６時間混合粉砕した。次に、この粉砕物を２０００ ｋ
ｇ／ｃＡの圧力で乾式プレスし、直径３０ｖｗ、厚さ０
．８＋ｕの円板に成形し、１２４０℃〜１５５０°Ｃで
焼結した後、銀電極を８００℃で焼き付けて試料とした
。
これらの試料について、次に示す各特性をそれぞれの条
件や測定方法で測定し、その結果を別表２に示した。
件や測定方法で測定し、その結果を別表２に示した。
（１）焼結温度
（２）誘電率およびＱ：周波数Ｉ Ｍ Ｈｚ 、温度２
５°Ｃの条件（測定には横河ヒューレットパソカード社
の自動ブリッジを用いた）。
５°Ｃの条件（測定には横河ヒューレットパソカード社
の自動ブリッジを用いた）。
（３）レーザ光照射後の抵抗値二片面に電極を形成した
試料の該電極部分を出力４ワツトのＹＡＧレーザで等分
に分断し、その分断された電極間の抵抗値を２００Ｖの
電圧を印加して測定した値。
試料の該電極部分を出力４ワツトのＹＡＧレーザで等分
に分断し、その分断された電極間の抵抗値を２００Ｖの
電圧を印加して測定した値。
また、比較例としてＴｉＯ□系磁器組成物についても同
様な試料を作成し、前述の（１）、 （２）および（
３）の各特性について測定し、その結果を別表２に併せ
て示した。
様な試料を作成し、前述の（１）、 （２）および（
３）の各特性について測定し、その結果を別表２に併せ
て示した。
なお、別表１および別表２中で＊印を付したものは、こ
の発明の範囲外のものであり、それ以外はこの発明の範
囲内のものである。
の発明の範囲外のものであり、それ以外はこの発明の範
囲内のものである。
この別表１および別表２からも明らかなように、この発
明の誘電体磁器組成物における組成の限定理由は次の通
りである。
明の誘電体磁器組成物における組成の限定理由は次の通
りである。
（１） Ｔｉ（ｈの添加が０．５重量部未満では、焼結
温度が１４００ ’ｃ以上となるので好ましくない（試
料番号ｌ参照）。また、ＴｉＯ□の添加が１０．０重■
部を超えると、Ｑ値が２０００以下となり、かつレーザ
光照射後の抵抗値が１０１１Ω以下に低下するので好ま
しくない（試料番号７参照）。
温度が１４００ ’ｃ以上となるので好ましくない（試
料番号ｌ参照）。また、ＴｉＯ□の添加が１０．０重■
部を超えると、Ｑ値が２０００以下となり、かつレーザ
光照射後の抵抗値が１０１１Ω以下に低下するので好ま
しくない（試料番号７参照）。
（２）ＭｎＯ□の添加が０．５重量部未満では、焼結温
度がＩ４００°Ｃ以上となりかつＱ値が２０００以下と
なるので好ましくない（試料番号５参照）。
度がＩ４００°Ｃ以上となりかつＱ値が２０００以下と
なるので好ましくない（試料番号５参照）。
また、ＭｎＯ□の添加が６，０重量部を超えると、Ｑ値
が２０００以下となりかつレーザ光照射後の１氏抗値が
ｌ０１１Ω以下に低下するので好ましくない（試料番号
９参照）。
が２０００以下となりかつレーザ光照射後の１氏抗値が
ｌ０１１Ω以下に低下するので好ましくない（試料番号
９参照）。
（３） ＣＯ２０：Ｉ 、 Ｆｅ２Ｏ３ 、 ｓｉｏ
、 ＣｒｚＯｘおよびＣｕＯのうち少なくとも１種を添
加すると、高いＱ値と高い抵抗値を保ちつつ、焼結温度
を低下させることができる（試料番号１０ないし試料番
号１８参照）。しかし、これらの添加が５重量部を超え
るとＱ値が著しく低下しかつレーザ光照射後の抵抗値が
１０１１Ω以下に低下して好ましくない（試料番号１９
および試料番号２０参照）。
、 ＣｒｚＯｘおよびＣｕＯのうち少なくとも１種を添
加すると、高いＱ値と高い抵抗値を保ちつつ、焼結温度
を低下させることができる（試料番号１０ないし試料番
号１８参照）。しかし、これらの添加が５重量部を超え
るとＱ値が著しく低下しかつレーザ光照射後の抵抗値が
１０１１Ω以下に低下して好ましくない（試料番号１９
および試料番号２０参照）。
別表２に示したように、この実施例によれば、試料番号
２４で示した、従来の磁器の焼結温度１３６０°Ｃ以下
の温度で焼結することができ、２０００以上の高いＱ値
を存する、誘電体磁器組成物が得られる。
２４で示した、従来の磁器の焼結温度１３６０°Ｃ以下
の温度で焼結することができ、２０００以上の高いＱ値
を存する、誘電体磁器組成物が得られる。
特許出願人 株式会社 村田製作所
代理人 弁理士 岡 １） 全 啓
（ほか１名）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Ａｌ＿２Ｏ＿３１００重量部に対して、ＴｉＯ＿２
を０．５〜１０．０重量部、およびＭｎＯ＿２を０．５
〜６．０重量部添加した、誘電体磁器組成物。 ２ 前記組成物に対して、さらにＣｏ＿２Ｏ＿３、Ｆｅ
＿２Ｏ＿３、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＣｒ＿２Ｏ＿３のう
ち少なくとも１種を５重量部以下（０重量を含まず）含
有した、特許請求の範囲第１項記載の誘電体磁器組成物
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61121966A JPH07109726B2 (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61121966A JPH07109726B2 (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62278704A true JPS62278704A (ja) | 1987-12-03 |
| JPH07109726B2 JPH07109726B2 (ja) | 1995-11-22 |
Family
ID=14824289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61121966A Expired - Lifetime JPH07109726B2 (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07109726B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01236515A (ja) * | 1987-11-28 | 1989-09-21 | Tdk Corp | 誘電体磁器材料 |
| JP2002137959A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-14 | Ube Electronics Ltd | 高周波用誘電体磁器組成物 |
| US6549094B2 (en) | 2000-09-08 | 2003-04-15 | Murata Manufacturing Co. Ltd | High frequency ceramic compact, use thereof, and method of producing the same |
| JP2013136503A (ja) * | 2011-12-02 | 2013-07-11 | Toto Ltd | 半導電性セラミックス焼結体 |
-
1986
- 1986-05-27 JP JP61121966A patent/JPH07109726B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01236515A (ja) * | 1987-11-28 | 1989-09-21 | Tdk Corp | 誘電体磁器材料 |
| US6549094B2 (en) | 2000-09-08 | 2003-04-15 | Murata Manufacturing Co. Ltd | High frequency ceramic compact, use thereof, and method of producing the same |
| KR100434422B1 (ko) * | 2000-09-08 | 2004-06-04 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 고주파 세라믹 콤팩트, 그 이용 및 그 제조방법 |
| JP2002137959A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-14 | Ube Electronics Ltd | 高周波用誘電体磁器組成物 |
| JP2013136503A (ja) * | 2011-12-02 | 2013-07-11 | Toto Ltd | 半導電性セラミックス焼結体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07109726B2 (ja) | 1995-11-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |