JPH0216795A - セラミック多層基板の製造方法 - Google Patents

セラミック多層基板の製造方法

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JPH0216795A
JPH0216795A JP16732988A JP16732988A JPH0216795A JP H0216795 A JPH0216795 A JP H0216795A JP 16732988 A JP16732988 A JP 16732988A JP 16732988 A JP16732988 A JP 16732988A JP H0216795 A JPH0216795 A JP H0216795A
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ceramic
slurry
plasticizer
green sheet
multilayer substrate
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JP16732988A
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Kiyoshi Saito
清 斉藤
Mitsuhiro Harima
播磨 三弘
Masatomi Okumura
奥村 正富
Yoshikazu Uchiumi
良和 内海
Kiichi Yoshiara
喜市 吉新
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • HELECTRICITY
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    • H05K3/4611Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
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    • H05K3/4626Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
    • H05K3/4629Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets

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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、計算機、ハイブリッドIC等に使用するた
めの銅導体を内部に配線したセラミック多層配線基板の
製造方法に関するものである。
〔従来の技術〕
従来、セラミック多層基板には、多くの場合92〜96
%のアルミナ基板が使われてきた。このようなアルミナ
基板は1600℃のような高温で焼成しなければならず
、このため多層基板とするためには配線用導体としてタ
ングステン、モリブデン等の高融点金属が使われてきた
。しかし最近では配線用導体として、さらに低抵抗の材
料を要求されるようになり、銀または金糸等の導体を配
線材料として使用できるように、低温で焼成できる基板
が開発されるようになってきた。
次に低温焼成基板−の製造方法について説明する。
まず、アルミナ粉末とガラス粉末を配合し、トルエンと
エタノールの共沸点付近の液体に、結合剤としてポリビ
ニールブチラール樹脂、可塑剤としてフタル酸ジブチル
、解膠剤としてブチルグリコレート等を溶解し、その液
で配合粉末をよく混合してスラリーとし、ドクターブレ
ードを通して。
ポリエチレンテレフタレートシートの上に粉末のスラリ
ーを流し出す。しかる後このスラリーをよく乾燥し、セ
ラミック粉末のグリーンシートとポリエチレンテレフタ
レートを分離する。
セラミック粉末のグリーンシートは切断されて、スルー
ホールがあけられ、その中に銅または金糸のペーストが
埋められ、さらに銀または金糸のペーストで配線が印刷
された後多層に積層され、熱圧着された後、大気中で1
000℃以下で焼成するなどの工程で製造されている(
特開昭60−24095など)。
〔発明が解決しようとする課題〕
多層配線の基板を銀糸または金糸の導体を配線材料とし
て製造する場合には以上のようにして行われていた。し
かし銀系導体はマイグレーションが問題であり、金糸導
体は高価であるため、銀、金と同様に低抵抗体の銅系導
体を配線材料とすることが望まれていた。この場合の問
題点は銀や金のような貴金属と異なり、大気中で焼成す
ると銅が酸化することである。このため焼成雰囲気は中
性または還元性でなければならず、基板材料がこのよう
な雰囲気で還元されないこととともに、グリーンシート
を製造する場合に使用する溶剤、結合剤、可塑剤、分散
剤がこのような雰囲気で基板の焼結剤に飛散することが
必要である。この場合結合剤としてポリビニールブチラ
ール樹脂を用いると、結合剤が飛散しないで、炭素が残
留するため使えないという問題があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、銅を配線材料として使用できる導体とグリー
ンシートとを同時焼成して厚膜ハイブリッドICが製造
できるとともに、内部配線に銅を使用して同時焼成の多
層配線セラミック基板を製造できるセラミック多層基板
の製造方法を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係るセラミック多層基板の製造方法は、セラ
ミック粉末とそれを800〜1000℃で焼結するため
の焼結助剤を配合する工程、トルエンまたはキシレンを
主成分とする溶剤に、結合剤としてメタクリル酸系のコ
ポリマー樹脂および可塑剤を溶解混合し、スラリーを作
成する工程、このスラリーをドクターブレードによって
グリーンシートに成形し、銅導体を印刷配線する工程、
これを多層に積層する工程、および積層体を微量の酸素
を含む湿潤窒素雰囲気中で焼成する工程よりなる方法で
ある。
セラミック粉末としては、アルミナ、コージェライト、
シリカ、ムライト、ジルコンなどの粉末があげられる。
焼結助剤としてはガラスが好ましい。メタクリル酸系の
コポリマーとしては、メタクリル酸メチル(以下MMA
と記す)とメタクリル酸イソブチル(以下iBMAと記
す)のコポリマーが好ましい。
可塑剤としては、フタル酸ジブチル、フタル酸メチル、
フタル酸エチル、フタル酸ブチル、フタル酸オクチル、
マレイン酸メチル、マレイン酸エチル、マレイン酸ブチ
ル、ポリエチレングリコールの1種以上から選ばれるも
のが使用できる。
セラミック粉末および焼結助剤の合計重量を100とし
た場合、MMAとiBMAのコポリマーが4〜25、可
塑剤が1〜15の重量比の領域にあることが好ましい。
本発明では、スラリーを製造するときに添加される結合
剤としてメタクリル酸系のコポリマー樹脂を使用し、可
塑剤としてフタル酸ジブチルを使用するとともに、焼成
雰囲気を湿潤窒素雰囲気として焼成する。
この発明における結合剤の配合は水分を含む窒素雰囲気
中で、セラミックグリーンシートの焼結が始まる700
℃以前には完全に分解し、飛散するので、セラミック中
に炭化水素および炭素が残留することがなく、しかも配
線材料の銅が酸化されることなくセラミック多層配線基
板を焼結することができる。
メタクリル酸系の種々のコポリマーのうちMMAとiB
MAのコポリマーを加熱してその減量を調べた結果、第
1図に示すように、このコポリマーはN2ガス中で加熱
した場合の飛散性が特に高いことが判った。グリーンシ
ート成形時に使用する溶剤に溶解する樹脂の主なものに
スチレン系、アクリル系、ビニール系等があるが、芳香
族炭化水素を含むものは酸素のない雰囲気で残留カーボ
ンが残りやすいため、バインダーとしては不適当である
脂肪族炭化水素のバインダーはアクリル系とビニール系
があるが、ビニール系でセラミックのシート成形に使用
される代表的なものはポリビニールブチラール樹脂(P
VB)である。しかしながらこのPVBは第2図に示す
ように、窒素中で加熱した場合500℃以上で数%残っ
た残留物は800℃を越えても除去されないため、銅を
導体とする導体との同時焼成セラミック基板には適用で
きない。
一方、可塑剤として使われるフタル酸ジブチル(DBP
)およびポリエチレングリコールは第2図に示すように
、ポリマーでないために窒素中300℃付近で完全に飛
散しており1本発明の目的に使用することができる。
そこでHMA−iBMAコポリマーを結合剤とし、可塑
剤にDBPを用いてセラミック粉末とともにシー1−成
形を行い、シート成形性、窒素中焼成によるバインダー
の飛散性、同じ雰囲気中における配a銅導体の酸化によ
る導電性の低下等を調べた結果多層配線基板に適するこ
とがわかった。
スラリー、グリーンシートおよび積層板の形成方法など
は従来と同様である6 〔実施例〕 以下、この発明の一実施例を、メタクリル酸メチルとメ
タクリル酸イソブチルとのコポリマー(MMA50 :
 iBMA50)を結合剤とする場合について説明する
まず、セラミック粉末としてアルミナ粉末を用い、焼結
助剤としてガラスを用い、重量比で50=50にして1
00g用意した。この混合粉末にメタクリル酸メチルと
メタクリル酸イソブチルのコポリマーの粉末を16g、
DBPを7g、トリオレイン1.5gを添加したトルエ
ン85ccを混合してスラリーを作成し、ドクターブレ
ード法によってスラリーをポリエチレンテレフタレート
膜上に流し出し、乾燥してセラミック粉末のグリーンシ
ートを作成した。このシートに直径100μmのスルホ
ールをあけ、その中に銅ペーストを埋める。さらに銅ペ
ーストで配線回路を印刷する。このようにして配線回路
を印刷したグリーンシートを多層にして、 50”Cに
加熱したホラ1−プレートの間で20kg/ cJ の
圧力を加えて圧着積層した。これを雰囲気の制御できる
炉の中に入れ、150+++a+l(g水蒸気で飽和し
た10ppmの酸素を含む窒素ガスを通し、50℃/時
間の割合で500°Cで5時間保持した後900℃まで
加熱し、900℃で3時間焼結した後冷却した。このよ
うに作成した多層配線セラミック基板は内部まで白色で
あり、残留炭素がなく、内部まで脱バインダー化が完了
していることを示していた。
なお、この時の銅配線抵抗は約3111Ω/dであり、
導電率は設計値通りで特に問題はなかった。
上記の実施例において重要なことは、結合剤であるMM
A−iBMAのコポリマーと、可塑剤であるDBPとの
量比である。もしDBPが入っていないと、シートはひ
び割れを起す。またもしDBPが多いと、シートは柔く
なりすぎて切れやすくなる。この点について詳細に調べ
たところ、第3図の領域Aに示したように、 粉末10
0に対して、MMA−iBMAのコポリマーが6〜25
の重量比、  DBPが1〜15の重量比の領域にある
場合に良好なグリーンシートが得られることを確認した
。MMA−iBMAのコポリマーがこの領域より多い場
合もグリーンシートはできるが、焼成収縮が大きく、焼
成基板は変形しやすい。
またDBPがこの領域より多い場合もグリーンシートは
形成できるが、シートが柔くなり、伸び、変形が発生し
やすく、ハンドリング性を悪くする。
また前記実施例ではバインダーHMA−iBMAコポリ
マーの組成比が重量比で50 : 50の時について説
明したが、 HMAの組成比が10〜90%の範囲での
コポリマーを適用した場合でも良好な結果が得られ、H
MA 10%のコポリマーを適用したシートでは、積層
性、脱バインダー性に優れた傾向がみられ、HMA 9
0%のコポリマーを適用したシートではシートの取扱、
ハンドリング性に優れた傾向がみられた。また前記実施
例においては可塑剤としてDBPを用いたが、フタル酸
エチル、フタル酸メチル、フタル酸ブチル、フタル酸オ
クチル、マレイン贋エチル、マレイン酸メチル、マレイ
ン酸ブチル、ポリエチレングリコールなどを適用しても
同様の効果が得られた。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、セラミック粉末、8
00〜1000℃で焼成させる焼成助剤、結合剤として
のメタクリル酸系のコポリマー樹脂、および可塑剤を特
定の溶剤を用いてグリーンシートを作成し、銅導体を印
刷して特定のガス雰囲気で焼成するため、グリーンシー
トが還元されることなく、かつ銅導体が酸化されること
なくセラミック多層基板を製造することができる。その
結果低温で焼成でき、かつ低抵抗の導体を得ることがで
き、安価で高性能なセラミック多層基板を得ることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図は窒素中でMMA−iBMAのコポリマーを加熱
した場合の温度と減量の関係図、第2図は窒素中でDB
P、 PVB、トリオレインおよびポリエチレングリコ
ールを加熱した場合の温度と減量の関係図、第3図は結
合剤(HMA−iBMAコポリマー)と可塑剤(DBP
)の好ましい配合比を示す関係図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)セラミック粉末とそれを800〜1000℃で焼
    結するための焼結助剤を配合する工程、トルエンまたは
    キシレンを主成分とする溶剤に、結合剤としてメタクリ
    ル酸系のコポリマー樹脂および可塑剤を溶解混合し、ス
    ラリーを作成する工程、このスラリーをドクターブレー
    ドによってグリーンシートに成形し、銅導体を印刷配線
    する工程、これを多層に積層する工程、および積層体を
    微量の酸素を含む湿潤窒素雰囲気中で焼成する工程より
    なることを特徴とするセラミック多層基板の製造方法。
JP16732988A 1988-07-05 1988-07-05 セラミック多層基板の製造方法 Pending JPH0216795A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6521069B1 (en) * 1999-01-27 2003-02-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Green sheet and manufacturing method thereof, manufacturing method of multi-layer wiring board, and manufacturing method of double-sided wiring board

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6521069B1 (en) * 1999-01-27 2003-02-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Green sheet and manufacturing method thereof, manufacturing method of multi-layer wiring board, and manufacturing method of double-sided wiring board
US6696139B2 (en) 1999-01-27 2004-02-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Green sheet and manufacturing method thereof, manufacturing method of multi-layer wiring board and manufacturing method of double-sided wiring board

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