JPS60200575A - シヨツトキ半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
シヨツトキ半導体装置及びその製造方法Info
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- JPS60200575A JPS60200575A JP5529384A JP5529384A JPS60200575A JP S60200575 A JPS60200575 A JP S60200575A JP 5529384 A JP5529384 A JP 5529384A JP 5529384 A JP5529384 A JP 5529384A JP S60200575 A JPS60200575 A JP S60200575A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明はＧａＡｓ系ショットキダイオードやＧａＡｓ系
ショットキゲート電界効果トランジスタなどのショット
キ障壁半導体装置及びその製造方法に関する。
ショットキゲート電界効果トランジスタなどのショット
キ障壁半導体装置及びその製造方法に関する。
（技術的背景）
ＧａＡｓ系ｎ型半導体の耐熱性ショットキ金属としては
ＷやＷＳ ｉなどが知られる・Ｗショットキ金属はダイ
オード特性におけるｎ値が］に近く且つシート抵抗も低
いものとして知られているが、・クリア高さは比較的低
い。更に８００℃程度以上の高温アニールによって前記
ｎ値が極端に増加し、従ってショットキ金属形成後活性
化アニールを必要とする装置では適用し難い。ＷＳ ｉ
ショットキ金属は例えば１９８４年応用物理第５３巻第
１号３４ベーソで報告されているように、耐熱性すなわ
ち高温アニールに対する安定性に比較的優れているが、
シート抵抗は高い。その他Ｔ ｉＷ （” Ｔ ｉＷｓ
ｉ等のショットキ金属も知られているが、一般に耐熱
性に欠けるかシート抵抗が太きいという欠点がある。
ＷやＷＳ ｉなどが知られる・Ｗショットキ金属はダイ
オード特性におけるｎ値が］に近く且つシート抵抗も低
いものとして知られているが、・クリア高さは比較的低
い。更に８００℃程度以上の高温アニールによって前記
ｎ値が極端に増加し、従ってショットキ金属形成後活性
化アニールを必要とする装置では適用し難い。ＷＳ ｉ
ショットキ金属は例えば１９８４年応用物理第５３巻第
１号３４ベーソで報告されているように、耐熱性すなわ
ち高温アニールに対する安定性に比較的優れているが、
シート抵抗は高い。その他Ｔ ｉＷ （” Ｔ ｉＷｓ
ｉ等のショットキ金属も知られているが、一般に耐熱
性に欠けるかシート抵抗が太きいという欠点がある。
（発明の目的）
この発明の目的は、良好なショットキ特性を有し且つ耐
熱性に優れた、更にはシー１〜抵抗が比較的低いＧａＡ
ｓ系ショットキ半導体装置を提供することにある。
熱性に優れた、更にはシー１〜抵抗が比較的低いＧａＡ
ｓ系ショットキ半導体装置を提供することにある。
（発明の概要）
この発明は、ｎ型ＧａＡｓ系半導体基板に１００Ｘ以下
のＡｔ膜を形成しその上に高融点金属を形成することに
より、ショットキ障壁を得るようにしだものである。
のＡｔ膜を形成しその上に高融点金属を形成することに
より、ショットキ障壁を得るようにしだものである。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例を説明するためのショットキ
ケ８−ト型ＧａＡｓ ＦＥＴの構造断面図であシ、以下
図面に沿って説明する。
ケ８−ト型ＧａＡｓ ＦＥＴの構造断面図であシ、以下
図面に沿って説明する。
第１図に示すように、半絶縁性のＧａＡｓ基板１にｎ領
域２を選択的に形成し、その上にスノｅ ｙり法により
２０ Ｘ程度厚さのｈｔｙを被着し、続いてＷ膜を１０
００Ｘ程度厚さ被着した後、選択的に形成された図示し
ないイオン阻止能のある金属をマスクとしてサイドエツ
チングされるようにＡｔ膜とＷ膜とをエツチングしてｎ
領域２上にＡｔ膜３およびＷ膜４を形成する。しかる後
、前記マスクにより選択的にｎ層−領域５を形成して前
記マスクを除去する。
域２を選択的に形成し、その上にスノｅ ｙり法により
２０ Ｘ程度厚さのｈｔｙを被着し、続いてＷ膜を１０
００Ｘ程度厚さ被着した後、選択的に形成された図示し
ないイオン阻止能のある金属をマスクとしてサイドエツ
チングされるようにＡｔ膜とＷ膜とをエツチングしてｎ
領域２上にＡｔ膜３およびＷ膜４を形成する。しかる後
、前記マスクにより選択的にｎ層−領域５を形成して前
記マスクを除去する。
しかる後、基板１の表面に図示しない１２００Ｘ程度厚
さのＳ ｉ Ｏ２膜を保護膜としてＡｓ圧雰囲気中で９
’ＯＯ℃１５分の活性化アニールを行った後、とのＳｉ
Ｏ□膜を除去する。
さのＳ ｉ Ｏ２膜を保護膜としてＡｓ圧雰囲気中で９
’ＯＯ℃１５分の活性化アニールを行った後、とのＳｉ
Ｏ□膜を除去する。
次に層領域上にオーミック電極６ａ、６ｂ。
５ｉ０２膜７、配線材８ａ、８ｂを順次形成することに
よシ第１図に示すシミツトヤケ８−ト型ＧａＡｓ ＦＥ
Ｔを得る。尚、第１図において、Ａｔ膜４とＷ膜５とが
ケ゛−ト電極となり、オーミック電極６Ｂ ｙ ６ｂが
ソースおよびドレイン電極となる。
よシ第１図に示すシミツトヤケ８−ト型ＧａＡｓ ＦＥ
Ｔを得る。尚、第１図において、Ａｔ膜４とＷ膜５とが
ケ゛−ト電極となり、オーミック電極６Ｂ ｙ ６ｂが
ソースおよびドレイン電極となる。
次にその特性について第２図を用いて説明する。
第２図は、本発明によるショットキ半導体装置のアニー
ル後のショットキ接合部における電流電圧（Ｉ−Ｖ）特
性を示す図であり、この例では、ショットキ半導体装置
の接合部の面積は８Ｘ１０ｃｒｎであシ、Ａｔ膜厚は２
ｏ１でちり、Ｗ膜厚は１０００Ｘであシ、ｎ層はドーズ
量１．８Ｘ１０ ｃＩｎ で６０ｋｅＶのＳｉイオン注
入で形成したものである。この第２図から明らかなよう
に、９００℃１５分間のアニール後においても、ｎ値は
１．０２、バリア高さφ８は０．８３であシ非常に良好
なショットキ特性が得られていることがわかり、また、
シート抵抗は１６μｂ程度で比較的小さい。
ル後のショットキ接合部における電流電圧（Ｉ−Ｖ）特
性を示す図であり、この例では、ショットキ半導体装置
の接合部の面積は８Ｘ１０ｃｒｎであシ、Ａｔ膜厚は２
ｏ１でちり、Ｗ膜厚は１０００Ｘであシ、ｎ層はドーズ
量１．８Ｘ１０ ｃＩｎ で６０ｋｅＶのＳｉイオン注
入で形成したものである。この第２図から明らかなよう
に、９００℃１５分間のアニール後においても、ｎ値は
１．０２、バリア高さφ８は０．８３であシ非常に良好
なショットキ特性が得られていることがわかり、また、
シート抵抗は１６μｂ程度で比較的小さい。
表は本発明によるＡｔ−Ｗ金属、及び従来使用されてき
た金属のショットキ特性をアニール前とアニール後とに
分け、ｎ値とバリア高さφおについてそれらの値を示し
たものである。
た金属のショットキ特性をアニール前とアニール後とに
分け、ｎ値とバリア高さφおについてそれらの値を示し
たものである。
尚、−１ａは本発明者らの実験データであシ、＊ｂは前
記文献からの引用による。
記文献からの引用による。
この表かられかるように、Ａｔを２０Ｘ厚さに形成し、
その上にＷを１’０００Ｘ厚さに形成したものは他の金
属による°ショットキ特性の場合と比べ、アニール前後
でｎ値は１に近く安定でバリア高さφ８も高く安定であ
シ、他の金属よシも良好なショットキ特性が得られるこ
とがわかる。
その上にＷを１’０００Ｘ厚さに形成したものは他の金
属による°ショットキ特性の場合と比べ、アニール前後
でｎ値は１に近く安定でバリア高さφ８も高く安定であ
シ、他の金属よシも良好なショットキ特性が得られるこ
とがわかる。
但し、Ａｔ−Ｗのショットキ電極におけるＡｔ厚さを１
２０Ｘと厚くした場合、Ａｔの厚さを２０Ｘ程度とした
場合に比べｎ値及びバリア高さφ８の値が逆に劣化して
しまいショットキ特性が悪くなる。まだ、３５０℃程度
のかなり低い熱処理によっても金属層は部分的に凝縮し
たシあるいは基板表面から剥離を生ずる。
２０Ｘと厚くした場合、Ａｔの厚さを２０Ｘ程度とした
場合に比べｎ値及びバリア高さφ８の値が逆に劣化して
しまいショットキ特性が悪くなる。まだ、３５０℃程度
のかなり低い熱処理によっても金属層は部分的に凝縮し
たシあるいは基板表面から剥離を生ずる。
以上のことより、形成−すべきＡｔ金属の膜厚はＧａＡ
ｓ系基板表面にほぼ均一に形成され、また、熱処理によ
って金属膜層の変成の生じない１００Ｘ以下の厚さが有
効である。
ｓ系基板表面にほぼ均一に形成され、また、熱処理によ
って金属膜層の変成の生じない１００Ｘ以下の厚さが有
効である。
尚、実施例では高融点金属としてＷを用いたが、ＭＯや
Ｔａ等の高融点金属でも適用できる。
Ｔａ等の高融点金属でも適用できる。
また、前記衣から明らかなように、２０Ｘ厚さのＡｔ膜
の上に高融点金属としてＷ膜を用いた場合、高温アニー
ルを行うことによってバリア高さφ８が大きくなるため
、ショットキ電極形成後に高温アニールを必要としない
場合でも、７５０℃程度以上のアニール工程を設けるこ
とによって高いバリア高さのショットキ半導体装置を比
較的小さいバラツキで得ることができる。
の上に高融点金属としてＷ膜を用いた場合、高温アニー
ルを行うことによってバリア高さφ８が大きくなるため
、ショットキ電極形成後に高温アニールを必要としない
場合でも、７５０℃程度以上のアニール工程を設けるこ
とによって高いバリア高さのショットキ半導体装置を比
較的小さいバラツキで得ることができる。
（発明の効果）
この発明は以上説明したように、ｎ型のＧａＡｓ系基板
上に選択的に１００Ｘ以下の厚さのＡｔ膜、その上に高
融点金属膜を順次形成してショットキ障壁を得たもので
あシ、８００℃以上の熱処理後におい−てもｎ値、バリ
ア高さ、シート抵抗等のショットキ特性が良好なシミッ
トキ障壁半導体装置を得ることができる。
上に選択的に１００Ｘ以下の厚さのＡｔ膜、その上に高
融点金属膜を順次形成してショットキ障壁を得たもので
あシ、８００℃以上の熱処理後におい−てもｎ値、バリ
ア高さ、シート抵抗等のショットキ特性が良好なシミッ
トキ障壁半導体装置を得ることができる。
第１図は本発明の一実施例を説明するためのＧａＡｓ
ＦＥＴの構造断面図であシ、第２図は本発明によるショ
ットキ接合部の電流電圧（Ｉ−Ｖ）特性例を示す図であ
る。 １・・・半絶縁性ＧａＡｓ基板、２・・・ｎ領域、３・
・・ｎ＋領領域４・・・Ａｔ膜、５・・・Ｗ膜、６ａ、
６ｂ・・・ソース及びドレイン電極、７・・・Ｓ ｉｏ
２膜、８ａ、８ｂ・・・配線材。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第１図 ２ 第２図 Ｆｏｒｗｏｒｄ Ｖｏけａｇｅ ｆＶｌ手続補正書（自
発） 嚇♀９・−２７６ 特許庁長官 殿 １ 事件の表示 昭和５９年 特 許 願第０５５２９３号２ 発明の名
称 事件との関係 特許出願人 任 所（〒１０５） 東京都港区虎ノ門１丁目７番１２
号４代理人 住 所（〒１０５） 東京都港区虎ノ門１丁目７査１２
号５、補正の対象 明細書中「発明の詳細な説明」の欄
及び６、補正の内容 （１）明細書第２頁第３行目に「Ｗショットキ」とある
のを「スパッタ法形成にょるＷショットキ」と補正する
。 （２） 同書第５頁第３行目にｒｐ、ｔ−ｗ金属」とあ
るのをｒＡｔｗ金諷 」と補正する。 （３）同書第６頁の表の左端に「Ａｚ−ｗ＊ａＪとある
のを「Ａ３札」と補正する。 （４） 同書第７頁第９行目にｒＡｔ−ｗ」とあるのを
「ＡｔＷ」と補正する。 （５）図面「第２図」を別紙の通り補正する。
ＦＥＴの構造断面図であシ、第２図は本発明によるショ
ットキ接合部の電流電圧（Ｉ−Ｖ）特性例を示す図であ
る。 １・・・半絶縁性ＧａＡｓ基板、２・・・ｎ領域、３・
・・ｎ＋領領域４・・・Ａｔ膜、５・・・Ｗ膜、６ａ、
６ｂ・・・ソース及びドレイン電極、７・・・Ｓ ｉｏ
２膜、８ａ、８ｂ・・・配線材。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第１図 ２ 第２図 Ｆｏｒｗｏｒｄ Ｖｏけａｇｅ ｆＶｌ手続補正書（自
発） 嚇♀９・−２７６ 特許庁長官 殿 １ 事件の表示 昭和５９年 特 許 願第０５５２９３号２ 発明の名
称 事件との関係 特許出願人 任 所（〒１０５） 東京都港区虎ノ門１丁目７番１２
号４代理人 住 所（〒１０５） 東京都港区虎ノ門１丁目７査１２
号５、補正の対象 明細書中「発明の詳細な説明」の欄
及び６、補正の内容 （１）明細書第２頁第３行目に「Ｗショットキ」とある
のを「スパッタ法形成にょるＷショットキ」と補正する
。 （２） 同書第５頁第３行目にｒｐ、ｔ−ｗ金属」とあ
るのをｒＡｔｗ金諷 」と補正する。 （３）同書第６頁の表の左端に「Ａｚ−ｗ＊ａＪとある
のを「Ａ３札」と補正する。 （４） 同書第７頁第９行目にｒＡｔ−ｗ」とあるのを
「ＡｔＷ」と補正する。 （５）図面「第２図」を別紙の通り補正する。
Claims (3)
- （１）ｎ型のＧａＡｓ基板上に１００Ｘ以下の厚さのＡ
ｔ膜、その上に高融点金属膜を順次形成してなることを
特徴としたショットキ半導体装置。 - （２） 高融点金属膜がＷ膜であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のショットキ半導体装置。 - （３）ｎ型のＧａＡｓ系基板上に１００Ｘ以下の厚さの
Ａｔ膜、その上にＷ膜を順次形成したのち、高温アニー
ルすることを特徴としたショットキ半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5529384A JPS60200575A (ja) | 1984-03-24 | 1984-03-24 | シヨツトキ半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5529384A JPS60200575A (ja) | 1984-03-24 | 1984-03-24 | シヨツトキ半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60200575A true JPS60200575A (ja) | 1985-10-11 |
| JPH0554269B2 JPH0554269B2 (ja) | 1993-08-12 |
Family
ID=12994527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5529384A Granted JPS60200575A (ja) | 1984-03-24 | 1984-03-24 | シヨツトキ半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60200575A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02206134A (ja) * | 1989-02-06 | 1990-08-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2910677B1 (fr) | 2006-12-26 | 2009-02-27 | Somfy Sas | Capteur-emetteur de securite pour la detection de vent dans une installation domotique |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55128875A (en) * | 1979-03-27 | 1980-10-06 | Nec Corp | Semiconductor device |
-
1984
- 1984-03-24 JP JP5529384A patent/JPS60200575A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55128875A (en) * | 1979-03-27 | 1980-10-06 | Nec Corp | Semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02206134A (ja) * | 1989-02-06 | 1990-08-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0554269B2 (ja) | 1993-08-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |