JPS60178480A - 固体表示装置の作製方法 - Google Patents
固体表示装置の作製方法Info
- Publication number
- JPS60178480A JPS60178480A JP59035572A JP3557284A JPS60178480A JP S60178480 A JPS60178480 A JP S60178480A JP 59035572 A JP59035572 A JP 59035572A JP 3557284 A JP3557284 A JP 3557284A JP S60178480 A JPS60178480 A JP S60178480A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- electrode
- igf
- gate
- solid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/36—Hydrogen production from non-carbon containing sources, e.g. by water electrolysis
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマトリックス構成された固体表示装置（パネル
）において、１つの表示用絵素に対応して絶縁ディト型
半導体装置（以下ＩＧＦという）を設け、かかるＩＧＦ
が電気的に故障している場合、この故障したＩＧＦに電
気パルスを印加してゲイト電極の不良箇所の電極材料を
昇華して除去する（以下トリミングという）ことにより
良品とし、パネル全体の製造歩留りの向上をはかること
を目的としている。
）において、１つの表示用絵素に対応して絶縁ディト型
半導体装置（以下ＩＧＦという）を設け、かかるＩＧＦ
が電気的に故障している場合、この故障したＩＧＦに電
気パルスを印加してゲイト電極の不良箇所の電極材料を
昇華して除去する（以下トリミングという）ことにより
良品とし、パネル全体の製造歩留りの向上をはかること
を目的としている。
本発明は、トリミング可能なＩＧＦとして、透光性絶縁
性基板上の第１の導電性電極、第１の半導体、第１の絶
縁体、第２の半導体、第２の導電性電極および第２の絶
縁体よりなる６層に積層された積層体の側部における第
１の絶縁体の側面上に形成する第３の半導体によりチャ
ネル形成領域を構成せしめたＩＧＦを用いたものである
。このＩＧＦのソースまたはドレインを各絵素に連結し
た固体表示装置を設けることに関する。
性基板上の第１の導電性電極、第１の半導体、第１の絶
縁体、第２の半導体、第２の導電性電極および第２の絶
縁体よりなる６層に積層された積層体の側部における第
１の絶縁体の側面上に形成する第３の半導体によりチャ
ネル形成領域を構成せしめたＩＧＦを用いたものである
。このＩＧＦのソースまたはドレインを各絵素に連結し
た固体表示装置を設けることに関する。
本発明はかかるＩＧＦのゲイトに関し、ゲイト電極が昇
華して部分的に除去されやすく、加えてパルスが不十分
であった時、ゲイト電極材料とゲイト絶縁物とが酸化反
応し、チャネル形成領域の半導体とがショートし続ける
ことを防ぐことを特長とする。このためゲイト電極は昇
華性の材料であるクロムを主成分とし、酸化スズまたは
酸化インジュームを主成分とする酸化物導電物または珪
素を主成分とする半導体とよりなり、さらにゲイ１〜絶
縁物は窒化物即ち窒化珪素、または炭化物即ち炭化珪素
絶縁物よりなる。そしてゲイト電極は３０〜１０００人
の厚さを有し、パルスのエネルギにより十分気化する程
度に厚さが薄く設けられている。
華して部分的に除去されやすく、加えてパルスが不十分
であった時、ゲイト電極材料とゲイト絶縁物とが酸化反
応し、チャネル形成領域の半導体とがショートし続ける
ことを防ぐことを特長とする。このためゲイト電極は昇
華性の材料であるクロムを主成分とし、酸化スズまたは
酸化インジュームを主成分とする酸化物導電物または珪
素を主成分とする半導体とよりなり、さらにゲイ１〜絶
縁物は窒化物即ち窒化珪素、または炭化物即ち炭化珪素
絶縁物よりなる。そしてゲイト電極は３０〜１０００人
の厚さを有し、パルスのエネルギにより十分気化する程
度に厚さが薄く設けられている。
そしてＡＩ、Ａｇ等のごとく大きい熱伝導度を有さない
材料であることが特長である。
材料であることが特長である。
本発明はかかるマトリックス構造の複合半導体装置を基
板上に設け、固体表示装置である液晶表示型、エレクト
ロ・クロミック表示型等のディスプレイ装置とすること
を目的としている。
板上に設け、固体表示装置である液晶表示型、エレクト
ロ・クロミック表示型等のディスプレイ装置とすること
を目的としている。
平面型の固体表示装置を設ける場合、平行な透光性基板
例えばガラス、プラスチック板上に一対の電極を設けて
この電極間に液晶を注入した液晶□の固体表示装置が知
られている。
例えばガラス、プラスチック板上に一対の電極を設けて
この電極間に液晶を注入した液晶□の固体表示装置が知
られている。
この液晶表示またはエレクトロ・クロミック表示素子は
その等価回路としてキャパシタ（以下Ｃという）にて示
すことができる。このためＩＧＦとＣとを例えば２×２
のマトリックス構成せしめたものを第１図に示す。
その等価回路としてキャパシタ（以下Ｃという）にて示
すことができる。このためＩＧＦとＣとを例えば２×２
のマトリックス構成せしめたものを第１図に示す。
第１図において、マトリックスの各番地は一対を構成す
るＩＧＦ （１０）と、表示部としてのｃ （７０）に
より１個の絵素を構成させている。
るＩＧＦ （１０）と、表示部としてのｃ （７０）に
より１個の絵素を構成させている。
これらを列（Ｙ方向のリードバ５１）、（５２）として
ビット線に連結し、他方、ディト電極を枝とじて連結さ
れた行（Ｘ方向のり−ドＸ５３）、＜５４０ワード線）
を設けたものである。
ビット線に連結し、他方、ディト電極を枝とじて連結さ
れた行（Ｘ方向のり−ドＸ５３）、＜５４０ワード線）
を設けたものである。
すると、例えば（５１）、＜５３）を「１」とし、（５
２）、（５４）を「０」とすると、ＩＧＦ （１０）は
オンとなり、他の番地のＩＧＦはオフとなる。そして任
意のビット線とワード線を１つづつ選択してオンするこ
とにより、電気的等価素子Ｃ（７０）で示される表示部
を選択的にオン状態にすることができる。
２）、（５４）を「０」とすると、ＩＧＦ （１０）は
オンとなり、他の番地のＩＧＦはオフとなる。そして任
意のビット線とワード線を１つづつ選択してオンするこ
とにより、電気的等価素子Ｃ（７０）で示される表示部
を選択的にオン状態にすることができる。
本発明は、固体表示装置におけるアクティブ絵素が例え
ば６４０ Ｘ５２５である時、そのすべての絵素のＩＧ
Ｆを圧密に動作させることはその製品歩留りを考慮する
とまったく不可能である。このため本発明の一対のＩＧ
Ｆのうち一方のＩＧＦのゲイトに破損（ショート）が生
している場合、この破損しているＩＧＦに電気的パルス
を加えてショートした部分の電極の一部を気化して除去
してしまうことにより良品とするいわゆる冗長用プロセ
スを各絵素に設けたものである。加えてこのＩＧＦのデ
ィト電極はパルスにより気化しやすい昇華性金属を用い
、特に昇華性金属でありかつ熱伝導度が小さい（もし大
きいとパルスにより発生した熱が電極の横方向に拡がり
、材料自体を気化できない）クロムを主成分としている
金属を用いたものである。
ば６４０ Ｘ５２５である時、そのすべての絵素のＩＧ
Ｆを圧密に動作させることはその製品歩留りを考慮する
とまったく不可能である。このため本発明の一対のＩＧ
Ｆのうち一方のＩＧＦのゲイトに破損（ショート）が生
している場合、この破損しているＩＧＦに電気的パルス
を加えてショートした部分の電極の一部を気化して除去
してしまうことにより良品とするいわゆる冗長用プロセ
スを各絵素に設けたものである。加えてこのＩＧＦのデ
ィト電極はパルスにより気化しやすい昇華性金属を用い
、特に昇華性金属でありかつ熱伝導度が小さい（もし大
きいとパルスにより発生した熱が電極の横方向に拡がり
、材料自体を気化できない）クロムを主成分としている
金属を用いたものである。
またこのゲイト電極をトリミングしてもＸ方向のリード
はシート抵抗を０．１Ω／口以下とするため０．５〜３
μの厚さのアルミニュームを主成分とする被膜よりなり
、何等の支障のないようになさしめたものであることを
特長としている。
はシート抵抗を０．１Ω／口以下とするため０．５〜３
μの厚さのアルミニュームを主成分とする被膜よりなり
、何等の支障のないようになさしめたものであることを
特長としている。
かくすることによって、本発明をその設計仕様に基づい
て組み合わせることにより、ブラウン管に代わる平面テ
レビ用の固体表示装置を作ることができた。
て組み合わせることにより、ブラウン管に代わる平面テ
レビ用の固体表示装置を作ることができた。
第２図は本発明を実施するための積層型ＩＧＦの縦断面
図およびその製造工程を示したものである。
図およびその製造工程を示したものである。
この図面は表示絵素駆動用にＩＧＦを用い、これらを１
つの積層体にそって作製する製造例を示すが、同−基板
に複数ケ作る場合もまったく同様である。
つの積層体にそって作製する製造例を示すが、同−基板
に複数ケ作る場合もまったく同様である。
図面において、絶縁基板（１）例えば石英ガラスまたは
ホウ珪酸ガラス基板又は有機フィルム」ニに第１の導電
膜（２）を下側電極、絵素の一方の電極として設けた。
ホウ珪酸ガラス基板又は有機フィルム」ニに第１の導電
膜（２）を下側電極、絵素の一方の電極として設けた。
この実施例では弗素が添加された酸化スズを主成分とす
る透光性導電膜を０．３μの厚さに形成している。これ
に選択エッチを第１のマスク■を用いて施した。さらに
この上面にＰまたはＮ型の導電型を有する第１の非単結
晶半導体（３）（以下単に５１という）を１００〜３０
００人、第１の絶縁体（４）（以下単にＳ２というＸｏ
、３〜３μ）、第１の半導体と同一導電型を有する第３
の半導体（５）〈以下単に３３という）〈０．１〜０．
５μ）を積層（スタック即ちＳという）して設けた。こ
の積層によりＮＩＮ、 ＰＩＰ構造（Ｉは絶縁体）を有
せしめた。
る透光性導電膜を０．３μの厚さに形成している。これ
に選択エッチを第１のマスク■を用いて施した。さらに
この上面にＰまたはＮ型の導電型を有する第１の非単結
晶半導体（３）（以下単に５１という）を１００〜３０
００人、第１の絶縁体（４）（以下単にＳ２というＸｏ
、３〜３μ）、第１の半導体と同一導電型を有する第３
の半導体（５）〈以下単に３３という）〈０．１〜０．
５μ）を積層（スタック即ちＳという）して設けた。こ
の積層によりＮＩＮ、 ＰＩＰ構造（Ｉは絶縁体）を有
せしめた。
この上面に、ＩＴＯ（酸化インジューム・スズ）、Ｍｏ
Ｓｉ、、 Ｔｉ５ｉｚ ＋ ＷＳｉｔ ＋ Ｗ、 Ｔｉ
１Ｍｏ、 Ｃｒを主成分とする耐熱性金属の第２の導
電ＩＮ（６８以下Ｓ５ともいう）７ここでは半導体に′
ｅＢＭｉシてクロムを生成分とする金属（５００〜３０
００人〉を用い（さらにその上面にアルミニュームを０
．５〜２μ例えば１μとして積層して用いた。さらにそ
の上層に眉間絶縁物として有効な第２の絶縁体（７〉く
以下単にＳ５）を０．５〜５μ例えば１μｍの厚さに積
層した。この絶縁体はＬＰ ＣＶＤ法、ＰＣＶＤ法また
は光ＣＶＯ等により作られた酸化珪素膜、窒化珪素膜ま
たはＰＩＱ等の有機樹脂とした。
Ｓｉ、、 Ｔｉ５ｉｚ ＋ ＷＳｉｔ ＋ Ｗ、 Ｔｉ
１Ｍｏ、 Ｃｒを主成分とする耐熱性金属の第２の導
電ＩＮ（６８以下Ｓ５ともいう）７ここでは半導体に′
ｅＢＭｉシてクロムを生成分とする金属（５００〜３０
００人〉を用い（さらにその上面にアルミニュームを０
．５〜２μ例えば１μとして積層して用いた。さらにそ
の上層に眉間絶縁物として有効な第２の絶縁体（７〉く
以下単にＳ５）を０．５〜５μ例えば１μｍの厚さに積
層した。この絶縁体はＬＰ ＣＶＤ法、ＰＣＶＤ法また
は光ＣＶＯ等により作られた酸化珪素膜、窒化珪素膜ま
たはＰＩＱ等の有機樹脂とした。
この第１、第３の半導体のＮ、Ｐ層をＮ“ＮまたはＰ”
ＰとしてＮ’ＮＩＮＮ″、Ｐ“ＰＩＰＰ” （Ｉば絶縁
体）としてＰまたはＮと第１、第２の電極との接触抵抗
を下げることは有効であった。
ＰとしてＮ’ＮＩＮＮ″、Ｐ“ＰＩＰＰ” （Ｉば絶縁
体）としてＰまたはＮと第１、第２の電極との接触抵抗
を下げることは有効であった。
かくのごとくにして、第１の導体（１２）、第１のの半
導体（１３）、第１の絶縁体（Ｉ４）、第３の半導体（
１５）、第２の導体（１６）および第２の絶縁体（１７
）よりなる積層体＜６０）をマスク■を用いて形成して
得た。
導体（１３）、第１の絶縁体（Ｉ４）、第３の半導体（
１５）、第２の導体（１６）および第２の絶縁体（１７
）よりなる積層体＜６０）をマスク■を用いて形成して
得た。
ここではプラズマ気相エッチ例えばＩｉＦ気体またはＣ
％＋ＯＬの混合気体を用い、０．．１〜０．５ｔｏｒｒ
、３０Ｗとしてエッチ速度５００人／分とした。
％＋ＯＬの混合気体を用い、０．．１〜０．５ｔｏｒｒ
、３０Ｗとしてエッチ速度５００人／分とした。
この後、これら積層体５１（１３）、ｓ２ （１４）、
Ｓ３ （１５）、導体（１６）、絶縁体（１７）を覆っ
てチャネル形成領域を構成する真性またはＰ−またはＮ
−型の非単結晶半導体を第３の半導体（２４）として積
層させた。
Ｓ３ （１５）、導体（１６）、絶縁体（１７）を覆っ
てチャネル形成領域を構成する真性またはＰ−またはＮ
−型の非単結晶半導体を第３の半導体（２４）として積
層させた。
この第３の半導体（２４）は、基板上にシランのグロー
放電法（ｐｃｖｏ法）、光ＣＶＤ法、ＬＴ ＣＶＤ法（
ＩＩＯＭＯＣＶＤ法ともいう）を利用して室温〜５００
℃の温度例えばｐｃｖＤ法における２００℃、０．１ｔ
ｏｒｒ、３０Ｗ、１３．５６Ｍ１ｌｚの条件士にて設け
たもので、水素または弗素が添加された非晶質（アモル
ファス）または半非晶質（セミアモルファス）または多
結晶構造の非単結晶珪素半導体を用いている。本発明に
おいてはアモルファスまたはセミアモルファス半導体を
中心として示す。
放電法（ｐｃｖｏ法）、光ＣＶＤ法、ＬＴ ＣＶＤ法（
ＩＩＯＭＯＣＶＤ法ともいう）を利用して室温〜５００
℃の温度例えばｐｃｖＤ法における２００℃、０．１ｔ
ｏｒｒ、３０Ｗ、１３．５６Ｍ１ｌｚの条件士にて設け
たもので、水素または弗素が添加された非晶質（アモル
ファス）または半非晶質（セミアモルファス）または多
結晶構造の非単結晶珪素半導体を用いている。本発明に
おいてはアモルファスまたはセミアモルファス半導体を
中心として示す。
さらに、その上面に同一反応炉にて、第３の半導体表面
を大気に触れさせることなく窒化珪素膜（２５）を光Ｃ
ＶＤ法にてシラン（ジシランでも可）とアンモニアとで
水銀励起法の気相反応により作製し、厚さは３００〜２
０００人とした。
を大気に触れさせることなく窒化珪素膜（２５）を光Ｃ
ＶＤ法にてシラン（ジシランでも可）とアンモニアとで
水銀励起法の気相反応により作製し、厚さは３００〜２
０００人とした。
この絶縁膜は１３．５６Ｍ１ｌｚ 〜２．４５ＧＩＩｚ
の周波数の電磁エネルギにより活性化した窒素またはア
ンモニア雰囲気に１００〜４００℃浸して固相−気相反
応の窒化珪素を形成してもよい。
の周波数の電磁エネルギにより活性化した窒素またはア
ンモニア雰囲気に１００〜４００℃浸して固相−気相反
応の窒化珪素を形成してもよい。
また、ＤＭＳ （Ｉｌ、Ｓｉ （Ｃ１ｌ、入）、Ｍに（
１１，５ｉ（ｃ馬））のごときメチルシランを用いて炭
化珪素絶縁膜を光ＣＶＤ法により形成させてもよい。
１１，５ｉ（ｃ馬））のごときメチルシランを用いて炭
化珪素絶縁膜を光ＣＶＤ法により形成させてもよい。
かくして第２図（Ｂ）に示すごときＳ２ （１４）の側
周辺では、チャネル形成領域（９）とその上のディト絶
縁物（２５）としての窒化物または炭化物の絶縁物を形
成させた。第３の半導体（２４）はＳｌ。
周辺では、チャネル形成領域（９）とその上のディト絶
縁物（２５）としての窒化物または炭化物の絶縁物を形
成させた。第３の半導体（２４）はＳｌ。
Ｓ３とはダイオード接合を構成させている。
第２図（Ｂ）において、この後この積層体上を覆って第
３の導電膜（１８）を２００〜２０００人のｊｙさ例え
ば５００人に形成した。
３の導電膜（１８）を２００〜２０００人のｊｙさ例え
ば５００人に形成した。
この導電膜（１８）はＩＴＯ（酸化インジューム・スズ
）、酸化スズ、酸化インジュームのごとき透光性導電膜
＋ Ｓ ｉ＋ Ｍｏ ＋ Ｃｒを主成分とする耐熱性を
有しかつ昇華性の導電膜とした。
）、酸化スズ、酸化インジュームのごとき透光性導電膜
＋ Ｓ ｉ＋ Ｍｏ ＋ Ｃｒを主成分とする耐熱性を
有しかつ昇華性の導電膜とした。
特にここではＩＴＯ（３Ｑ〜１０００人）またはクロム
を主成分とする金属（３０〜１０００人）との１層膜ま
たは２層膜により成就した。
を主成分とする金属（３０〜１０００人）との１層膜ま
たは２層膜により成就した。
さらにこの上面にアルミニュームを０．５〜３μ例えば
１．５μの厚さに真空蒸着法により積ＩＭＬ、そのシー
ト抵抗を０．１Ω／口以下とした。
１．５μの厚さに真空蒸着法により積ＩＭＬ、そのシー
ト抵抗を０．１Ω／口以下とした。
この後、この上面にレジストを形成し、第３のマスク■
を用いて第３図に図示されているワードＬ’Ａ （Ｘ
方向＞＜５１）用のアルミニュームのエツチングをした
。さらに第４のマスク■を用いてゲイト電極（１９＞、
＜ １９ ’ ）をエツチング法により形成した。
を用いて第３図に図示されているワードＬ’Ａ （Ｘ
方向＞＜５１）用のアルミニュームのエツチングをした
。さらに第４のマスク■を用いてゲイト電極（１９＞、
＜ １９ ’ ）をエツチング法により形成した。
かくして第２図（Ｃ）を得た。
本発明において、第３図（Ａ）に示されるリード（５１
）のエツチングを行い、その後にクロムを主成分とする
金属のエツチングを行ったのはアルミニュームのエツチ
ング法がゲイト電極下のゲイト絶縁物にゲイト電極の側
周辺よりまわりこみ、ディト絶縁膜を劣化させてしまう
ことを防ぐためである。
）のエツチングを行い、その後にクロムを主成分とする
金属のエツチングを行ったのはアルミニュームのエツチ
ング法がゲイト電極下のゲイト絶縁物にゲイト電極の側
周辺よりまわりこみ、ディト絶縁膜を劣化させてしまう
ことを防ぐためである。
第２図（Ｃ）より明らかなごとく、ソースまたはドレイ
ンを３１ （１３）、チャネル形成領域（９）を有する
Ｓ４ （２４）、ドレインまたばソースをＳ３ （１５
）により形成せしめ、チャネル・形成領域側面にはゲイ
ト絶縁物（２５）、その外側面にゲイト電極（１９）を
設けた積層型のＩＧＦ （１０）を作ることができた。
ンを３１ （１３）、チャネル形成領域（９）を有する
Ｓ４ （２４）、ドレインまたばソースをＳ３ （１５
）により形成せしめ、チャネル・形成領域側面にはゲイ
ト絶縁物（２５）、その外側面にゲイト電極（１９）を
設けた積層型のＩＧＦ （１０）を作ることができた。
さて、マトリックス構成されたＩＧＦ群のうちのあるＩ
ＧＦの動作特性の洞査をせんとする場合、不良ＩＧＦが
一般にパネル６４０ Ｘ５２５の群のうら１〜２０ケは
存在してしまう。この不良モードは例えばその一方のゲ
イト電極とソースまたはドレインとがショートしてしま
うものである。またはゲイト電極（１９）と絵素を構成
する導電性電極（１２）とのショートが発生ずる場合で
ある。かがる場合、素子の電極（３６）がキャパシタの
一方の電極であるため、駆動動作の一定の時間蓄積され
た電荷を正常動作のためには保持し続けなければならな
い。
ＧＦの動作特性の洞査をせんとする場合、不良ＩＧＦが
一般にパネル６４０ Ｘ５２５の群のうら１〜２０ケは
存在してしまう。この不良モードは例えばその一方のゲ
イト電極とソースまたはドレインとがショートしてしま
うものである。またはゲイト電極（１９）と絵素を構成
する導電性電極（１２）とのショートが発生ずる場合で
ある。かがる場合、素子の電極（３６）がキャパシタの
一方の電極であるため、駆動動作の一定の時間蓄積され
た電荷を正常動作のためには保持し続けなければならな
い。
しかし、もしショーＩ−が起きているとこの電荷保持が
不可能である。
不可能である。
かかる故障のＩＧＦはＩＧＦの駆動用のＸ方向のリード
およびＹ方向のリード間に電流がＩｏｎ八以へ（各ＩＧ
Ｆはチャネル長１μ、チャネルｒｌＪ２ ｍｍとする）
流れてしまう。
およびＹ方向のリード間に電流がＩｏｎ八以へ（各ＩＧ
Ｆはチャネル長１μ、チャネルｒｌＪ２ ｍｍとする）
流れてしまう。
もちろん本発明においては、Ｘ方向のリードはアルミニ
ュームを主配線とするため、シート抵抗も０．１９７口
以下であり、１１さば０．５ μ以上を自する。しかし
他方、このリードより枝分かれしたＩＧＦのゲイト電極
はＩＴＯのみ、ＩＴＯとクロムを主成分とする金属また
はクロムを主成分とする金属のみにより形成し、薄い厚
さく例えば１００〜８００人）の昇華性導体を用いてい
る。
ュームを主配線とするため、シート抵抗も０．１９７口
以下であり、１１さば０．５ μ以上を自する。しかし
他方、このリードより枝分かれしたＩＧＦのゲイト電極
はＩＴＯのみ、ＩＴＯとクロムを主成分とする金属また
はクロムを主成分とする金属のみにより形成し、薄い厚
さく例えば１００〜８００人）の昇華性導体を用いてい
る。
即ちかかる昇華性を有する金属をゲイ１〜電極とし、か
つその厚さが薄い場合、パルス電圧をＸ方向のリードと
Ｙ方向のリード間に良品のゲイト絶縁物が破損しない程
度であって、高い電圧で加えることが可能である。この
パルス電気はリード線の抵抗で「なまる」ことなく、急
峻な波形でゲイト電極に加わりリークしている、または
ショートしている不良部分のみが発熱し、その上の電極
を部分的に昇華させて除去することが可能となった。
つその厚さが薄い場合、パルス電圧をＸ方向のリードと
Ｙ方向のリード間に良品のゲイト絶縁物が破損しない程
度であって、高い電圧で加えることが可能である。この
パルス電気はリード線の抵抗で「なまる」ことなく、急
峻な波形でゲイト電極に加わりリークしている、または
ショートしている不良部分のみが発熱し、その上の電極
を部分的に昇華させて除去することが可能となった。
この時加えてこの金属とゲイ１−絶縁物とが酸化するこ
とにより低級不良導体を作ってショートが持続すること
のないようゲイト絶縁物は酸化物ではない窒化物の窒化
珪素または炭化物の炭化珪素とした。
とにより低級不良導体を作ってショートが持続すること
のないようゲイト絶縁物は酸化物ではない窒化物の窒化
珪素または炭化物の炭化珪素とした。
即ち、ゲイト電極はアルミニューム等絶縁物と反応しや
すい金属である場合は、低級酸化物を作りやすいため、
さらにまたは絶縁膜中に拡散しやすい金属（金等）であ
ることは好ましくなかった。
すい金属である場合は、低級酸化物を作りやすいため、
さらにまたは絶縁膜中に拡散しやすい金属（金等）であ
ることは好ましくなかった。
かくのごとくして対構成をしたＩＧＦの一方が故障であ
った場合、そのゲイト電極を単にパルス電圧を加えてト
リミングして除去する、またはり−トからゲイト電極を
レーザトリミングにより除去するという２つの方法を６
４０ Ｘ５２５のマトリックス絵素のうちの不良ＩＧＦ
のすべてに施し、良品として駆動させることが可能とな
った。
った場合、そのゲイト電極を単にパルス電圧を加えてト
リミングして除去する、またはり−トからゲイト電極を
レーザトリミングにより除去するという２つの方法を６
４０ Ｘ５２５のマトリックス絵素のうちの不良ＩＧＦ
のすべてに施し、良品として駆動させることが可能とな
った。
第３図は第２図に示したＩＧＦを用いて、第１図に示し
た本発明の固体表示装置の部分の平面図を示したもので
ある。
た本発明の固体表示装置の部分の平面図を示したもので
ある。
第３図（Ａ）は第１図の（ＬＬ ＞、（１，２）、＜２
．１． ）。
．１． ）。
（２，２）の番地に対応した特に（１２）の番地のＩＧ
Ｆの平面図である。さらに第３図（Ｂ）は第３図（Ａ）
のＢ−Ｂ ′の縦断面図である。また第３図（Ａ）のＡ
−Ａ’の縦断面図には第２図（Ｃ）が対応している。こ
のＩＧＦの下側の電極（１２）より延在した電極（第３
図では下側に設けられている）（３６）は、絵素を構成
する液晶（キャパシタ）（７０）に連結せしめている。
Ｆの平面図である。さらに第３図（Ｂ）は第３図（Ａ）
のＢ−Ｂ ′の縦断面図である。また第３図（Ａ）のＡ
−Ａ’の縦断面図には第２図（Ｃ）が対応している。こ
のＩＧＦの下側の電極（１２）より延在した電極（第３
図では下側に設けられている）（３６）は、絵素を構成
する液晶（キャパシタ）（７０）に連結せしめている。
他方は液晶（７０）の接地電極は図示されていないが、
上方に液晶（７０）をはさんで設けられる。
上方に液晶（７０）をはさんで設けられる。
第３図において、積層体（６０）に対し、これにそって
設けられたゲイト電極（１９）は積層体（６０）と直交
して設けられているＸ方向のり−ド（５３）に連結して
いる。積層体（６０）の内部に設けられている第２の導
電膜（５１）は、Ｙ方向のリード配線とし構成させた。
設けられたゲイト電極（１９）は積層体（６０）と直交
して設けられているＸ方向のり−ド（５３）に連結して
いる。積層体（６０）の内部に設けられている第２の導
電膜（５１）は、Ｙ方向のリード配線とし構成させた。
かくしてＸ方向、Ｙ方向に７１−リソクス構成を有し、
ＩＴｒ／絵素構造を有せしめることができた。
ＩＴｒ／絵素構造を有せしめることができた。
さらに第３図より明らかなごとく、このディスプレイの
製造は５回（素子のみでは３回）のフォトエツチングに
より得ることができた。従来は７回も用いていたが、本
発明構成はこの回数を２回少なくすることができた。ま
た本発明のディスプレイのＩＧＦに必要な面積は全体の
１％以下である。
製造は５回（素子のみでは３回）のフォトエツチングに
より得ることができた。従来は７回も用いていたが、本
発明構成はこの回数を２回少なくすることができた。ま
た本発明のディスプレイのＩＧＦに必要な面積は全体の
１％以下である。
表示部は９１％、リード部８％であった。本発明は２０
インチの大型ディスプレイを製造するに際し、ＴＪｆｉ
在のマスク製造技術ではマスクの最少線中は２５μとな
ってしまう。しかし本発明はかかる２５μをＸ、Ｙ方向
のリードとして用いながら、このＩＧＦのチャネル長は
１μまたはそれ以下にマスク精度の制限をまったく受け
ないという大きな特長を有する。そしてチャネル長の短
いＩＧＦであるため、基板におけるＩＧＦとして必要な
面積を少なくでき、かつフォトリソグラフィの精度が動
作周波数の上限を限定しないという他の特長を有する。
インチの大型ディスプレイを製造するに際し、ＴＪｆｉ
在のマスク製造技術ではマスクの最少線中は２５μとな
ってしまう。しかし本発明はかかる２５μをＸ、Ｙ方向
のリードとして用いながら、このＩＧＦのチャネル長は
１μまたはそれ以下にマスク精度の制限をまったく受け
ないという大きな特長を有する。そしてチャネル長の短
いＩＧＦであるため、基板におけるＩＧＦとして必要な
面積を少なくでき、かつフォトリソグラフィの精度が動
作周波数の上限を限定しないという他の特長を有する。
さらにこれらの絵素を高周波で動作させるため、ＩＧＦ
の周波数特性がきわめて重要であるが、本発明（７）Ｉ
ＧＦはＶ、、＝５Ｖ、Ｖ、、 ＝５Ｖにおいてカットオ
フ周波数１０Ｍｌ１ｚ以上（１７，５Ｍ１ｌｚ ＸＮチ
ャネルＩＧＦ ）を有せしめることができた。ν、、＝
０．２〜２ｖにすることが５４ （２５）への添加不純
物の濃度制御で可能となった。
の周波数特性がきわめて重要であるが、本発明（７）Ｉ
ＧＦはＶ、、＝５Ｖ、Ｖ、、 ＝５Ｖにおいてカットオ
フ周波数１０Ｍｌ１ｚ以上（１７，５Ｍ１ｌｚ ＸＮチ
ャネルＩＧＦ ）を有せしめることができた。ν、、＝
０．２〜２ｖにすることが５４ （２５）への添加不純
物の濃度制御で可能となった。
かくのごと＜ ＩＧＦ不良部分のみ電気パルスによりト
リミングをしてゲイト電極の不良部分のみを選択的に昇
華気化させてしまうことによりパネル全体の歩留りをこ
れまでの３％しかない状態より（不良絵素が５ケ以下を
良品とする）４０％を越えるほどの歩留りにまで向上さ
せることができた。
リミングをしてゲイト電極の不良部分のみを選択的に昇
華気化させてしまうことによりパネル全体の歩留りをこ
れまでの３％しかない状態より（不良絵素が５ケ以下を
良品とする）４０％を越えるほどの歩留りにまで向上さ
せることができた。
さらにこれらのトリミング処理をしてしまった後、この
ＩＧＦのオーバコート用ポリイミド樹脂により、絵素の
部分のみに液晶（７０）を充填させている。
ＩＧＦのオーバコート用ポリイミド樹脂により、絵素の
部分のみに液晶（７０）を充填させている。
本発明において、液晶（７０）用の配向処理がされた２
つの電極間を１〜１０μとし、その間隙に例えばＧｌｌ
型の液晶を注入し、加えて基板内に赤、緑、黄のフィル
タをうめこむことによりこのディスプレイをカラー表示
することが可能である。そして赤緑黄の３つの要素を交
互に配列せしめればよい。
つの電極間を１〜１０μとし、その間隙に例えばＧｌｌ
型の液晶を注入し、加えて基板内に赤、緑、黄のフィル
タをうめこむことによりこのディスプレイをカラー表示
することが可能である。そして赤緑黄の３つの要素を交
互に配列せしめればよい。
本発明において第２の積層体として半導体を用いこの側
周辺をチャネル形成領域として用いることは有効である
。しかしかかる構造においては第３の半導体を形成する
工程がないという特長を有するが、かかる場合この半導
体の表面がエツチング雰囲気にさらされるため、界面準
位密度が前記した第３の半導体を用いる方法に比べて大
きくなり、各ＩＧＦ間にバラツキが発生してしまうとい
う欠点を有する。
周辺をチャネル形成領域として用いることは有効である
。しかしかかる構造においては第３の半導体を形成する
工程がないという特長を有するが、かかる場合この半導
体の表面がエツチング雰囲気にさらされるため、界面準
位密度が前記した第３の半導体を用いる方法に比べて大
きくなり、各ＩＧＦ間にバラツキが発生してしまうとい
う欠点を有する。
本発明における非単結晶半導体は珪素、ケルマニューム
または炭化珪素（ＳｉｘＣ１−×０．８＜ ｘ ＜ １
）を用いた。
または炭化珪素（ＳｉｘＣ１−×０．８＜ ｘ ＜ １
）を用いた。
第１図は本発明の固体表示装置の絶縁ゲイ１−型半導体
装置とキャパシタとを絵素としたマトリックス構造の等
価回路を示す。 第２図（Ａ ＞、＜ Ｂ ）、＜ Ｃ）は本発明の積層
型絶縁ゲイト型半導体装置の工程を示す縦ｌｖｉ面図で
ある。 第３図（Ａ ＞、＜ Ｂ ）は本発明の積層型絶縁ゲイ
ト型半導体装置とキャパシタまた表示部とを一体化した
平面ディスプレイを示す固体表示装置のＭＫ １４１ｉ
面図である。 特許出願人
装置とキャパシタとを絵素としたマトリックス構造の等
価回路を示す。 第２図（Ａ ＞、＜ Ｂ ）、＜ Ｃ）は本発明の積層
型絶縁ゲイト型半導体装置の工程を示す縦ｌｖｉ面図で
ある。 第３図（Ａ ＞、＜ Ｂ ）は本発明の積層型絶縁ゲイ
ト型半導体装置とキャパシタまた表示部とを一体化した
平面ディスプレイを示す固体表示装置のＭＫ １４１ｉ
面図である。 特許出願人
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 置における不良の半導体装置に対し、Ｘ方向のリードお
よびＹ方向のリードより電気パルスを印加し、ゲイト電
極の一部を選択的に除去して良品に変成しめることを特
徴とする固体表示装置の作製方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、絶縁ゲイト型半導
体装置は透光性絶縁基板上の透光性導電膜を有する第１
の電極と該電極上に第１の半導体、第１の絶縁体、第２
の半導体、第２の導電膜および眉間絶縁物を概略同一形
状に積層した積層体を有し、前記第１および第２の半導
体をしてドレインおよびソースを構成せしめ、前記積層
体の側部に隣接した第３の半導体によりチャネル形成領
域を構成して設け、前記半導体上にゲイト絶縁膜とゲイ
ト電極とが前記積層体の側面に配設して設けられたこと
を特徴とする固体表示装置の作製方法。 ３、特許請求の範囲第１項または第２項において、不良
の半導体装置のゲイト電極は３００〜１０００人の厚さ
を有し、さらにゲイト絶縁膜は窒化物または炭化物の絶
縁性被膜よりなることを特徴とした固体表示装置の作製
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59035572A JPS60178480A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 固体表示装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59035572A JPS60178480A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 固体表示装置の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60178480A true JPS60178480A (ja) | 1985-09-12 |
| JPH0568707B2 JPH0568707B2 (ja) | 1993-09-29 |
Family
ID=12445470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59035572A Granted JPS60178480A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 固体表示装置の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60178480A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4865578A (ja) * | 1971-12-06 | 1973-09-10 | ||
| JPS54119189A (en) * | 1978-03-08 | 1979-09-14 | Daijietsuto Kougiyou Kk | Circumferential blade milling cutter |
-
1984
- 1984-02-27 JP JP59035572A patent/JPS60178480A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4865578A (ja) * | 1971-12-06 | 1973-09-10 | ||
| JPS54119189A (en) * | 1978-03-08 | 1979-09-14 | Daijietsuto Kougiyou Kk | Circumferential blade milling cutter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0568707B2 (ja) | 1993-09-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5808315A (en) | Thin film transistor having transparent conductive film | |
| JPS59501562A (ja) | 薄膜トランジスタとコンデンサとを用いた表示スクリーンの製造方法 | |
| KR20070121594A (ko) | Ｔｆｔ 어레이 기판 및 그 제조 방법 | |
| JPH0862628A (ja) | 液晶表示素子およびその製造方法 | |
| JPS62500745A (ja) | 能動マトリクスデイスプレイスクリ−ンの製造方法 | |
| JPH0580650B2 (ja) | ||
| JPH0451120A (ja) | 薄膜電界効果型トランジスタ駆動液晶表示素子アレイ | |
| JPH0376589B2 (ja) | ||
| JPS60178480A (ja) | 固体表示装置の作製方法 | |
| JPS60177381A (ja) | 固体表示装置の作製方法 | |
| JP2948436B2 (ja) | 薄膜トランジスタおよびそれを用いる液晶表示装置 | |
| JPS60177380A (ja) | 固体表示装置 | |
| JPS61188968A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JP3006074B2 (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示パネルの製造方法 | |
| JPH0833554B2 (ja) | 画像表示装置用半導体およびその製造方法 | |
| JPH0722202B2 (ja) | 絶縁ゲイト型電界効果半導体装置 | |
| JPH05265041A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPS60186065A (ja) | 絶縁ゲイト型電界効果半導体装置およびその作製方法 | |
| JPS6076170A (ja) | 絶縁ゲイト型半導体装置作製方法 | |
| JPH07225398A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPS60180171A (ja) | 絶縁ゲイト型電界効果半導体装置およびトリミング方法 | |
| JPS6315282A (ja) | アクテイブマトリクス基板 | |
| JPS60164790A (ja) | 固体表示装置 | |
| JPH1039324A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH05158069A (ja) | 液晶表示装置 |