JPS60149191A - Ｌｓｉ実装基板の製造方法 - Google Patents
Ｌｓｉ実装基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS60149191A JPS60149191A JP482384A JP482384A JPS60149191A JP S60149191 A JPS60149191 A JP S60149191A JP 482384 A JP482384 A JP 482384A JP 482384 A JP482384 A JP 482384A JP S60149191 A JPS60149191 A JP S60149191A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mounting board
- conductor
- lsi mounting
- paste
- blisters
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は銅ペーストを導体として用いるＬＳＩ実装基板
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
従来、導体として用いられてきた金（ＡＨ）、銀−パラ
ジウム（Ａｇ−Ｐｄ）、銀−白金（Ａｇ−ｐｔ）のよう
なペースト材料は高価であるので、最近銅（Ｃｕ）ペー
ストを使う例が増加している。
ジウム（Ａｇ−Ｐｄ）、銀−白金（Ａｇ−ｐｔ）のよう
なペースト材料は高価であるので、最近銅（Ｃｕ）ペー
ストを使う例が増加している。
Ｃｕは安いだけでなく、低抵抗であるため、機器の性能
向上にも役立つが、Ｃｕは上記材料に比し酸化しやすい
ので、従来のような空気中での焼成ができ、ケい。そこ
で、焼成雰囲気として嗜素（Ｎ２）が検討されているが
、良好なＣｕ導体を得るだめの雰囲気管理が困難である
という欠点があった。すなわち、Ｃｕを酸化させないで
、ふくれ等の不良の原因となるペースト、誘電体や誘電
体表面の有機物を除去できるような条件で導体の焼成を
行なうことはきわめて困難であった。
向上にも役立つが、Ｃｕは上記材料に比し酸化しやすい
ので、従来のような空気中での焼成ができ、ケい。そこ
で、焼成雰囲気として嗜素（Ｎ２）が検討されているが
、良好なＣｕ導体を得るだめの雰囲気管理が困難である
という欠点があった。すなわち、Ｃｕを酸化させないで
、ふくれ等の不良の原因となるペースト、誘電体や誘電
体表面の有機物を除去できるような条件で導体の焼成を
行なうことはきわめて困難であった。
本発明の目的は上記問題点を解決して、Ｃｕペーストを
ＬＳＩ実装基板上で使えるようにすることである。すな
わち、Ｃｕ導体の焼成中にＣｕが酸化しないようにして
、しかも、有機物の除去を可能にすることである。
ＬＳＩ実装基板上で使えるようにすることである。すな
わち、Ｃｕ導体の焼成中にＣｕが酸化しないようにして
、しかも、有機物の除去を可能にすることである。
上記目的を達成するために、本発明熱処理雰囲気として
、Ｃｕの酸化物を還元できる気体と、有機物の除去がで
きる気体とを混合したものを使用するのである。
、Ｃｕの酸化物を還元できる気体と、有機物の除去がで
きる気体とを混合したものを使用するのである。
実施例１
シリカガラス（誘電体）基板上にＣｕペーストを印刷し
、温度９００Ｃで、Ｎ２とＨｗＯの組成比を変えて、Ｃ
ｕの酸化の有無と、導体のふくれのｌｉを調べた（なお
、ここで、ふくれは有機物の除去が不完全であるときに
起こる）。第１表にその結果を示すように、Ｎ２とＨｇ
Ｏの混合比Ｈ２／Ｈ２０１Ｘ １０’″４〜１ｘ１０２
の範囲でＣｕが酸化せず、ふくれも発生しないような焼
成が可能であった。
、温度９００Ｃで、Ｎ２とＨｗＯの組成比を変えて、Ｃ
ｕの酸化の有無と、導体のふくれのｌｉを調べた（なお
、ここで、ふくれは有機物の除去が不完全であるときに
起こる）。第１表にその結果を示すように、Ｎ２とＨｇ
Ｏの混合比Ｈ２／Ｈ２０１Ｘ １０’″４〜１ｘ１０２
の範囲でＣｕが酸化せず、ふくれも発生しないような焼
成が可能であった。
゛ 第 １ 表
＊ ○：Ｃｕ酸化なし；ふくれなし
×：Ｃｕ酸化あシ；ふくれあシ
このような結果が得られたのは、上記Ｈ２／）ｈ Ｏの
範囲で、次のような二つの反応が進行していたと考えら
れる。
範囲で、次のような二つの反応が進行していたと考えら
れる。
Ｃｕ２０＋Ｈ２→ｃ ｕ＋Ｈｚ Ｏ
Ｃ＋Ｈ２０→ＣＯ＋ Ｈｚ
実施例２
Ｎ２／ＨｚＯ＝１の雰囲気で、９００Ｃの焼成を行なっ
て形成したシリカガラス上の幅８０μｍのＣｕ導体で、
抵抗値２．５ｍΩ／口、４８号伝播遅延時間０．０８ｎ
Ｓ／ｃｒｎが得られた。
て形成したシリカガラス上の幅８０μｍのＣｕ導体で、
抵抗値２．５ｍΩ／口、４８号伝播遅延時間０．０８ｎ
Ｓ／ｃｒｎが得られた。
実施例３
シリカガラス（誘一体）基板上にＣｕペーストを印刷し
、温就９００Ｃで、ｃｏと００２の組成比を変えて、Ｃ
ｕの酸化の有無と、導体のふくれの有無を調べだ（なお
、ここでふくれは有様物の除去が不完全であるときに起
こる）。第２表にその結果を示すように、ＣＯとＣＯ２
の混合比ＣＯ／ Ｃ０２１Ｘ １０−’〜Ｉ Ｘ １０
” の範囲でＣｕが酸化せず、ふくれも発生しないよう
な焼成が可能であった。
、温就９００Ｃで、ｃｏと００２の組成比を変えて、Ｃ
ｕの酸化の有無と、導体のふくれの有無を調べだ（なお
、ここでふくれは有様物の除去が不完全であるときに起
こる）。第２表にその結果を示すように、ＣＯとＣＯ２
の混合比ＣＯ／ Ｃ０２１Ｘ １０−’〜Ｉ Ｘ １０
” の範囲でＣｕが酸化せず、ふくれも発生しないよう
な焼成が可能であった。
第 ２ 表
＊ ○：Ｃｕ醒化なし；ふくれなし
×：Ｃｕ酸化あり；ふくれあシ
このような結果が得られたのは、上記ＣＯ／ＣＯ２の範
囲で、次のような二つの反応が進行していたと考えられ
る。
囲で、次のような二つの反応が進行していたと考えられ
る。
Ｃｕ２Ｏ＋ＣＯ−＋Ｃｕ＋ｃＯｚ
Ｃ＋ Ｃ０２→２ＣＯ
実施例４
Ｈ２／ Ｈ２０＝ １の雰囲気で、９００ｔ：’の焼成
を行なって形成したシリカガラス上の幅８０μｍのＣｕ
導体で、抵抗値２．５ｍΩ／口、信号伝播遅延時間０．
０８ｎ８／国が得られた。
を行なって形成したシリカガラス上の幅８０μｍのＣｕ
導体で、抵抗値２．５ｍΩ／口、信号伝播遅延時間０．
０８ｎ８／国が得られた。
Claims (1)
- 銅ペーストを導体として用い、導体焼成時の雰囲気とし
て酸化性気体と還元性気体の混合気体を使うことを特徴
とするＬＳＩ実装基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP482384A JPS60149191A (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | Ｌｓｉ実装基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP482384A JPS60149191A (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | Ｌｓｉ実装基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60149191A true JPS60149191A (ja) | 1985-08-06 |
Family
ID=11594426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP482384A Pending JPS60149191A (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | Ｌｓｉ実装基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60149191A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02277282A (ja) * | 1989-02-03 | 1990-11-13 | Boc Group Inc:The | ハイブリッド回路基体上での厚フィルム電気部品の製造方法 |
-
1984
- 1984-01-17 JP JP482384A patent/JPS60149191A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02277282A (ja) * | 1989-02-03 | 1990-11-13 | Boc Group Inc:The | ハイブリッド回路基体上での厚フィルム電気部品の製造方法 |
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