JPS60185490A - 電気音響変換器用振動板とその製造方法 - Google Patents
電気音響変換器用振動板とその製造方法Info
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- JPS60185490A JPS60185490A JP4092584A JP4092584A JPS60185490A JP S60185490 A JPS60185490 A JP S60185490A JP 4092584 A JP4092584 A JP 4092584A JP 4092584 A JP4092584 A JP 4092584A JP S60185490 A JPS60185490 A JP S60185490A
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- Japan
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- diaphragm
- silicon nitride
- electroacoustic transducer
- silicon
- vacuum
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R7/00—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones
- H04R7/02—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones characterised by the construction
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Diaphragms For Electromechanical Transducers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は電気音響変換器用振動板の改良およびその製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
一般に、スピーカにおいて高忠実度な再生音を得るため
には、なるべく広い周波数帯域にわたって振動板が分割
振動せず、ピストン振動を持続することが要求される。
には、なるべく広い周波数帯域にわたって振動板が分割
振動せず、ピストン振動を持続することが要求される。
この分割振動が発生しはしめる周波数は振動板材料のヤ
ング率（Ｅ）と密度（ρ）の比である比弾性率（Ｅ／ρ
）に依存するため比弾性率の大きい材料を選定すること
がスピーカの再生忠実度を高める要因となる。
ング率（Ｅ）と密度（ρ）の比である比弾性率（Ｅ／ρ
）に依存するため比弾性率の大きい材料を選定すること
がスピーカの再生忠実度を高める要因となる。
しかしながら、従来振動板材料として使用されていた天
然繊維又は合成樹脂繊維、合成樹脂フィルムおよび金属
箔等では比弾性率が充分でない。
然繊維又は合成樹脂繊維、合成樹脂フィルムおよび金属
箔等では比弾性率が充分でない。
従って近年金属箔面一ににセラミック材層を成層したり
、表面を窒化、炭化して表面に高弾性率層を成層するこ
とにより比弾性率を高める試みが種々なされている。
、表面を窒化、炭化して表面に高弾性率層を成層するこ
とにより比弾性率を高める試みが種々なされている。
しかしながら、このように表面処理した振動板の総合的
な比弾性率は表面の高弾性重層自体が有するものに比べ
て極しく低下してしまう。
な比弾性率は表面の高弾性重層自体が有するものに比べ
て極しく低下してしまう。
又、金属箔と表面層との密着性の問題や、表面層の成層
手段として用いられている真空蒸着、スパッタリング、
イオンブｌノーティング等の物理気相成長法や溶射法で
は表面層の形成速度、層の厚さ、層の質等の均一性にお
いてそれぞれ充分に解決されているとは言えなかった。
手段として用いられている真空蒸着、スパッタリング、
イオンブｌノーティング等の物理気相成長法や溶射法で
は表面層の形成速度、層の厚さ、層の質等の均一性にお
いてそれぞれ充分に解決されているとは言えなかった。
この発明はＬ記従来例の種々の欠点を解決した、窒化ケ
イ素単独材料又は窒化ケイ素を主成分とする材料からな
る電気音響変換器用振動板とその製造方法であって以下
実施例について詳細に説明する。
イ素単独材料又は窒化ケイ素を主成分とする材料からな
る電気音響変換器用振動板とその製造方法であって以下
実施例について詳細に説明する。
実施例１
第１図に示すように
（１）ドーｌえ状に形成した表面をクロムメッキ処理し
た振動板基体１を真空容器２内に配３ 置し、真空容器２内を真空ポンプにより１０Ｔｏｒｒ程
度に排気する。
た振動板基体１を真空容器２内に配３ 置し、真空容器２内を真空ポンプにより１０Ｔｏｒｒ程
度に排気する。
（２）基体１をヒーター３”ｒｌ／１００°Ｃ〜１５０
０℃に加熱し、その温度を保持する。
０℃に加熱し、その温度を保持する。
（３）次にアルゴン（純度９９．９９９％）を真空容器
２因に導入し真空容器２内の空気と完全に置換せしめる
。
２因に導入し真空容器２内の空気と完全に置換せしめる
。
（４）一方シリコンクロライドの溶液を容器ｄ内におい
てヒーター４ ａ、により６０℃に加温しシリコンクロ
ライドを蒸発せしめておく（５）次に、下記の条件で各
カスを真空容器内に導入する。
てヒーター４ ａ、により６０℃に加温しシリコンクロ
ライドを蒸発せしめておく（５）次に、下記の条件で各
カスを真空容器内に導入する。
シリコンクロライド：１３６ｃｍ／ｍ＋ｎ、アンモニア
： １２０ｃｍ／ｍ １ｎ、水素：２７２０ｃｍ／ｍ＋
ｎの流入量でトータルガス圧が３０Ｔｏｒｒ。
： １２０ｃｍ／ｍ １ｎ、水素：２７２０ｃｍ／ｍ＋
ｎの流入量でトータルガス圧が３０Ｔｏｒｒ。
（７）当該反応雰囲気を約３時間保持した後、各ガスの
流入を停止し、真空容器内２をアルゴンと置換し、徐冷
して真空容器２内から基体１を取り出す。
流入を停止し、真空容器内２をアルゴンと置換し、徐冷
して真空容器２内から基体１を取り出す。
」二記工程により基体１面上に厚さ約０．４ｍｍの窒化
ケイ素の蒸着層が形成された。
ケイ素の蒸着層が形成された。
（８）次に窒化ケイ素と黒鉛の熱収縮率の差を利用して
基体１と蒸着層を分離し窒化ケイ素単独材料のみよる振
動板を得た。
基体１と蒸着層を分離し窒化ケイ素単独材料のみよる振
動板を得た。
実施例２
第２図（但し、真空容器は第１図と同一であるので省略
しである。）に示すように（１）ドーム状に形成した表
面をクロノ、メッキ処理した振動板基体１を真空容器２
内に配３ 置し、真空容器２内を真空ポンプにより１０Ｔｏｒｒ程
度に排気する。
しである。）に示すように（１）ドーム状に形成した表
面をクロノ、メッキ処理した振動板基体１を真空容器２
内に配３ 置し、真空容器２内を真空ポンプにより１０Ｔｏｒｒ程
度に排気する。
（２）基体１をヒーター３で１３５０℃〜１５−
４５０℃に加熱し、その温度を保持する。
（３）次にアルゴン（純度９９．９９９％）を真空容器
２内に導入し真空容器２内の空気と完全に置換せしめる
。
２内に導入し真空容器２内の空気と完全に置換せしめる
。
（４）一方シリコンクロライトおよびチタンクロライド
゛の溶液をそれぞれ容器４．５内においてヒーター４ａ
、５ａによりそれぞれ６０℃および１４０℃に加温しシ
リコンクロライドおよびチタンクロライドを蒸発せしめ
ておく。
゛の溶液をそれぞれ容器４．５内においてヒーター４ａ
、５ａによりそれぞれ６０℃および１４０℃に加温しシ
リコンクロライドおよびチタンクロライドを蒸発せしめ
ておく。
（５）次に、下記の条件で各カスを真空容器内に導入す
る。
る。
シリコンクロライＦ ： １３６ ｃｍ／ｍ ｉ ｎ、
アンモニア： １２０ｃｍ／ｍ ＋ ｎ、水素：２７２
０ｃｍ／ｒｒｚ ｎ、チタンクロライド：１８ ｃ ｍ
／ｍ ｉ ｎの流入量でトータルガス圧が３０Ｔｏｒ
ｒｅ （７）当該反応雰囲気を約３時間保持した後、各ガスの
流入を停止し、徐冷して真空容器２内から基体１を取り
出す。
アンモニア： １２０ｃｍ／ｍ ＋ ｎ、水素：２７２
０ｃｍ／ｒｒｚ ｎ、チタンクロライド：１８ ｃ ｍ
／ｍ ｉ ｎの流入量でトータルガス圧が３０Ｔｏｒ
ｒｅ （７）当該反応雰囲気を約３時間保持した後、各ガスの
流入を停止し、徐冷して真空容器２内から基体１を取り
出す。
上記工程により基体１面上に厚さ約０．４ｍｍの窒化ケ
イ素を主成分とし窒化チタンを含６− 有する蒸着層が形成された。
イ素を主成分とし窒化チタンを含６− 有する蒸着層が形成された。
（８）次に前記蒸着層と黒鉛の熱収縮率の差を利用して
基体１と蒸着層を分離し窒化ケイ素を主成分とし窒化チ
タンを含有する材料のみよる振動板を得た。
基体１と蒸着層を分離し窒化ケイ素を主成分とし窒化チ
タンを含有する材料のみよる振動板を得た。
なお、第１図および第２図において６は流量調節器、７
は混合器である。
は混合器である。
上記実施例で得られた振動板の密度、およびＡ・フグ率
を測定し、従来例のチタンおよびアルミニウム振動板と
の比較を次表に示す。
を測定し、従来例のチタンおよびアルミニウム振動板と
の比較を次表に示す。
）
上記衷から明白なようにこの発明の振動板は従来例の振
動板に比較して比弾性率を約５倍程度にまで−上昇せし
めることができた。
動板に比較して比弾性率を約５倍程度にまで−上昇せし
めることができた。
叉、実施例１の振動板のＸ線回折パターンにより、当該
振動板は若干のβ型結晶を含むα型（三方晶系）窒化ケ
イ素より構成されていることが判明した。
振動板は若干のβ型結晶を含むα型（三方晶系）窒化ケ
イ素より構成されていることが判明した。
更に実施例２の振動板のＸｙＡパターンお、Ｌび電子顕
ｆｉＩ鏡分析により、当該振動板は３〜４ ｗ ｔ、％
のαハ゛！結晶を含有するβ！（す（六方晶系）窒化ケ
イ素と３〜Ｑ、 ｗ ｔ％の窒化チタンから構成されて
いることが判明した。
ｆｉＩ鏡分析により、当該振動板は３〜４ ｗ ｔ、％
のαハ゛！結晶を含有するβ！（す（六方晶系）窒化ケ
イ素と３〜Ｑ、 ｗ ｔ％の窒化チタンから構成されて
いることが判明した。
当該実施例２の振動板は窒化ケイ素でもより強度なβ型
結晶で構成され、かつ窒化ケイ素結晶中に微細な窒化チ
タン結晶が散在しているため実施例１よりＡ・フグ率を
向上せしめることができ、かつ靭性も優れている。
結晶で構成され、かつ窒化ケイ素結晶中に微細な窒化チ
タン結晶が散在しているため実施例１よりＡ・フグ率を
向上せしめることができ、かつ靭性も優れている。
又実施例２において基体温度を１１５０℃前後で１−記
各工程を行なった場合、アモルファス型結晶が得られ、
これを空気中で１４．００℃で６時間加熱したところα
型結晶を有する窒化ケイ素と窒化チタンよりなる振動板
が得られた。
各工程を行なった場合、アモルファス型結晶が得られ、
これを空気中で１４．００℃で６時間加熱したところα
型結晶を有する窒化ケイ素と窒化チタンよりなる振動板
が得られた。
更に、基体温度を１２５０℃前後にした場合７〜８ ｗ
ｔ％のβ型結晶を含有するα型窒化ケイ素と窒化チタ
ンよりなる振動板が得られた。
ｔ％のβ型結晶を含有するα型窒化ケイ素と窒化チタ
ンよりなる振動板が得られた。
当該振動板もこの発明の目的を充分に達成することがで
きるものである。
きるものである。
したがって、この発明の振動板は前述のごとく比弾性率
が極めて高いので分割振動発生周波数を高め、もってピ
ストン振動領域を拡大する結果スピーカの高域再生限界
周波数を高め、より忠実度を向上せしめることができる
。
が極めて高いので分割振動発生周波数を高め、もってピ
ストン振動領域を拡大する結果スピーカの高域再生限界
周波数を高め、より忠実度を向上せしめることができる
。
更に、この発明の製造方法によれは従来例の物理的蒸着
法に比較し、蒸着層にピンホールが無く密な層を形成で
き、複雑な形状の基体でも均一な層が形成でき品質の良
好な蒸着層が得られるとともに、蒸着層の組成の調整が
容易であり、層の形成速度が物理的蒸着法に比較して極
めて早い（数十倍〜数百倍）ので大量生産に極めて適し
ているものである。
法に比較し、蒸着層にピンホールが無く密な層を形成で
き、複雑な形状の基体でも均一な層が形成でき品質の良
好な蒸着層が得られるとともに、蒸着層の組成の調整が
容易であり、層の形成速度が物理的蒸着法に比較して極
めて早い（数十倍〜数百倍）ので大量生産に極めて適し
ているものである。
なお、−ヒ記実施例においてシリコンクロライドを用い
た例について説明したが、これに替えてシリコンハイド
ライドを用いても略同様の工程で同様の物性を有する振
動板を提供することができる。
た例について説明したが、これに替えてシリコンハイド
ライドを用いても略同様の工程で同様の物性を有する振
動板を提供することができる。
９−
以−１−に説明したようにこの発明は窒化ケイ素単独材
料又は窒化ケイ素を主成分とする材料からなることを特
徴とする電気音響変換器用振動板とクロムメッキを施し
た振動板形状の黒鉛基体を真空容器内に配置し、当該基
体を１０００℃〜１５００℃に保持【ノた後、総合ガス
圧が１０〜３０Ｔｏｒｒになるように配合したシリコン
ハイドライド、又はシリコンクロライド、又はシリコン
ハイドライドもしくはシリコンクロライド゛と常温から
１５０℃前後の温度で蒸気圧を有するチタンのハロゲン
化合物と、アンモニアと、水素と、アルゴンとの混合ガ
スを前記真空容器内に導入して前記基体上に窒化ケイ素
単独又は窒化り′イ素を主成分とする蒸着層を形成した
後、蒸着層と基体を分離し、蒸着層のみよりなる振動板
を得ることを特徴とする電気音響変換器用振動板の製造
方法であって、スピーカの高域再生限界周波数を高め、
より忠実度を向−りせしめることができとともに良質の
振動板を比較的安価に提供することができる等の効果を
有するものである。
料又は窒化ケイ素を主成分とする材料からなることを特
徴とする電気音響変換器用振動板とクロムメッキを施し
た振動板形状の黒鉛基体を真空容器内に配置し、当該基
体を１０００℃〜１５００℃に保持【ノた後、総合ガス
圧が１０〜３０Ｔｏｒｒになるように配合したシリコン
ハイドライド、又はシリコンクロライド、又はシリコン
ハイドライドもしくはシリコンクロライド゛と常温から
１５０℃前後の温度で蒸気圧を有するチタンのハロゲン
化合物と、アンモニアと、水素と、アルゴンとの混合ガ
スを前記真空容器内に導入して前記基体上に窒化ケイ素
単独又は窒化り′イ素を主成分とする蒸着層を形成した
後、蒸着層と基体を分離し、蒸着層のみよりなる振動板
を得ることを特徴とする電気音響変換器用振動板の製造
方法であって、スピーカの高域再生限界周波数を高め、
より忠実度を向−りせしめることができとともに良質の
振動板を比較的安価に提供することができる等の効果を
有するものである。
１０−
第１図および第２図はそれぞれこの発明の振動板の製造
装置の概略図である。 特許出願人 オンキョー株式会社 −１１−
装置の概略図である。 特許出願人 オンキョー株式会社 −１１−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、窒化ケイ素単独材料又は窒化ケイ素を主成分とする
材料からなることを特徴とする電気音響変換器用振動板
。 ２、窒化ケイ素単独材料が主としてα型結晶よりなるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電気音響変
換器用振動板。 ３、窒化ケイ素を主成分とする材料が窒化チタンを含有
することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電気
音響変換器用振動板４、窒化ケイ素が主としてβ型結晶
よりなることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の
電気音響変換器用振動板。 ５、クロムメッキを施した振動板形状の黒鉛基体を真空
容器内に配置し、当該基体を１０００℃〜１５００℃に
保持した後、総合ガス圧が１０〜３０Ｔｏ ｒ ｒにな
るように配合したシリコンハイドライド、又はシリコン
クロライ］・、又はシリコンハイドライドも【ノ＜はシ
リコンクロライドと常温から１５０℃前後の温度で蒸気
圧を有するチタンのハロゲン化合物と、アンモニアと、
水素と、アルゴンとの混合ガスを前記真空容器内に導入
して前記基体上に窒化ケイ素単独又は窒化ケイ素を主成
分とする蒸着層を形成した後、蒸着層と基体を分離し、
蒸着層のみよりなる振動板を得ることを特徴とする電気
音響変換器用振動板の製造方法。 ６、チタンのハロゲン化合物がチタンクロ、ライドであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第５項記載の電気音
響変換器用振動板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59040925A JPH0732510B2 (ja) | 1984-03-02 | 1984-03-02 | 電気音響変換器用振動板とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59040925A JPH0732510B2 (ja) | 1984-03-02 | 1984-03-02 | 電気音響変換器用振動板とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60185490A true JPS60185490A (ja) | 1985-09-20 |
| JPH0732510B2 JPH0732510B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=12594074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59040925A Expired - Lifetime JPH0732510B2 (ja) | 1984-03-02 | 1984-03-02 | 電気音響変換器用振動板とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0732510B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5288016A (en) * | 1976-01-17 | 1977-07-22 | Foster Electric Co Ltd | Vibrator plate for electroacoustic transducer |
| JPS5671399A (en) * | 1979-11-14 | 1981-06-13 | Mitsubishi Metal Corp | Composite layer diaphragm plate for sound converter and its manufacture |
| JPS5711598A (en) * | 1980-06-26 | 1982-01-21 | Sony Corp | Acoustic diaphragm |
| JPS5795823A (en) * | 1980-12-02 | 1982-06-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of boron sheet |
-
1984
- 1984-03-02 JP JP59040925A patent/JPH0732510B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5288016A (en) * | 1976-01-17 | 1977-07-22 | Foster Electric Co Ltd | Vibrator plate for electroacoustic transducer |
| JPS5671399A (en) * | 1979-11-14 | 1981-06-13 | Mitsubishi Metal Corp | Composite layer diaphragm plate for sound converter and its manufacture |
| JPS5711598A (en) * | 1980-06-26 | 1982-01-21 | Sony Corp | Acoustic diaphragm |
| JPS5795823A (en) * | 1980-12-02 | 1982-06-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of boron sheet |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0732510B2 (ja) | 1995-04-10 |
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