JPS60168535A - 光化学反応装置 - Google Patents
光化学反応装置Info
- Publication number
- JPS60168535A JPS60168535A JP2645184A JP2645184A JPS60168535A JP S60168535 A JPS60168535 A JP S60168535A JP 2645184 A JP2645184 A JP 2645184A JP 2645184 A JP2645184 A JP 2645184A JP S60168535 A JPS60168535 A JP S60168535A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- transparent window
- reaction
- light source
- photochemical reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は光化学反応を利用して基板上への反応生成物
の堆積などを行う光化学反応装置の改良に関するもので
ある。
の堆積などを行う光化学反応装置の改良に関するもので
ある。
第１図は従来の光化学反応装置の一例の構成を示す断面
図で、（１）は反応容器、（２）はこれに設けられた透
明窓、（３）は反応ガス導入口、（４） Ｉｆｉ排気口
。
図で、（１）は反応容器、（２）はこれに設けられた透
明窓、（３）は反応ガス導入口、（４） Ｉｆｉ排気口
。
（５）は反応容器（５）内の透明窓（２）に対向する部
位に置かれた基板、（６）は透明窓（２）の外に設けら
れた光源、（７）は光源（６）からの光を有効に透明窓
（２）を通して基板（５）に照射する反射鏡である。
位に置かれた基板、（６）は透明窓（２）の外に設けら
れた光源、（７）は光源（６）からの光を有効に透明窓
（２）を通して基板（５）に照射する反射鏡である。
この装置では、反応容器（１）内に基板（５）を置き。
排気口（４）から図示しない真空ポンプで反応容器（１
）内を排気して減圧状態にする。そして、光源（６）（
例えば水銀ランプ）により例えば石英からなる透明窓（
２）を通して光を基板（５）に照射するっこの場合、反
射鏡（７）によって効率よく照射される。この状態で、
反応ガス導入口（３）から反応ガス〔例えばモノシラン
（ｓＩＨ４）、１１を導入すると、光化学反応が発生し
、反応生成物（例えば非晶シリコン）を基板（５）上に
堆積させることができる。基板（５）は室温でもよｈが
、生成膜質を向上させるために図示しないヒーターなど
で２００〜３００℃の温度に加熱するのが一般的である
。
）内を排気して減圧状態にする。そして、光源（６）（
例えば水銀ランプ）により例えば石英からなる透明窓（
２）を通して光を基板（５）に照射するっこの場合、反
射鏡（７）によって効率よく照射される。この状態で、
反応ガス導入口（３）から反応ガス〔例えばモノシラン
（ｓＩＨ４）、１１を導入すると、光化学反応が発生し
、反応生成物（例えば非晶シリコン）を基板（５）上に
堆積させることができる。基板（５）は室温でもよｈが
、生成膜質を向上させるために図示しないヒーターなど
で２００〜３００℃の温度に加熱するのが一般的である
。
ところが、上述の従来装置では基板（５）への光の照射
効率が比較的悪く、しかも、透明窓（２）への光照射密
度が比較的大きいので、透明窓（２）の内面にも反応生
成物が堆積し、光が透過しにくくなり。
効率が比較的悪く、しかも、透明窓（２）への光照射密
度が比較的大きいので、透明窓（２）の内面にも反応生
成物が堆積し、光が透過しにくくなり。
基板（５）への反応生成物の堆積速度が短時間に極端に
低下してしまう。
低下してしまう。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、反
射鏡に楕円面反射鏡を用いることによって、基板への光
の照射効率を向上させるとともに、透明窓の透過光束密
度を小さくすることによって、透明窓への反応生成物の
耐着が少なく、シかも基板への光化学反応効果が長時間
にわたって良好に保持できる光化学反応装置を提供する
ものである。
射鏡に楕円面反射鏡を用いることによって、基板への光
の照射効率を向上させるとともに、透明窓の透過光束密
度を小さくすることによって、透明窓への反応生成物の
耐着が少なく、シかも基板への光化学反応効果が長時間
にわたって良好に保持できる光化学反応装置を提供する
ものである。
第２図はこの発明の一実施例の構成を示す断面図で、第
１図の従来例と同一符号は同等部分を示し、その重複説
明を避ける。図において、（８）は楕円面反射鏡で、光
源（６）を楕円面の第１の焦点に設置し、第２の焦点の
近くに基板（５）があるようにすることによって、基板
（５）上への光の照射効率を向上させることができ、し
かも、透明窓（２）は焦点位置から遠ざけることができ
るので、透明窓（２）における透過光束密度を基板（５
）上の照射光束密度に比して十分小さくすることができ
る。従って、基板（５）上での光化学反応の生起を大き
く保ちつつ、透明窓（２）の内面への反応生成物の堆積
を抑制することができる。
１図の従来例と同一符号は同等部分を示し、その重複説
明を避ける。図において、（８）は楕円面反射鏡で、光
源（６）を楕円面の第１の焦点に設置し、第２の焦点の
近くに基板（５）があるようにすることによって、基板
（５）上への光の照射効率を向上させることができ、し
かも、透明窓（２）は焦点位置から遠ざけることができ
るので、透明窓（２）における透過光束密度を基板（５
）上の照射光束密度に比して十分小さくすることができ
る。従って、基板（５）上での光化学反応の生起を大き
く保ちつつ、透明窓（２）の内面への反応生成物の堆積
を抑制することができる。
なお、１例では反応容器（１）内を減圧した状態での光
化学反応装置を示したが、常圧下で光化学反応を行なわ
せる装置についても、この発明は適用できる。
化学反応装置を示したが、常圧下で光化学反応を行なわ
せる装置についても、この発明は適用できる。
以上説明したように、この発明になる光化学反応装置で
は、光源からの光化学反応励起用の光を反射して反応容
器の透明窓を通して反応容器内の基板を照射させる適当
な形の反射鏡を用い、基板上での照射光束密度を大きく
しつつ、透明窓の透過光束密度を低く保持できるように
しだので、透明窓内面への反応生成物の堆積耐着が少く
、透明度が維持でき、長時間にわたって基板上での光化
学反応を安定に継続できる。
は、光源からの光化学反応励起用の光を反射して反応容
器の透明窓を通して反応容器内の基板を照射させる適当
な形の反射鏡を用い、基板上での照射光束密度を大きく
しつつ、透明窓の透過光束密度を低く保持できるように
しだので、透明窓内面への反応生成物の堆積耐着が少く
、透明度が維持でき、長時間にわたって基板上での光化
学反応を安定に継続できる。
第１図は従来の光化学反応装置の一例の構成を示す断面
図、箔２図はこの発明の一実施例の構成を示す断面図で
ある。 図において、（１）は反ＥＸ容器、（２）は透明窓、（
３）は反応ガス導入口、（５）は基板、（６）は光源、
（８）は反射鏡（楕円面鏡）である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第１図 第２図 手続補正書（自発） １．事件の表示 特願昭５９−０２６４５１号２・発明
（７） 名称 光化学反応装置３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名 称
（６０１）三菱電機株式会社 代表者片山仁八部 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号４、補正
の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ５、補正の内容 明細書をつぎのとおり訂正する。
図、箔２図はこの発明の一実施例の構成を示す断面図で
ある。 図において、（１）は反ＥＸ容器、（２）は透明窓、（
３）は反応ガス導入口、（５）は基板、（６）は光源、
（８）は反射鏡（楕円面鏡）である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第１図 第２図 手続補正書（自発） １．事件の表示 特願昭５９−０２６４５１号２・発明
（７） 名称 光化学反応装置３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名 称
（６０１）三菱電機株式会社 代表者片山仁八部 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号４、補正
の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ５、補正の内容 明細書をつぎのとおり訂正する。
Claims (2)
- （１）透明窓を有する反応容器内に反応ガスを導入し上
記透明窓を通して外部の光源からの光を上記反応容器内
に置かれた基板に照射して上記基板上において光化学反
応を生ぜ゛しめるものにおいて。 上記光源の上記反応容器とは反対側に反射鏡を設け、上
記透明窓の透過光束密度を上記基板上への照射光束密度
より小さくなるようにしたことを特徴とする光化学反応
装置。 - （２）反射鏡を楕円面鏡とし光源を当該楕円面の第１の
焦点位置に置き、基板を第２の焦点位置近傍に置くよう
にしたことを特徴とする特許請求の範囲格１項記載の光
化学反応装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2645184A JPS60168535A (ja) | 1984-02-13 | 1984-02-13 | 光化学反応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2645184A JPS60168535A (ja) | 1984-02-13 | 1984-02-13 | 光化学反応装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60168535A true JPS60168535A (ja) | 1985-09-02 |
Family
ID=12193861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2645184A Pending JPS60168535A (ja) | 1984-02-13 | 1984-02-13 | 光化学反応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60168535A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103386289A (zh) * | 2013-07-31 | 2013-11-13 | 南京威安新材料科技有限公司 | 一种方便可视的化工反应罐 |
-
1984
- 1984-02-13 JP JP2645184A patent/JPS60168535A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103386289A (zh) * | 2013-07-31 | 2013-11-13 | 南京威安新材料科技有限公司 | 一种方便可视的化工反应罐 |
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