JPS60146870A - 4−ヒドロキシインド−ルの製造法 - Google Patents
4−ヒドロキシインド−ルの製造法Info
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- JPS60146870A JPS60146870A JP59001029A JP102984A JPS60146870A JP S60146870 A JPS60146870 A JP S60146870A JP 59001029 A JP59001029 A JP 59001029A JP 102984 A JP102984 A JP 102984A JP S60146870 A JPS60146870 A JP S60146870A
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- ketone
- hydroxyindole
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Indole Compounds (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は4−ヒドロキシインドールの製造法に関する。
さらに詳しくは、本発明は4−ヒトジキシインドールを
高収率かつ高品質で工業的に有利に製造する方法に関す
る。
高収率かつ高品質で工業的に有利に製造する方法に関す
る。
4−とドロキシインドールは交感神経β−遮断薬として
優れた薬効を示すピンドロールの主原料として有用な物
質である。
優れた薬効を示すピンドロールの主原料として有用な物
質である。
かかる4−ヒドロキシインドールの合成法としては、従
来より4−オキソ−4,5,6,7−ケトンヒドロイン
ドールを貴金属触媒を用いて脱水素する方法が公知であ
り、その際使用する反応溶媒として、 〔1)メシチレン、p−シメンなどの芳香族炭化水素を
用いる方法(Ohem、 Ber、、101.2605
(1968)、J。
来より4−オキソ−4,5,6,7−ケトンヒドロイン
ドールを貴金属触媒を用いて脱水素する方法が公知であ
り、その際使用する反応溶媒として、 〔1)メシチレン、p−シメンなどの芳香族炭化水素を
用いる方法(Ohem、 Ber、、101.2605
(1968)、J。
Heterooyclio Ohem、、14.71
(1977) )、(2)ポリアルキレングリコールジ
アルキルエーテル類を用いる方法(特開昭56−103
160号)などが知られている。
(1977) )、(2)ポリアルキレングリコールジ
アルキルエーテル類を用いる方法(特開昭56−103
160号)などが知られている。
しかしながら、成上の方法は高品質の4−ヒドロキシイ
ンドールを高収率でえるという点において種々の欠点を
有しており、工業上の実施を困難にしている。
ンドールを高収率でえるという点において種々の欠点を
有しており、工業上の実施を困難にしている。
すなわち、(1)の方法は、
(イ)収率が57〜77%と低い。
(口〕反応副生物が触媒活性を著しく阻害し、収率低下
の原因となると共に、触媒の再使用が不可能であり、高
価な触媒ゆえ触媒コストを大幅に増大させる。
の原因となると共に、触媒の再使用が不可能であり、高
価な触媒ゆえ触媒コストを大幅に増大させる。
(ハ)反応液中に多量の未反応原料および副生惣が残存
して単離精製を困難にすると共に、製品の品質を悪化さ
せる。
して単離精製を困難にすると共に、製品の品質を悪化さ
せる。
に)副生物、未反応原料などの不純物除去のためにシク
ロヘキサンによる再結晶をワなうが、多量の熱シクロヘ
キサンが必要であり有利な方法でない。
ロヘキサンによる再結晶をワなうが、多量の熱シクロヘ
キサンが必要であり有利な方法でない。
という反応および単離精製における各種の欠点を有して
おり、また(2)の方法は反応収率の改善のみであり、 (イ)反応溶媒のポリアルキレングリコールジアルキル
エーテル類は目的とする4−ヒトジキシインドールおよ
び副生物を非常によく溶解し、かつ水および他の溶媒と
の相互溶解度も高く、4−ヒドロキシインドールの単離
が困難である。
おり、また(2)の方法は反応収率の改善のみであり、 (イ)反応溶媒のポリアルキレングリコールジアルキル
エーテル類は目的とする4−ヒトジキシインドールおよ
び副生物を非常によく溶解し、かつ水および他の溶媒と
の相互溶解度も高く、4−ヒドロキシインドールの単離
が困難である。
(ロ)未反応原料の残存率が6〜12%と高く、このこ
とも高品質な4−とトリキシインドールの単離を困難に
している。
とも高品質な4−とトリキシインドールの単離を困難に
している。
(ハ)ポリアルキレングリコールジアルキルエーテル類
は高価な溶媒であり、経済性を悪くする。
は高価な溶媒であり、経済性を悪くする。
という欠点を有している。
本発明者らは前記のごとき欠点を克服し、4−ヒトジキ
シインドールを工業的に有利に製造する方法に関して、
反応のみならず単離精製法についても鋭意研究を重ねた
結果、反応溶媒として+)ン類を用いることによって高
反応収率でかつ工業的に実施容易な単離精製法により高
品Wの4−ヒトジキシインドールかえられることを見出
し、本発明を完成するにいたった。
シインドールを工業的に有利に製造する方法に関して、
反応のみならず単離精製法についても鋭意研究を重ねた
結果、反応溶媒として+)ン類を用いることによって高
反応収率でかつ工業的に実施容易な単離精製法により高
品Wの4−ヒトジキシインドールかえられることを見出
し、本発明を完成するにいたった。
すなわち、本発明は下記の反応式に示すごとく、式(す
の4−オキソ−4,5,6,7−チトラヒド!インドー
ルを貴金属触媒を用いて脱水素するに際し、式: %式% ′(式中 R1およびR2は同じかまたは異なりアルキ
ル基またはアリール基を示す)で示されるケトン類を反
応溶媒として用いることを特徴とする式(n)で示され
る4−ヒトジキシインドールの製造法に関する。
の4−オキソ−4,5,6,7−チトラヒド!インドー
ルを貴金属触媒を用いて脱水素するに際し、式: %式% ′(式中 R1およびR2は同じかまたは異なりアルキ
ル基またはアリール基を示す)で示されるケトン類を反
応溶媒として用いることを特徴とする式(n)で示され
る4−ヒトジキシインドールの製造法に関する。
0 01(
さらに、前記ケトン類を反応溶媒として用いることによ
り、反応液(4−ヒトジキシインドール合成反応液、以
下同様)からの4−ヒトジキシインドールの単離精製法
も前記公知の方法に比し、操作が簡便で工業的に有利な
方法となっている。
り、反応液(4−ヒトジキシインドール合成反応液、以
下同様)からの4−ヒトジキシインドールの単離精製法
も前記公知の方法に比し、操作が簡便で工業的に有利な
方法となっている。
すなわち、本発明における4−ヒトジキシインドールの
単離精製においてはつぎに示す操作が可能である。
単離精製においてはつぎに示す操作が可能である。
(&)反応液を濃縮し、4−とトリキシインドールを溶
解しにくい溶媒中に添加し、4−ヒトジキシインドール
を結晶化して単離し、ついで再結晶により精製する。
解しにくい溶媒中に添加し、4−ヒトジキシインドール
を結晶化して単離し、ついで再結晶により精製する。
(b) 反R5液を濃縮し、4−ヒドロキシインドール
を溶解しにくい溶媒と水との混合溶媒中に添加し、4−
ヒドロキシインドールを水層へ転溶せしめ、水着をその
ままもしくは活性炭処理後、濃縮晶析して単離する。
を溶解しにくい溶媒と水との混合溶媒中に添加し、4−
ヒドロキシインドールを水層へ転溶せしめ、水着をその
ままもしくは活性炭処理後、濃縮晶析して単離する。
(o)反応液を水を加えつつ濃縮し、反応溶媒を留去後
、残留する水層をそのままもしくは活性炭処理後、濃縮
晶析して4−とドロキシインドールを単離する。
、残留する水層をそのままもしくは活性炭処理後、濃縮
晶析して4−とドロキシインドールを単離する。
前記のごとき単離精製操作はいずれも工業的に実施容易
であり、高品質の4−ヒドロキシインドールを取得しつ
る。
であり、高品質の4−ヒドロキシインドールを取得しつ
る。
本発明に用いる反応溶媒のケトン類としてはたとえば、
メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘ
プタノン、4−ヘプタノン、ジイソブチルケトンなどの
脂肪族ケトンおよびアセトフェノン、ジフェニルケトン
などの芳香族ケトンがあげられ、なかでもジイソブチル
ケトンが反応成績がよく、経済性、安全性の面でも優れ
ており、好ましい。
メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘ
プタノン、4−ヘプタノン、ジイソブチルケトンなどの
脂肪族ケトンおよびアセトフェノン、ジフェニルケトン
などの芳香族ケトンがあげられ、なかでもジイソブチル
ケトンが反応成績がよく、経済性、安全性の面でも優れ
ており、好ましい。
本発明に用いる貴金属触媒としては、たとえばパラジウ
ム、白金、ルテニウム、ロジウムの粉末もしくはかかる
粉末を担体に担持したものがあげられ、とくにパラジウ
ムを活性炭に相持したものが好適である。触媒の使用量
はとくに限定されるものではないが、反応速度および単
位触媒当りの活性を考慮すると、原料の4−オキソ−4
,5,6,7−ケトンヒドロインドールに対し2〜20
重t%が好ましい。触媒の反応系への添加は反応開始時
に全量添加する方法または反応の経時で適量づつ添加し
ていく方法により行なわれる。また、一度反応に使用し
た触媒は反応溶媒の種類によっては再使用しえないもの
があり、高価な触媒ゆえコストの増大を招くが、本発明
のケトン類を用いれば活性低下の原因となる不純物の吸
着が少なく、反応液から分離した触媒はそのままもしく
は少量の溶媒で洗浄すれば充分再使用可能であり、触媒
コストが大幅に低減されつる。
ム、白金、ルテニウム、ロジウムの粉末もしくはかかる
粉末を担体に担持したものがあげられ、とくにパラジウ
ムを活性炭に相持したものが好適である。触媒の使用量
はとくに限定されるものではないが、反応速度および単
位触媒当りの活性を考慮すると、原料の4−オキソ−4
,5,6,7−ケトンヒドロインドールに対し2〜20
重t%が好ましい。触媒の反応系への添加は反応開始時
に全量添加する方法または反応の経時で適量づつ添加し
ていく方法により行なわれる。また、一度反応に使用し
た触媒は反応溶媒の種類によっては再使用しえないもの
があり、高価な触媒ゆえコストの増大を招くが、本発明
のケトン類を用いれば活性低下の原因となる不純物の吸
着が少なく、反応液から分離した触媒はそのままもしく
は少量の溶媒で洗浄すれば充分再使用可能であり、触媒
コストが大幅に低減されつる。
本発明における反応は、前記反応溶媒中に4−オキソ−
4,5,6,7−テトテヒドシインドールと触媒を入れ
、加熱攪拌することにより行なわれる。反応温度は10
0〜200°cJの範囲が好ましく、反応速共を上げ、
かつ副反応を抑制するには140〜180°Cの範囲が
好ましい。用いる4−オキソ−4,516,7−ケトン
ヒドロインドールの反応溶媒に対する濃度は、反応収率
および生産性を考慮すると5〜10 v/v%が好まし
い。また、反応中反応容器内をチッ素、アルゴンなどの
不活性ガスWfi気にすることにより副反応が抑制され
、好ましい結果かえられる。
4,5,6,7−テトテヒドシインドールと触媒を入れ
、加熱攪拌することにより行なわれる。反応温度は10
0〜200°cJの範囲が好ましく、反応速共を上げ、
かつ副反応を抑制するには140〜180°Cの範囲が
好ましい。用いる4−オキソ−4,516,7−ケトン
ヒドロインドールの反応溶媒に対する濃度は、反応収率
および生産性を考慮すると5〜10 v/v%が好まし
い。また、反応中反応容器内をチッ素、アルゴンなどの
不活性ガスWfi気にすることにより副反応が抑制され
、好ましい結果かえられる。
とくにジイソブチルケトンを反応溶媒として用いたばあ
いには、目的とする4−ヒト四キシインF−ルが90%
以上の高収率でえられ、かつ未反応の4−オキソ−4,
5,6,7−ケトンヒドロインドールの残存率が2%以
下に低減しつるという優れた結果かえられる。
いには、目的とする4−ヒト四キシインF−ルが90%
以上の高収率でえられ、かつ未反応の4−オキソ−4,
5,6,7−ケトンヒドロインドールの残存率が2%以
下に低減しつるという優れた結果かえられる。
反応液からの4−ヒドロキシインドールの単離精製は前
記(a)〜(0)の3種の方法により行なう。
記(a)〜(0)の3種の方法により行なう。
(&)の方法における反応液の濃縮率は、単離収率を上
げるために濃縮液中の反応溶媒の量を4−とドロキシイ
ンドールの1帽1倍以下にするのが好ましい。単離に用
いる溶媒としては、4−ヒドロキシインドールの溶解度
が低くかつ反応溶媒との相互溶解度が高いものが適当で
あり、たとえばペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロ
ヘキサンなどの脂肪族炭化水素、トルエン、キシレンな
どの芳香族炭化水素、塩化メチレン、1.2−ジクロル
エタンなどの塩素化炭化水素などがあげられる。濃縮し
た反応液をかかる単離用溶媒中へ攪拌下に添加すること
によって沈殿として単離される4−ヒドロキシインドー
ルは単離用溶媒に不溶性の不純物を含有するが、該不純
物は大部分水不溶性であるため水から再結晶することに
より容易に高品質の4−?ヒドロキシインドールかえら
れる。
げるために濃縮液中の反応溶媒の量を4−とドロキシイ
ンドールの1帽1倍以下にするのが好ましい。単離に用
いる溶媒としては、4−ヒドロキシインドールの溶解度
が低くかつ反応溶媒との相互溶解度が高いものが適当で
あり、たとえばペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロ
ヘキサンなどの脂肪族炭化水素、トルエン、キシレンな
どの芳香族炭化水素、塩化メチレン、1.2−ジクロル
エタンなどの塩素化炭化水素などがあげられる。濃縮し
た反応液をかかる単離用溶媒中へ攪拌下に添加すること
によって沈殿として単離される4−ヒドロキシインドー
ルは単離用溶媒に不溶性の不純物を含有するが、該不純
物は大部分水不溶性であるため水から再結晶することに
より容易に高品質の4−?ヒドロキシインドールかえら
れる。
(b)の方法では、4−とドロキシインドールはほとん
ど選択的に水層に転溶され、一方大部分の不純物は有機
層および水層の両方に不溶のまま残存するため容易に除
去される。水の使用量としては、水層中の4−ヒドロキ
シインドール濃度が2〜4w/V%になる量が適当であ
る。不溶性不純物を除去し、分液してえられた水層をそ
のま声もしくは活性炭などにより精製し、濃縮晶析する
ことにより高品質の4−ヒドロキシインドールかえられ
る。
ど選択的に水層に転溶され、一方大部分の不純物は有機
層および水層の両方に不溶のまま残存するため容易に除
去される。水の使用量としては、水層中の4−ヒドロキ
シインドール濃度が2〜4w/V%になる量が適当であ
る。不溶性不純物を除去し、分液してえられた水層をそ
のま声もしくは活性炭などにより精製し、濃縮晶析する
ことにより高品質の4−ヒドロキシインドールかえられ
る。
+03の方法は、反応だ媒のケトン類が水と共沸しやす
いことを利用して反応液の濃縮時に水を添加して反応溶
媒を留去し、4−ヒドロキシインドールの水溶液をえる
方法である。用いる水の置は残留水中の4−ヒドロキシ
インドールの濃度が2〜4w/v%になξ様にするのが
好ましい。
いことを利用して反応液の濃縮時に水を添加して反応溶
媒を留去し、4−ヒドロキシインドールの水溶液をえる
方法である。用いる水の置は残留水中の4−ヒドロキシ
インドールの濃度が2〜4w/v%になξ様にするのが
好ましい。
残留水中の不溶性不純物を除去し、そのままもしくは活
性炭などにより精製し、濃縮晶析することにより高品質
の4−ヒドロキシインドールかえられる。
性炭などにより精製し、濃縮晶析することにより高品質
の4−ヒドロキシインドールかえられる。
成上の単離精製法はいずれも濃縮、固液分離、液々分離
、再結晶などの工業的に容易に実施可能な単位操作より
成り、かつ反応溶媒としてケトン類を用いることによる
反応での高成績とあいまって、純度98%以上の高品質
の4−ヒドロキシインドールを収率よく取得しつると共
に製造コストを従来法に比して大幅に低減することが可
能になった。
、再結晶などの工業的に容易に実施可能な単位操作より
成り、かつ反応溶媒としてケトン類を用いることによる
反応での高成績とあいまって、純度98%以上の高品質
の4−ヒドロキシインドールを収率よく取得しつると共
に製造コストを従来法に比して大幅に低減することが可
能になった。
つぎに実施例をあげて本発明の方法をさらに詳しく説明
するが、本発明はかかる実施例のみに限定されるもので
はない。なお、実施例中の4H工およびoatはそれぞ
れ、4−とドロキシインドールおよび触媒を示す。
するが、本発明はかかる実施例のみに限定されるもので
はない。なお、実施例中の4H工およびoatはそれぞ
れ、4−とドロキシインドールおよび触媒を示す。
実施例1
4−オキソ−4,5,6,7−ケトンヒドロインドール
15g、5%Pd(パラジウム、以下同様)/活性炭1
.5gおよびジイソブチルケトン500mノヲ出On/
y y X :l L 入れ、攪拌下にチッ素ガスを通
気シつつジイソブチルケトンの沸点(168°0)まで
加熱し、還流した。12時間反応後、反応液から触媒を
分離し、ジイソブチルケトン約20+++7で触gを洗
浄した。p液と洗液を合わせてガスクロマトグラフィー
により分析した。4−とドロキシインドールの生成Jf
i13.4ノ(収率90.4%)、原料4−オキソ−4
,5,6,7−ケトンヒドロインドールの残存量0.2
49 (!34存率1.6%)であった。
15g、5%Pd(パラジウム、以下同様)/活性炭1
.5gおよびジイソブチルケトン500mノヲ出On/
y y X :l L 入れ、攪拌下にチッ素ガスを通
気シつつジイソブチルケトンの沸点(168°0)まで
加熱し、還流した。12時間反応後、反応液から触媒を
分離し、ジイソブチルケトン約20+++7で触gを洗
浄した。p液と洗液を合わせてガスクロマトグラフィー
により分析した。4−とドロキシインドールの生成Jf
i13.4ノ(収率90.4%)、原料4−オキソ−4
,5,6,7−ケトンヒドロインドールの残存量0.2
49 (!34存率1.6%)であった。
実施例2
4−オキソ−4,5,6,7−ケトラヒド田インド−/
l’15p、10%l/?lE炭3ノ、ジイソブチルケ
トン300m1を用いたほかは実施例1と同様にして反
応を行なった。反応初期の反応速度は0.979−4H
工/g −cat−hrであり、18時間後の4−とド
ロキシインドールの生成量15.7g(収率92.7%
)、原料4−オキソ−4,5,6,7−ケトンヒドロイ
ンドールの残存量0.09g(残存率0.6%)であっ
た。
l’15p、10%l/?lE炭3ノ、ジイソブチルケ
トン300m1を用いたほかは実施例1と同様にして反
応を行なった。反応初期の反応速度は0.979−4H
工/g −cat−hrであり、18時間後の4−とド
ロキシインドールの生成量15.7g(収率92.7%
)、原料4−オキソ−4,5,6,7−ケトンヒドロイ
ンドールの残存量0.09g(残存率0.6%)であっ
た。
実施例3
実施例2の反応液から分離した触媒をそのまま実施例2
と同一条件での反応に再使用した。
と同一条件での反応に再使用した。
初期反応速度は1.029−4H工/g −oat−h
rであり、18時間後の4−とドロキシインドール生成
量1.2%)であり、実施例2とほぼ同じ結果かえられ
た。
rであり、18時間後の4−とドロキシインドール生成
量1.2%)であり、実施例2とほぼ同じ結果かえられ
た。
実施例4
4−オキソ−4,5,6,フーテトテヒドロインドール
50g、5%pa/活性炭2.5g、ジイソブチルケト
ン10100Oを用いたほかは実施例1と同様にして反
応を行なった。6時間反応後、触媒2.59を追加し、
ざらに12時間反応を継続した。4−ヒドロキシインド
ールの生成量45.5g(収率92.0%)、原料の4
−オキソ−4,5,6,7−ケトラヒド四インドールの
残存量0.149(残存率0.9%)であった。
50g、5%pa/活性炭2.5g、ジイソブチルケト
ン10100Oを用いたほかは実施例1と同様にして反
応を行なった。6時間反応後、触媒2.59を追加し、
ざらに12時間反応を継続した。4−ヒドロキシインド
ールの生成量45.5g(収率92.0%)、原料の4
−オキソ−4,5,6,7−ケトラヒド四インドールの
残存量0.149(残存率0.9%)であった。
かくしてえられた反応液の500m1(4−ヒドロキシ
インドール2Q、Og含有〕を50gまで濃縮したのち
、n−ヘキサン400m!中−4攪拌下に滴下した。生
じた沈殿を分離し、乾燥し、水から再結晶して4−ヒド
ロキシインドールの白色結晶17.3g(収率86.5
%)をえた。さらに高速液体クロマトグラフィーにより
分析した純度98.7%、融点99〜100°C(文献
値97〜10Q’O)であった。
インドール2Q、Og含有〕を50gまで濃縮したのち
、n−ヘキサン400m!中−4攪拌下に滴下した。生
じた沈殿を分離し、乾燥し、水から再結晶して4−ヒド
ロキシインドールの白色結晶17.3g(収率86.5
%)をえた。さらに高速液体クロマトグラフィーにより
分析した純度98.7%、融点99〜100°C(文献
値97〜10Q’O)であった。
実施例5
実施例4でえられた反応液500m!(4−ヒドロキシ
インドール20.02含有)に活性炭3.[)りを入れ
、水1800mjを徐々に加えつつ減圧濃縮した。
インドール20.02含有)に活性炭3.[)りを入れ
、水1800mjを徐々に加えつつ減圧濃縮した。
ジイン1チルケトンがほとんど留夫された時点で濃縮を
やめ、残留液約800mjをえた。残留水層中の活性炭
をp側抜、濃縮晶析して4−ヒトジキシインドールの白
色結晶j6.2g(収率81.0%)をえた。高速液体
りpマドグラフィーにより分析した純度98.5%、融
点99〜100°0であった。
やめ、残留液約800mjをえた。残留水層中の活性炭
をp側抜、濃縮晶析して4−ヒトジキシインドールの白
色結晶j6.2g(収率81.0%)をえた。高速液体
りpマドグラフィーにより分析した純度98.5%、融
点99〜100°0であった。
実施例6
4−オキソ−4,516,7−ケトンヒドロインドール
159.5%Pa/活性炭0.5gおよびジイソブチル
ケトンを用いたほかは実施例1と同様にして反応を行な
った。反応開始後2時間毎に5%pa/活性炭0.29
を計5回添加し、ざらに8時間反応を継続した。4−ヒ
ドロキシインドールの生成蓋1s、8g (収率96.
2%)、原料の4−オキソ−4゜5.6.7−ケトンヒ
ドロインドールの残存!10.20g(残存率1.6%
)であった。
159.5%Pa/活性炭0.5gおよびジイソブチル
ケトンを用いたほかは実施例1と同様にして反応を行な
った。反応開始後2時間毎に5%pa/活性炭0.29
を計5回添加し、ざらに8時間反応を継続した。4−ヒ
ドロキシインドールの生成蓋1s、8g (収率96.
2%)、原料の4−オキソ−4゜5.6.7−ケトンヒ
ドロインドールの残存!10.20g(残存率1.6%
)であった。
かくしてえられた反応液500m1(4−ヒドソキシイ
ンドール11.99含有)を濃縮□し、n−ヘキサン2
00m11水400m/および活性炭1.8gの混合液
中に攪拌上滴下した。活性炭をF別し、分液してえられ
た水層を活性炭で処理したのち濃縮晶析し、4−ヒトジ
キシインドールの白色結晶9.75g(収率80.7%
)をえた。高速液体クロマトグラフィーにより分析した
純度98.5%、融点99〜100°Cであった。
ンドール11.99含有)を濃縮□し、n−ヘキサン2
00m11水400m/および活性炭1.8gの混合液
中に攪拌上滴下した。活性炭をF別し、分液してえられ
た水層を活性炭で処理したのち濃縮晶析し、4−ヒトジ
キシインドールの白色結晶9.75g(収率80.7%
)をえた。高速液体クロマトグラフィーにより分析した
純度98.5%、融点99〜100°Cであった。
実施例7〜9
ジイソブチルケトン300mj!に対し、用いる4−オ
キソ−4,5,6,7−ケトラヒド四インドールの仕込
量をそれぞれ189.249および60pとし、5%p
a/活性炭を反応初期に4−オキソ−4,5,6゜7−
ケトンヒドロインドールに対して10重量% 。
キソ−4,5,6,7−ケトラヒド四インドールの仕込
量をそれぞれ189.249および60pとし、5%p
a/活性炭を反応初期に4−オキソ−4,5,6゜7−
ケトンヒドロインドールに対して10重量% 。
になるように添加し、反応開始後6時間にさらに5重量
%追加する実施例4と同様の方法で合計18時間反応を
行なった。結果を第1表に示す。
%追加する実施例4と同様の方法で合計18時間反応を
行なった。結果を第1表に示す。
第 1 表
実施例10〜13
4−オキソ−4,5,IS、7−ケトンヒドロインドー
ル15g、10%pa/活性炭32および第2表に示す
各種ケトン類300 mlを用い、第2表に示す反応温
度で18時間反応した。結果を第2表に示す。
ル15g、10%pa/活性炭32および第2表に示す
各種ケトン類300 mlを用い、第2表に示す反応温
度で18時間反応した。結果を第2表に示す。
#I2表
実施例14
4−オキソ−4,5,6,7−ケトンヒドロインドール
15p、15%pa/活性炭3g、ジイソブチルケト2
3註0 応た。4−ヒドロキシインドールの生成量10.19(
収率68.4%)、原料の4−オキソ−4.s,tS,
7−ケトラヒドシインドールの’AAl1?,.49
( 残存率22、7%)であった。
15p、15%pa/活性炭3g、ジイソブチルケト2
3註0 応た。4−ヒドロキシインドールの生成量10.19(
収率68.4%)、原料の4−オキソ−4.s,tS,
7−ケトラヒドシインドールの’AAl1?,.49
( 残存率22、7%)であった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 式(I): で示される4−オキソ−4,5,6,7−チトラヒド覧
インF−ルを貴金属触媒を用いて脱水素反応させるに際
し、一般式: %式% (式中、R1およびR2は同じかまたは興なリアルキル
基またはアリール基を示す)で示されるケトン類を反応
溶媒として用いることを特徴とする式(■): で示される4−ヒドロキシインドールの製造法0 2 反応溶媒がジイソブチルケトンである特許請求の範
囲第1項記載の方法。 3 貴金属触媒がパラジbム/活性炭である特許請求の
範囲第1項記載の方法。 4 反応に用いた触媒を反応液より分離後、再使用する
特許請求の範囲第1項記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59001029A JPS60146870A (ja) | 1984-01-06 | 1984-01-06 | 4−ヒドロキシインド−ルの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59001029A JPS60146870A (ja) | 1984-01-06 | 1984-01-06 | 4−ヒドロキシインド−ルの製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60146870A true JPS60146870A (ja) | 1985-08-02 |
Family
ID=11490132
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59001029A Pending JPS60146870A (ja) | 1984-01-06 | 1984-01-06 | 4−ヒドロキシインド−ルの製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60146870A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104693091A (zh) * | 2013-12-10 | 2015-06-10 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种4-羟基吲哚的合成方法 |
CN105418478A (zh) * | 2014-09-15 | 2016-03-23 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种生产4-羟基吲哚的方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56103160A (en) * | 1980-01-18 | 1981-08-18 | Seitetsu Kagaku Co Ltd | Production of 4-hydroxyindole |
-
1984
- 1984-01-06 JP JP59001029A patent/JPS60146870A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56103160A (en) * | 1980-01-18 | 1981-08-18 | Seitetsu Kagaku Co Ltd | Production of 4-hydroxyindole |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104693091A (zh) * | 2013-12-10 | 2015-06-10 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种4-羟基吲哚的合成方法 |
CN105418478A (zh) * | 2014-09-15 | 2016-03-23 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种生产4-羟基吲哚的方法 |
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