JPH0544842B2 - - Google Patents
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- JPH0544842B2 JPH0544842B2 JP59036430A JP3643084A JPH0544842B2 JP H0544842 B2 JPH0544842 B2 JP H0544842B2 JP 59036430 A JP59036430 A JP 59036430A JP 3643084 A JP3643084 A JP 3643084A JP H0544842 B2 JPH0544842 B2 JP H0544842B2
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- Japan
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- emitter
- transistor
- resistor
- circuit
- terminal
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 10
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 10
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
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- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、テレビジヨンチユーナー回路や、衛
星放送用の受信機の回路として用いることのでき
る集積回路化された高周波増幅装置に関するもの
である。
星放送用の受信機の回路として用いることのでき
る集積回路化された高周波増幅装置に関するもの
である。
従来例の構成とその問題点
従来の回路を第１図に示す。図はエミツタ接地
型の直流結合の２段増幅回路であり、集積回路内
のパツケージに封入された状態を示すものであ
る。信号は入力端子INより供給され、トランジ
スタQ1とQ2により２段増幅され、出力端子outよ
り出力される。
型の直流結合の２段増幅回路であり、集積回路内
のパツケージに封入された状態を示すものであ
る。信号は入力端子INより供給され、トランジ
スタQ1とQ2により２段増幅され、出力端子outよ
り出力される。
回路は、電源端子＋Ｂより抵抗R1を通して電
位が加えられ、これがトランジスタQ2を駆動し
てトランジスタQ2に電流が流れ、抵抗R3がある
ためトランジスタQ2のエミツタ電位を上昇させ
る。このエミツタ電位は直流帰還抵抗R4，R5に
よつて分圧され、その分割電位がトランジスタ
Q1のベースに加えられると、トランジスタQ1に
電流が流れ抵抗R1によつてトランジスタQ1のコ
レクタ電位が下がり、トランジスタQ2のベース
電位も下がりトランジスタQ2のエミツタ電位が
下がり、トランジスタQ1のベース電位も下がり、
回路は安定動作状態にはいる。
位が加えられ、これがトランジスタQ2を駆動し
てトランジスタQ2に電流が流れ、抵抗R3がある
ためトランジスタQ2のエミツタ電位を上昇させ
る。このエミツタ電位は直流帰還抵抗R4，R5に
よつて分圧され、その分割電位がトランジスタ
Q1のベースに加えられると、トランジスタQ1に
電流が流れ抵抗R1によつてトランジスタQ1のコ
レクタ電位が下がり、トランジスタQ2のベース
電位も下がりトランジスタQ2のエミツタ電位が
下がり、トランジスタQ1のベース電位も下がり、
回路は安定動作状態にはいる。
図でLG1とLG2はICチツプからパツケージ端子
までのボンデイングワイヤーによつて生ずるイン
ダクタンスで、約2.5nH程度が加わることにな
る。このワイヤーインダクタンスは、１段増幅器
の場合には影響がなく回路の動作は安定している
が、図示するようなエミツタ接地型の多段増幅器
を構成した場合は、ワイヤーインダクタンス
LG1，LG2により動作が不安定となり、発振現象
を生ずる。この発振現象をなくするためにはエミ
ツタ・アース間に抵抗を挿入してワイヤーインダ
クタンスをダンピングする方法があるが、この方
法であると高周波領域（100MHz以上）では利得
をかせぐことができないという不都合が生じる。
までのボンデイングワイヤーによつて生ずるイン
ダクタンスで、約2.5nH程度が加わることにな
る。このワイヤーインダクタンスは、１段増幅器
の場合には影響がなく回路の動作は安定している
が、図示するようなエミツタ接地型の多段増幅器
を構成した場合は、ワイヤーインダクタンス
LG1，LG2により動作が不安定となり、発振現象
を生ずる。この発振現象をなくするためにはエミ
ツタ・アース間に抵抗を挿入してワイヤーインダ
クタンスをダンピングする方法があるが、この方
法であると高周波領域（100MHz以上）では利得
をかせぐことができないという不都合が生じる。
そこで、エミツタからIC外部に端子を出して、
エミツタに大容量を追加して高周波成分の帰還を
抑えることになるが、この場合にはワイヤーイン
ダクタンスLG2が挿入されるため、やはり発振状
況に陥ることになる。
エミツタに大容量を追加して高周波成分の帰還を
抑えることになるが、この場合にはワイヤーイン
ダクタンスLG2が挿入されるため、やはり発振状
況に陥ることになる。
そこでワイヤーインダクタンスLG2を吸収する
ようなフイルター回路１を挿入して回路の安定化
を図ることになる。図の例ではコンデンサC1
（16pF以下）とワイヤーインダクタンスLG2とを
直列共振させて高周波成分のバイパスとLG2の吸
収とを同時に行つている。フイルター回路１に挿
入されている抵抗R6はフイルター回路１のＱを
下げ、帯域を広げるとともに、入出力のSWRの
安定化を図ることになり、第４図のＡのような特
性を得ることになる。
ようなフイルター回路１を挿入して回路の安定化
を図ることになる。図の例ではコンデンサC1
（16pF以下）とワイヤーインダクタンスLG2とを
直列共振させて高周波成分のバイパスとLG2の吸
収とを同時に行つている。フイルター回路１に挿
入されている抵抗R6はフイルター回路１のＱを
下げ、帯域を広げるとともに、入出力のSWRの
安定化を図ることになり、第４図のＡのような特
性を得ることになる。
ところが、用途によつては、帯域特性を急峻に
する必要や固体素子フイルターを用いた帰還型発
振回路を構成する場合には固体素子の位相特性が
固定されるので、周波数の調整を行なうために移
相器を挿入する必要が生ずる。第１図の回路で
は、このような操作ができにくいという欠点があ
つた。
する必要や固体素子フイルターを用いた帰還型発
振回路を構成する場合には固体素子の位相特性が
固定されるので、周波数の調整を行なうために移
相器を挿入する必要が生ずる。第１図の回路で
は、このような操作ができにくいという欠点があ
つた。
発明の目的
本発明は前記欠点を解消し、帯域特性を急峻化
及び移相操作が簡単に行える高周波増幅装置を提
供することを目的とする。
及び移相操作が簡単に行える高周波増幅装置を提
供することを目的とする。
発明の構成
本発明による高周波増幅装置は、エミツタ接地
型増幅器を直流結合して少なくとも２段接続して
集積回路化して増幅回路を構成し、２段目以後の
エミツタ電位を初段トランジスタのベースに抵抗
を通して帰還して直流負帰還をかけるとともに、
各段の増幅器間の少なくとも一つには高抵抗ある
いはチヨークコイルを挿入して交流信号を減衰さ
せるとともに、上記挿入高抵抗の両端側に帯域フ
イルターを挿入するようにしたものであり、この
構成により帯域特性を急峻なものとすることがで
き、またピーク周波数も帯域フイルターを操作す
ることにより容易に変化させることができるもの
である。
型増幅器を直流結合して少なくとも２段接続して
集積回路化して増幅回路を構成し、２段目以後の
エミツタ電位を初段トランジスタのベースに抵抗
を通して帰還して直流負帰還をかけるとともに、
各段の増幅器間の少なくとも一つには高抵抗ある
いはチヨークコイルを挿入して交流信号を減衰さ
せるとともに、上記挿入高抵抗の両端側に帯域フ
イルターを挿入するようにしたものであり、この
構成により帯域特性を急峻なものとすることがで
き、またピーク周波数も帯域フイルターを操作す
ることにより容易に変化させることができるもの
である。
実施例の説明
本発明の一実施例を第２図に示す。図はエミツ
タ接地型２段増幅器であり、直流結合で構成され
ており、２段目のトランジスタQ2のエミツタ電
位を抵抗R4，R5で分割してトランジスタQ1のベ
ースに直流負帰還をかけることにより回路動作を
定めている。図の直流構成は第１図の回路と同様
であるので、以下その相違点について述べる。
タ接地型２段増幅器であり、直流結合で構成され
ており、２段目のトランジスタQ2のエミツタ電
位を抵抗R4，R5で分割してトランジスタQ1のベ
ースに直流負帰還をかけることにより回路動作を
定めている。図の直流構成は第１図の回路と同様
であるので、以下その相違点について述べる。
まず、トランジスタQ1のコレクタとトランジ
スタQ2のベース間には抵抗R7を挿入している。
この場合、トランジスタQ2のhfeが100程度であれ
ば、抵抗R7による電圧降下はほとんど無視でき
る。抵抗R7は6.8KΩ程度の高抵抗を用いるので高
周波信号はほとんど通過せず、直流成分を通過さ
せることができる。またR7のかわりにチヨーク
コイルを端子G3，G4間に挿入してもよい。トラ
ンジスタQ1のコレクタと抵抗R7の交点からワイ
ヤーインダクタンスLF1を通してICの外部端子G3
を設け、一方、外部端子G4を設け、この外部端
子G4をワイヤーインダクタンスLF2を介して、ト
ランジスタQ2のベースと抵抗R7の交点に接続し、
この外部端子G3，G4間にフイルタ回路２を挿入
することにより、トランジスタQ1のコレクタか
らの信号はトランジスタQ2に供給される。
スタQ2のベース間には抵抗R7を挿入している。
この場合、トランジスタQ2のhfeが100程度であれ
ば、抵抗R7による電圧降下はほとんど無視でき
る。抵抗R7は6.8KΩ程度の高抵抗を用いるので高
周波信号はほとんど通過せず、直流成分を通過さ
せることができる。またR7のかわりにチヨーク
コイルを端子G3，G4間に挿入してもよい。トラ
ンジスタQ1のコレクタと抵抗R7の交点からワイ
ヤーインダクタンスLF1を通してICの外部端子G3
を設け、一方、外部端子G4を設け、この外部端
子G4をワイヤーインダクタンスLF2を介して、ト
ランジスタQ2のベースと抵抗R7の交点に接続し、
この外部端子G3，G4間にフイルタ回路２を挿入
することにより、トランジスタQ1のコレクタか
らの信号はトランジスタQ2に供給される。
フイルター回路２は第３図Ａ，Ｂのような形を
とることができる。第３図Ａの場合はワイヤーイ
ンダクタンスLF1とLF2はコンデンサCF1，CF2に
より吸収され、共振点より低い所では容量性にな
る。このコンデンサＣ（CF1，CF2）とインダクタ
ンスLF3とで帯域フイルターを構成することがで
き、その特性は第４図Ｂのように帯域特性が急峻
になる。さらに、位相特性の変化も、ピーク周波
数近辺で急峻になり、そのピーク周波数を少量移
動させるだけで位相特性を変化することができ、
移相器としての効果をも得ることができる。故
に、固体素子フイルターを用いた帰還型発振回路
として用いた場合に有効である。第３図のＢは定
Ｋ型のフイルターを構成したものである。
とることができる。第３図Ａの場合はワイヤーイ
ンダクタンスLF1とLF2はコンデンサCF1，CF2に
より吸収され、共振点より低い所では容量性にな
る。このコンデンサＣ（CF1，CF2）とインダクタ
ンスLF3とで帯域フイルターを構成することがで
き、その特性は第４図Ｂのように帯域特性が急峻
になる。さらに、位相特性の変化も、ピーク周波
数近辺で急峻になり、そのピーク周波数を少量移
動させるだけで位相特性を変化することができ、
移相器としての効果をも得ることができる。故
に、固体素子フイルターを用いた帰還型発振回路
として用いた場合に有効である。第３図のＢは定
Ｋ型のフイルターを構成したものである。
このようにして、帯域特性を有した信号はトラ
ンジスタQ2により増幅され、出力端子outより外
部に供給される。トランジスタQ2のエミツタに
は対アース間に抵抗R3が挿入されている。また
トランジスタQ2のエミツタはワイヤーインダク
タンスLG2を通して、外部端子G2に引き出され、
この端子G2より前述のフイルター回路１がアー
ス間に接続されている。フイルター回路１の効果
は前述の通りである。
ンジスタQ2により増幅され、出力端子outより外
部に供給される。トランジスタQ2のエミツタに
は対アース間に抵抗R3が挿入されている。また
トランジスタQ2のエミツタはワイヤーインダク
タンスLG2を通して、外部端子G2に引き出され、
この端子G2より前述のフイルター回路１がアー
ス間に接続されている。フイルター回路１の効果
は前述の通りである。
第５図は本発明の第２の実施例である。図では
第２図の例に対して、２段の増幅器の間にトラン
ジスタQ3、抵抗R6からなるエミツタホロア回路
を挿入したものである。第６図は本発明の第３の
実施例である。図は第２図の例に対して、トラン
ジスタQ1のエミツタとアース間に抵抗R6を挿入
し、かつトランジスタQ1のエミツタをワイヤー
インダクタンスLG3を介して外部端子に接続し、
そこからフイルター回路１と同様の機能をもつフ
イルター回路３を通して接地するものである。
第２図の例に対して、２段の増幅器の間にトラン
ジスタQ3、抵抗R6からなるエミツタホロア回路
を挿入したものである。第６図は本発明の第３の
実施例である。図は第２図の例に対して、トラン
ジスタQ1のエミツタとアース間に抵抗R6を挿入
し、かつトランジスタQ1のエミツタをワイヤー
インダクタンスLG3を介して外部端子に接続し、
そこからフイルター回路１と同様の機能をもつフ
イルター回路３を通して接地するものである。
第７図は本発明の第４の実施例である。図は第
２図の例に対して、２段の増幅器の間にトランジ
スタQ3、抵抗R5からなるエミツタホロアを挿入
し、トランジスタQ3のエミツタより抵抗R4とR5
の分割電位をトランジスタQ1のベースに直流帰
還するものである。
２図の例に対して、２段の増幅器の間にトランジ
スタQ3、抵抗R5からなるエミツタホロアを挿入
し、トランジスタQ3のエミツタより抵抗R4とR5
の分割電位をトランジスタQ1のベースに直流帰
還するものである。
第８図は第２図あるいは第５図の回路を多段接
続した本発明の第５の実施例である。図のＡのブ
ロツクはエミツタホロア回路であり、各段にあつ
てもなくてもよい。各段の増幅器の間は少なくと
も１つが抵抗で直流結合され、この抵抗の両端が
ボンデイングワイヤーインダクタンスを介して外
部端子に接続され、その２端子間には前記フイル
ター回路２が接続される。また２段目以後の増幅
器のエミツタには対アース間に抵抗が挿入され、
各段のエミツタの少なくとも１つはボンデイング
ワイヤーインダクタンスを介して外部端子に接続
され、その端子には前記フイルター回路１が接続
されているものである。
続した本発明の第５の実施例である。図のＡのブ
ロツクはエミツタホロア回路であり、各段にあつ
てもなくてもよい。各段の増幅器の間は少なくと
も１つが抵抗で直流結合され、この抵抗の両端が
ボンデイングワイヤーインダクタンスを介して外
部端子に接続され、その２端子間には前記フイル
ター回路２が接続される。また２段目以後の増幅
器のエミツタには対アース間に抵抗が挿入され、
各段のエミツタの少なくとも１つはボンデイング
ワイヤーインダクタンスを介して外部端子に接続
され、その端子には前記フイルター回路１が接続
されているものである。
発明の効果
以上のように本発明によれば、多段接続増幅器
において、各増幅器の間の少なくとも一つを抵抗
で結合し、かつこの抵抗の両端の間にフイルター
回路を接続することにより、急峻な帯域特性を有
す直流結合の多段増幅器を構成することができ
る。
において、各増幅器の間の少なくとも一つを抵抗
で結合し、かつこの抵抗の両端の間にフイルター
回路を接続することにより、急峻な帯域特性を有
す直流結合の多段増幅器を構成することができ
る。
第１図は従来例における高周波増幅装置の集積
回路化された状態の回路図、第２図は本発明の一
実施例における高周波増幅装置の集積回路化され
た状態の回路図、第３図Ａ，Ｂは第２図のフイル
ター回路２の具体例を示す回路図、第４図は従来
例および本発明の装置の周波数帯域特性図、第５
図は本発明の第２の実施例の回路図、第６図は本
発明の第３の実施例の回路図、第７図は本発明の
第４の実施例の回路図、第８図は本発明の第５の
実施例の回路図である。 Q1，Q2……増幅用トランジスタ、R7……抵抗、
２……フイルター回路。
回路化された状態の回路図、第２図は本発明の一
実施例における高周波増幅装置の集積回路化され
た状態の回路図、第３図Ａ，Ｂは第２図のフイル
ター回路２の具体例を示す回路図、第４図は従来
例および本発明の装置の周波数帯域特性図、第５
図は本発明の第２の実施例の回路図、第６図は本
発明の第３の実施例の回路図、第７図は本発明の
第４の実施例の回路図、第８図は本発明の第５の
実施例の回路図である。 Q1，Q2……増幅用トランジスタ、R7……抵抗、
２……フイルター回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ エミツタ接地型増幅器を直流結合にて多段接
続して集積回路化し、２段目以後のトランジスタ
のエミツタには対アース間に第１の抵抗を接続
し、それらのトランジスタの少なくとも１つのエ
ミツタ電位を第２の抵抗を介して初段トランジス
タのベース電位に直流負帰還をかけるとともに、
各段の増幅器間の少なくとも１つにおいて前段の
増幅器の出力端子と後段の増幅器の入力端子をそ
れぞれボンデイングワイヤーを介して集積回路の
外部端子に接続し、前記出力端子と前記入力端子
との間に第３の抵抗を接続するかあるいは外部端
子間にチヨークコイルを接続し、この外部端子の
間にボンデイングワイヤインダクタンスを含んだ
帯域フイルター回路を挿入することを特徴とする
高周波増幅装置。 ２ ２段目以降のトランジスタの少なくとも１つ
のエミツタ端子からボンデイングワイヤーを介し
て集積回路の外部に端子を設け、この端子と外部
アース間に特定の周波数の近辺に対して低インピ
ーダンスとなる第２のフイルター回路が挿入され
た特許請求の範囲第１項記載の高周波増幅装置。 ３ 各エミツタ接地型増幅回路間にエミツタホロ
ア回路を挿入することを特徴とする特許請求の範
囲第１項，第２項記載の高周波増幅装置。 ４ 入力段のトランジスタのエミツタとアース間
に第４の抵抗を挿入し、上記エミツタよりボンデ
イングワイヤーを介して外部端子を設け、その外
部端子から対外部アース間の特定の周波数の近辺
に対して低インピーダンスとなるような第３のフ
イルター回路を設けることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の高周波増幅装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3643084A JPS60180207A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 高周波増幅装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3643084A JPS60180207A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 高周波増幅装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60180207A JPS60180207A (ja) | 1985-09-14 |
| JPH0544842B2 true JPH0544842B2 (ja) | 1993-07-07 |
Family
ID=12469594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3643084A Granted JPS60180207A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 高周波増幅装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60180207A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5638426B2 (ja) * | 2011-03-07 | 2014-12-10 | 三菱電機株式会社 | 多段増幅器 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50101865U (ja) * | 1974-01-25 | 1975-08-22 |
-
1984
- 1984-02-27 JP JP3643084A patent/JPS60180207A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60180207A (ja) | 1985-09-14 |
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