JPS6334802A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPS6334802A JPS6334802A JP61178436A JP17843686A JPS6334802A JP S6334802 A JPS6334802 A JP S6334802A JP 61178436 A JP61178436 A JP 61178436A JP 17843686 A JP17843686 A JP 17843686A JP S6334802 A JPS6334802 A JP S6334802A
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Landscapes
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は誘電体磁器組成物に関し、特に高い誘電率を
有する誘電体磁器組成物に関する。
有する誘電体磁器組成物に関する。
(従来技術)
従来、この種の誘電体磁器組成物としては、Ba’l’
iQ3系磁器やS r T i O3P b T i
O:IBIzOxTiO□などを基本成分とする磁器が
用いられていた。
iQ3系磁器やS r T i O3P b T i
O:IBIzOxTiO□などを基本成分とする磁器が
用いられていた。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、Ba T i O:l系磁器は静電容量
の電圧依存性が大きく、たとえば厚さ11m当たり2〜
5kVの高圧直流電圧を印加すると、静電容量は−20
〜−80%変化するという欠点を有していた。
の電圧依存性が大きく、たとえば厚さ11m当たり2〜
5kVの高圧直流電圧を印加すると、静電容量は−20
〜−80%変化するという欠点を有していた。
また、5rTi03−PbTiOz−Bi2゜z−Ti
Ozなどを基本成分とする磁器は、13aTiO3系磁
器に比べて静電容量の電圧依存性は小さいが、誘電率の
温度変化率は大きく、さらに、最適な誘電特性を得るた
めの焼成温度が1200〜1350℃と高いため、たと
えば積層コンデンサを作成する場合には、その内部電極
として高融点を有する白金などの高価な貴金属を使用し
なければならなかった。
Ozなどを基本成分とする磁器は、13aTiO3系磁
器に比べて静電容量の電圧依存性は小さいが、誘電率の
温度変化率は大きく、さらに、最適な誘電特性を得るた
めの焼成温度が1200〜1350℃と高いため、たと
えば積層コンデンサを作成する場合には、その内部電極
として高融点を有する白金などの高価な貴金属を使用し
なければならなかった。
それゆえに、この発明の主たる目的は、誘電率が高く、
静電容量の電圧依存性と誘電率の温度変化率とがともに
小さく、しかも、焼結温度が低い、誘電体磁器組成物を
提供することである。
静電容量の電圧依存性と誘電率の温度変化率とがともに
小さく、しかも、焼結温度が低い、誘電体磁器組成物を
提供することである。
(問題点を解決するための手段)
この発明は、5rTiO,を25〜50重量%、PbT
i0:+を10〜35重量%、CaTiO3を5〜20
重量%、B115sを5〜35重量%、]’i02を5
〜18重量%、およびMnO2を0.02〜0.50重
量%含む主成分に対して、ガラス成分を0,2〜15重
量%添加してなり、かつ、ガラス成分は、LiZOを1
0〜45モル%、BaO、MgO,CaOおよびSrO
のうち少なくとも1種を5〜40モル%、SiC2およ
びTiQ2をあわせて30〜70モル%(ただし、5i
Qzは15モル%以上含まれる)、およびCuOを1〜
35モル%含む、誘電体磁器組成物である。
i0:+を10〜35重量%、CaTiO3を5〜20
重量%、B115sを5〜35重量%、]’i02を5
〜18重量%、およびMnO2を0.02〜0.50重
量%含む主成分に対して、ガラス成分を0,2〜15重
量%添加してなり、かつ、ガラス成分は、LiZOを1
0〜45モル%、BaO、MgO,CaOおよびSrO
のうち少なくとも1種を5〜40モル%、SiC2およ
びTiQ2をあわせて30〜70モル%(ただし、5i
Qzは15モル%以上含まれる)、およびCuOを1〜
35モル%含む、誘電体磁器組成物である。
(発明の効果)
この発明によれば、500以上の誘電率と1゜5%以下
の誘電損失とを有し、5 k V / mmの直流電圧
を印加した際の誘電率の変化率が一15%以下と小さく
、また、温度による誘電率の変化率も小さい誘電体磁器
組成物を得ることができる。
の誘電損失とを有し、5 k V / mmの直流電圧
を印加した際の誘電率の変化率が一15%以下と小さく
、また、温度による誘電率の変化率も小さい誘電体磁器
組成物を得ることができる。
また、この発明の組成物は、焼成温度が1100℃前後
と低いため、焼成コストが安くつき、たとえば積層コン
デンサなどを作成しても、その内部電極として白金など
の貴金属を用いなくてすむ。
と低いため、焼成コストが安くつき、たとえば積層コン
デンサなどを作成しても、その内部電極として白金など
の貴金属を用いなくてすむ。
この発明の上述の目的、その他の回的、特徴および利点
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
(実施例)
主成分の原料としてSrC○、、pb、o、。
CaCO3,Biz 03 、Ti0zおよびMnO2
を別表1の組成になるように秤量し混合した。
を別表1の組成になるように秤量し混合した。
この混合物をフルミナボールとともにfリエチレ二/ポ
ットに入れ16時時間式混合し粉砕した。この粉砕物を
脱水乾燥した後、ジルコニア質の匣に入れ、950℃で
2時間仮焼した。この仮焼物100重量部に対して、別
表2に示した組成のガラス成分を、別表1に示した重量
%だけ添加し、さらに、バインダを加えてポリエチレン
ポットで16時時間式混合した。この混合物を蒸発乾燥
し整粒した後、加圧して直径10gm、厚さl、2mm
の円板に成形した。この成形物を980〜1250℃で
2時間焼成し、得られた磁器の両主面に銀ペーストを塗
布し、800℃で焼き付けて電極を形成して試料とした
。
ットに入れ16時時間式混合し粉砕した。この粉砕物を
脱水乾燥した後、ジルコニア質の匣に入れ、950℃で
2時間仮焼した。この仮焼物100重量部に対して、別
表2に示した組成のガラス成分を、別表1に示した重量
%だけ添加し、さらに、バインダを加えてポリエチレン
ポットで16時時間式混合した。この混合物を蒸発乾燥
し整粒した後、加圧して直径10gm、厚さl、2mm
の円板に成形した。この成形物を980〜1250℃で
2時間焼成し、得られた磁器の両主面に銀ペーストを塗
布し、800℃で焼き付けて電極を形成して試料とした
。
このようにして得た各試料の特性を、次のような条件や
測定方法によって測定し、別表3にその結果を示した。
測定方法によって測定し、別表3にその結果を示した。
(1)焼成温度
(2)誘電率:1kHz、IV、温度20℃の条件。
(3)誘電損失:1kHz、lV、温度20℃の条件で
の損失係数tanδの値。
の損失係数tanδの値。
(4)バイマス特性:5kV、/、、の直流電圧を印加
したときの誘電率の変化率の値。
したときの誘電率の変化率の値。
(5)温度特性ニー25℃〜+85℃の温度範囲におい
て、誘電率を測定し、+20℃の誘電率に対する変化率
の最大値。
て、誘電率を測定し、+20℃の誘電率に対する変化率
の最大値。
なお、別表1ないし別表3中で*印を付したものはこの
発明の範囲外のものであり、それ以外のものはこの発明
の範囲内のものである。
発明の範囲外のものであり、それ以外のものはこの発明
の範囲内のものである。
別表1ないし別表3からもその一部が明らかなように、
この発明の組成の限定理由は次の通りである。
この発明の組成の限定理由は次の通りである。
(1)S r T i 03の添加が25重■%未満で
は、誘電損失が1.5%を超えかつバ・イアス特性が急
くなるので好ましくない。また、S r T i O,
の添加が50重量%を超えると誘電率が500未満とな
り好ましくない。
は、誘電損失が1.5%を超えかつバ・イアス特性が急
くなるので好ましくない。また、S r T i O,
の添加が50重量%を超えると誘電率が500未満とな
り好ましくない。
t2) P b T i O:+の添加が10重量%
未満では、誘電率が500未満となり好ましくない。ま
た、PbTi0.の添加が35重量%を超えると誘電損
失が1.5%を超えかつバイアス特性が悪くなるので好
ましくない。
未満では、誘電率が500未満となり好ましくない。ま
た、PbTi0.の添加が35重量%を超えると誘電損
失が1.5%を超えかつバイアス特性が悪くなるので好
ましくない。
(31CaTi0+の添加が5重量%未満では、誘電損
失が1.5%を超えかつバイアス特性が悪くなるので好
ましくない。また、CaTi0.が20重量%を超える
と誘電率が500未満となり好ましくない。
失が1.5%を超えかつバイアス特性が悪くなるので好
ましくない。また、CaTi0.が20重量%を超える
と誘電率が500未満となり好ましくない。
(4) B i t O3の添加が5重量%未満では
、誘電率が500未満となり好ましくない。また、Bi
2O,の添加が35重量%を超えると誘電損失が1.5
%を超えるので好ましくない。
、誘電率が500未満となり好ましくない。また、Bi
2O,の添加が35重量%を超えると誘電損失が1.5
%を超えるので好ましくない。
(5)TiO2の添加が5重量%未満では、誘電率が5
00未満となり好ましくない。また、TiO□の添加が
18重量%を超えると誘電損失が1.5%を超えるので
好ましくない。
00未満となり好ましくない。また、TiO□の添加が
18重量%を超えると誘電損失が1.5%を超えるので
好ましくない。
(61MnO□の添加が0.02重壁量未満では、誘電
損失が1.5%を超え好ましくない。また、MnO,の
添加が0.50重重量を超えると焼結性が悪くなり好ま
しくない。
損失が1.5%を超え好ましくない。また、MnO,の
添加が0.50重重量を超えると焼結性が悪くなり好ま
しくない。
(7) ガラス成分の添加が主成分に対して0. 2
重量%未満では焼結温度が1100℃を超え好ましくな
い(試料番号20.試料番号2Iおよび試料番号22参
照)。また、ガラス成分の添加が主成分に対して15重
重量を超えると焼結体が多孔質となりかつ誘電率が50
0未満となり好ましくない(試料番号23.試料番号2
4および試料番号25参照)。
重量%未満では焼結温度が1100℃を超え好ましくな
い(試料番号20.試料番号2Iおよび試料番号22参
照)。また、ガラス成分の添加が主成分に対して15重
重量を超えると焼結体が多孔質となりかつ誘電率が50
0未満となり好ましくない(試料番号23.試料番号2
4および試料番号25参照)。
(8)添加するガラス成分中のLitOが10モル%未
満では、焼結温度が1100℃を超え好ましくない(試
料番号26参照)。またLi2Oが45モル%超えると
、ガラス成分の溶融温度が800℃未満となり、ガラス
成分が焼結助剤としての役割を果たせないので好ましく
ない。
満では、焼結温度が1100℃を超え好ましくない(試
料番号26参照)。またLi2Oが45モル%超えると
、ガラス成分の溶融温度が800℃未満となり、ガラス
成分が焼結助剤としての役割を果たせないので好ましく
ない。
(9)添加するガラス成分中に、BaO,MgO、Ca
OおよびSrOのうち少なくとも1種が含まれる場合、
これらが5モル%未満では、またこれらが40モル%を
超えると、焼結温度が1 ]、 O0℃を超えるので好
ましくない(試料番号27および試料番号28参照)。
OおよびSrOのうち少なくとも1種が含まれる場合、
これらが5モル%未満では、またこれらが40モル%を
超えると、焼結温度が1 ]、 O0℃を超えるので好
ましくない(試料番号27および試料番号28参照)。
affl 添加するガラス成分中のSfO□およびT
iO2が合わせて30モル%未満では、またこれらが合
わせて70モル%を超えると、焼結温度が1100℃を
超えるので好ましくない。
iO2が合わせて30モル%未満では、またこれらが合
わせて70モル%を超えると、焼結温度が1100℃を
超えるので好ましくない。
添加するガラス成分中のs s O!およびTiO□の
うち、SiO□が15モル%未満では、また、TiO□
が含まれないと、焼結温度の低減化を行うことができな
い(試料番号29および試料番号30参照)。
うち、SiO□が15モル%未満では、また、TiO□
が含まれないと、焼結温度の低減化を行うことができな
い(試料番号29および試料番号30参照)。
ガラス成分中にCuOを添加すると、誘電損失および温
度特性を減少させることができる。
度特性を減少させることができる。
しかし、Cu Oの添加が1モル%未満では、Tanδ
が1.5%を超えるので好ましくない。またCuOの添
加が35モル%を超えると、データとしては示さなかっ
たが絶縁抵抗が小さくなるので好ましくない。
が1.5%を超えるので好ましくない。またCuOの添
加が35モル%を超えると、データとしては示さなかっ
たが絶縁抵抗が小さくなるので好ましくない。
特許出願人 株式会社 村田製作所
代理人 弁理士 岡 1) 全 啓
(ほか1名)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 SrTiO_3を25〜50重量%、 PbTiO_3を10〜35重量%、 CaTiO_3を5〜20重量%、 Bi_2O_3を5〜35重量%、 TiO_2を5〜18重量%、および MnO_2を0.02〜0.50重量%含む主成分に対
して、ガラス成分を0.2〜15重量%添加してなり、
かつ、前記ガラス成分は、 Li_2Oを10〜45モル%、 BaO、MgO、CaOおよびSrOのうち少なくとも
1種を5〜40モル%、 SiO_2およびTiO_2をあわせて30〜70モル
%(ただし、SiO_2は15モル%以上含まれる)、
および CuOを1〜35モル%含む、誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61178436A JPH0815005B2 (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61178436A JPH0815005B2 (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6334802A true JPS6334802A (ja) | 1988-02-15 |
JPH0815005B2 JPH0815005B2 (ja) | 1996-02-14 |
Family
ID=16048483
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61178436A Expired - Fee Related JPH0815005B2 (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0815005B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0581481A2 (en) * | 1992-07-31 | 1994-02-02 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Bismuth lamellar compound |
US6266230B1 (en) | 1998-06-29 | 2001-07-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
-
1986
- 1986-07-28 JP JP61178436A patent/JPH0815005B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0581481A2 (en) * | 1992-07-31 | 1994-02-02 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Bismuth lamellar compound |
EP0581481A3 (en) * | 1992-07-31 | 1995-02-15 | Toyota Motor Co Ltd | Compound containing lamellar bismuth. |
US6266230B1 (en) | 1998-06-29 | 2001-07-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0815005B2 (ja) | 1996-02-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |