JPS60147169A - 半導体可変容量素子 - Google Patents

半導体可変容量素子

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JPS60147169A
JPS60147169A JP247084A JP247084A JPS60147169A JP S60147169 A JPS60147169 A JP S60147169A JP 247084 A JP247084 A JP 247084A JP 247084 A JP247084 A JP 247084A JP S60147169 A JPS60147169 A JP S60147169A
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junction
capacitance
variable capacitance
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JP247084A
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Yoshio Hattori
服部 芳雄
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Seiko Instruments Inc
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Seiko Instruments Inc
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/92Capacitors having potential barriers
    • H01L29/94Metal-insulator-semiconductors, e.g. MOS

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は静電耐圧の高い半導体可変容量素子に関する。
従来、半導体基板表面に絶縁膜で覆われ外部よル絶縁さ
れた浮遊電極を持ち、該浮遊電極に蓄積した電荷によっ
て容量を可変する半導体可変容量素子で杜、外部から加
わる異常電圧(ノイズ電圧)K極・めて弱かった。特に
1容量を可変する電圧を一印加する電極(可変電極】は
正負いずれの電圧も印加できる必要から、従来から知ら
れているクランプダイオードを用いたMOB素子の保護
回路が利用できず極めて弱かった。
従来の半導体可変容量素子でまったく保護をしない場合
、放置しておくだけで、容量の変化や、容量値が可変で
きな《なる不良が多発した。その原因は可変電極がノイ
ズκ弱いためで、可変電極と外部端子間に第1図に示す
抵抗1,2とNPM’構造の容量3,4とで構成された
,積分回路と入力インピータンヌを低げる抵抗5とから
なる保護回路を挿入することKよって、飛翔的に向上し
た。
この保護回路によって実験的レベルでの使暦においては
、ノイズによる不良の発生はなくなったが、ノイズレベ
ルが高く、そOf理の因難な量産時には耐ノイズ性が不
足で1.この静電耐圧(耐ノイズ性]の不足が半導体可
変容量素子の実用化を妨げている最大の要因であった。
本発明は前記従来の半導体可変容量素子の欠点である静
電耐圧を向上させて、より実用的で量産性にすぐれた半
導体可変容量素子を実現するものでるる。
以下、本発明の詳細を図面を用いて説明する。
棺2図社、本発明の第1の実施例の半導体可変容量素子
の断面図でるる。11はへ型半導体基板、12は絶縁膜
で覆われ外部から絶縁されている浮遊電極、13は浮遊
電極の電位を安定させるシールド電極、14は容量電極
を基板と分離するためのPウェル拡散領域、15はPウ
ェル拡散領域14内にあるn汲拡散領域、16はPウェ
ル14の基板表面の周囲Vc6るr十拡散領域のチャネ
ルカットで、Pジェル14と該n型拡散領域15とシー
ルド電極13とを接続して容量電極加が構成されている
。17はPウェル140m囲を囲むn十拡散領域のチャ
ネルカットで、P+チャネルカット16と静+チャネル
カット17との距離nは4P悟以内と近接している。1
8#i′容量電極となるn型拡散領域、19は該n型拡
散領域18を基板11から分離するP型拡散領域である
21はn型拡散領域18から引き出された可変電極で、
可変電極と外部端子との間には、第1図に示した保護回
路が挿入されている。
第3図は、第2図に示した第1の実施例の半導体可変容
量素子の等価回路を示す図面でめる。31は%屋拡散領
域18とP型拡散領域19と基板11とからなるt&ア
外構造からなる部分で、32は浮遊電極12と可変電極
となるsl拡散領域18との容量で、33唸浮遊電極1
2とシールド電極13との容量で、U社浮遊電極12と
容量電極となる%瀧拡散領域15との容量、35は浮遊
電極12と基板11の表1面との容量で、%は浮遊電極
12に蓄積された電荷量によって可変する空乏層容量で
、37は容量電極を構成するP型拡散領域14 、16
と基板17との?、接合である 7゜半導体可変容量素
子の可変電圧の効率を良くするため、容量33 、34
 、 ’35 、36およびP外接合37の容量に比べ
て、容量羽の容量値拡小さく設計され工いる。したがっ
て、ノイズ電圧が可変電極乙に発生した場合、その電圧
はほとんど容量nに加わる。すなわち、容量諺を構成す
る浮遊電極12とn型拡散領域18との間の薄い絶縁膜
部分KtIわめで高いノイズ電圧が加わるはずであシ、
ノイズによる破壊は上述の薄い絶縁属で最初に起きると
想像され% v+婢散散領域16愕+拡散領域17との
r偽接合耐圧には無関係の現象と推測されていた。
ところが、発明者の実験によると、P十拡散領域16と
外+拡散領域17の距離、すなわち前述のア鴨接合nの
接合耐圧が極めて重要であることがわかった。マスク寸
法上で、!i合距離nを4ptn以内とすると、可変電
極の外部端子に、2007Fの容量に帯電させた60(
1’の電圧を印加しても破壊ははとんど発生しないが、
接合距離nを6P悟とすると% 807 (5!0OP
IF)以上で破壊が゛ 発生した。接合距離nを4P悟
以内とするとP%接合37の接合耐圧は10 V以下と
なシ、浮遊電極下の薄い絶縁膜の膜厚を100ムと極薄
としft、場合の絶縁耐圧より低いか、を九は同程度と
なってシフ、上述<DI’%接合訂接合圧が低いことが
、可変電極21のノイズ耐圧(静電耐圧〕を、向上させ
ていることが実験よ)わかった。実際に、可変電極の外
部端子に200’P ?の容量に耐電させた電圧上60
07(正負いずれの向きの電圧]を印加して ・も破l
1IF!、発生しなかった。
第4図は本発明の第2の実施例を示す等価回路図である
。41は可変電極となる%鳳拡散領域、P型分離拡散領
域と基板との%P%構造で、42社浮遊電極と可変電極
となる%型拡散領域との容量で、43は浮遊電極とシー
ルド電極との容量で、44拡浮遊電極と容量電極となる
%型拡散領域との容量で、45は浮遊電極と基板弐面と
の容量で、46は浮遊電極に蓄積した電荷量・で可変で
きる基板表面の空乏層容量で、容量電極を構成するPf
fl拡散領域と一板とのP%接合で、48は接合耐圧を
10 V以下と低くしたP%接合である。可変電極49
と外部端子との間に拡第1の実施例と同様に第1図に示
した保護回路が挿入されている。
第20実施例KThいて浮遊電極を覆う絶縁膜の−部に
極薄い100ム程度の膜厚(第2の実施例では容量45
を形成する部分ンを用いても、P%接・ 合の接合耐圧が100ムの極薄膜の絶縁耐圧と同程度の
10数Vであるため、可変電極の外部端子に加わるノイ
ズ耐圧、(静電耐圧)が飛躍的に向上する。
第5図は、第2の実施例の可変電極外部端子に200P
Fの容量に蓄積した電圧を印加する静電テストロ実験結
果を示すグラフである。横軸は印加した電圧、縦軸は発
圧印加によって発生する不良の累積不良率である。直線
51はPn接合48の無い従来め半導体可変容量素子の
1例グラフで、累積不良率が1%になる印加電圧(静電
耐圧と呼ぶ)は80vと非常に低い。ところが、前述従
来の半導体可変容量素子に接合耐圧の低いPn接合48
を付加した第2の実施例のグラフ52では静電耐圧が3
50vに向上している。なお、第5図のグラフに示した
第2の実施例では、不良の大半の原因れ薄い絶aSの破
壊ではなくs ’%接合48の破壊で、P%接合の接合
面積を大きくして、大電流にも耐えられるようにすれば
、さらに靜を耐圧は向上し、soo、7以上にすること
も要易である。
以上、上述の説明で明らかなように1本発明によれば、
容量電極に接続したP%接合の接合耐圧(静電耐圧)を
実用上充分に向上させることができ、実用性、量産性に
すぐれた毛導体可変容量素子が実現できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の可変電極保護回路の回路図、第2口拡第
1の実施例を示す断面図、第3図は第1の実施例の等価
用路図、第4図は第、2.の実施例を′示す等価回路図
、第5図は第2の実施例と従来の半導体可変容量素子の
静電耐圧を示すグラフである。 1 @ 2 # 5 e e * s抵抗3.4・・%
P%構造容量 1i e * * a半導体基板 12 * a @ @浮遊電極 15.17,18.、%型拡散領域 16、、、、P汲拡散領域 32.33,34,35.、浮遊電極の容量あ010.
空乏層容量 37@@II@接合耐圧の低いP外接合42 、4.3
 、44 、45 、 、浮遊電極の容量 46、、、空乏層容量 48、、、接合耐圧の低いP、接合 以上 出願人 セイコー電子工県株式会社 代理人 弁理士 最 上 務

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)、半導体基板表面に絶縁膜で覆われ外部から絶縁
    さnた浮遊電極を有する半導体可変容量素子において、
    上記半導体可変容量素子の容量電極に接続されたPn接
    合の接合耐圧が浮遊電極を覆っている絶g膜のいかなる
    部分の絶縁耐圧よりも低いか、あるいは、同程度である
    ことを特徴とする半導体可変容量素子。
  2. (2)、 eit記P%接合が容量電極を兼ねたことを
    特徴とする特許 変容4に素子8
  3. (3)、前記PtL接合を形成する半導体基板と同じ導
    電型で低比抵抗の第1の不純物拡散領域と第1の不純物
    拡散領域と逆の導電型を有する第2の不純物拡散領域と
    の間の間離が4pm以内である特許請求の範囲第1項あ
    るい拡第2項記載の半導体可変容量素子。
JP247084A 1984-01-10 1984-01-10 半導体可変容量素子 Granted JPS60147169A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0232117A2 (en) * 1986-01-31 1987-08-12 Seiko Instruments Inc. Semiconductor variable capacitance element
US4851792A (en) * 1986-05-28 1989-07-25 Seiko Electronic Components Ltd. Temperature-compensated oscillator circuit
JPH0531507U (ja) * 1991-10-01 1993-04-27 三菱農機株式会社 トラクタの油圧リフト装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57166080A (en) * 1981-04-07 1982-10-13 Seiko Instr & Electronics Ltd Semiconductor variable capacity element

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