JPS60173833A - パタン形成方法およびパタン形成装置 - Google Patents

パタン形成方法およびパタン形成装置

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Publication number
JPS60173833A
JPS60173833A JP59022866A JP2286684A JPS60173833A JP S60173833 A JPS60173833 A JP S60173833A JP 59022866 A JP59022866 A JP 59022866A JP 2286684 A JP2286684 A JP 2286684A JP S60173833 A JPS60173833 A JP S60173833A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
deflection
chip
batten
drawn
Prior art date
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Pending
Application number
JP59022866A
Other languages
English (en)
Inventor
Korehito Matsuda
松田 維人
Katsuyuki Harada
原田 勝征
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP59022866A priority Critical patent/JPS60173833A/ja
Publication of JPS60173833A publication Critical patent/JPS60173833A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302Controlling tubes by external information, e.g. programme control
    • H01J37/3023Programme control

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、電子ビームまたはイオンビームなと荷電ビー
ムを用いて例えば大規模集積回路(LSI)等の高精度
なバタン形成を行なうバタン形成方法およびバタン形成
装置に関するものである。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
一般に、荷電ビームを用いて、LSI等のバタンを形成
する場合、荷電ビームに感応するレジストに荷電ビーム
を照射して所望のバタンを描画・現像し、エツチングマ
スクとして作用するレジストバタンを形成している。
例えば、膜厚5oooiの電子線レジストクロロメチル
化ボリスチレy(CMS)に5A10aの電流密度の電
子ビームで適当な時間照射する。照射されたところはレ
ジストが架楡されて現像液に不溶となり、照射されない
ところは0T泪となってレジストバタンか形成される。
電子ビームでレジストに照射する時間は電流密度とレジ
スト感度で決まり、CMS (レジスト感度39μc 
7cm2)に5A/Crn2の電流密度で描画する場合
7.8μsecである。この時間より長く電子ビームを
照射するとレジストの解像性は悪くなり、短かすぎると
レジストの残膜厚が少なくなり、エツチング耐性が悪く
なる。電子ビームの照射時間の許容幅は5%程度であり
、それ以上でも以下でもバタンの寸法精度は著しく劣化
する。
ところで、基板にバタン全描画上するとき描画面積の大
小によって電子ビームの照射時間?変えなければならな
いことが認められた。これを第1図に示す。これは、4
インチウェハに10m、20m、30m と描画面積を
増加していった場合のレジストに対する過剰照射量を示
したものである。照射量の基準を39μc/i とし、
これを適正照射量として0%にしである。描画面積の増
加とともに適正照射量の10数パーセントから20パー
セントも過剰照射量がある。
この現象は次のような理由から起こると考えられる。す
なわち%第2図圧水すように、レジストを塗布した基板
2に電子ビームlを照射すると、電子ビームIは基板2
で散乱されその一部が後方に戻ってくる。後方散乱され
た電子は基′Jfi2と対向する試料室の内壁面3で散
乱され、再び基板2に塗布されたレジスト上に戻り、レ
ジストを露光する。描画面積が増すと、レジスト上に戻
ってくる電子も増えるため第1図に示した現象が起こる
ものと考支られる。この現象を集積回路等のチップ配列
毎に詳細に調べてみると第3図のようになる。基板2全
体に多数個のチップ4を描画するとチップ4の配置位置
によって過剰照射量は大幅に変化していることがわかっ
た。ここで、過刺照躬轍は、Aが20〜24チ、Bが1
6〜20条、Cが12〜16%。
わが8へ12%、Eが4〜8襲、Fが0〜4%であった
牛導体製造工程において加工相反の要求が厳しくなって
おり、かかる問題を無視して描画していた従来の方法で
は精度の^いバタン形成は不可能であった。
〔発明の目的〕
本発明はこれらの欠点を除去するため、描画面積あるい
は描画されるべきチップの配置位置に応じて荷電ビーム
の照射量を加減しながらバタン描画ケするようにしたも
ので、その目的は描画されるバタン部に適正な照射it
与え精度の高いバタン形成を可能とすることにある。
〔発明の実施例〕
第4図は本光9」の一実施例であって、Iは電子ビーム
、2は基板、3は試料室内壁面、5はビームグラ/カー
、6は偏向器、7はブランキングアンプ、8は偏向アン
プ、9は偏向制御回路・IOはバッファメモリ、11は
偏向歪補正係数メモリ、12は制御計算機、13は本発
明の照射量補正回路、14は荷電ビーム露光装置である
すなわち、集積回路などのバタンを基板2VC描画1−
るには、制御計算機12により描画開始の命令を受けた
バッファメモリIOが記憶しである回路バタンを高速に
偏向制御回路9にデータ転送する。偏向制御回#59は
、バッファメモリ10から転送された回路バタンの位置
やバタン寸法情報を解読するとともに、偏向歪補正係数
メモリIIからあらかじめ記憶されている偏向歪補正デ
ータを受け取り1回路バタンの位置の偏向時における修
正位置全演算し、偏向アンプ8、および偏向器6に修正
された回路バタンデータを転送する。−力、照射量補正
回路13には、あらかじめ、第3図に示したようなチッ
プ配置位置データに対応した照射量補正回路が記憶され
ており、制御語算機I2かも、これから描画するチップ
の配置位置を知らされると。
該チップ配置位置に対応した照射量補正係数を取り出し
、照射量の補正を行なって、ブランキングアンプ7およ
びビームプランカー5にデータ転送する。ここで、照射
量補正係数から照射量補正全行なうには次のようにする
。照射量補正係数とは、第3図に示されている過剰照射
量α%のことであり、電流密度とレジスト感度から決定
される照射時間をToとすると、補正された照射時間T
は T=(1−下) 、 ) T。
により算出される。ビームブランキングアンプ7に入っ
た照射量補正データは時間Tだけビームをオン(ON)
状態にし、その間に回路バタンデータの1デ一タ分を描
画する。時間Tが経過すると、ビームブランキングアン
プ7はオフ(OFF)状態となり、その間に次の回路バ
タンデータ位置にビームを偏向する。そして、再び時間
TだけビームがON状態となり、該回路バタンデータを
描画する。このような操作をくり返すことにより、1チ
ップ分の回路バタンかレジスト上に描画される。次のナ
ツプデータが入力されると上記操作がくり返えされつい
にはクエハ全体に所望の数のテップが描画される。
本発明では電流密度とレジスト感度によって決定される
照射量からチップ配置位置に応じた過剰照射量分を差し
引いて描画する方式を用いたが、描画面積に応じて同様
の方法を採ることも可能である。すなわち、第1図に示
されたように描画面積と過剰照射量の関係を得ておき、
描画面積に対応した照射量補正係数金照射蓋補正回路1
3に記憶しておけばよい。
〔発明の効果〕
以上説明したように不発ツ」によれば、チップ配置位置
あるいは描画面積に対応した過剰照射iit’に考慮し
た照射量の補正を行ないながらバタン描画を行な・うの
で・基板全体に亘って適正な照射量が得られチップの配
置位置あるいは描画面積の違い忙よる解像性の劣化がな
く、極めて精度の高いバタン形成が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は荷電ビームを用いてバタンを形成する場合の描
画面積と過剰照射量の関係の一例を示す特性図、第2図
は第1図の特性が起こる現象を説明するための断面図、
第3図は荷電ビームを用いてバタン全形成する場合のチ
ップ配置位置と過剰照射量の関係の一例を説明するため
の平面図、第4図は本発明の一実施例金示す構成説明図
である。 1・・・電子ビーム、2・・・基板、3・・・試料室内
壁面、4・・・テップ、5・・・ビームプランカー、6
・・・偏向器、7・・・ブランキングアンプ、8・・・
偏向アンプ、9・・・偏向制御回路、10・・・バッフ
ァメモリ、II・・・偏向歪補正係数メモリ、12・・
・制御計算機、13・・・照射量補正回路、14・・・
荷電ビーム露光装置。 出瓢人代理人 升埋士 鈴 江 武 彦第1図 第2図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) 荷電ビームを用いて基板に塗布したレジスト膜
    にバタンを形成するバタン形成方法において、チップ配
    置位置あるいは描画面積と過剰照射値の関係を得ておき
    、チップ配置位置あるいは描画面積に対応した照射量補
    正係数を照射量補正回路に記憶し、描画時にこの照射量
    補正係数全敗り出してチップ配置位置あるいは描画面積
    に応じて荷電ビームの照射量を加減してバタン全描画す
    ることを特徴とするバタン形成方法。
  2. (2)制御計紳機により制御されるバッファメモリに記
    憶しである回路バタンデータが偏向制御回路を介して荷
    電ビーム露光装置のビームグラ/カーおよび偏向器に加
    えられ、荷電ビームを用いて基板に塗布したレジスト膜
    にバタン全形成するバタン形成装置において、制御計算
    機により制御されチップ配置位置あるいは描画面積に対
    応した照射量補正係数が記憶された照射量補正回路を設
    け、この照射量補正回路から取り出された照射量補正係
    数金ビームプランカーに加えてチップ配置位置あるいは
    描画面積に応じて荷電ビームの照射量を加減してバタン
    を描画することを%徴とするバタン形成装置。
JP59022866A 1984-02-13 1984-02-13 パタン形成方法およびパタン形成装置 Pending JPS60173833A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100694882B1 (ko) * 1998-07-09 2007-03-14 주식회사 오성사 가습장치용 이온 교환 수지

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57162337A (en) * 1981-03-31 1982-10-06 Nec Corp Charged particle beam type lithographic method
JPS58114429A (ja) * 1981-12-28 1983-07-07 Fujitsu Ltd 電子ビ−ム露光方法
JPS58130523A (ja) * 1982-01-28 1983-08-04 Toshiba Corp 電子ビ−ム露光装置

Patent Citations (3)

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