JPS58119336A - 光反応蒸着装置 - Google Patents
光反応蒸着装置Info
- Publication number
- JPS58119336A JPS58119336A JP99882A JP99882A JPS58119336A JP S58119336 A JPS58119336 A JP S58119336A JP 99882 A JP99882 A JP 99882A JP 99882 A JP99882 A JP 99882A JP S58119336 A JPS58119336 A JP S58119336A
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- JP
- Japan
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- gas
- vapor deposition
- gas supply
- reaction
- reaction gas
- Prior art date
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/488—Protection of windows for introduction of radiation into the coating chamber
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は蒸Ｓ＃を形成するための光反応蒸着装置１Ｋｌ
ｌｉｌするものである。
ｌｉｌするものである。
最近、電子写真感光体の感光層或いは太陽電池の光電変
換Ｐ＃等の半導体層として、結晶成長工程が不要である
ことその他の利点から、結晶シリコンに代えてアモルフ
ァスシリコンを用いることが検討されている。
換Ｐ＃等の半導体層として、結晶成長工程が不要である
ことその他の利点から、結晶シリコンに代えてアモルフ
ァスシリコンを用いることが検討されている。
このようなアモルファスシリコン半導体かを製造する方
法としては、化学蒸着法、グロー紗Ｗ法・スパッタ法等
が知られておル、このうち紫外！ＩＫよる光化学反応を
利用したｆ［学蒸着法は、装−の構成が旦較的簡単であ
る等の意力・ら実用上有利であるとされている。
法としては、化学蒸着法、グロー紗Ｗ法・スパッタ法等
が知られておル、このうち紫外！ＩＫよる光化学反応を
利用したｆ［学蒸着法は、装−の構成が旦較的簡単であ
る等の意力・ら実用上有利であるとされている。
従来、光化学反応による化学Ｗ＆着法を利用して薄膜を
形ｌするための装置においては、例えば第１図に示すよ
うに、光反応蒸着槽１内ＫｆｌｌｊＬは回転円筒型の蒸
着基体２を配置し、この蒸着基体２の被蒸着面にその反
応ガス供給口３１が対向するよう反応ガス供給管３ｔ−
前記光反応蒸着槽１に接続して設け、前記蒸着基体２を
介して１記反応ガス供給口３１と対向するようそのガス
吸引口６１を前記光反応蒸着槽１に接続してガス吸引管
６を散り、このガス吸引ｔ６に真空ポンプ７を接ＭＬ。
形ｌするための装置においては、例えば第１図に示すよ
うに、光反応蒸着槽１内ＫｆｌｌｊＬは回転円筒型の蒸
着基体２を配置し、この蒸着基体２の被蒸着面にその反
応ガス供給口３１が対向するよう反応ガス供給管３ｔ−
前記光反応蒸着槽１に接続して設け、前記蒸着基体２を
介して１記反応ガス供給口３１と対向するようそのガス
吸引口６１を前記光反応蒸着槽１に接続してガス吸引管
６を散り、このガス吸引ｔ６に真空ポンプ７を接ＭＬ。
前１蒸着基体２の被蒸着面に対向する前記光反応蒸着槽
１の上壁１１４Ｃ紫外線透過窓４を設け、この紫外線透
瀞窓４ｔ−介して前記蒸着基体２の被蒸着面ｒ（紫外線
を照射するようこれと対向して紫外ｌ１ｗＩ射ランプう
を前記光反応蒸着槽１外に設けて−１されている。
１の上壁１１４Ｃ紫外線透過窓４を設け、この紫外線透
瀞窓４ｔ−介して前記蒸着基体２の被蒸着面ｒ（紫外線
を照射するようこれと対向して紫外ｌ１ｗＩ射ランプう
を前記光反応蒸着槽１外に設けて−１されている。
このような装置にお−ては、真空ポンプ７により光反応
蒸着槽１内を高真空伏動とし、蒸着基体２１回転せしめ
ながら反応ガス供給管３よや紫外線により活性化される
例えば水銀蒸気を含むシランガス等より成る反応ガスを
光反応蒸着槽１内に導入すると共に紫外Ｓ放射ラン１５
によシ紫外線透ｆ！窓４１介して紫外線を前記蒸着基体
２の被蒸着−に照射すると、これによシ蒸着基体２上を
流過する前記反応ガスに含有される水銀蒸気が紫外線を
吸収して励起し、これが触媒となってシランガス等を活
性シリコン原子、活性水素原子等に分解し１これらの活
性原子が前記蒸着基体２の被蒸着面に付着堆積し、以っ
て蒸着゛基体２上に薄膜が形成される。
蒸着槽１内を高真空伏動とし、蒸着基体２１回転せしめ
ながら反応ガス供給管３よや紫外線により活性化される
例えば水銀蒸気を含むシランガス等より成る反応ガスを
光反応蒸着槽１内に導入すると共に紫外Ｓ放射ラン１５
によシ紫外線透ｆ！窓４１介して紫外線を前記蒸着基体
２の被蒸着−に照射すると、これによシ蒸着基体２上を
流過する前記反応ガスに含有される水銀蒸気が紫外線を
吸収して励起し、これが触媒となってシランガス等を活
性シリコン原子、活性水素原子等に分解し１これらの活
性原子が前記蒸着基体２の被蒸着面に付着堆積し、以っ
て蒸着゛基体２上に薄膜が形成される。
しカニしながら、斯かる装置においては、反応ガス供給
管３よシ供給された反応ガスは、光反応蒸着槽１内にお
いて真空ポンプ７によル吸引されてガス吸引口６１に向
うよりＫはなるものの蒸着基層が流れて行くに従って急
激に拡散する結果、蒸着基体２上に堆積すべきものが紫
外ＩＩＩ透過窓４に接触して付着するようになるため、
紮ｊＡ！！放射ランプ５よりの紫外線の透過率が低下す
るようになる０従って紫外線の有効照射量が減少してｇ
成長速度が大幅に小さくなシ反応ガスの利用率が低下す
ると共に薄Ｍｔｔ実用的な効率で形成することがで！！
ない欠点がある。
管３よシ供給された反応ガスは、光反応蒸着槽１内にお
いて真空ポンプ７によル吸引されてガス吸引口６１に向
うよりＫはなるものの蒸着基層が流れて行くに従って急
激に拡散する結果、蒸着基体２上に堆積すべきものが紫
外ＩＩＩ透過窓４に接触して付着するようになるため、
紮ｊＡ！！放射ランプ５よりの紫外線の透過率が低下す
るようになる０従って紫外線の有効照射量が減少してｇ
成長速度が大幅に小さくなシ反応ガスの利用率が低下す
ると共に薄Ｍｔｔ実用的な効率で形成することがで！！
ない欠点がある。
本発明は以上の如き欠点を除き、紫外線透過窓に反応ガ
スが付着することを確実に防止することができ、従って
紫外線放射ランプよシの光の利用率を低減せしめること
がなくて大きな＃成長速度を得ることかでき反応ガスの
利用率を大きくすすることができると共に薄膜を実用的
な効率で彫威することができる光反応蒸着装置を提供す
ることを目的とし、その特徴とするところは、光反応蒸
着槽と、この光反応蒸着槽内に配置され蒸着基体の被蒸
着面に沿って互に対向するよう設けた、反応ガス供給口
及びガス＠り１０と、前記光反応蒸着槽壁に設置だ豫外
線透過窓を介して前記蒸着基体の被蒸着＠ＪＫ紮外紫外
照射するよう設置た紫外線放射ランプと、前１蒸着基体
に対して反応ガス供給口の外側にこれと並んでｌｌ［た
保護ガス供給口とを具えて成る点にある。
スが付着することを確実に防止することができ、従って
紫外線放射ランプよシの光の利用率を低減せしめること
がなくて大きな＃成長速度を得ることかでき反応ガスの
利用率を大きくすすることができると共に薄膜を実用的
な効率で彫威することができる光反応蒸着装置を提供す
ることを目的とし、その特徴とするところは、光反応蒸
着槽と、この光反応蒸着槽内に配置され蒸着基体の被蒸
着面に沿って互に対向するよう設けた、反応ガス供給口
及びガス＠り１０と、前記光反応蒸着槽壁に設置だ豫外
線透過窓を介して前記蒸着基体の被蒸着＠ＪＫ紮外紫外
照射するよう設置た紫外線放射ランプと、前１蒸着基体
に対して反応ガス供給口の外側にこれと並んでｌｌ［た
保護ガス供給口とを具えて成る点にある。
以下図面によって本発明の実施例を説明する。
本発明の一実施例にお−では、第２図に示すように、光
反応蒸着槽１内Ｋ例えば回転円筒型の蒸着基体２を配置
しこの蒸着基体２の例えば回転方向上流１１にその反応
ガス供給口３１が当該回転方向に向いて近接するよう、
資外ＩＪｔｌ’より活性化する蒸着可＃なガス管供給す
る反応ガス供給管３を前記光反応蒸１１外よシ貫通して
設け、この反応ガス供給口３１と前記蒸着基体２を介し
て対向するようそのガス吸引［１６１を前配光反応蒸着
檜１外よシ貫通してガス吸引管６を設置、そしてこのガ
ス吸引管６の出口に＃−１例えば真空ポンプ等より成る
ガス吸引機構を設置、前記蒸着基体２の被蒸着面に対向
する前配光反応蒸着檜１の例えば上ｇｉｌｌＫ紮外線透
過率の優れた例えば石英ガラス等より区る豫外！１１逃
過窓４ｔ−艮け、この紫外線透過窓４を介して１ＩｆＪ
ｔ！蒸着基体２の被蒸着面に対向するよう前記光反応
蒸着槽１外に例えば低圧水銀灯′等のシタ（線放射ラン
プ５を設け、そしてその保護ガス供給口９１を！ｒＩＩ
ｋ光反応蒸着槽ｌ外より貫通せしめて当該保護ガス供給
口９１が前記蒸着基体２に対して前記反応ガス供給口３
１の外側にこれと並び同方向を指向するよう、紫ＩＡＩ
ＬＫ対して不活性なガス例えばアルゴンガス等より敗る
保−ガスを供給する保護ガス供給管９を設けて構１する
。
反応蒸着槽１内Ｋ例えば回転円筒型の蒸着基体２を配置
しこの蒸着基体２の例えば回転方向上流１１にその反応
ガス供給口３１が当該回転方向に向いて近接するよう、
資外ＩＪｔｌ’より活性化する蒸着可＃なガス管供給す
る反応ガス供給管３を前記光反応蒸１１外よシ貫通して
設け、この反応ガス供給口３１と前記蒸着基体２を介し
て対向するようそのガス吸引［１６１を前配光反応蒸着
檜１外よシ貫通してガス吸引管６を設置、そしてこのガ
ス吸引管６の出口に＃−１例えば真空ポンプ等より成る
ガス吸引機構を設置、前記蒸着基体２の被蒸着面に対向
する前配光反応蒸着檜１の例えば上ｇｉｌｌＫ紮外線透
過率の優れた例えば石英ガラス等より区る豫外！１１逃
過窓４ｔ−艮け、この紫外線透過窓４を介して１ＩｆＪ
ｔ！蒸着基体２の被蒸着面に対向するよう前記光反応
蒸着槽１外に例えば低圧水銀灯′等のシタ（線放射ラン
プ５を設け、そしてその保護ガス供給口９１を！ｒＩＩ
ｋ光反応蒸着槽ｌ外より貫通せしめて当該保護ガス供給
口９１が前記蒸着基体２に対して前記反応ガス供給口３
１の外側にこれと並び同方向を指向するよう、紫ＩＡＩ
ＬＫ対して不活性なガス例えばアルゴンガス等より敗る
保−ガスを供給する保護ガス供給管９を設けて構１する
。
以上のような構成によれば、真空ポンプ７により吸引す
ることＫより光反応蒸着槽１内に反応ガス供給管３よ勺
紫外線により活性化する例えば水銀蒸気を微量含み蒸着
可能なガス例えばシランガス等よ形成る反応ガスを供給
すると共に保護ガス供給管９より例えばアルゴンガス等
よ形成る保護ガスを供給すると、真空ホン１７による吸
引力を受けて、反応ガスは蒸着基体２Ｃ表面に沿って層
状に流れ、この反応ガス層の外麹を保護ガスか流れるよ
うになり、そして反応ガスが蒸着Ｘ体２上を潴遇する際
に紫外線放射ランプ５よ！Ｊ ｌＬＪ茶−ＡＩＩの照射
を受け、これによフ反応ガス中の水銀蒸気が励起さね、
これが触媒となって例えば活性シリコン原子、活性水素
原子等の活性原子が生成し。
ることＫより光反応蒸着槽１内に反応ガス供給管３よ勺
紫外線により活性化する例えば水銀蒸気を微量含み蒸着
可能なガス例えばシランガス等よ形成る反応ガスを供給
すると共に保護ガス供給管９より例えばアルゴンガス等
よ形成る保護ガスを供給すると、真空ホン１７による吸
引力を受けて、反応ガスは蒸着基体２Ｃ表面に沿って層
状に流れ、この反応ガス層の外麹を保護ガスか流れるよ
うになり、そして反応ガスが蒸着Ｘ体２上を潴遇する際
に紫外線放射ランプ５よ！Ｊ ｌＬＪ茶−ＡＩＩの照射
を受け、これによフ反応ガス中の水銀蒸気が励起さね、
これが触媒となって例えば活性シリコン原子、活性水素
原子等の活性原子が生成し。
これらの活性原子が生鮫し、これらの活性原子が蒸着基
体２上に付着堆積して蒸、着膜が形成される。
体２上に付着堆積して蒸、着膜が形成される。
そして保護ガス供給管９を、その保護ガス供給口９１が
一１１蒸着基体２に対して前記反応ガス供給口３１の外
ｆＵＫこれと並び同方向を指向するよう設けたたｔ、保
護ガスは光反応蒸着槽１内に拡散する仁とはあっても一
応そのＷＩが形成場れるため、内侮の反応ガスは保護ガ
スに拡散が抑制されて最ＩＩ管で蒸着基体２に沿った層
流の状態が保持される。従って反応ガスが紫外線の照射
を受けて活性化した活性ヰ成物が紫外線透過窓４に接触
することがない斤め、紫外Ｓ放射ランプ５よシの光の透
過が阻害されることがなく、この結果紫外線放射ランプ
５よりの光を大きな効率で利用することができて大きな
膜成長速度を得ることができると共に、反応ガス全停が
蒸着基体２に接近した状態で流過するようになるため、
反応ガスの利用率を高くすることかでき、薄膜を実用的
な効率で形６することができる。
一１１蒸着基体２に対して前記反応ガス供給口３１の外
ｆＵＫこれと並び同方向を指向するよう設けたたｔ、保
護ガスは光反応蒸着槽１内に拡散する仁とはあっても一
応そのＷＩが形成場れるため、内侮の反応ガスは保護ガ
スに拡散が抑制されて最ＩＩ管で蒸着基体２に沿った層
流の状態が保持される。従って反応ガスが紫外線の照射
を受けて活性化した活性ヰ成物が紫外線透過窓４に接触
することがない斤め、紫外Ｓ放射ランプ５よシの光の透
過が阻害されることがなく、この結果紫外線放射ランプ
５よりの光を大きな効率で利用することができて大きな
膜成長速度を得ることができると共に、反応ガス全停が
蒸着基体２に接近した状態で流過するようになるため、
反応ガスの利用率を高くすることかでき、薄膜を実用的
な効率で形６することができる。
以上において、反応ガスとしてＦｉ通常の蒸着可能なカ
スと水銀蒸気等の弊外ｉ！によ！１ｌＩｌ−起されるガ
スとの混合ガスを用いればよく、例えけシラン。
スと水銀蒸気等の弊外ｉ！によ！１ｌＩｌ−起されるガ
スとの混合ガスを用いればよく、例えけシラン。
フッ化ケイ素等のクイ素化合物ガスと水銀蒸気との混合
ガスを用いる場合には半導体層として有用なアモルファ
スシリコンの１ｈ膜を有利に形抜スることができる。
ガスを用いる場合には半導体層として有用なアモルファ
スシリコンの１ｈ膜を有利に形抜スることができる。
ｎｌｊ記保護ガスと［ては、アルゴン、クリプトン、ネ
オン等の紫外線の照射を受けても活性化しないガスであ
ればよく、そうすることによってこれが拡散しても紫外
線透過窓４に付着することがない〇この保護ガスの供給
量は反応ガスの麺類及び供給量に応じて設定すればよく
、例えば保護ガスの密度が反応ガスの密度より大きくな
るよう供給すれば反応ガスの拡散を−ＮＩ確実ＫＥ＃止
することができる。
オン等の紫外線の照射を受けても活性化しないガスであ
ればよく、そうすることによってこれが拡散しても紫外
線透過窓４に付着することがない〇この保護ガスの供給
量は反応ガスの麺類及び供給量に応じて設定すればよく
、例えば保護ガスの密度が反応ガスの密度より大きくな
るよう供給すれば反応ガスの拡散を−ＮＩ確実ＫＥ＃止
することができる。
ＩｒＩＩＦ蒸着基体２０回転方向け、上述の実施例に限
らず反応ガス及び保護ガスの流過方向と逆方向に向うよ
う回転せしめてもよい。
らず反応ガス及び保護ガスの流過方向と逆方向に向うよ
う回転せしめてもよい。
以上の実施例において、反応ガス供給口３１及び保護ガ
ス供給口９１の端部にガスの流出方向を規制する解制部
３１１及び９１１を一体若し２〈は他の部材により形成
しておけば、ガスの流出方向を確実に規制することがで
き、供給されるガス管紫外線放射ランプ５と対向する蒸
着基体２の被蒸着ＷＩＫ沿って確実に流過せしめること
ができ、前述の効果がさらに一層大きなものとなる。さ
らに、ガス吸引口６１の端部Ｋｇ！引するガスの流過方
向を規制する親制部６１１Ｖｔ設けておけばガスが迂回
することなく良好に吸引されるので反応ガス及び保護ガ
スの安定した定律流を確実に形成することができる。
ス供給口９１の端部にガスの流出方向を規制する解制部
３１１及び９１１を一体若し２〈は他の部材により形成
しておけば、ガスの流出方向を確実に規制することがで
き、供給されるガス管紫外線放射ランプ５と対向する蒸
着基体２の被蒸着ＷＩＫ沿って確実に流過せしめること
ができ、前述の効果がさらに一層大きなものとなる。さ
らに、ガス吸引口６１の端部Ｋｇ！引するガスの流過方
向を規制する親制部６１１Ｖｔ設けておけばガスが迂回
することなく良好に吸引されるので反応ガス及び保護ガ
スの安定した定律流を確実に形成することができる。
そして第３図に示すように、後１１１（図示の例で１１
２個）の紫外線放射ランプ５を蒸着基体２の外ａ面とそ
れぞれ紫外線透過窓４を介して対向するよう互に離間せ
しめて配置し、前記紫外線放射ランプ５の各々より前記
蒸着基体２が光照射を受ける面上の各々に沿って反応ガ
ス及び保護ガスが流過するよう、反応ガス供給口３１．
保護ガス供給口９１及びガス吸引口６１の＃ｊｊ４を捨
象設けて成る構成としてもよい。
２個）の紫外線放射ランプ５を蒸着基体２の外ａ面とそ
れぞれ紫外線透過窓４を介して対向するよう互に離間せ
しめて配置し、前記紫外線放射ランプ５の各々より前記
蒸着基体２が光照射を受ける面上の各々に沿って反応ガ
ス及び保護ガスが流過するよう、反応ガス供給口３１．
保護ガス供給口９１及びガス吸引口６１の＃ｊｊ４を捨
象設けて成る構成としてもよい。
以上において蒸着基体２ｔｉ反応ガスの流過方向と同方
向′または逆方向に回転し得る回転円筒型の構成とした
が、これを平板型で固定した構成としてもよく、この場
合においてもト辻と同様の効果を枠ることができる。
向′または逆方向に回転し得る回転円筒型の構成とした
が、これを平板型で固定した構成としてもよく、この場
合においてもト辻と同様の効果を枠ることができる。
以下具体的実験例を示す。
第２図に示した＊１のｉ＊を用い、光反応蒸着槽１内の
圧力を１０−ｓ〜１０−” Ｔｏｒｒ稈度となるよう蒸
着基体２０表面積１ｃ１１当り、シランガス及び微量の
水銀蒸気を含む反応ガスｔｏ、ｘｔｙ分、アルゴンより
成る保護ガスを１１７分の流量で供給し、定格４５０Ｗ
の低圧水銀灯により蒸着基体２上の強度が２０ ｍＷ／
ｄｉとなるよう紫外Ｍを照射したところ、蒸着基体２上
に１０分間で厚さ０．５Ｉａのアモルファスシリコンよ
構成る薄膜が形成された。この作業を多数の蒸着基体に
ついて長時間繰返し六参に紫外１透過室４の紫外幹の透
過率を調べたところ変化がみられなかった◎ 以上のように本発明は、光反応蒸着槽と、この光反応蒸
着槽内に配置され蒸着Ｍ体の被蒸着面に沿って互に対向
するようｔ＆すた、反応ガス供給口及びガス吸引口と、
前記光反応蒸着槽壁に毅けた紫外線透過窓を介して前配
蒸ｉ基体の＠蒸着面に紫外線を照射するよう設けｆＣ紫
外線放射ランプと、前１蒸着基体に対して反応ガス供給
口の外側にこれと並んで設けた保護ガス供給口とを具え
て成るこ２ｔ−特鍛とする構成であるから、紫外線透過
窓に反応ガスが付着することを確実に防止することがで
き、従って紫外線放射ランプよシの光の利用重管低減せ
しめることがなくて大きな膜醗長速度を得ることができ
反応ガスの利用率を大きくすることができると共に薄！
Ｉ’を実用的な効率で形成することができる◎
圧力を１０−ｓ〜１０−” Ｔｏｒｒ稈度となるよう蒸
着基体２０表面積１ｃ１１当り、シランガス及び微量の
水銀蒸気を含む反応ガスｔｏ、ｘｔｙ分、アルゴンより
成る保護ガスを１１７分の流量で供給し、定格４５０Ｗ
の低圧水銀灯により蒸着基体２上の強度が２０ ｍＷ／
ｄｉとなるよう紫外Ｍを照射したところ、蒸着基体２上
に１０分間で厚さ０．５Ｉａのアモルファスシリコンよ
構成る薄膜が形成された。この作業を多数の蒸着基体に
ついて長時間繰返し六参に紫外１透過室４の紫外幹の透
過率を調べたところ変化がみられなかった◎ 以上のように本発明は、光反応蒸着槽と、この光反応蒸
着槽内に配置され蒸着Ｍ体の被蒸着面に沿って互に対向
するようｔ＆すた、反応ガス供給口及びガス吸引口と、
前記光反応蒸着槽壁に毅けた紫外線透過窓を介して前配
蒸ｉ基体の＠蒸着面に紫外線を照射するよう設けｆＣ紫
外線放射ランプと、前１蒸着基体に対して反応ガス供給
口の外側にこれと並んで設けた保護ガス供給口とを具え
て成るこ２ｔ−特鍛とする構成であるから、紫外線透過
窓に反応ガスが付着することを確実に防止することがで
き、従って紫外線放射ランプよシの光の利用重管低減せ
しめることがなくて大きな膜醗長速度を得ることができ
反応ガスの利用率を大きくすることができると共に薄！
Ｉ’を実用的な効率で形成することができる◎
第１図は従来の光反応蒸着装置の一例を示す説明用１Ｉ
ｒｋＩ図、第２図及び第３図はそれぞれ本発明の実施例
を示す説明用脚４面図である。 １・・・光反応蒸着Ｉａ ２・・・蒸着基体３１・
・・反応ガス供給口 ３・・・反応ガス供給管４・・・
紮！Ａａ１透過窓 ５・・・紫外線放射ランプ ６・・・ガス吸引管７・・
・真空ポンプ ９１・・・保護ガス供給口 ９・・・保護ガス供給管第
１図 第２図 竿３図
ｒｋＩ図、第２図及び第３図はそれぞれ本発明の実施例
を示す説明用脚４面図である。 １・・・光反応蒸着Ｉａ ２・・・蒸着基体３１・
・・反応ガス供給口 ３・・・反応ガス供給管４・・・
紮！Ａａ１透過窓 ５・・・紫外線放射ランプ ６・・・ガス吸引管７・・
・真空ポンプ ９１・・・保護ガス供給口 ９・・・保護ガス供給管第
１図 第２図 竿３図
Claims (1)
- １）光反応蒸着槽と、この光反応蒸着槽内に配Ｗζね蒸
着基体の被蒸着面に沿って互に対向するよう１３けた、
反応ガス供給り及びガス吸引口と、ｔｌｌｔｉ！ｉｔ反
応蒸着檜撒に設けた紫外線透過室を介して前記蒸着基体
の被蒸着面に紫外線を照射するよう設けた紮ｌＡ１１放
射ランプと、前記蒸着基体に対して反応ガス供給口の外
側ｒ（これと並んで設りた保護ガス供給口とを具えて成
ることを特徴とする光反応蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP99882A JPS58119336A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | 光反応蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP99882A JPS58119336A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | 光反応蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58119336A true JPS58119336A (ja) | 1983-07-15 |
Family
ID=11489253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP99882A Pending JPS58119336A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | 光反応蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58119336A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1982
- 1982-01-08 JP JP99882A patent/JPS58119336A/ja active Pending
Patent Citations (1)
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