JPS60189278A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS60189278A JPS60189278A JP4292384A JP4292384A JPS60189278A JP S60189278 A JPS60189278 A JP S60189278A JP 4292384 A JP4292384 A JP 4292384A JP 4292384 A JP4292384 A JP 4292384A JP S60189278 A JPS60189278 A JP S60189278A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- semiconductor laser
- light
- multilayer interference
- resonator
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は内部つくりつけ屈折率分布を有する屈折率導波
型の多重へテロ接合半導体レーザ装置に関する。
型の多重へテロ接合半導体レーザ装置に関する。
半導体レーザを光通信やビデオディスク（以下ＶＤと略
″ｔ）等の光源として用いる場合（二、半導体レーザの
発生する雑音が通信の品質や再生画質に悪影響を及は丁
。半導体レーザの雑音の最も大きな発生原因は、半導体
レーザへの戻り光が半導体レーザ自身の発振状態を不安
定にすることにある。半導体レーザは気体レーザに比べ
て本質的に戻り光に対して不安定な要因を有しておｐｌ
これを光通信やＶＤの光源として用いる場合、戻り光に
対してより安定度が高いことが要求される。
″ｔ）等の光源として用いる場合（二、半導体レーザの
発生する雑音が通信の品質や再生画質に悪影響を及は丁
。半導体レーザの雑音の最も大きな発生原因は、半導体
レーザへの戻り光が半導体レーザ自身の発振状態を不安
定にすることにある。半導体レーザは気体レーザに比べ
て本質的に戻り光に対して不安定な要因を有しておｐｌ
これを光通信やＶＤの光源として用いる場合、戻り光に
対してより安定度が高いことが要求される。
ＧａＡａ ／ ＧａＡｔＡｓ系の二重へテロ接合半導体
レーザにおいて、内部つくシつけの屈折率分布金有しな
い利得導波型の構造では、一般に縦多モード発振する。
レーザにおいて、内部つくシつけの屈折率分布金有しな
い利得導波型の構造では、一般に縦多モード発振する。
このような多モード発振レーザは、戻シ光に対して影響
を受けにくく安定でちる。一方、内部つくりっけの屈折
率分布を有する屈折率導波型の構造では、通常の使用電
流領域においては発振スペクトルが縦単一モードであり
、戻り光があると他の縦モードに発振波長がとぶため（
二、雑音の発生が避けられない。
を受けにくく安定でちる。一方、内部つくりっけの屈折
率分布を有する屈折率導波型の構造では、通常の使用電
流領域においては発振スペクトルが縦単一モードであり
、戻り光があると他の縦モードに発振波長がとぶため（
二、雑音の発生が避けられない。
半導体レーザｉＶＤ等に使用するに際し、通常第１図に
示すような光学系が用いられる。この光板（３）及び反
射物体（４）が順次−直線上Ｃ：並んだ構造をしている
。半導体レーザ（１）からの放射光は、活性層と水平方
向に一部偏光している。この光は偏光子（２）全通過し
て直線偏波、更に１波長補償板（３）全通過して円偏波
となる。そして反射物体（４）で反射して逆回りの円偏
波となジ、更に１波長補償板（３）全通過した後、上述
の直線偏波（二比べ偏光方向が９０ 回転している直線
偏波Ｃ二なるため、偏光子（２）で反射される。しかし
第１図に示した光学系では、偏光子（２）の不完全さや
反射物体（４）での反射時の位相変化のためＣ二、半導
体レーザ（１）への戻り光強度を２％以下にすることは
困難である。
示すような光学系が用いられる。この光板（３）及び反
射物体（４）が順次−直線上Ｃ：並んだ構造をしている
。半導体レーザ（１）からの放射光は、活性層と水平方
向に一部偏光している。この光は偏光子（２）全通過し
て直線偏波、更に１波長補償板（３）全通過して円偏波
となる。そして反射物体（４）で反射して逆回りの円偏
波となジ、更に１波長補償板（３）全通過した後、上述
の直線偏波（二比べ偏光方向が９０ 回転している直線
偏波Ｃ二なるため、偏光子（２）で反射される。しかし
第１図に示した光学系では、偏光子（２）の不完全さや
反射物体（４）での反射時の位相変化のためＣ二、半導
体レーザ（１）への戻り光強度を２％以下にすることは
困難である。
故に雑音の発生全阻止するには、戻り光に対して安定な
動作を行なう利得導波型の多モード発振半導体レーザ全
周いるか、或は屈折率導波型の半導体レーザに、ある一
定の戻り光を常に戻したり、電流を高周波で変調したり
して多モード化を行なっている。
動作を行なう利得導波型の多モード発振半導体レーザ全
周いるか、或は屈折率導波型の半導体レーザに、ある一
定の戻り光を常に戻したり、電流を高周波で変調したり
して多モード化を行なっている。
ところで、長距離光通信用の半導体レーザでは、光フア
イバー内部での屈折率分散が波長に依存するので、多モ
ード発振のレーザ光は伝送特性が悪く使用不可能である
。そこで単一モード発振の半導体レーザに、第２図に一
例を示すような戻り先住υ、ファラーデイ回転子（Ｌり
、グラン−トムノンプリズムｕ騰及び反射物体Ｉが順次
−直線上に並んだ構造をしている。半導体レーザ（１１
からの放射光は、グラン−トムソンプリズム住υにより
一方向の偏波となり、更にファラーデイ回転子Ｑ湯を通
過して、偏波面は入射光の偏波面（二対しある角度だけ
傾斜する。そしてグラン−トムソンプリズムα３を通過
した後、反射物体Ｉで反射される。この反射光は、グラ
ン−トムソンプリズムｕ３及びファラーデイ回転子ｕａ
’ｉ通過して、グラン−トムソンプリズム（１１）で反
射される。第２図に示した光学系の戻り光に対する阻止
率は、グラン−トムソンプリズムμυ、ｕ３の消光比に
よって決まり、はぼ０．００１１以下と見積られる。し
かしこの光学系は、部品点数が多いため挿入損失が高く
、更に光紬調整金要し、コストが高くなるという欠点を
有している。
イバー内部での屈折率分散が波長に依存するので、多モ
ード発振のレーザ光は伝送特性が悪く使用不可能である
。そこで単一モード発振の半導体レーザに、第２図に一
例を示すような戻り先住υ、ファラーデイ回転子（Ｌり
、グラン−トムノンプリズムｕ騰及び反射物体Ｉが順次
−直線上に並んだ構造をしている。半導体レーザ（１１
からの放射光は、グラン−トムソンプリズム住υにより
一方向の偏波となり、更にファラーデイ回転子Ｑ湯を通
過して、偏波面は入射光の偏波面（二対しある角度だけ
傾斜する。そしてグラン−トムソンプリズムα３を通過
した後、反射物体Ｉで反射される。この反射光は、グラ
ン−トムソンプリズムｕ３及びファラーデイ回転子ｕａ
’ｉ通過して、グラン−トムソンプリズム（１１）で反
射される。第２図に示した光学系の戻り光に対する阻止
率は、グラン−トムソンプリズムμυ、ｕ３の消光比に
よって決まり、はぼ０．００１１以下と見積られる。し
かしこの光学系は、部品点数が多いため挿入損失が高く
、更に光紬調整金要し、コストが高くなるという欠点を
有している。
また半導体レーザ単独で戻り光に対して安定な動作を得
る目的で、へき開によって形成される共振器端面に反射
率７０％前後の多層膜コーティングを施すことが試みら
れている。通常、単−縦モード発振の半導体レーザは、
戻り光量０．０１％以下で安定に動作する。戻り光を阻
止する光学系を用いない場合、戻り光量は最大でも１０
チ前後と考えられるので、第１図に示した阻止率２チ前
後の簡単な光学系を用いても雑音が発生しないようにす
るには、半導体レーザが通常の２０倍の戻り光に対して
も安定に動作する必要がある。しかしこの例の半導体レ
ーザでは、せいぜい通常の３倍くらいの戻り光に対して
安定に動作するにすぎず、第１図に示した程度の簡単な
光学系で十分に安定とはいえない。
る目的で、へき開によって形成される共振器端面に反射
率７０％前後の多層膜コーティングを施すことが試みら
れている。通常、単−縦モード発振の半導体レーザは、
戻り光量０．０１％以下で安定に動作する。戻り光を阻
止する光学系を用いない場合、戻り光量は最大でも１０
チ前後と考えられるので、第１図に示した阻止率２チ前
後の簡単な光学系を用いても雑音が発生しないようにす
るには、半導体レーザが通常の２０倍の戻り光に対して
も安定に動作する必要がある。しかしこの例の半導体レ
ーザでは、せいぜい通常の３倍くらいの戻り光に対して
安定に動作するにすぎず、第１図に示した程度の簡単な
光学系で十分に安定とはいえない。
本発明はこのような従来の欠点を解決するためになされ
たもので、戻り光量０．３チ程度であっても、単−縦モ
ードで安定に動作することの可能な半導体レーザ装置の
提供を目的とする。
たもので、戻り光量０．３チ程度であっても、単−縦モ
ードで安定に動作することの可能な半導体レーザ装置の
提供を目的とする。
すなわち本発明は、屈折率導波型の多重へテロ接合半導
体レーザ装置において、へき開によって形成される共振
器の両端面が反射率９５−以上の多層干渉膜で覆われて
なることを特徴とする。
体レーザ装置において、へき開によって形成される共振
器の両端面が反射率９５−以上の多層干渉膜で覆われて
なることを特徴とする。
以下本発明の詳細を図面を参照して説明する。
第３図と第４図は本発明の一実施例を示す図である。こ
の実施例は、厚さ８０μｍのＰ−ＧａＡ８基板四和 上シニ厚さ０．６μｍのｎ−ＧａＡａ電流阻止層Ｑυを
液署エピタキシャル成長法により成長させる。次Ｃｎ
−ＧａＡＢ電流阻止層（２υ上に、通常のフォトリゾグ
ラフイエ工程を用いてストライプ状のレジストパターン
を形成した後、異方性の反応性イオンエツチングを用い
てＰ−ＧａＡｓ基板（イ）に達する深さのストライプ溝
（２３全形成している。そして液相エピタキシャル成長
法により、溝（２３に覆うように厚さ０．３μｍのＰ−
Ｇａ＠、５５ Ａｚｏ、４ｓ Ａｓクラッド層（ハ）、
厚さ０．１１１ｍのＰ ｃａｂ、８７ Ａｚｏ、ｔｓ
Ａｓ活性層Ｑ４）、厚さ０．３μｍのｎ−Ｇａｏ、ｓｓ
Ａｌｏ、ａｓ Ａｓクラッド層（ハ）及び厚さ３μｍ
のれ−ＧａＡｌオーミックコンタクト層（イ）を順次成
長させる。更にＰ −ＧａＡｓ基板（２Ｇ側Ｃ：はＰ側
電極（財）、ｎ−ＧａＡｔオーミックコンタクト層（ホ
）側（二はｎ側電極（ハ）を形成している。またへき開
によって形成される共振器の両端面は、高周波イオンス
パッタ装置によって形成した多層干渉膜（２９１）、（
２９ｚ）で憶っている。この多層干渉膜（２９１）、（
２９ｇ）は第５図の拡大図に示すように、厚さ１２５μ
ｍのＡｔ２ｏ３（３０１と厚さ５５μｍの非晶質ｓ ｉ
（３１）の薄膜が交互に、合わせて４層コーティング
されて形成されており 、ｋｋｏｓ（至）の部分で共振
器の端面に接触し２ている。多層干渉膜（２９り、（２
９鵞）の働きにより、共振器の端面の波長７ｓｏｎｍに
おける反射率は９５チとなる。
の実施例は、厚さ８０μｍのＰ−ＧａＡ８基板四和 上シニ厚さ０．６μｍのｎ−ＧａＡａ電流阻止層Ｑυを
液署エピタキシャル成長法により成長させる。次Ｃｎ
−ＧａＡＢ電流阻止層（２υ上に、通常のフォトリゾグ
ラフイエ工程を用いてストライプ状のレジストパターン
を形成した後、異方性の反応性イオンエツチングを用い
てＰ−ＧａＡｓ基板（イ）に達する深さのストライプ溝
（２３全形成している。そして液相エピタキシャル成長
法により、溝（２３に覆うように厚さ０．３μｍのＰ−
Ｇａ＠、５５ Ａｚｏ、４ｓ Ａｓクラッド層（ハ）、
厚さ０．１１１ｍのＰ ｃａｂ、８７ Ａｚｏ、ｔｓ
Ａｓ活性層Ｑ４）、厚さ０．３μｍのｎ−Ｇａｏ、ｓｓ
Ａｌｏ、ａｓ Ａｓクラッド層（ハ）及び厚さ３μｍ
のれ−ＧａＡｌオーミックコンタクト層（イ）を順次成
長させる。更にＰ −ＧａＡｓ基板（２Ｇ側Ｃ：はＰ側
電極（財）、ｎ−ＧａＡｔオーミックコンタクト層（ホ
）側（二はｎ側電極（ハ）を形成している。またへき開
によって形成される共振器の両端面は、高周波イオンス
パッタ装置によって形成した多層干渉膜（２９１）、（
２９ｚ）で憶っている。この多層干渉膜（２９１）、（
２９ｇ）は第５図の拡大図に示すように、厚さ１２５μ
ｍのＡｔ２ｏ３（３０１と厚さ５５μｍの非晶質ｓ ｉ
（３１）の薄膜が交互に、合わせて４層コーティング
されて形成されており 、ｋｋｏｓ（至）の部分で共振
器の端面に接触し２ている。多層干渉膜（２９り、（２
９鵞）の働きにより、共振器の端面の波長７ｓｏｎｍに
おける反射率は９５チとなる。
いま半導体レーザ装置の前反射端面と後反射端面の反射
率をそれぞれＲｆ、Ｒｒ、外部の反射面の反射率をＲと
すると、戻り光がちる場合の前反射端面の当価反射率助
ｆｆは、 ここでｄは前反射端面と外部の反射面の間の距離λはレ
ーザ発振波長を示している。次Ｃニレーザ発振時のレー
ザゲインの閾値’ｔ ｆ ％前反射端面と後反射端面の
間の距離’２ｔとおけば、 故Ｃ二Ｒが変動した場合の半導体レーザ装置のゲイン変
動値ｉＰとすれば、Ｐｉｔｃｏｓδ−１のとき正の最大
値となり１．その値細は、 上式は、戻り光の位相がレーザ発振光と逆位相になった
ときの発振ゲイン閾値の戻り光に対しての変動率を示す
。この場合、戻り光が増加すると発振モードにおけるゲ
インの閾値が増大し、そのモードの発振が抑制されて他
の縦モードに発振がとぶことになる。Ｐｍはレーザ戻り
光による半導体レーザ装置のゲイン変動の最大値を示し
、戻り光に対する安定性を示す指標である。このＰｒｎ
の値は、へき開によって形成される共振器端面に反射率
７０チ前後の多層膜コーティングを施すと、この、１１ コーティング金施していないときと比へ７〜にぐらい（
−なるが、この程度では戻り光に対して十分に安定とは
いえない。しかし、コーティングする多層膜の反射率全
９５％以上に高めれば、Ｐｍの値は１以下にもなり、戻
り光に対して十分（二安定に０ なる。
率をそれぞれＲｆ、Ｒｒ、外部の反射面の反射率をＲと
すると、戻り光がちる場合の前反射端面の当価反射率助
ｆｆは、 ここでｄは前反射端面と外部の反射面の間の距離λはレ
ーザ発振波長を示している。次Ｃニレーザ発振時のレー
ザゲインの閾値’ｔ ｆ ％前反射端面と後反射端面の
間の距離’２ｔとおけば、 故Ｃ二Ｒが変動した場合の半導体レーザ装置のゲイン変
動値ｉＰとすれば、Ｐｉｔｃｏｓδ−１のとき正の最大
値となり１．その値細は、 上式は、戻り光の位相がレーザ発振光と逆位相になった
ときの発振ゲイン閾値の戻り光に対しての変動率を示す
。この場合、戻り光が増加すると発振モードにおけるゲ
インの閾値が増大し、そのモードの発振が抑制されて他
の縦モードに発振がとぶことになる。Ｐｍはレーザ戻り
光による半導体レーザ装置のゲイン変動の最大値を示し
、戻り光に対する安定性を示す指標である。このＰｒｎ
の値は、へき開によって形成される共振器端面に反射率
７０チ前後の多層膜コーティングを施すと、この、１１ コーティング金施していないときと比へ７〜にぐらい（
−なるが、この程度では戻り光に対して十分に安定とは
いえない。しかし、コーティングする多層膜の反射率全
９５％以上に高めれば、Ｐｍの値は１以下にもなり、戻
り光に対して十分（二安定に０ なる。
第６図は半導体レーザ装置の駆動電流−レーザ光出力特
性を示すグラフである。このグラフで縦軸はレーザ光出
力、横軸は駆動電流を表わしておす、曲線０擾は第３図
と第４図に示した実施例、曲線（ハ）は多層干渉膜（２
９１）、（２’ｈ）がない点を除いてはこの実施例と同
じ構造の半導体レーザ装置についての特性を示している
。第６図かられかるよりに、多層干渉膜（２９１）、（
２９ｇ）のコーティングを施丁と、レーザ発振の電流１
」値は約Σに低下し、微分量子効率は約ｍに低下した。
性を示すグラフである。このグラフで縦軸はレーザ光出
力、横軸は駆動電流を表わしておす、曲線０擾は第３図
と第４図に示した実施例、曲線（ハ）は多層干渉膜（２
９１）、（２’ｈ）がない点を除いてはこの実施例と同
じ構造の半導体レーザ装置についての特性を示している
。第６図かられかるよりに、多層干渉膜（２９１）、（
２９ｇ）のコーティングを施丁と、レーザ発振の電流１
」値は約Σに低下し、微分量子効率は約ｍに低下した。
第７図は半導体レーザ装置の戻り光量に対する周波数５
００ＫＩ（ｚ 、バンド幅ＩＨｚで測定した相対雑音強
度の変化を示すグラフである。このグラフで縦軸は相対
雑音強度、横軸は戻り光量の比率を表わしている。また
このグラフで丸印（３４）はこの実施例、三角印（３５
）は多層干渉膜Ｃ２９１）＋（２９ｍ）がない点を除い
てはこの実施例と同じ構造の半導体レーザ装置について
の変化金示している。そして両方の半導体レーザ装置は
、ともにレーザ出力３ｒｒｆＮで動作させた。第７図か
られかるように、三角印（３５）で示した半導体レーザ
装置は戻り光量が０．０１５チ以上で相対雑音強度が増
加するのに対し、この実施例は戻り光量が０．５％以上
で相対雑音強度が増加する。即ち多層干渉膜（２９１）
、（２’ｈ）のコーティングを施すことによって、３０
倍以上の戻り光に対して安定な動作を得られるようにな
った。まり多層干渉膜（２ｈ）＋（２ｈ）（Ｄ コ ｆ
イングｖｉｌ−施丁ことＣ二より、戻り光量が少ない
場合の相対雑音強度は約１に減少した。
００ＫＩ（ｚ 、バンド幅ＩＨｚで測定した相対雑音強
度の変化を示すグラフである。このグラフで縦軸は相対
雑音強度、横軸は戻り光量の比率を表わしている。また
このグラフで丸印（３４）はこの実施例、三角印（３５
）は多層干渉膜Ｃ２９１）＋（２９ｍ）がない点を除い
てはこの実施例と同じ構造の半導体レーザ装置について
の変化金示している。そして両方の半導体レーザ装置は
、ともにレーザ出力３ｒｒｆＮで動作させた。第７図か
られかるように、三角印（３５）で示した半導体レーザ
装置は戻り光量が０．０１５チ以上で相対雑音強度が増
加するのに対し、この実施例は戻り光量が０．５％以上
で相対雑音強度が増加する。即ち多層干渉膜（２９１）
、（２’ｈ）のコーティングを施すことによって、３０
倍以上の戻り光に対して安定な動作を得られるようにな
った。まり多層干渉膜（２ｈ）＋（２ｈ）（Ｄ コ ｆ
イングｖｉｌ−施丁ことＣ二より、戻り光量が少ない
場合の相対雑音強度は約１に減少した。
本発明の別の実施例としては、第３図と第４図に示した
実施例のへき開によって形成される後端面の多層干渉膜
（２！ｈ）ｋ、別の多層干渉膜（３６）に代えた構造の
ものがある。この多層干渉膜（３６）は第８図の拡大図
に示すように、厚さ１２５μｍのＡｔ！０３（列と厚さ
５５μｍの非晶質５ｉ（３１）の薄膜が交互に合わせて
６層コーティングされて形成されておフ、Ａｔ！Ｏｓ
（３０の部分で共振器の後端面に接触している。
実施例のへき開によって形成される後端面の多層干渉膜
（２！ｈ）ｋ、別の多層干渉膜（３６）に代えた構造の
ものがある。この多層干渉膜（３６）は第８図の拡大図
に示すように、厚さ１２５μｍのＡｔ！０３（列と厚さ
５５μｍの非晶質５ｉ（３１）の薄膜が交互に合わせて
６層コーティングされて形成されておフ、Ａｔ！Ｏｓ
（３０の部分で共振器の後端面に接触している。
多層干渉膜（３６）の働きにより、共振器の後端面の波
長７８０１ｍにおける反射率は９９チまで増大する。
長７８０１ｍにおける反射率は９９チまで増大する。
この実施例は前に述べ念実施例と比べ、戻り光に一対す
る安定性は変りなく、且つ微分量子効率が増加するので
、動作電流全低下させることができる。
る安定性は変りなく、且つ微分量子効率が増加するので
、動作電流全低下させることができる。
以上説明したように本発明の半導体レーザ装置は、へき
開によって形成される共振器の両端面が反射率９５％以
上の多層干渉膜で覆われてなるので、戻り光量が０．５
％以内であれば、安定な単−縦モード動作が可能であり
、長距離光通信用として優れている。
開によって形成される共振器の両端面が反射率９５％以
上の多層干渉膜で覆われてなるので、戻り光量が０．５
％以内であれば、安定な単−縦モード動作が可能であり
、長距離光通信用として優れている。
第１図はＶＤ等に用いられる光学系の概略図、第２図は
光通信用Ｃ二相いられる光学系の概略図、第３図と第４
図は本発明の一実施例を示す斜示図、第５図は本発明の
一実施例の一部分である多層干渉膜を示す拡大図、第６
図は半導体レーザ装置の駆動電流−レーザ光出力特性を
示すグラフ、第７図は半導体レーザ装置の戻り光量に対
する相対雑音強度の変化を示すグラフ、第８図は本発明
の別の実施例の一部分でちる多層干渉膜を示す拡大図で
ある。 （２９１）、（２’ｈ）、（３６） ・・・多層干渉膜
（至）・・・ＡＺ＝Ｏ＝ （３１）・・・非晶質Ｓｉ 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名）第 １
図 第 ２ 図 第 ３ 図 ２ 第 ４ 図 ７１ 第 ５ 図 第６図 、駆勧電凌（凭Ａ） 第 ７ 図 ノにり端’ｔ （’／、） 第 ８ 図
光通信用Ｃ二相いられる光学系の概略図、第３図と第４
図は本発明の一実施例を示す斜示図、第５図は本発明の
一実施例の一部分である多層干渉膜を示す拡大図、第６
図は半導体レーザ装置の駆動電流−レーザ光出力特性を
示すグラフ、第７図は半導体レーザ装置の戻り光量に対
する相対雑音強度の変化を示すグラフ、第８図は本発明
の別の実施例の一部分でちる多層干渉膜を示す拡大図で
ある。 （２９１）、（２’ｈ）、（３６） ・・・多層干渉膜
（至）・・・ＡＺ＝Ｏ＝ （３１）・・・非晶質Ｓｉ 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名）第 １
図 第 ２ 図 第 ３ 図 ２ 第 ４ 図 ７１ 第 ５ 図 第６図 、駆勧電凌（凭Ａ） 第 ７ 図 ノにり端’ｔ （’／、） 第 ８ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １０ へき開によって形成される共振器の両端面が反射
率９５チ以上の多層干渉膜で覆われている屈折率導波型
多重へテロ接合半導体レーザ装置。 （２） 前記多層干渉膜は非晶質ＳｌとＡｌｔｏｓ ｔ
”交互にコーティングして形成した膜であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4292384A JPS60189278A (ja) | 1984-03-08 | 1984-03-08 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4292384A JPS60189278A (ja) | 1984-03-08 | 1984-03-08 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60189278A true JPS60189278A (ja) | 1985-09-26 |
Family
ID=12649538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4292384A Pending JPS60189278A (ja) | 1984-03-08 | 1984-03-08 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60189278A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6471194A (en) * | 1987-08-25 | 1989-03-16 | Alcatel Nv | Semiconductor laser with certain differential or light output |
| JPH02241075A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
-
1984
- 1984-03-08 JP JP4292384A patent/JPS60189278A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6471194A (en) * | 1987-08-25 | 1989-03-16 | Alcatel Nv | Semiconductor laser with certain differential or light output |
| JPH02241075A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
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