JPS60222431A - シクロヘキサン誘導体 - Google Patents

シクロヘキサン誘導体

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JPS60222431A
JPS60222431A JP5573485A JP5573485A JPS60222431A JP S60222431 A JPS60222431 A JP S60222431A JP 5573485 A JP5573485 A JP 5573485A JP 5573485 A JP5573485 A JP 5573485A JP S60222431 A JPS60222431 A JP S60222431A
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compounds
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JP5573485A
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ルドルフ・アイデンシンク
アンドレーズ・ヴエツヒトラー
ゲオルク・ヴエーベル
ベルンハルト・シヨイブレ
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Merck Patent GmbH
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    • C07C43/18Ethers having an ether-oxygen atom bound to a carbon atom of a ring other than a six-membered aromatic ring
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は次式(I)で示されるシクロヘキサン誘導体に
関する: 〔式中A1は1,4−シクロヘキシレン、1,4−フェ
ニレン、1,3−ジチアン−2,5−’;イルマタは1
,3−ジオキサン−2,5−’)イルであり、 A2は
1.4−フェニレンまたは単結合でありtZは−cH2
−cH2−であるか、壕だはA1が1,4−シクロヘキ
シレンである場合には、共有結合を表わしていてもよく
、R1はR、OR、OC,R、0COR,GOOR。
CN、F、CLまたはBrであり;XはOR,OCR。
0COR、GOOR、CN 、 F’、CLまたはBr
であり;そしてRは1〜12個のC原子を有するアルキ
ル基である;ただし、A2が単結合でありそしてA1は
C3−’;チアンー2 + 5−:)イルまたは1,3
−ジオキサン−2,5−ジイルである〕。
本明細書においては、1,4−フェニレン基はPheで
表わし、1,4−シクロヘキシレン基はCyで辰わし、
1,3−ジオキサン−2,5−ジイル基はDioで表わ
す。
類似化合物は、たとえば西ドイツ国公開特許第2,80
0,553号公報により既に知られているが、この公報
に開示されている化合物は、本発明の化合物と比較する
と、エチレン架橋基を含有せず、エステル架橋を有する
ものである。
式Iの化合物は類似化合物と同様に、液晶相、特にねじ
れセルの原則、ゲスト−ホスト効果、整列相の変形の効
果まだは動的散乱の効果にもとづく表示用の液晶相の成
分として使用することができる。
本発明は液晶相の成分として適する新規で、安定な液晶
またはメンゲニツク化合物を見い出すという目的にもと
づくものである。
本発明者は、式■の化合物が液晶相の成分として使用す
るのに格別に好適であることを見い出した。特に、これ
らの化合物を用いることにより、非常に低い光学異方性
および相対して低い粘度を有する安定な液晶相を調製す
ることができる。
式Iの化合物が提供されたことにより、種々の使用技術
の観点からネマチック混合物の製造に適する液晶物質の
範囲が全く一般的に格別に拡大される。
式Iの化合物は広い用途分野を有する。置換基を選択す
ることにより、これらの化合物は液晶誘電体を主として
構成する基材として使用することができるが、まだ、式
Iの化合物を他の群の化合物に楓する液晶基材に加える
こともでき、これにより、たとえばこのような誘電体の
誘電異方性および(または)光学異方性を減少させるだ
めに用いることができる。式1の化合物はまた、液晶誘
電体の成分として使用し得る他の物質の製造用の中間体
生成物としても適している。
式Iの化合物は純粋な状態で無色であり、これらは電気
光学用途にとって有利に適する温度範囲内で液晶メゾフ
ェースを形成する。これらの化合物は、化学物質、熱お
よび光に対して非常に安定である。
従って、本発明は、式Iの化合物およびそれらの製造方
法に関するものであり、その製造方法は式IにおいてH
原子の代りに1個または2個以上の還元できる基および
(または) C−C結合を有する以外は式Iに相当する
化合物を還元剤で処理するか、または、式Iのエステル
化合物〔式中R1および(まだは)Xが0CORおよび
(または) C0ORである〕を製造するだめに、相当
するカルボン酸化合物まだはその反応性誘導体の一種を
相当するアルコール化合物まだはその反応性誘導体の一
珈と反応させるか、捷たは、式Iのジオキサン誘導体ま
たはジチアン誘導体〔式中A1がそれぞれ1,3−ジオ
キサン−2,5−ジイルまたは1,3−ジチアン−2,
5−ジイルである〕を製造するために、相当するアルデ
ヒド化合物をそれぞれ相当するジオールまだはジチオー
ル化合物と反応させるか、または、式Iのニトリル化合
物〔式中、R1および(まだは)XがCNである〕を製
造するために、相当するカルボキサミド化合物を脱水す
るか、または相当するカルボン酸ハライド化合物をスル
ファミドと反応させるか、または、式■のエーテル化合
物〔式中R1および(または)XがORである〕を製造
するために、相当するヒドロキシ化合物をエーテル化す
ることを特徴とするものである。
本発明は、まだ、式Iの化合物を液晶相の成分として使
用することに関する。本発明は、また、式■の化合物の
少なくとも一種を含有する液晶相およびこのタイプの相
を含有する液晶表示素子、特に電気光学表示素子に関す
る。
本明細書の全体を通して、R,R1、A1、A2.2お
よびXはいずれか別の定義が記載されていないかぎシ、
前記の意義を有する。
従って、式■の化合物は下記部分式■a、Ib、ICお
よびJ(1の化合物を包含する:R1−A1−Ph−P
h−CH2CH2−Cy−X IaRl−Cy−Ph−
Ph−Cy−X I’bR1−A1−Ph−CH2CH
2−Cy−X IcR1−Cy−Ph−Cy−X Id これらの化合物の中で、部分式Ib、ICおよびId、
特にIbおよびIdの化合物が特に好ましい。
部分式■aの好ましい化合物は下記の部分式Iaa〜I
aCの化合物を包含する二 R1−Cy−Ph−Ph−CH2CH2−Cy−X I
aaRl−Dio−Ph−Ph−CH2CH2−Cy−
X Ia bRl−Ph−Ph−Ph−CH2CH2−
Cy−X Iacこれらの中で、式■aaおよび■ab
、特にIaaの化合物が好ましい。
部分式ICの好ましい化合物は下記の部分式iCa〜■
CCの化合物を包含する: R1−Cy−Ph−CH2CH2−Cy−X 1 ca
Rl−Dio−Ph−CH2CH2−Cy−X Icb
Rl−Ph−P’h−CH2CH2−Cy−X I c
cこれらの中で、式ICaおよびIOCの化合物が特に
好ましい。
本明細書に記載のも式の化合物において、R1はアルキ
ルが好ましく、またアルコキシも好ましい。
Xは、好ましくは、OR,0CORまだはCN、特にO
Rである。
Xは、また、A1が1,4−シクロヘキシレンであって
、そしてZが共有結合である場合において、0CORま
だはC0OR、特に0CORであると好ましい。
A1ハ、好1 L< ハ、1.4−シクロヘキシレンま
たは1,3−ジオキサン−2,5−ジイルであり、また
1、3−ジチアン−2,5−ジイルも好ましい。
アルキル基Rは直鎖状まだは分枝鎖状であることができ
る。これらの基は好ましくは直鎖状であって、2.3.
4.5.6または7個のC原子を有し、エチル、プロピ
ル、プロピペンチル、ヘキシル、ヘプチル、エトキシ、
プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソキシおよび
ヘゾトキシが好ましいものである。
分枝鎖状側鎖基R1又はXを有する式■およびHa〜J
aclの化合物も、場合によシ、これらの化合物が慣用
の液晶基材に対し改善された溶解性を有することがらN
要であるが、特にこれらが光学活性である場合には、カ
イラルドーピング物質として重要である。このタイプの
分枝鎖状基は原則として、1個より多い鎖分枝を有する
好適な分枝鎖状基R1の例にはイソプロピル、2−ブチ
ル(=1−メチルプロピル)、インブチル(=2−メチ
ルゾロピル)、2−メチルブチル、インペンチル(=3
−メチルブチル)、2−メチルペンチル、3−メチルペ
ンチル、2−エチルヘキシルおよび2−プロピルペンチ
ルがある。好適な分枝鎖状基R1およびXの例にはイン
プロポキシ、2−メチルプロポキシ、2−メチルブトキ
シ、3−メチルブトキシ、2−メチルはントキシ、3−
メチルペントキシ、2−エチルヘキソキシ、1−メチル
ヘキソキシおよび1−メチルへブトキシがある。
式Iにはラセミ体および光学対掌体並びにその混合物の
いずれにおいても分枝鎖状側鎖基を有する化合物を含む
ものである。
式Iおよび、また、Ha〜■dの化合物の中で、好まし
い化合物は、それらの化合物において存在する基の少な
くとも1つが前記の好ましい意味の1つを有する化合物
である。
式HaおよびまたHa〜ldの化合物の中で、寸だ好ま
しい化合物は1,4−シクロヘキシレンまたは1,3−
ジオキサン−2,5−ジイル基がそれぞれトランス−1
,4−置換またはトランス−2,5−置換されている化
合物である。
式Iの化合物は、文献〔たとえば、ホーベン−ワイル:
メト−テン・デル・オルガニツシエン・ヘミ−、ゲオル
クーシーメ出版社(ストットガルト市)のような標準的
参考書〕に記載されているようなそれ自体既知の方法に
より、列記されている反応に適当である既知の反応条件
の下に製rされる。この点に関して、それ自体既知であ
るが、ここでは詳細に記載されていない種々の変法を使
用することもできる。
当業者は慣用の方法により当該技術の記載から適当な合
成方法を選択することができる。(たトエハ、1,4−
シクロヘキシレン基およヒ1,4−フエニレン基を有す
る化合物については、西ドイツ国公開特許第2,344
,732号公報、同第2.450,088号公報、同第
2,429,093号公報、同第2″、 502 、9
04号公報、同第2,636.684号公報、同第2,
701,591号公報(特公昭58−33224号)お
よび同第2 、752 、975号公報参照;1,3−
ジオキサン−2,5−ジイル基を有する化合物について
は、西ドイツ国公開特許第2,944,905号公報お
よび同第3.227.916号公報参照;1,3−ジチ
アン−2,5−ジイル基を有する化合物については東ド
イツ国特許第160,061号明細書参照;および−C
H2CH2−架橋基を有する化合物については、西ドイ
ツ国公開特許第3,201.721号公報参照)所望に
より、原料物質はまだ、これらを反応混合物から単離す
ること彦く、直ちに、さらに、反応させて式■の化合物
を生成させる方法により、その場で生成させることもで
きる。好適な原料物質は、Xが一〇〇OHまだは−OH
である式■に相当する化合物である。このアルコール化
合物に相当するシクロヘキサノン化合物もまた好適な原
料物質である。
従って、式Iの化合物は式IにおけるH原子の代りに1
個または2イ固以上の還元できる基および(または)C
−C結合を有する以外は式■に相当する化合物を還元す
ることにより製造することができる。
適当な還元できる基は、好ましくは、カルボニル基、特
にケト基であり、また、たとえば、遊離o tたけエス
テル化されているヒドロキシ基または芳香族基に結合し
ているハロゲン原子である。還元に好適な原料物質とし
ては、式■においてシクロヘキサン環の代りにシクロヘ
キセン環またはシクロヘキサノン環を含有でき、そして
(まだは)−CH2CH2−基の代りに−CH=CH−
基を有することができ、そして(または) −CH2−
基の代りに−CO−基を有することができ、そして(ま
たけ)H原子の代りに遊離のOH基まだは官能性に変え
られている(たとえばそのp−)ルエンスルホネートの
形となっている)OH基を有することができる化合物を
あげることができる。
この還元反応は、たとえば、約σ〜約2oσの温度で約
1〜200パールの加圧下に、不活性溶剤、たとえばメ
タノール、エタノールまたはイソプロノミノールのよう
なアルコール、テトラヒドロフラン(THF )まだは
ジオキサンのようなエーテル、酢酸エチルのようなエス
テル、酢酸のようなカルボン酸、あるいはシクロヘキサ
ンのような炭化水素中で接触水素添加により行うことが
できる。適当な触媒はptまだはPdのような貴金属が
好ましく、これらは酸化物の形で(たとえばpto2ま
たはpao )、支持体上で(たとえば木炭、炭酸カル
シウムまだは炭酸ストロンチウム上のPd)、または微
細に粉砕した形で使用できる。
ケトン化合物はまだ、フレメンセンの方法(アニン、ア
マルガム化したアニンまたはスズと塩酸を用いて、好ま
しくは水性アルコール性溶液中でまたは水/トルエンを
含有する不均質相中で、約80〜12σの温度において
用いる)、あるいはウオルフーキッシュナーの方法(ヒ
rラジンを、好ましくはKOHまだはNaOHのような
アルカリの存在下に、ジエチレングリコール捷だはトリ
エチレングリコールのような高沸点溶剤中で約100〜
2oσの温度で用いる)により還元することができ、こ
のようにしてアルキル基および(または)−CH2CH
2−架橋基を肩する式Iの相当する化合物を生成できる
複合水素化物を用いる還元手段も使用することができる
。たとえば、アリールスルホニルオキシ基は、LiAt
Haにより還元的に除去することがでキ、特に、p−ト
ルエンスルホニルオキシメチル基は、好ましくはジエチ
ルエーテルまだはTHFのような不活性溶剤中で約0〜
10σの温度においてメチル基に還元することができる
二重結合はメタノール中でNaBH4またはトリブチル
スズ水素化物を用いて水素添加することができる(CN
基が存在している場合でさえも);すなわち、たとえば
、相当するシクロヘキサン誘導体が1−シアノシクロヘ
キセン誘導体から生成される。
式Iのエステル化合物〔式中R1および(まだは)Xが
0CORおよび(または) C0ORである化合物〕は
、まだ、相当するカルボン酸化合物(またはそれらの反
応性誘導体)をエステル化することにより得ることもで
きる。
前記のカルボン酸の適当な反応性誘導体は特に酸ハライ
ド、中でもクロリドおよびプロミド、およびまた無水物
、アジドまだはエステル、特にアルキル基中に1〜4個
のC原子を有するアルキルエステルでアル。
前記のアルコールまだはフェノールの適当な反応性誘導
体は、特に、相当する金属のアルコレートまたはフェネ
ート、好ましくばNaまたはKのようなアルカリ金属の
アルコレートまたはフェネートである。
上記のエステル化は、不活性溶剤の存在で行なうと有利
である。適当な溶剤は特にジエチルエーテル、ジ−n−
ブチルエーテル、THFVl:)オキサンまたはアニソ
ールのようなエーテル、アセトン、ブタノンまたはシク
ロヘキサノンのようなケトン、DMFまたはリン酸へキ
ザメチルトリアミドのようなアミド、ベンゼン、トルエ
ンまたはキシレンのような炭化水素、四塩化炭素または
テトラクロルエチレンのようなハロゲン化炭化水素、お
よびジメチルスルホキシドまだはスルホランのようなス
ルホキシドである。
水と不混和性の溶剤を同時に使用して、エステル化で生
成される水を共沸蒸留することにより除去すると有利で
ある。場合によっては、有機塩基、たとえばピリジン、
キノリンまたはトリエチルアミンの過剰量をエステル化
用の溶剤として使用することもできる。エステル化はま
た溶剤の不存在下に、たとえば反応成分を酢酸ナトリウ
ムの存在で単純に加熱することにより行うこともできる
。反応温度は通常、−50°〜+25σ、好ましくは一
加°〜+80°である。これらの温度で、エステル化反
応は、原則として、15分〜48時間後に完了する。
個々の場合において、エステル化の反応条件は使用する
原料物質の性質にほとんど依存して変わる。すなわち、
遊離のカルボン酸は、原則として、遊離のアルコールま
たはフェノールと強酸、たとえば塩酸または硫酸のよう
力鉱酸の存在で反応させる。好適な反応方法は酸無水物
まだは特に酸クロリドをアルコール化合物と、好ましく
は塩基性媒質中で反応させる方法である。ここでN要な
塩基には、特に水酸化ナトリウムまだは水酸化カリウム
のようなアルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリウム、重炭
酸ナトリウム、炭酸カリウムまたは重炭酸カリウムのよ
うなアルカリ金属の炭酸塩まだは重炭酸塩、酢酸ナトリ
ウムまたは酢酸カリウムのようなアルカリ金属の酢酸塩
、水酸化カルシウムのようなアルカリ土類金属の水酸化
物、あるいはトリエチルアミン、ピリジン、ルチジン、
コリジンまたはキノリンのような有機塩基がある。エス
テル化のもう1つの好適な態様はアルコール化合物まだ
はフェノール化合物を先ずナトリウムまだはカリウムの
アルコレートあるいはフェネートに、たとえばエタノー
ル性水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウム溶液で処理
することにより変換し、このアルコレートまたはフェネ
ートを単離し、次いでこの生成物を重炭酸ナトリウムま
たは炭酸カリウムとともにアセトンまだはジエチルエー
テル中に攪拌により懸濁し、この懸濁液に酸のクロリド
または無水物のジエチルエーテル、アセトンまたはDM
Fの溶液を、好ましくは約−6°〜十加°の温度で加え
ることを包含する。
式■のジオキサン誘導体またはジチアン誘導体(式中A
1はそれぞれ、■、3−ジオキサンー2,5−ジイル基
または1,3−ジチアン−2,5−ジイル基である)は
相当するアルデヒド化合物(またはその反応性誘導体の
1種)をそれぞれ相当するジオールまたは1.3−’)
チオール化合物(まだはその反応性誘導体の1種)と、
好ましくはベンゼンまたはトルエンのような不活性溶剤
および(まだは)触媒、たとえば、硫酸、ベンゼンスル
ホン1t2tたけp−)ルエンスルホン酸のような強酸
の存在下に、約加°〜約15σ、好ましくは80’〜1
2σの温度で反応させることにより製造すると好ましい
。原料物質の適当な反応性誘導体は一級アセタール化合
物である。
前記のアルデヒド化合物および1,3−ジオール化合物
並びにそれらの反応性誘導体のあるものは、既知のもの
である;これらの化合物のあるものは文献既知の化合物
から有機化学の標準的方法により困難なく製造すること
ができる。
たとえば、アルデヒド化合物は相当するアルコール化合
物の酸化により、または相当するカルボン酸化合物まだ
はその誘導体を還元することにより得ることができ、そ
して、ジオール化合物は相当するジエステル化合物の還
元により得ることができる。
式Iのニトリル化合物〔式中R1および(まだは)Xが
CNである〕を製造するためには、相当する酸アミド化
合物を脱水させることができる。
このアミド化合物は、たとえば相当するエステル化合物
まだは酸ハライド化合物からアンモニアとの反応により
得ることができる。適当な脱水剤の例にはPOCl2、
PCl3、PCI、、5、POCl2、BO2C12お
よびCQct2のような無機酸クロリド並びにP2O5
、P2S5、AACム(これはたとえばNaC2との複
合化合物として用いる)、芳香族のスルホン酸およびス
ルホン酸ハライドがある。反応は、不活性溶剤の存在ま
たは不存在で約σ〜15σの温度で行うことができる;
適当な溶剤の例には、ピリジンまだはトリエチルアミン
のような塩基、ベンゼン、トルエンまたはキシレンのよ
うな芳香族炭化水素、あるいはDMFのようなアミドが
ある。
式Iの前記のニトリル化合物は、また、相当する酸ハラ
イド化合物、好ましくはクロリドをスルファミドと、好
ましくはテトラメチレンスルホンのような不活性溶剤中
で約80°〜15σ、好ましくは12σの温度で反応さ
せることにより製造することもできる。慣用の方法で処
理した後に、二) IJル化合物を直接に得ることがで
きる。
式Iのエーテル化合物〔式中R1および(まだは)Xが
ORである〕は相当するヒドロキシ化合物、好ましくは
相当するフェノールまたはシクロヘキサノール化合物を
エーテル化することにより得ることができる。ヒドロキ
シ化合物を先ず相当する金属誘導体、たとえば相当する
アルカリ金塊アルコレートまたはアルカリ金風フェネー
トにNaH、NaNH2、NaOH、KOH、Na2C
o3またはに2Co3で処理することにより変換すると
好ましい。このアルコレートまたはフェネートは次いで
相当するアルキルハライド捷だはスルホネート、あるい
はジアルキル硫酸と、好ましくはアセトン、1.2−:
)メトキシエタン、DMFまたはりメチルスルホキシド
のような不活性溶剤または水性あるいは水性アルコール
性のNaOHまだはKOHの過剰中で、約20°〜10
σの温度において反応させることができる。
本発明による液晶相は式Iの化合物の少なくとも1種を
含む2〜15種、好ましくは3〜12種の成分よりなる
。他の成分はネマチック物質まだはネマトゲニツク物質
、特に、アゾキシベンゼン化合物、ベンジリデンアニリ
ン化合物、ビフェニル化合物、ターフェニル化合物、フ
ェニルベンゾエート化合物またはシクロへキシルベンゾ
エート化合物、フェニルシクロヘキサンカルボキシレー
ト化合物またはシクロヘキシルシクロヘキサンカルボキ
シレート化合物、フェニルシクロヘキサン化合物、シク
ロへキシルビフェニル化合物、シクロヘキシルシク口ヘ
キサン化合物、シクロへキシルナフタレン化合物、1,
4−ビス−シクロヘキシルベンゼン化合物、4+4’一
ビスーシクロヘキシルビフエニル化合物、フェニルピリ
ミジン化合物またはシクロヘキシルピリミジン化合物、
フェニルジオキサン化合物マタはシクロへキシルジオキ
サン化合物、フェニルジチアン化合物またはシクロへキ
シルジチアン化合物、1.2−ビス−シクロヘキシルエ
タン化合物、1,2−ビス−フェニルエタン化合物、1
−フェニル−2−シクロヘキシルエタン化合物、場合に
よりハロゲン化されているスチルベン化合物、ベンジル
フェニルエーテル化合物、トラン化合物および置換ケイ
皮酸、化合物を含む群に属する既知の物質から選択する
と好ましい。
このような液晶相の成分として適する最も重要な化合物
は次式■で示すことができる特徴を有する: R’−I、−G−B−R“ (Ill 〔式中りおよびEはそれぞれ、1,4−ジ置換のベンゼ
ン環およびシクロヘキサン環、4,4′−ジ置換のビフ
ェニル系、フェニルシクロヘキサン系およびシクロヘキ
シルシクロヘキサン系、2.5−ジ置換ピリミジン環お
よび1,3−ジオキサン環、2,6−ジ置換のナフタレ
ン、ジヒドロナフタレンおよびテトラヒドロナフタレン
、キナゾリンおよびテトラヒドロキナゾリンからなる群
から選ばれる炭素環式環系または複素環式環系であり:
Gは−CH−CH−1−CH=CY−、−C=C−1−
co−:o−1−co−s−1−CH=N−1−N(0
)=N−、−CH=N(0)−1−CH2CH2−1−
CH2−0−1−CH2−8−1−coo−Phe−C
OO−またはC−C単結合であり、Yはハロゲン、好ま
しくは塩素、捷だけ一〇Nであり:そしてR′およびR
“は18個まで、好ましくは8個までの炭素原子を有す
るアルキル、アルコキシ、アルカノイルオキシまたはア
ルコキシカルボニルオキシであるか、またはこれらの基
の1つはまたCN、NG 、 No2、CF3. F 
、 C4あるいはBrであることもできる。
これらの化合物の大部分において、R′およびR“は相
互に異々つでいて−これらの基の一方は大部分の場合に
アルキル基またはアルコキシ基である。しかしながら、
包含される置換基のその他の種々の基も慣用のものであ
る。この種の多くの物質またはその混合物は、市場から
入手できる。全てのこれらの物質は文献から既知の方法
により製造することができる。
本発明による液晶相は式Iの化合物の1極または2種以
上を約0.1〜99チ、好ましくは10〜95係の量で
含有する。
式Iの化合物の1種または2種以上を0.5〜40%、
好ましくは1〜30%の量で含有する本発明による相は
、また、好ましいものである。
本発明による液晶相の製造はそれ自体慣用の方法で行な
われる。原則としては、成分を相互に、好ましくは上昇
させた温度で、溶解させる。
本発明による液晶誘電体はこれらを従来開示されている
全ての方式の液晶表示素子に使用できるようにする方法
で適当な添加剤により変性することができる。
この釉の添加剤は、当業者にとって既知のものであシ、
文献に詳細に記載されている。たとえば導電性を改善す
るために導電性塩、好ましくはエチルジメチルドデシル
アンモニウム4−ヘキシルオキシベンゾエート、テトラ
ブチルアンモニウムテトラフェニルボラネ−14たけク
ラウンエーテルの錯塩〔この化合物については、たとえ
ば工、Haller等によるMo1.Cryst、 L
iq。
Cryst、24巻、249〜258頁(1973年)
参照〕を、呈色ゲスト−ホスト系を製造するために、2
色性染料を、あるいは誘電異方性、粘度および(または
)ネマチック相の配向を変性するだめの物質を添加する
ことができる。この種の物質は、たとえば西ドイツ国公
開特許第2,209,127号公報、同第2 、240
 、864号公報、同第2,321,632号公報、同
第2 、338 、281号公報、同第2.4.50,
088号公報、同第2,637.430号公報、同第2
,853.728号公報および同第2,902,177
号公報に記載されている。
次の例は本発明を説明するだめのものであるが、本発明
を制限するものではない。m、 p、は融点であり、c
、 p、は透明点である。本明細書全体をとおして、ノ
q−センテージ(%)は重量係であり、全ての温度は摂
氏度(°C)で示す。「慣用の方法で処理する」なる用
語は、次の意味を有するものとする:水を加え、混合物
を塩化メチレンで抽出し、相を分離させ、有機相を乾燥
させ、次いで蒸発させ、生成物を結晶化および(まだは
)クロマトグラフィにより精製する。
/Δ /′ 7/ / 例 1 トランス−4−(:p−()ランス−4−ノニルシクロ
ヘキシル)−フェニル〕−シクロヘキサノール〔この化
合物は4−(トランス−4−ノニルシクロヘキシル)−
フェニルマグネシウムブロミドを1,4−シクロヘキサ
ンジオンモノエチレンケタールと反応させ、生成するア
ルコール化合物カラトルエン/p−トルエンスルホン酸
によシ水を脱離させ、生成する二重結合を水素添加し、
ケタール保護基を水性エタノール性HCtとの沸とうに
より除去し、次いで生成するケトンをエタノール中のホ
ウ素水素化ナトリウムと反応させることにより得られる
:] 38.4fi’、水酸化カリウム11.2fおよ
びジメチルスルホキシド(DMSO) 50 mlの混
合物を1時間攪拌する。
次いでブチルプロミド16.1fを温度が70℃を超え
ないような速度で加える。この反応混合物を次いで約7
5°Cでさらに3時間加熱し、冷却後に氷水250尻l
を加える。
沈殿した有機生成物を分離採取し、水性相はトルエンで
数回抽出する。有機相を集め、慣用の方法により処理す
る。1−(トランス−4−ノニルシクロヘキシル)−4
−(トランス−4−ブトキシシクロヘキシル)−ベンゼ
ンカ得うれる。
同様にして、下記の化合物を製造する=1−()ランス
−4−ノニルシクロヘキシル)74−()ランス−4−
エトキシシクロヘキシル)−ベンゼン 1−(トランス−4−ノニルシクロヘキシル)−4−(
トランス−4−プロポキシシクロヘキシル)−ベンゼン 1−()ランス−4−ノニルシクロヘキシル)−4−(
)ランス−4−ペントキシシクロヘキシル)−ベンゼン 1−()う/ノー4−ノニルシクロヘキシル)−4−(
)ランス−4−ヘキソキシシクロヘキシル)−ベンゼン 1−()7ンスー4−へプチルシクロヘキン#)−4−
()7ンスー4−エトキシシクロヘキシル)−ベンゼン 1−(トランス−4−へブチルシクロヘキシル)−4−
()ランス−4−プロポキシシクロヘキシル)−ベンゼ
ン 1−”(トランス−4−へブチルシクロヘキシル)−4
−()ランス−4−ブトキシシクロヘキシル)−ベンゼ
ン 1−(トランス−4−ヘプチルシクロヘキシル)−4−
(トランス−4−ペントキシシクロヘキシル)−ベンゼ
ン 1−(トランス−4−ヘプチルシクロヘキシル)−4−
(トランス−4−ヘキソキシシクロヘキシル)−ベンゼ
ン 1−()ランス−4−ヘプチルシクロヘキシル)−4−
(トランス−4−ヘットキシシクロヘキシル)−ベンゼ
ン 1−()7ンスー4−啄ンチルシクロヘキシル)−4−
()ランス−4−エトキシシクロヘキシル)〜ベンゼン 1−(トランス−4−ベンチルシクロヘキシル)−4−
(トランス−4−プロポキシシクロヘキシル)−ベンゼ
ン 1−(トランス−4、!lンチルシクロヘキシル)−4
−(トランス−4−ブトキシシクロヘキシル)−ベンゼ
ン 1−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4−
()ランス−4−ペントキシシクロヘキシル)−ベンゼ
ン 1−()ランス−4−ブチルシクロヘキシル)−1−、
(トランス−4−エトキシシクロヘキシル)−ベンゼン 1−()ランス−4−ブチルシクロヘキシル)=4−(
トランス−4−プロポキシシクロヘキシル)−ベンゼン 1−(トランス−4−ブチルシクロヘキシル)−4−(
トランス−4−ブトキシシクロヘキシル)−ベンゼン 1−()7ンスー4−プロピルシクロヘキシル)−4−
(トランス−4−エトキシシクロヘキシル)−ベンゼン ル) −4−() ランス−4−プロポキシシクロヘキ
シル)−ベンゼン 1−()ランス−4−プロピルシクロヘキシル)−4−
(1−ランス−4−ブトキシシクロヘキシル)−ベンゼ
ン 1−(トラyスー4−i口ピルシク口ヘキシル)−4−
(トランス−4、!!ントキシシクロヘキシル)−ベン
ゼン 1−(トランス−4−エチルシクロヘキシル)−4−(
)ランス−4−エトキシシクロヘキシル)−ベンゼン 1−(トランス−4−エチルシクロヘキシル)4− (
トランス−4−−70ポキシシクロヘキシル)−ベンゼ
ン 1−(トランス−4−エチルシクロヘキシル)−4−(
)ランス−4−ブトキシシクロヘキシル)−ベンゼン 1=()ランス−4−エチルシクロヘキシル)−4−(
トランス−4−ペントキシシクロヘキシル)−ベンゼン 1−(:p−(トランス−4−ブチルシクロヘキシル)
−フェニル)−2−()ランス−4−エトキシシクロヘ
キシル)−エタン 1−[p−(トランス−4−ブチルシクロヘキシル)−
フェニル)−2−(1−ランス−4=プロポキシシクロ
ヘキシル′)−エタン1−[:p−()ランス−4−ブ
チルシクロヘキシル)−フェニル]−2−()ランス−
4−ブトキシシクロヘキシル)−エタン 1−[p=()ランス−4−ブチルシクロヘキシル)−
フェニル〕−2−(+Lランスー4−啄ントキシシクロ
ヘキシル)−エタン 1−4:p−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル
)−フェニル]−2−()ランス−4−エトキシシクロ
ヘキシル)−エタン 1−(:p−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル
)−フェニル]−2−()ランス−4−プロポキシシク
ロヘキシル)−エタン1−(p−(トランス−4−+−
2ンチルシクロヘキシル)−フェニル)−2−(トラン
ス−4−ブトキシシクロヘキシル)−エタン 1−(p−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)
−フェニル]−2−(トランス−4−ベントキシシクロ
ヘキシル)−エタン1−[4’−(トランス−4−プロ
ピルシクロヘキシル)−ビフェニル−4−イル〕−2−
()ランス−4−エトキシシクロヘキシル)−エタン 1− [4’−、()ランス−4−プロピルシクロヘキ
シル)−ビフェニル−4−イル)−2−()ランス−4
−プロポキシシクロヘキシル)−エタン 1−114’−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−ビフェニル−4−イル] −2−()ランス−4
−ブトキシシクロヘキシル)−エタン 1−44’−(トランス−4−ゾロ1ルシクロヘキシル
)−ビフェニル−4−イル)−2−()ランス−4−ペ
ントキシシクロヘキシル)−エタ ン′ 1−(4’−()ランス−4oンチルシクロヘキシル)
−ビフェニル−4−イル)−2−(トランス−4−エト
キシシクロヘキシル)−エタン 1−〔4’−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル
)−ビフェニル−4−イル)−2’ =(トランス−4
−プロポキシシクロヘキシル)−エタン ■−(4’−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル
)−ビフェニル−4−イル)−2−()ランス−4−ブ
トキシシクロヘキシル)−エタンおよび 1−(4’−(1−ランス−4’ンチルシク50ヘキシ
ル)−ビフェニル−4−イル) −2−(トランス−4
−ペントキシシクロヘキシル)−エタン。
例 2 4−()ランス−4−プロピルシクロヘキシル)−4’
−()ランス−4−ヒドロキシンクロヘキシル)−ビフ
ェニル〔この化合物1d4−()ランス−4−プロピル
シクロヘキシル) −47−ブロモビフェニルから例1
と同様にして得られる) 37.6g、水酸化カリウム
11.:lおよびDMSO50mlの混合物を1時間攪
拌する。次いで、ペンチルプロミl’17.8gを温度
が70℃を超えないような速度で加える。反応混合物を
次いで約75°Cでさらに3時間加熱し、冷却後に、氷
水250+n□lを加える。沈殿した有機生成物を分離
採取し、水性相はトルエンで抽出する。有機相を集め、
慣用の方法により処理する。4−(トランス−4−iロ
ピルシクロヘキシル)’−4’−(トランス−4−−2
ントキシシクロヘキシル)−ビフェニルが得られる。
同様にして、下記の化合物を製造する:4−(トランス
−4−プロピルシクロヘキシル) −4’−(トランス
−4−エトキシシクロヘキシル)−ビフェニル 4−(トランス−4−−プロピルシクロヘキシル)−4
’−(トランス−4−プロポキシシクロヘキシル)−ビ
フェニル 4−()ランス−4−プロピルシクロヘキシル)−4’
−()ランス−4−ブトキシシクロヘキシル)−ビフェ
ニル 4−()ランス−4−プロピルシクロヘキシ/l/) 
−4’−(トランス−4−ヘキソキシシクロヘキシル)
−ビフェニル 4−()ランス−4−プロピルシクロヘキシル) −4
’−(トランス−4−へブトキシシクロヘキシル)−ビ
フェニル 4−(トランス−4−ブチルシクロヘキシル)−4’−
()ランス−4−エトキシシクロヘキシル)−ビフェニ
ル 4−(トランス−4−ブチルシクロヘキシル)−4’−
(トランス−4−プロポキシシクロヘキシル)−ビフェ
ニル 4−(トランス−4−ブチルシクロヘキシル)−4’−
()ランス−4−ブトキシシクロヘキシル)−ビフェニ
ル 4−()ランス−4−ブチルシクロヘキシル)−4’ 
−()ランス−4−ペントキシシクロヘキシル)−ビフ
ェニル 4−(1−ランス−4−ブチルシクロヘキシル)−4’
−()ランス−4−ヘキソキシシクロヘキシル)−ビフ
ェニル 4−(トランス−4−ブチルシクロヘキシル)−4”−
()ランス−4−へフ)キシシクロヘキシル)−ビフェ
ニル 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4’
−(トランス−4−ニドキシンクロヘキシル)−ビフェ
ニル 4−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル) −4
’−()ランス−4−プロポキシシクロヘキシル)−ビ
フェニル 4−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4’
−()ランス−4−ブトキシシクロヘキシル)−ビフェ
ニル 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4’
−(トランス−4−はントキシシクロヘキシル)−ビフ
ェニル 4−(トランス−4−ヘプチルシクロヘキシル) −4
’ −()ランス−4−エトキシシクロヘキシル)−ビ
フェニル 4−()ランス−4−ヘプチルシクロヘキシル)−4’
−(トランス−4−プロポキシシクロヘキシル)−ビフ
ェニル 4−(トランス−4−へブチルシクロヘキシル)−4’
−(トランス−4−ブトキシンクロヘキシル)−ビフェ
ニルおよび 4−(+−7ンスー4−へブチルシクロヘキシル)−4
’−(トランス−4oントキシシクロヘキシル)−ビフ
ェニル。
例 3 トランス−4−(p−()ランス−4−ヘプチル7りロ
ヘキシル)−フェニルシーシクロヘキサノール〔この化
合物は4−(トランス−4から例1と同様にして得られ
る)35.6gをトルエン250m1中でヘキサンカル
ボン酸11.6gとともにp−トルエンスルホン酸20
0 yrqの存在で3時間沸とうさせ、生成する水は、
共沸的に分離除去する。慣用の処理方法で仕上げて、1
−(トランス−4−へブチルシクロヘキシル)−4−(
トランス−4−ヘキサノイルオキシシクロヘキシル)−
ベンゼンを得る。
同様にして、下記の化合物を製造する:1−()ランス
−4−へブチルシクロヘキシル)−4−(トランス−4
−アセトキシシクロヘキシル)−ベンゼン 1−(トランス−4−へブチルシクロヘキシル)−4−
()7ンスー4−iロピオニルオキシシクロヘキシル)
−ベンゼン 1−()ランス−4−へブチルシクロヘキシル)−4−
(トランス−4−ブチリルオキ7シクロヘキシル)−ベ
ンゼン 1−(トランス−4−へブチルシクロヘキシル)−4−
(トランス−4−ペンタノイルオキシシクロヘキシル)
−ベンゼン i−(トランス−4−へブチルシクロヘキシル)−4−
(トランス−4−ヘプタノイルオキシシクロヘキシル)
−ベンゼン 1−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4−
(トランス−4−アセトキシシクロヘキシル)−ペンぜ
ン 1−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4−
()ランス−4−プロピオニルオキシンクロヘキシル)
−ベンゼン 1−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4−
(トランス−4−ブチリルオキシシクロヘキシル)−ベ
ンゼン i−(トランス−4−はンチルシクロヘキシル)−4−
(トランス−4−ペンタノイルオキシシクロヘキシル)
−べ/ゼン 1−(トランス−4−−&ロビル7りロヘキシル)−4
−(1−ランス−4−アセトキシシクロヘキシル)−ベ
ンゼン 1−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−4−
(トランス−4−−fロピオニルオキシンクロヘキシル
)−ベンゼン 1−(1−7ンスー4−プロピルシクロヘキシル)−4
−(1−ランス−4−ブチリルオキシシクロヘキシル)
−ベンゼン 1−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−4−
(トランス−4−波ンタノイルオキシシクロヘキシル)
−ベンゼンおヨヒ 1−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−4−
(トランス−4−ヘプタノイルオキシシクロヘキシル)
−ベンゼン。
下記の化合物がトランス−4−(p−()ランス−4−
アルキルシクロヘキシル)−フエニ# ’] −シクロ
ヘキサンカルボン酸(この化合物は例4と同様にして得
られる)から得られる。
エチルトランス−4−(p−()ランス−4−フロビル
シクロヘキシル)−フェニル〕−シクロヘキサンカルボ
キシレート プロビルトランスー4−(p−()ランス−4−yロピ
ルシクロヘキシル)−フェニル〕−シクロヘキサンカル
ボキシレート ブチルトランス−4−4p−()ランス−4−フロビル
シクロヘキシル)−フェニル〕−シクロヘキサンカルボ
キシレート ペンチルトランス−4−(p−()ランス−4−f”ロ
ピルシクロヘキシル)−フェニル〕−シクロヘキサンカ
ルボキシレート エチルトランス−4−(p−(トランス−4−ペンチル
シクロヘキシル)−フェニル〕−シクロヘキサンカルボ
キシレート プロビルトランス−4−(p−(トランス−4、J2ン
チルシクロヘキシル)−フェニル〕−シクロヘキサンカ
ルボキシレート ブチルトランス−4−(p−()ランス−4−ヘンチル
シクロヘキシル)−フェニル〕−シクロヘキサンカルボ
キシレートおよび ペンチルトランス−4−(1)−()ランス−4−ペン
チルシクロヘキシル)−フェニル〕−シクロヘキサンカ
ルボキシレート。
例 4 トランス−4−(p−(トランス−4−エチルシクロヘ
キシル)−フェニルシーシクロヘキサンカルボン酸〔こ
の化合物は4−(トランス−4−エチルシクロヘキシル
)−ブロモベンゼンと4− (4,5−ジヒドロ−4,
4−ジメチル−2−オキサシリル)−シクロヘキサノン
とをグリニヤール反応させ(J、 Org、 Chem
、 39.2787頁〔1974年〕参照)、エタノー
ル性I(g S Ot中で沸とうすることによシオキザ
ゾリル保護基の同時に除去しながら水を脱離させ、生成
する二重結合を水素添加し、エチル4−〔p−()ラン
ス−4−エチルシクロヘキシル〕−フェニル〕−シクロ
ヘキサンカルボキシレートの異性体のシス−トランス混
合物を塩基性ケン化処理に付し、次いでこのカルボン酸
のトランス形を結晶化によシ除去することによシ得られ
る) 104 gを塩化チオニル164gに懸濁し、次
いで攪拌しながら2時間還流沸とうさせる。過剰の塩化
チオニルを蒸留によシ除去し、残留物をアセトン100
meに溶解する。溶液をアンモニアの25チ強度水溶液
(11)中に土面より高くない温度で攪拌し、冷却しな
がら加える。沈殿した結晶を吸引沖取し、水で洗浄し、
減圧で、80°において48時間乾燥させる。生成する
トランス−4−(p−トランス−4−エチルシクロへキ
シルフェニル〕−シクロヘキサンカルボキサミド94 
gを塩化メチレン450rytlK懸濁し、塩化チオニ
ル53 gおよびDMF 3 、5 yllを加え、混
合物を4時間加熱沸とうさせる。冷却後に、水500m
1を加え、有機相を分離採取し、慣用の方法によシ処理
する。トランス−4−(p−()ランス−4−エチルシ
クロヘキシル)−フェニル〕−シクロヘキサンカルポニ
トリルが得られる。
同様にして、下記の化合物を製造するニドランス−4−
(p −()ランス−4−エチルシクロヘキシル)−フ
ェニルシーシクロへキザ/ノJルボ二トリル トランス−4−(p−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)−フェニルクーシクロヘキサンカルボニトリ
ル トランス−4−(p−()ランス−4−ブチルシクロヘ
キシル)−フェニル’]−yクロヘキサンカルボニトリ
ル トランス−4−(p−()ランス−4−ペンチルシクロ
ヘキシル)−フェニルクーシクロヘキサンカルボニトリ
ル トランス−4−(p−()ランス−4−ヘキシルシクロ
ヘキシル)−フェニルクーシクロヘキサンカルボニトリ
ル トランス−4−(p−()ランス−4−へブチルシクロ
ヘキシル)−フェニルクーシクロヘキサンカルボニトリ
ル トランス−4−(4’−()ランス−4−エチルシクロ
ヘキシル)−ヒフェニル−4−(ル〕−シクロヘキサン
力ルボニ) l)ル トランス−4−44’−()ランス−4−プロピルシク
ロヘキシル)−ピフェニル−4−イル〕−シクロヘキサ
ンカルボニトリル トランス−4−[:4’−()ランス−4−ブチルシク
ロヘキシル)−ビフェニル−4−イル〕−シクロヘキサ
ンカルポニトリル トランスー4−、(4’−()ランス−4,2ンチルシ
クロヘキシル)−ビフェニル−4−イルシーシクロヘキ
サンカルボニトリル トランス−4−(4,’−()ランス−4−へブチルシ
クロヘキシル)−ビフェニル−4−イル〕−シクロヘキ
サンカル示ニトリル 1−(4’−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル
)−ビフェニル−4−イル)−2−(トランス−4−シ
アノシクロヘキシル)−エタン1−(4’−()ランス
−4−エチルシクロヘキシル)−ピフェニル−4−イル
)−2−(トランス−4−シアノシクロヘキシル)−エ
タン1−(4’−(トランス−4−ブチルシクロヘキシ
ル)−ビフェニル−4−イル)−2−(トランス−4−
シアノシクロヘキシル)−エタン1−(4’−(トラン
ス−4oンチルシクロヘキシル)−ビフェニル−4−イ
ル)−2−()ランス−4−シアノシクロヘキシル)−
エタンおよび 1−(4’−(トランス−4−ヘキシルシクロヘキシル
)−ビフェニル−4−イル)−”2−()ランス−4−
シアノシクロヘキシル)−エタン。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)式I 〔式中A1は1.4−シクロヘキシレン、1,4−フェ
    ニレン、1.3−’)チアン−2,5−ジイルまたは1
    ,3−ジオキサン−2,5−ジイルであり、 A2は1
    ,4−フェニレンまたは単結合であす、 z バーCH
    2−CH2−f アルカ、マタはA1が1,4−シクロ
    ヘキシレンである場合には、共有結合を表わしていても
    よ〈;R1はR,0R1OCR1OCOR、C0OR、
    CN 、 F 、 CAまたはBrであシ:又はOR,
    OCR,0COR,C0OR,CN、 F、 CAまた
    はBrであり;そしてRは1〜12個のC原子を有する
    アルキル基である;ただし、A2が単:] である場合に、A1は1,3−ジチアン−2,5−ジイ
    ルまたは1.3−:)オキサン−2,5,−:)イルで
    ある〕で示されるシクロヘキサン誘導体。
  2. (2)式I 〔式中A1は1,4−シクロヘキシレン、1,4−フェ
    ニレン、A3−:)チアン−2+5−’)イルまだは1
    ,3−ジオキサン−2,5−ジイルであす;A2ハ1.
    4−フェニレンまだは単結合であす; ZハCH2CH
    2fあるか、またはA1が1.4−シクロヘキシレンで
    ある場合には、共有結合を表わしていてもよ〈;R1は
    R、OR、OCR。 0COR,C0OR,CN、 F、 Ct−iたはBr
    であり;又はOR,OCR,0CORSCOOR,CN
    5FSCLまだはBrでありλそしてRは1〜12個の
    C原子を有するアルキル基である;だだし、A2が単で
    ある場合に、A1は1,3−ジチアン−2,5−ジイル
    まだは1,3−ジオキサン−2+ 5 )イルである〕
    で示されるシクロヘキサン誘導体の製造方法であって、
    式■において、H原子の代り°に1個まだは2個以上の
    還元できる基および(または)C−C結合を有する以外
    は式Iに相当する化合物を還元剤で処理するか、または
    、式Iのエステル化合物〔式中、R1および(または)
    Xが0CORおよび(または)GOORである〕を製造
    するだめに、相当するカルボン酸化合物またはその反応
    性誘導体の一種を相当するアルコール化合物まだはその
    反応性誘導体の一種と反応させるか、まだは、式■のジ
    オキサン誘導体またはジチアン誘導体〔式中A1が、そ
    れぞれ、1 + 3 ’)オキサン−2,5−ジイルま
    だは1,3−:)チアン−2,5−ジイルである〕を製
    造するために、相当するアルデヒド化合物を、それぞれ
    、相当するジオールまたはジチオール化合物と反応させ
    るか、または、式Iのニトリル化合物〔式中R1および
    (または)XがCNである〕を製造するだめに、相当す
    るカルボキサミド化合物を脱水するか、まだは相当する
    カルボン・酸ハライド化合物をスルファミドと反応させ
    るがまたは、式Iのエーテル化合物〔式中R1および(
    または)XがORである〕を製造するために、相当する
    ヒドロキシ化合物をエーテル化することを特徴とする式
    ■のシクロヘキサン誘導体の製造方法。
  3. (3)液晶成分の少なくとも一種が式I〔式中A1は1
    ,4−シクロヘキシレン、1,4−フェニレン、1 r
     3 Uチアン−2+ 5 9イルまたは1,3−ジオ
    キサン−2+ 5 ”イルであり、 A2は1,4−フ
    ェニレンまたは単結合であす; Z l、j: −CH
    2−CH2−テあるか、捷だはA1が1.4−シクロヘ
    キシレンである場合には、共有結合を表わシテイテもJ
    : (、; R11d R,CAR,0CR1OCOR
    、GOOR、CN SF 、 CtまたはBrであり;
    XはOR,0CR10COR,C0OR,CN、F、C
    4まだはBrであり;そしてRは1〜12個のC原子を
    有するアルキル基である;ただし、A2が単である場合
    に、A1は1.3−ジチアン−2,5−ジイルまだは1
    ,3−ジオキサン−2+5−’)イルである〕で示され
    るシクロヘキサン誘導体であることを特徴とする液晶相
  4. (4)液晶成分の少なくとも一種が式■〔式中A1ば1
    ,4−シクロヘキシレン、1,4−フェニレン、1.3
    −’)チアン−2+ 5 ’y ’fルまたは1,3−
    ジオキサン−2+ 5−:)イルであり;A2は1,4
    −フェニレンまたは単結合であり; Z Id −CH
    2−CH2f 6 ルカ、またはA1が1,4−シクロ
    ヘキシレンである場合には、共有結合を表わしていても
    よく、R1はR1OR,OCR。 0COR1GOOR、CN 1F 、 C7まだはBr
    であり;XはOR,OCR,0COR,GOOR,CN
    、 F、 CtまたはBrであシ;そしてRは1〜12
    個のC原子を有するアルキル基である;だだし A2が
    単である場合に、A1は1,3−ジチアン−2,5−ジ
    イルまだは1,3−ジオキサン−2+ 5 ’yイルで
    ある〕で示されるシクロヘキサン誘導体である液晶相を
    含むことを特徴とする液晶表示素子。
  5. (5) 上記液晶相を誘電体として含有し、上記の表示
    素子が電気光学表示素子である特許請求の範囲第4項記
    載の液晶表示素子。
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