JPS62108787A - 銅導体セラミツク配線基板の製法 - Google Patents
銅導体セラミツク配線基板の製法Info
- Publication number
- JPS62108787A JPS62108787A JP24708785A JP24708785A JPS62108787A JP S62108787 A JPS62108787 A JP S62108787A JP 24708785 A JP24708785 A JP 24708785A JP 24708785 A JP24708785 A JP 24708785A JP S62108787 A JPS62108787 A JP S62108787A
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- JP
- Japan
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- gas
- copper conductor
- copper
- humidified
- oxidizing gas
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- Pending
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はセラミック配線基板に係り、特にコンピュータ
やＶＴＲなど好適な低抵抗銅導体セラミック配線基板に
関する。
やＶＴＲなど好適な低抵抗銅導体セラミック配線基板に
関する。
従来の銅導体セラミック配線基板は、特開昭５１−１１
９９７３に記載のように、ＡＱｚＯｓ等のセラミック基
板上にＣｕ導体ペーストを印刷、乾燥した後。
９９７３に記載のように、ＡＱｚＯｓ等のセラミック基
板上にＣｕ導体ペーストを印刷、乾燥した後。
中性または僅かな還元性雰囲気中で焼成することで得ら
れる。しかし、接着強度が１〜１ 、５ ｋｇ／ｍｍ２
程度であり、リード端子がはんだ術後の取扱い時にとれ
ることがあり、信頼性が劣る欠点があった。
れる。しかし、接着強度が１〜１ 、５ ｋｇ／ｍｍ２
程度であり、リード端子がはんだ術後の取扱い時にとれ
ることがあり、信頼性が劣る欠点があった。
またグリーンシー１−にＣ＋ｉ導体ペーストを印刷。
乾燥した後、中性または僅かな還元性雰囲気中で焼成し
た場合、グリーンシートのバインダーとして、Ｎｚ７ｉ
囲気焼成で分解飛散するアクリルバインダーを使っても
、セラミック焼成体中にカーボンとして若干残存し、信
頼性の７（ｎで問題があった。
た場合、グリーンシートのバインダーとして、Ｎｚ７ｉ
囲気焼成で分解飛散するアクリルバインダーを使っても
、セラミック焼成体中にカーボンとして若干残存し、信
頼性の７（ｎで問題があった。
本発明の目的は上記接着強度が小さいことや、焼成体中
にカーボンが若干残存することにより信頼性が劣る問題
を解決した新規な焼成方法により作製したＣｕ導体セラ
ミック配線基板を提供することにある。
にカーボンが若干残存することにより信頼性が劣る問題
を解決した新規な焼成方法により作製したＣｕ導体セラ
ミック配線基板を提供することにある。
銅導体をセラミック基板上に強固に接着するためには、
銅粉をガラスでセラミックに接着する場合と銅とセラミ
ックスを化学的に反応接着させる場合あるいは両者の混
合したものが考えられる。
銅粉をガラスでセラミックに接着する場合と銅とセラミ
ックスを化学的に反応接着させる場合あるいは両者の混
合したものが考えられる。
しかし強固に接着するためガラスの割合を多くすれば、
導電性が小さくなる問題があり、ガラスの割合はあまり
増やすことができない。また銅とセラミックスを反応接
着させる場合であると、銅が酸化した状態の方が、セラ
ミックスのマトリックスあるいはフラックス成分との反
応は進みやすい。しかし導電性は銅が酸化していること
や緻密性が悪いため小さくなり、実用上問題がある。
導電性が小さくなる問題があり、ガラスの割合はあまり
増やすことができない。また銅とセラミックスを反応接
着させる場合であると、銅が酸化した状態の方が、セラ
ミックスのマトリックスあるいはフラックス成分との反
応は進みやすい。しかし導電性は銅が酸化していること
や緻密性が悪いため小さくなり、実用上問題がある。
そこで、接着強度が大きくしかも緻密な導電性の優れた
銅導体回路を形成するために、まずセラミック基板と銅
導体を強固に接着させた後、緻密な銅導体膜になる方法
を考えた。すなわち、セラミック焼結体基板及びグリー
ンシートに銅厚膜を印刷、乾燥した後、まず加湿した中
性雰囲気及び還元雰囲気中で焼成することにより、銅粉
末の表面を一部酸化させることでセラミック基板と反応
接着させる。同時にグリーンシート及び銅ペースト中の
バインダーも完全に分解焼失させる。次いで乾燥した還
元雰囲気中で焼成することにより、表面酸化した銅粉を
還元し、銅導体膜の導電性や緻密性を改善させる。
銅導体回路を形成するために、まずセラミック基板と銅
導体を強固に接着させた後、緻密な銅導体膜になる方法
を考えた。すなわち、セラミック焼結体基板及びグリー
ンシートに銅厚膜を印刷、乾燥した後、まず加湿した中
性雰囲気及び還元雰囲気中で焼成することにより、銅粉
末の表面を一部酸化させることでセラミック基板と反応
接着させる。同時にグリーンシート及び銅ペースト中の
バインダーも完全に分解焼失させる。次いで乾燥した還
元雰囲気中で焼成することにより、表面酸化した銅粉を
還元し、銅導体膜の導電性や緻密性を改善させる。
比較例１
アルミナ基板に銅導体ペーストを印刷、乾燥した後、窒
素雰囲気中、９００℃−１０ｍ１ｎで焼成した。
素雰囲気中、９００℃−１０ｍ１ｎで焼成した。
これの接着強度は１ ｋｇ／ｎｕｎ２であり、小さい強
度であった。
度であった。
比較例２
ガラスとシリカ及びビヒクルを混合したグリーンシート
に銅導体ペーストを印刷、乾燥した後、窒素雰囲気中、
９００’Ｃ−１ｈで焼成した。その結果焼結体基板中に
バインダーの分解カーボンが一部残存し１着色した。こ
れの絶縁抵抗は１０１ｆΩ・ｃｍ （５００Ｖ ／ ｃ
ｍ）であった。また銅厚膜のｊ妾着強度は１ 、２ ｋ
Ｗ／ｍｍ２であった。
に銅導体ペーストを印刷、乾燥した後、窒素雰囲気中、
９００’Ｃ−１ｈで焼成した。その結果焼結体基板中に
バインダーの分解カーボンが一部残存し１着色した。こ
れの絶縁抵抗は１０１ｆΩ・ｃｍ （５００Ｖ ／ ｃ
ｍ）であった。また銅厚膜のｊ妾着強度は１ 、２ ｋ
Ｗ／ｍｍ２であった。
実施例１
アルミナ基板に銅導体ペーストを印刷７乾燥した後、ま
ず加ｉ（水蒸気分圧： ２４＋ｎｍＨｇ） Ｌ／たＮ２
−Ｎ２７オーミングガス中、９００’Ｃ−−１゜ｍｊｎ
で焼成した。次に乾燥したＮ２ Ｎ２フォーミングガ
ス中、９００℃−ＩＱｍｊｎｔｌ−焼成した。
ず加ｉ（水蒸気分圧： ２４＋ｎｍＨｇ） Ｌ／たＮ２
−Ｎ２７オーミングガス中、９００’Ｃ−−１゜ｍｊｎ
で焼成した。次に乾燥したＮ２ Ｎ２フォーミングガ
ス中、９００℃−ＩＱｍｊｎｔｌ−焼成した。
その結果は表１に示すように、高い接着強度のものが得
られる。
られる。
表１
但し、加湿雰囲気：露点が２５℃
乾燥雰囲気：露点が一５０℃
実施例２
ガラスとシリカ及びビヒクルを混合したグリーンシート
に銅導体ペーストを印刷、乾燥した後。
に銅導体ペーストを印刷、乾燥した後。
まず加湿（水蒸気分圧： ２４＋ｏ＋ｏＨｇ）Ｌ／たＮ
２−Ｎ２フォーミングガス中、 ９００ ℃−３０ｍ１
ｎで焼成した。次に乾燥したＮ２ Ｈｚフォーミング
ガス中、９００℃−３０ｍ１ｎで焼成した。その結果は
表２に示すように、基板の絶縁抵抗および接、η強度の
高いものが得られる。
２−Ｎ２フォーミングガス中、 ９００ ℃−３０ｍ１
ｎで焼成した。次に乾燥したＮ２ Ｈｚフォーミング
ガス中、９００℃−３０ｍ１ｎで焼成した。その結果は
表２に示すように、基板の絶縁抵抗および接、η強度の
高いものが得られる。
実施例３
ガラスとシリカ及びビヒクルを混合したグリーンシート
に銅導体ペーストを印刷、乾燥した後、５層に積層した
。これをまず加湿（水蒸気分圧：２４ｍｍＨｇ）したＮ
２−Ｈ２フォーミングガス中５００’Ｃ−３０ｍ１ｎで
焼成した。次に乾燥したＮｚ−Ｈｚフォーミングガス中
、９００℃−１ｈで焼成した。その結果、基板の絶縁抵
抗が１Ｑ１４Ω・Ｃａ１以上であり、しかも表面の銅導
体の接着強度は２ 、２ ｋｇ／ｍｍ”であり、優れた
銅導体多層回路基板が得られた。
に銅導体ペーストを印刷、乾燥した後、５層に積層した
。これをまず加湿（水蒸気分圧：２４ｍｍＨｇ）したＮ
２−Ｈ２フォーミングガス中５００’Ｃ−３０ｍ１ｎで
焼成した。次に乾燥したＮｚ−Ｈｚフォーミングガス中
、９００℃−１ｈで焼成した。その結果、基板の絶縁抵
抗が１Ｑ１４Ω・Ｃａ１以上であり、しかも表面の銅導
体の接着強度は２ 、２ ｋｇ／ｍｍ”であり、優れた
銅導体多層回路基板が得られた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、銅を導体配線とするセラミック基板において、セラ
ミック焼結体上またはグリーンシート上に銅厚膜を印刷
した後、少くとも露点が０℃以上の加湿した非酸化性ガ
ス雰囲気中で焼成した後、乾燥した非酸化性ガス中で焼
成することを特徴とする銅導体セラミック配線基板の製
法。 ２、特許請求の範囲第１項において、加湿した非酸化性
ガスは、露点が０℃以上に加湿されたＨ＿２ガスが５０
％以下であり、窒素またはアルゴンガスとの混合ガスで
あることを特徴とする銅導体セラミック配線基板の製法
。 ３、特許請求の範囲第１項において、乾燥した非酸化性
ガスは、露点が−３０℃以下でしかも、水素ガスを１０
〜６０％含み、水素／非酸化性ガスの割合が加湿雰囲気
ガス中と同等あるいはそれ以上の窒素またはアルゴンガ
スとの混合ガスであることを特徴とする銅導体セラミッ
ク配線基板の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24708785A JPS62108787A (ja) | 1985-11-06 | 1985-11-06 | 銅導体セラミツク配線基板の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24708785A JPS62108787A (ja) | 1985-11-06 | 1985-11-06 | 銅導体セラミツク配線基板の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62108787A true JPS62108787A (ja) | 1987-05-20 |
Family
ID=17158230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24708785A Pending JPS62108787A (ja) | 1985-11-06 | 1985-11-06 | 銅導体セラミツク配線基板の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62108787A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02248098A (ja) * | 1989-02-20 | 1990-10-03 | L'air Liquide | 電気接続部材の製造方法 |
| JPH05102631A (ja) * | 1991-10-09 | 1993-04-23 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 銅ペースト及び低温焼成セラミツク回路基板 |
-
1985
- 1985-11-06 JP JP24708785A patent/JPS62108787A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02248098A (ja) * | 1989-02-20 | 1990-10-03 | L'air Liquide | 電気接続部材の製造方法 |
| JPH05102631A (ja) * | 1991-10-09 | 1993-04-23 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 銅ペースト及び低温焼成セラミツク回路基板 |
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