JPS60200814A - 窒化珪素と炭化珪素との複合微粉末の製造方法 - Google Patents
窒化珪素と炭化珪素との複合微粉末の製造方法Info
- Publication number
- JPS60200814A JPS60200814A JP59055174A JP5517484A JPS60200814A JP S60200814 A JPS60200814 A JP S60200814A JP 59055174 A JP59055174 A JP 59055174A JP 5517484 A JP5517484 A JP 5517484A JP S60200814 A JPS60200814 A JP S60200814A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction
- silicon
- silicon nitride
- silicon carbide
- fine powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/068—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/80—Compositional purity
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は窒化珪素と炭化珪素との複合微粉末の製造方法
に関する発明である。更に詳しくは一般式がＲｎ５ｉＣ
Ｉ ％−ｇ （但し式中Ｒはアルキル基、アリル基１等
の炭化水素基を示し、ｎ−１〜４である）で表される有
機珪素化合物をアンモニアを含有する非酸化性ガスとと
もに気相で反応させることを特徴とする窒化珪素と炭化
珪素との複合微粉末のＭ遣方法に関する発明である。
に関する発明である。更に詳しくは一般式がＲｎ５ｉＣ
Ｉ ％−ｇ （但し式中Ｒはアルキル基、アリル基１等
の炭化水素基を示し、ｎ−１〜４である）で表される有
機珪素化合物をアンモニアを含有する非酸化性ガスとと
もに気相で反応させることを特徴とする窒化珪素と炭化
珪素との複合微粉末のＭ遣方法に関する発明である。
窒化珪素や炭化珪素等の非酸化物系セラミックスはアル
ミナを中心とする酸化物系セラミックスに比べて高温強
度や耐熱衝撃性等の高温特性に優れているので、その製
造方法及びその応用に関する研究が最近盛んに行われて
おり、高温で作動させるガスタービン、ジーゼルエンジ
ン、熱交換器等の耐熱構造材料等の高温材料にその用途
が拓番ノつつある。
ミナを中心とする酸化物系セラミックスに比べて高温強
度や耐熱衝撃性等の高温特性に優れているので、その製
造方法及びその応用に関する研究が最近盛んに行われて
おり、高温で作動させるガスタービン、ジーゼルエンジ
ン、熱交換器等の耐熱構造材料等の高温材料にその用途
が拓番ノつつある。
高温材料としての炭化珪素は高温での耐酸化性や強度特
性及び熱伝導度に優れている。また窒化珪素は耐熱衝撃
性、熱膨張係数、破壊靭性等に優れている。その為に両
者の長所を取り入れた新規材料としての複合セラミック
スの開発が最近進められている。
性及び熱伝導度に優れている。また窒化珪素は耐熱衝撃
性、熱膨張係数、破壊靭性等に優れている。その為に両
者の長所を取り入れた新規材料としての複合セラミック
スの開発が最近進められている。
この様な窒化珪素や炭化珪素は主として焼結により加工
成形されるが、高密度の焼結体を得る為の重要な因子と
しては、出発原料の組成、純度。
成形されるが、高密度の焼結体を得る為の重要な因子と
しては、出発原料の組成、純度。
結晶形１粒子径９粒子形状等があげられる。
非酸化系のシリコン系セラミックスは一般にｉ＋を焼結
性であり、従って焼結性が優れた原料粉末としてはサブ
ミクロン級の粒子径を有し、均一なごとが特Ｇこ必要で
ある。
性であり、従って焼結性が優れた原料粉末としてはサブ
ミクロン級の粒子径を有し、均一なごとが特Ｇこ必要で
ある。
従来、窒化珪素単品の主な語法としては下記の方法が知
られ一〇いる。
られ一〇いる。
（１）金属珪素粉末を窒素またはアンモニアガス中で市
温に加熱して窒化する方法。
温に加熱して窒化する方法。
（２）珪素粉末とカーボンとの混合物を窒素中でｌｌｈ
温に加熱して還元と窒化とを同時に行う方法。
温に加熱して還元と窒化とを同時に行う方法。
（３）常６１．ｋまたＬＪ低温て四塩化珪素とアンモニ
アを反応させ、生成したシリコンアミドあるいはシリコ
ンイミ［・を分離した後窒素またはアンモニア雰囲気中
で高温に加熱するアミドあるいはイミドの４ハ分解法。
アを反応させ、生成したシリコンアミドあるいはシリコ
ンイミ［・を分離した後窒素またはアンモニア雰囲気中
で高温に加熱するアミドあるいはイミドの４ハ分解法。
（４）四塩化珪素とアンモニアとを高温で気相反応さ−
Ｕる方法。
Ｕる方法。
しかし、これらの方法はそれぞれ次の様な解決すべき問
題点を有している。
題点を有している。
（１，１については、現在工業的に用いられている方法
ではあるか、この方法では微細な粉末が得難＜。
ではあるか、この方法では微細な粉末が得難＜。
この方法でｉｑた生成物は、これを長時間わ）砕する必
要がある。このため原料Ｓｌ中に含まれているｒｅ。
要がある。このため原料Ｓｌ中に含まれているｒｅ。
Ｃａ、 ＡＩ、等の不純物が窒化後も残ったり、粉砕過
程で不純物か混入する。
程で不純物か混入する。
（２）の方法は、原料として充分精製したシリカ粉末及
びカーボン粉末を用いる必要があるばかりでなく、得ら
れる生成物はα型Ｓｉ３Ｎ４ 、β型Ｓｉ３Ｎ４ 。
びカーボン粉末を用いる必要があるばかりでなく、得ら
れる生成物はα型Ｓｉ３Ｎ４ 、β型Ｓｉ３Ｎ４ 。
酸窒化珪素等の混合物であり３粒径及び粒径のバラツキ
を小さくする事が困難−Ｃある。
を小さくする事が困難−Ｃある。
（３）の方法には液相法と気相法とかあるが、いずれの
方法もシリコンアミドやシリコンイミドを熱分１’ｌ￥
して得られる粉末の粒径や結晶型は、微少粒子にしたり
、整った等軸的な粒状粒子とするには限界がある。
方法もシリコンアミドやシリコンイミドを熱分１’ｌ￥
して得られる粉末の粒径や結晶型は、微少粒子にしたり
、整った等軸的な粒状粒子とするには限界がある。
これらの中では（４）の気相法が高品質の物が得られる
と言われている。
と言われている。
また、従来炭化珪素弔味の主な製法としては下記の方法
が知られている。
が知られている。
（１）珪石（Ｓｉ０２＞とコークス（Ｃ）を混合してア
チソン炉で加熱する方法。
チソン炉で加熱する方法。
（２）金属珪素粉末と炭素粉末との固相反応法。
（３）シリカ粉末と炭素粉末との固相反応法。
しかし、いずれの方法も原料中に不揮発性の金属不純物
などが含有されているために、これが製品中に濃縮して
蓄積されたり、あるいは粒径のバラツキを小さくするこ
とが困難である等の欠点があった。
などが含有されているために、これが製品中に濃縮して
蓄積されたり、あるいは粒径のバラツキを小さくするこ
とが困難である等の欠点があった。
以上のような製法で得られた窒化珪素や炭化珪素の各単
品の粉末は１通當知られたポットプレス。
品の粉末は１通當知られたポットプレス。
常圧焼結９反応焼結などの各種の方法で成形。
焼結されるが、前記のような窒化珪素と炭化珪素の両者
の長所を取り入れた複合焼結体の製法も種々検δ・１さ
れており１例えば５次のような語法が知られている。
の長所を取り入れた複合焼結体の製法も種々検δ・１さ
れており１例えば５次のような語法が知られている。
（］）窒化珪素と炭化珪素粉末を機械的に混合してポッ
トプレスなどで成形、焼結する方法。
トプレスなどで成形、焼結する方法。
（２）反応焼結的な手法を用いて、あらかじめ炭化珪素
と珪素の混合物を成形後、窒化反応を行わせて窒化珪素
質を生成さゼたり、窒化珪素と炭素の混合物を成形後、
珪素を浸透させて炭化珪素質を生成させる方法。
と珪素の混合物を成形後、窒化反応を行わせて窒化珪素
質を生成さゼたり、窒化珪素と炭素の混合物を成形後、
珪素を浸透させて炭化珪素質を生成させる方法。
（３）有機珪素ポリマーを原料とし、これに珪素粉末を
加えて、直接あるいは熱処理した後成形し、窒化反応を
行わせて、炭化珪素質と窒化珪素質を生成させる方法。
加えて、直接あるいは熱処理した後成形し、窒化反応を
行わせて、炭化珪素質と窒化珪素質を生成させる方法。
しかしながら、これらの試めは通常の原料粉末を用いた
のでは９粒径、形状などの粒子特性のほかに混合程度を
十分に制御し、各成分を均一に混合することに限界があ
ること、また機械的わ）砕。
のでは９粒径、形状などの粒子特性のほかに混合程度を
十分に制御し、各成分を均一に混合することに限界があ
ること、また機械的わ）砕。
混合により不純物が混入しやすいので、好ましい焼結体
が得られない欠点がある。また２反応焼結的な手法でも
多孔質化や、工程、操作が複雑になったり、あるいは組
成の均一性にも限界かあることから好ましい焼結体が得
られない等の欠点がある。
が得られない欠点がある。また２反応焼結的な手法でも
多孔質化や、工程、操作が複雑になったり、あるいは組
成の均一性にも限界かあることから好ましい焼結体が得
られない等の欠点がある。
本発明者等は、高温特性に（ｇれた窒化珪素と炭化珪素
の複合系焼結体を得るべく窒化珪素と炭化珪素の微粉末
の合成法について種々の方法を鋭意研究を行った。
の複合系焼結体を得るべく窒化珪素と炭化珪素の微粉末
の合成法について種々の方法を鋭意研究を行った。
その結果、特定の有機珪素化合物を気相で反応せしめる
際の反応条件を制御して、窒化珪素と炭化珪素との複合
微粉末を１ηることとを見出して本発明を完成するに至
った。
際の反応条件を制御して、窒化珪素と炭化珪素との複合
微粉末を１ηることとを見出して本発明を完成するに至
った。
即し１本発明はハロゲンを含む有機珪素化合物あるいは
炭化水素のみを含む有機珪素化合物を気相で反応させる
ことを特徴とする窒化珪素と炭化珪素の複合微粉末の製
法に関するものである。
炭化水素のみを含む有機珪素化合物を気相で反応させる
ことを特徴とする窒化珪素と炭化珪素の複合微粉末の製
法に関するものである。
、本発明方法によれば、１ミクロン以下の微粒子オーダ
ーで窒化珪素と炭化珪素を均一に含む複合（放粉末が容
易にえられる。
ーで窒化珪素と炭化珪素を均一に含む複合（放粉末が容
易にえられる。
次に本発明について詳述する。
本発明において、原料として用いる有機珪素化合として
は２例えば、 （ＣＨｉ）ダＳｉ、（Ｃｌイ５）ｊｓ；
−ＣＩ、ＣＮ３ Ｓ−ｊ ｃｉ３ 等であり、一般式
Ｒｎ５ｉＣ１，４式中Ｒはアルキル括、アリル基１等の
炭化水素題置換貼を示し、ｎ−１〜４である）で表示さ
れる化合物である。これらの原料は必要に応じて２種以
」二を混合して用いてもよく、また炭化水素類を共存さ
せても良い。
は２例えば、 （ＣＨｉ）ダＳｉ、（Ｃｌイ５）ｊｓ；
−ＣＩ、ＣＮ３ Ｓ−ｊ ｃｉ３ 等であり、一般式
Ｒｎ５ｉＣ１，４式中Ｒはアルキル括、アリル基１等の
炭化水素題置換貼を示し、ｎ−１〜４である）で表示さ
れる化合物である。これらの原料は必要に応じて２種以
」二を混合して用いてもよく、また炭化水素類を共存さ
せても良い。
これらの原料の反応帯への供給は、原料が常温で液体や
固体状の場合、均一な反応を速やかに実施し、所望の複
合粉体を得るために１例えば適当な間接加熱等の手段に
より一旦ガス化させた後に行う事が重要である。
固体状の場合、均一な反応を速やかに実施し、所望の複
合粉体を得るために１例えば適当な間接加熱等の手段に
より一旦ガス化させた後に行う事が重要である。
また、実施例が示す様に原料をＮ１１Ｊ、を含む１１２
Ｎ、、 Ａｒ、 Ｉｌｅ、等の非酸化性ガスに同伴させ
るこ、 とにより、原料分圧の調節や供給速度を制御し
て行うこともできるのみならず、同伴させるＮｌｌ、
。
Ｎ、、 Ａｒ、 Ｉｌｅ、等の非酸化性ガスに同伴させ
るこ、 とにより、原料分圧の調節や供給速度を制御し
て行うこともできるのみならず、同伴させるＮｌｌ、
。
ＩＩ２．Ｎえ、Ａｒ、 ｌｌｅ、等の非酸化性ガスの選
択やその混合比により生成粉体の組成（ＳｉＣ、Ｓｉ３
Ｎ≠比）を任意にコントロールすることが可能である。
択やその混合比により生成粉体の組成（ＳｉＣ、Ｓｉ３
Ｎ≠比）を任意にコントロールすることが可能である。
例えば＋ Ｓ＋３Ｎ≠の割合を多くしたい場合にばＮ１
１〕やＩＩ、 ｌを増加させるのが有効であるか、珪素
化合物の種類や濃度５反応温度９反応時間などによって
その必要量が異なってくる。
１〕やＩＩ、 ｌを増加させるのが有効であるか、珪素
化合物の種類や濃度５反応温度９反応時間などによって
その必要量が異なってくる。
反応帯にお＆Ｊる原料ガスの分圧及び反応時間は、生成
物の粒径や形状及びＳＴＹ等により決定されるが１例え
ば分圧は０．００Ｌ〜数ａｔｎ＋好ましくは０゜０１〜
０．５ａｔｍである。
物の粒径や形状及びＳＴＹ等により決定されるが１例え
ば分圧は０．００Ｌ〜数ａｔｎ＋好ましくは０゜０１〜
０．５ａｔｍである。
反応時間は一般的には１２０〜０．０５ｓｅｃ好ましく
は６０〜Ｑ、１ｓｅｃである。
は６０〜Ｑ、１ｓｅｃである。
これらの値より反応分圧が小さかったり１反応■ｈ間が
播くなる場合は１反応装置が不必要に大型化して工業的
には不利となり、逆にこれらの値より反応分圧が大きか
ったり２反応時間が短（なる場合は実質的に反応か進行
しない場合があるので好ましくない。
播くなる場合は１反応装置が不必要に大型化して工業的
には不利となり、逆にこれらの値より反応分圧が大きか
ったり２反応時間が短（なる場合は実質的に反応か進行
しない場合があるので好ましくない。
また１反応温度は一般的には６００〜１６００℃の範囲
であり、好ましくは８００〜１５００°Ｃである。温度
が６ｏｏ ’ｃより低い場合には反応か十分に進行せず
珪素の窒化物及び炭化物の生成率が低く、逆に１６００
°Ｃを超える場合には多大のエネルギーを要し。
であり、好ましくは８００〜１５００°Ｃである。温度
が６ｏｏ ’ｃより低い場合には反応か十分に進行せず
珪素の窒化物及び炭化物の生成率が低く、逆に１６００
°Ｃを超える場合には多大のエネルギーを要し。
経済的−でない。
本反応の具体的な実施手段としては３例えば原ド１であ
る有機珪素化合物を予めガス化−ｕしめて必要な場合に
は７ンモニ７及び非酸化性ガスである計、］シ、Ｎユ等
と十分に均一に混合したのち、外ｇ（＜加ｊ；ＪＨ式反
応管に導入する。
る有機珪素化合物を予めガス化−ｕしめて必要な場合に
は７ンモニ７及び非酸化性ガスである計、］シ、Ｎユ等
と十分に均一に混合したのち、外ｇ（＜加ｊ；ＪＨ式反
応管に導入する。
反応管は空塔あるいは充填塔式の流通型が用いられるか
、ガスの流れが脈動あるいは乱流状にならず、熱的にも
均一・性が保たれる様な構造とすることが、生成複合？
！ｉ粉末の均一性に重要である。
、ガスの流れが脈動あるいは乱流状にならず、熱的にも
均一・性が保たれる様な構造とすることが、生成複合？
！ｉ粉末の均一性に重要である。
珪素の窒化物と炭化物を含む生成ガスば冷ｊｉ（＋され
て捕集装置へ導入されるが２本発明に用いられる捕集装
置は特に制約はなく１通常用いられている充填層形式や
濾過方式の築塵機、電気集塵機。
て捕集装置へ導入されるが２本発明に用いられる捕集装
置は特に制約はなく１通常用いられている充填層形式や
濾過方式の築塵機、電気集塵機。
ザイクロン等を適宜用いることができる。 ′以下に本
発明を実施例によって更に詳しく説明するが２本発明は
これらの実施例に限定されるものではない。
発明を実施例によって更に詳しく説明するが２本発明は
これらの実施例に限定されるものではない。
実施例１゜
電気炉中に設置された内径２５”’ ＋ 長さ７００關
の高純度アルミナ質反応管と反応管出口部に取りつｂ）
た反応生成物捕集器とからなる装置を用い１２００°Ｃ
の温度に保持した。
の高純度アルミナ質反応管と反応管出口部に取りつｂ）
た反応生成物捕集器とからなる装置を用い１２００°Ｃ
の温度に保持した。
ガス化した（ ＣＩＩ ３）％ Ｓ ｉとＮｌｌ及びＡ
ｒ（体積比’１５．９ ：６６．４： １７．７）とを
良く混合したのぢ１反応管人１］部から吹き込み反応さ
せた。
ｒ（体積比’１５．９ ：６６．４： １７．７）とを
良く混合したのぢ１反応管人１］部から吹き込み反応さ
せた。
捕集器に捕集された微粉末は、いずれも粒子の径が０．
１〜０．２ミクロンで等軸状の均一な微粒子であった。
１〜０．２ミクロンで等軸状の均一な微粒子であった。
次にこの生成物を不活性雰囲気で高純度アルミナ管に充
填して、アルゴン雰囲気下、 １５００℃に加熱されて
いる電気炉中で２時間熱処理を行った。
填して、アルゴン雰囲気下、 １５００℃に加熱されて
いる電気炉中で２時間熱処理を行った。
得られた微わ〕末はウィスカーを含む０．１〜０．３ミ
クロンの板状結晶であり、Ｘ線回折ではα−３ｉ３Ｎ４
とβ−５ｉＣのピークかえられた。Ｘ線回折よりめたＳ
ｉ３Ｎ４及びＳｉＣの含有率はそれぞれ４６匈ｔ％、５
４ｗＬ％であった。
クロンの板状結晶であり、Ｘ線回折ではα−３ｉ３Ｎ４
とβ−５ｉＣのピークかえられた。Ｘ線回折よりめたＳ
ｉ３Ｎ４及びＳｉＣの含有率はそれぞれ４６匈ｔ％、５
４ｗＬ％であった。
実施例２〜５゜
実施例１と同一の実験方法により１表１に示した条件で
反応させた。得られた微粉末を高純度アルミナ管に充填
し、アルゴン雰囲気下、 １５００°Ｃに加熱した電気
炉中で２時間熱処理を行った。
反応させた。得られた微粉末を高純度アルミナ管に充填
し、アルゴン雰囲気下、 １５００°Ｃに加熱した電気
炉中で２時間熱処理を行った。
得られた微粉末はウィスカーを含む０．１〜０．４ミク
ロンの板状結晶であり１Ｘ線回折では、α−３ｉ３Ｎ４
．β−３ｉＣのピークの他にβ−３ｉ３Ｎ４や金属珪素
のピークが検出された。
ロンの板状結晶であり１Ｘ線回折では、α−３ｉ３Ｎ４
．β−３ｉＣのピークの他にβ−３ｉ３Ｎ４や金属珪素
のピークが検出された。
Ｓｉ３Ｎ４およびＳｉＣの含有率を表１に示した。
表 １
第１頁の続き
＠発明者伊崎 寛正
＠発明者 中野 里愛子
＠発明者 森 晃
新潟４−
研究序
新潟ｄ
研究乃
新潟１１
研究所内
手続補正書（自発）
昭和５９年７月３０日
１、事件の表示
昭和５９年特許願第５５１７４号
２、発明の名称
窒化珪素と炭化珪素との複合微粉末の製造方法３、補正
する者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都千代田区丸の陶工丁目５番２号明細書 ５、補正の内容 第３頁第６行の「珪素粉末」を「シリカ粉末」と補正す
る。
する者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都千代田区丸の陶工丁目５番２号明細書 ５、補正の内容 第３頁第６行の「珪素粉末」を「シリカ粉末」と補正す
る。
Claims (1)
- 一般式がＩ’１ｎＳｉＣＩや−・−（但し式中Ｒはアル
キル基、アリル基２等の炭化水素基を示し、ｎ＝１〜４
である）で表される有機珪素化合物をアンモニアを含有
する非酸化性ガスと共に気相で反応させることを特徴と
する窒化珪素と炭化珪素との複合微粉末の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59055174A JPS60200814A (ja) | 1984-03-22 | 1984-03-22 | 窒化珪素と炭化珪素との複合微粉末の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59055174A JPS60200814A (ja) | 1984-03-22 | 1984-03-22 | 窒化珪素と炭化珪素との複合微粉末の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60200814A true JPS60200814A (ja) | 1985-10-11 |
Family
ID=12991358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59055174A Pending JPS60200814A (ja) | 1984-03-22 | 1984-03-22 | 窒化珪素と炭化珪素との複合微粉末の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60200814A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4981666A (en) * | 1985-11-27 | 1991-01-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for the preparation of silicon carbide whiskers |
| CN102275922A (zh) * | 2011-06-08 | 2011-12-14 | 浙江大学 | 从农业废弃物制备SiC/氮化铁纳米复合材料及其方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4969717A (ja) * | 1972-09-05 | 1974-07-05 | ||
| JPS58161909A (ja) * | 1982-03-15 | 1983-09-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | シリコンイミドおよび／または窒化けい素の製造方法 |
| JPS58213607A (ja) * | 1982-06-07 | 1983-12-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | シリコンイミドおよび／または窒化けい素の製造方法 |
| JPS59174506A (ja) * | 1983-03-23 | 1984-10-03 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 新規な窒化珪素粉末の製造法 |
-
1984
- 1984-03-22 JP JP59055174A patent/JPS60200814A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4969717A (ja) * | 1972-09-05 | 1974-07-05 | ||
| JPS58161909A (ja) * | 1982-03-15 | 1983-09-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | シリコンイミドおよび／または窒化けい素の製造方法 |
| JPS58213607A (ja) * | 1982-06-07 | 1983-12-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | シリコンイミドおよび／または窒化けい素の製造方法 |
| JPS59174506A (ja) * | 1983-03-23 | 1984-10-03 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 新規な窒化珪素粉末の製造法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4981666A (en) * | 1985-11-27 | 1991-01-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for the preparation of silicon carbide whiskers |
| CN102275922A (zh) * | 2011-06-08 | 2011-12-14 | 浙江大学 | 从农业废弃物制备SiC/氮化铁纳米复合材料及其方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0134925B2 (ja) | ||
| JPS6112844B2 (ja) | ||
| US4619905A (en) | Process for the synthesis of silicon nitride | |
| US4613490A (en) | Process for preparing silicon nitride, silicon carbide or fine powdery mixture thereof | |
| JPS5913442B2 (ja) | 高純度の型窒化珪素の製造法 | |
| Cho et al. | Synthesis of nitrogen ceramic povvders by carbothermal reduction and nitridation Part 1 Silicon nitride | |
| JPS60200814A (ja) | 窒化珪素と炭化珪素との複合微粉末の製造方法 | |
| JPS62241812A (ja) | 窒化珪素の製造法 | |
| JPS62162608A (ja) | 窒化珪素微粉末の製造方法 | |
| US5238669A (en) | Production of ultrastructural ceramics by supercritical processing of the ceramic precursor | |
| JPS5930645B2 (ja) | 高純度α型窒化珪素の製造法 | |
| JPS59207812A (ja) | 窒化珪素の製造法 | |
| JPS60200813A (ja) | 窒化珪素と炭化珪素との複合微粉末の製造方法 | |
| JPH0454610B2 (ja) | ||
| JPS6111885B2 (ja) | ||
| JPS6163510A (ja) | 複合微粉末の製造方法 | |
| JPS60200812A (ja) | 窒化珪素と炭化珪素との複合微粉末の製造方法 | |
| JPS61136904A (ja) | 窒化珪素と炭化珪素との複合微粉末の製造方法 | |
| JPS61247608A (ja) | 窒化珪素と炭化珪素との混合微粉末の製造方法 | |
| JP3397503B2 (ja) | 低圧相窒化ほう素粉末の製造方法 | |
| Ault | Raw materials for refractories: SiC and Si3N4 | |
| JPS60122706A (ja) | 窒化ケイ素粉末の製造方法 | |
| JPS61127606A (ja) | 窒化珪素または炭化珪素の製造方法 | |
| JPS6259049B2 (ja) | ||
| JPS6348840B2 (ja) |