JPS60180207A - 高周波増幅装置 - Google Patents

高周波増幅装置

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JPS60180207A
JPS60180207A JP3643084A JP3643084A JPS60180207A JP S60180207 A JPS60180207 A JP S60180207A JP 3643084 A JP3643084 A JP 3643084A JP 3643084 A JP3643084 A JP 3643084A JP S60180207 A JPS60180207 A JP S60180207A
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JP
Japan
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resistor
emitter
circuit
stage
terminal
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JP3643084A
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JPH0544842B2 (ja
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Kazuhiko Kubo
一彦 久保
Akira Usui
晶 臼井
Hiroyuki Nagai
裕之 永井
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、テレビジョンチューナー回路や、〒、・′l
jJ星放送用の受信機の回路として用いることのできる
集積回路化された高周波増幅装置に関するものである。
従来例の]i4成とその問題点 従来の回路を第1図に示す。図はエミッタ接地型の直流
結合の2段増幅回路であり、集積回路内のパッケージに
封入された状態を示すものである。
信号は入力端子INよシ供給され、トランジスタQ1と
92により2段増幅され、出うク端子outよシ出力さ
れる。
回路は、電源端子十Bより抵抗R1を通して電位が加え
られ、これがトランジスタQ2を駆動してトランジスタ
Q2に゛低流が流れ、抵抗R3があるだめトランジスタ
Q2のエミッタ電位を上列させる。このエミッタ電位は
直流帰還抵抗R,,R5によって分圧され、その分割電
位が1−ランシヌタQ1のベースに刃口えられると、ト
ランジスタQ+ K?[流か流れ抵抗R1によってl゛
ランシヌタQ1コレクタ電位か下がす、トランジスタQ
2のベース電位も下かり1−ランシスクQ2のエミッタ
電位が下カリ、トランジスタQ1のベース電1立も−「
かり、回路は安定動作状態にはいる。
しjでLG、とLG2はICチップからパッケージ端子
寸でのボンディングワイヤーによって生ずるインダクタ
ンスで、IJ 2,5 n H程度か加わることになる
。このワイヤーインダクタンスは、1段増幅器の場合に
は影響かなく回路の動作は安定しているか、図示するよ
うなエミッタ接地型の多段増幅器を(14成した場合は
、ワイヤーインタフクン11 2によ逆動作か不安定と
なり、発振現象を生ずる。この発振現象をなくすために
はエミッタ アース間に抵抗を挿入してワイヤーインダ
クタンスをタ゛ンヒ′ングする方法があるが、この方法
であると高周波領域(1ooMIlz以上)では利得を
かせぐことができないという不都合が生じる。
そこで、エミッタからIC外部に端子を出して、エミッ
タに大容量を追加して高周波成分の帰還を抑えることに
なるが、この場合にはワイヤーインダクタンスLG2が
挿入されるため、やはり発振状況に陥いることになる。
そこでワイヤーインダクタンスLC2を吸収するような
フィルター回路1を挿入して回路の安定化を図ることに
なる。図の例ではコンデンサC1(1epF以下)とワ
イヤーインダクタンスLG2とを直列共振させて高周波
成分のバイパスとLG2の吸収とを同時に行っている。
フィルター回路1に挿入されている抵抗R6はフィルタ
ー回路1のQを下げ、帯域を広げるとともに、入出力の
SWHの安定化を図ることになり、第4図の人のような
特性を得ることになる。
ところが、用途によっては、帯域特性を急峻にする必要
や、固体素子フィルターを用いた帰還型発振回路を構成
する場合には固体素子の位相特性か固定されるので、周
波数のW1ζ整を行なうために移(1器を挿入する必要
が生ずる、第1図の回路ては、このような操作かできに
くいという欠点かあった。
発明の目的 本発明はnl」記欠点を解消し、帯域特性の急峻化及び
移A′目操作が簡単に行える高周波増幅装置を提供する
ことを目的とする。
発明の構成 本発明による高周波増幅装置は、エミッタ接地型増幅器
を直流結合して少なくとも2段接続した増幅回路を]1
へ成し、2段目以後のエミッタ電位を初段トランジスタ
のべ一ヌに抵抗を1(fN、て直流負帰還をかけるとと
もに、各段の増幅器間の少なくとも一つには高抵抗ある
いはチョークコイルを挿入して交流信号を減衰させると
ともに、上記挿入高抵抗の両端間に帯域フィルターを挿
入するようにしたものであシ、この構成により帯域特性
を急峻なものとすることができ、またピーク周波数も帯
域フィルターを操作することにより容易に変化させるこ
とができるものである。
実施例の説明 本発明の一実施例を第2図に示す。図はエミッタ接地型
2股増幅器であり、直流結合で構成されており、2段目
のトランジスタQ2のエミッタ電位を抵抗R4,R5で
分割してトランジスタQ1のベースに直流負帰還をかけ
ることにより回路動作を定めている。図の直流構成は第
1図の回路と同様であるので、以下その相違点について
述へる。
tf、l−ランシヌタQ+のコレクタ上1−ランジスタ
Q2のベース間には抵抗R7を挿入している。
この場合、トランジスタQ2のhfeか100程度であ
れば、抵抗R7による電位効果はほとんど無視できる。
抵抗R7は6.8にΩ程度を用いるので高周波信号はほ
とんど通過せず、直流成分を通過させることができる。
またR7のかわりにチョークコイルを端子G3.G4間
に挿入してもよい。l−ランジヌクQ1のコレクタと抵
抗R7の交点からワイヤーインダクタンヌLF、を通し
てICの外部端子G3を設け、一方、外部端子G4を設
け、この外部端子G4をワイヤーインダクタンヌLF2
を介して、トランジスタQ2のベースと抵抗R7の交点
に接続し、この外部端子G3.G4間にフィルタ回路2
を挿入することにより、l・ランシスタQ、のコレクタ
からの信号は1〜ランシスタQ2に供給される。
フィルクー回路2は第3図A、Bのような形をとること
かできる。第3図Aの場合はワイヤーインククタンスL
F1とLF2はコンテ゛ンサOF、 。
CF2により吸収され、共振点より低い所では容量性に
なる。このコンデンサC(CF、 、CF2 )とイン
ダクタンスLF、とて帯域フィルターヲ構成することか
でき、その特性は第4図Bのように帯域特性が急峻にな
る。さらに、位41]特性の変化も、ピーク周波数近辺
で急峻になり、そのピーク周波数を少量移動させるだけ
で位相特性を貧化することができ、移相器としての効果
をも得ることができる。故に、固体素子フィルターを用
いた帰還型発振回路として用いた場合に冶効である。第
3図のBは定に型のフィルターを構成したものである。
このようにして、帯域特性を有した信号は1〜ランシヌ
タQ2により増幅され、出力端子outよシ外部に供給
される。トランシヌタQ2のエミッタには対アース間に
抵抗R3が挿入されている。捷たトランジスタQ2のエ
ミッタはワイヤーインダクタンヌLG2を通して、外部
端子G2に引き出され、この端子G2より前述のフィル
ター回路1かアース間に接続されている。フィルター回
路1の効果は11」述の通りである。
第5図は不発[す1の第2の実施例である。図では第2
図の例に対して、2段の増幅器の間にトランシヌタQ3
+ 抵抗R6からなるエミッタホロア回路を挿入したも
のである。第6図は本発明の第3の実施例である。図は
第2図の例に列して、トランジスタQ1のエミッタとア
ース間に抵抗R6ヲ挿入シ、カつ1−ランンヌタQ+の
エミッタをワイヤーインダクタンヌLG3を介して外部
端子に接続し、そこからフィルター回路1と同様の機能
をもつフィルクー回路3を通して接地するものである。
第7図は本発明の第4の実施例である。図は第2図の例
に対して、2段の増幅器の間に1−ランンスタQ3+ 
抵抗R5からふるエミッタ・」・ロアを挿入し、トラン
ジスタQ3のエミッタより抵抗R4とR5の分割電位を
トランジスタQ、のベースに直流帰還するものである。
第8図は第2図あるいは第6図の回路を多段接続した本
発明の第5の実施例である。図のAのブロックはエミッ
タホロア回路であり、各段にあってもなくてもよい。各
段の増幅器の間は少なくとも1つが抵抗で直流結合され
、この抵抗の両端かボンディングワイヤーインダクタン
スを介してダト部端子に接続され、その2端子間には前
記)、イルター回路2が接続される。捷だ2段目以後の
t;111幅器のエミッタには対アース間に抵抗が挿入
され、各段のエミッタの少なくとも1つはボンデインク
ワイヤー、インダクタンスを介して外部端子に接続され
、その端子には前記フィルター回路1が接続されている
ものである。
発明の効果 以上のように本発明によれば、多段接続増幅器において
、各増幅器の間の少なくとも一つを抵抗て結合し、かつ
この抵抗の両端の[11jにフィルター回路を接続する
ことにより、急峻な帯域特性を治す直流結合の多段増幅
8gをl′117j成することかできる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例における高周波増幅装置1′1の集積回
路化された状態の回路図、第2図は本発明の一実施例に
おける高周波増幅装置の集積回路化された状、熊の回路
図、第3図A、Bは第2図のフィルター回路2の具体例
を示す回路図、第4図は従来例および本発明の装置の周
波数帯域特性図、第5図は本発明の第2の実施例の回路
図、第6図は本発明の第3の実施例の回路図、第7図は
本発明の第4の実施例の回路図、第8図は本発明の第6
の実施例の回路し1である。 Q、、Q2・・・・・増幅用1−ランシスタ、R7・・
・・・抵抗、2・・・・ フィルター回路。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 芭2図 −(八) 第5図 第6図 第7図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)エミッタ接地型増幅器を多段接続し、2段目以後
    の1−ランンスタのエミッタには苅アーヌ間に第1の抵
    抗を挿入し、それらの中の少なくとも1つのエミックT
    lj位を第2の抵抗を介して初段トランジスタのベース
    電位に16流負帰還をかけるとともに、各段の増幅器間
    の少なくとも一つに第3の抵抗あるいはチョークコイル
    を挿入し、この第3の抵抗あるいはチョークコイルの両
    端に帯域の急峻なフィルクー回路を挿入することを特徴
    とする高周波増幅装置。 (2りエミッタ接地型増幅器は直流結合にて多段接続さ
    れて集積回路化され、2段目以後のトランシヌタのエミ
    ッタには苅アーヌ間に第1の抵抗を接続し、それらの1
    −ランシスタの少なくとも1つのエミノク屯位を第2の
    抵抗ケ介して初段トランシヌタのベース′註位に直流負
    帰還をかけるとともに、各段の増幅器間の少なくとも一
    つには第3の抵抗あるいは集積回路の外部端子を利用し
    てチョークコイルを接続し、この第3の抵抗あるいはチ
    ョークコイルの両端をボンディングワイヤーを介して集
    積回路の外部端子に接続し、この外部端子の間にボンデ
    ィンクワイヤインダクタンヌを含んだ帯域フィルター回
    路を挿入することを特徴とする特許請求の範囲第1項記
    載の高周波増幅装置。 (3)2段目以降のトランシスクの少なくとも−っのエ
    ミッタ端子からボンディングワイヤーヲ介して集積回路
    の外部に端子を設け、この端子と外部アース間に、特定
    の周波数の近辺に対して低インピータンヌとなる第2の
    フィルター回路か挿入された特許請求の範囲第2項記i
    戊の高周波増幅装置。 (4) 各エミッタ接地m 111g 回路間にエミッ
    タホロア回路を挿入することを特徴とする特許請求の範
    囲第1項、第2項捷たは第3項記1賎の高周波増幅装置
    。 (5) 入力段のトランジスタのエミッタとアース間に
    第4の抵抗を挿入し、上りエミッタよりポンディングワ
    イヤーを介して外部端子を設け、その外部端子から対外
    部アース間の特定の周波数の近辺に対して低インピーダ
    ンスとなるような第3のフィルター回路を設けることを
    特徴とする特許請求の範囲第2項記載の高周波増幅装置
JP3643084A 1984-02-27 1984-02-27 高周波増幅装置 Granted JPS60180207A (ja)

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JPS60180207A true JPS60180207A (ja) 1985-09-14
JPH0544842B2 JPH0544842B2 (ja) 1993-07-07

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012186735A (ja) * 2011-03-07 2012-09-27 Mitsubishi Electric Corp 多段増幅器

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50101865U (ja) * 1974-01-25 1975-08-22

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JPS50101865U (ja) * 1974-01-25 1975-08-22

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JP2012186735A (ja) * 2011-03-07 2012-09-27 Mitsubishi Electric Corp 多段増幅器

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