JPS60145790A - サンドキヤツスル・パルス復号器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は一般にいわゆるサンドキャッスル型の３レベ
ルパルス列の各パルス成分を弁別する装置に関し、特に
３レベル型のサンドキャッスル・パルスの復号器に関す
る。

〔背　景〕

タイミング条件の異なる多数のキーイング機能を共通の
集積回路内で実行する場合は端子数を節約することがで
きるが、これは合成多レベルキーイング波形を外部で形
成して集積回路の１つの入力端子に供給し、レベル感知
復号回路をその集積回路内に設けることにより達せられ
る。との復号回路は七の供給された（砂の城の形をした
ように見える）合成波形からタイミングの異なる各キー
イング波形を抽出する。

（基本レベルより高い）異なるレベルゐ２つのパルス成
分でサンドキャッスル・ノ；ルス列を形成するのに適す
る符号器の１例は米国特許第４３１３１３０号に示され
、この符号器で発生さ′れる形式の３レベルザンドキヤ
ツスル・パルスの各ノζルス成分ヲ分離するのに適する
復号器の１例は１９８０年１１月りｙＦ＝　行のアイ・
イー・イー・イー・トランザクションズ・オン・コ／ン
ユーマ？エレクトロニクス（ＩＥＥＥ　Ｔｒａ＋１ｓａ
ｃｔｉｏｎｓ　ｏｎ　Ｃｏｎｓｕｍｅｒ　Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎｉｃｓ）第ＣＥ−２６巻第６９３〜７０６号掲載の
・・−ウッド（Ｌ、　Ｈａｒｗｏｏｄ）等の論文「集積
ＮＴＳＣ色度輝度７’ロセッサ」に示されている。

トｏ己ハーウソド等の復号器の例では、カラーテレビジ
ョン受像機のルミナンスおよびクロミナンス信号処理回
路に用いる帰線消去信号とノ（−スト’ｆ−ト信号が２
レベルのサンドキャッスルパルスから各別に取出される
。この２レベルのサンドキャッスルパルスは帰線消去を
要するとき反復する反復期間とタイミングの一致する期
間で、より高い第２のレベルを呈する。このサンドキャ
ッスルパルス使用の場合は、七の実行すべきキーイング
機能が各パーストゲート期間中続行する帰線消去と重な
る。カラー映像管のバイアスを自動制御即する装置を有
する形式のカラーテレビジョン受像機の場合は、重畳並
びに非重畳機能を含む１組のキーイング機能が、１９８
３年１２月１４日付米国特許願第５６１１７６号明細書
記載のように、受像機のルミナンスおよびクロミナンス
信号処理回路に付随することが望ましい。

カラーテレビジョン受像機におけるカラー映像管バイア
スの自動制御装置の１例は、米国特許第４．２６３６２
２号明細書に記載されている。この装置では、各垂直ブ
ランキング期間内の水平線連続数本の期間を占める制御
期間が、基準信号状態で電子鏡の発生する黒レベル電流
のモニタ用とは別に設定され、この制御期間の一部でカ
ラー映像管のグリッドに導通増強パルスが印加される。

このグリッドパルス印加により導入される陰極成流レベ
ルの変化全表わす取出された情報に基いて）（イアス１
ｌｉ１１　ｌｊｌが行われる。上記米国特許め方法をカ
ラー映閾情の：３　’ｔｌｉ、　４−続開の適当なバイ
アス関係を（寿命その曲の因子の変動に対して）維持す
るため利用する１’Ｊ利な方式は、１９８２年１０月１
４日付米国特許＾；ｒＩ第４３４３１４号明細１に記載
されている。

上〔ＩＣ米国特許第４２６３６２２号および米国特許願
第４３４：３１４号の構造によって例示されるようにし
て目動映１象管バイアス制御をう捷く用いるためには、
′出、ｉＡｅ、をモニタ機能とバイアス調節機能の不都
合な１メｌ乱と汚染を防ぐために、映像管の・ζイアス
制御期間中ルミナンスおよびクロミナンス信号処理回路
に若干の適当な操作を要することが認められる。

この信号処理回路は信号情報を処理して周期的に反復す
る映像管バイアス制御期間が交互に挿入される期間中に
カラー映像管に供給する。

上述の２レベルザンドキヤツスル・）くルスによって１
−λ送されるタイミング情報の上に、反復する映像管バ
イアス制御期間を規定するタイミング情報をＱｔ−チッ
プの入力端子に搬送するには、３レベル型すなわち異な
る３つのレベルヲ持つサンドキャッスル・パルスを各パ
ルス成分に用いるのがよいことが判っている。適当な３
レベルサンドキヤツスル・パルスを形成する装置の例が
１９８３年１２月１４日付米国特許願第５６１３３３号
明細淋に示されている。この形式の符号器によって生成
されるパルス列では、（ａ）反復する映像管・・イアス
制御期間の外側にある線期間の消去部中、前後に低レベ
ルの帰線消去パルス成分を有する（前記米国特許第４３
１３１３０号開示のものに似た）２レベル型のパルスが
生じるが、（ｂ）各映像管バイアスｒｉｉｌｌ　Ｉ卸期
間の占める線７本の期間はすべて自動映像音バイアス制
御パルス成分が高いパーストゲートパルス成分のレベル
と低い帰線消去成分のレベルの間の中間レベルで生じる
。

ルミナンスおよびクロミナンス信号処理回路で実ｈ（ｐ
　ｔ　ヘき調時機能の３レベルサンドキヤツスル・パル
スの各成分に応するものは、重ならないため、例えば上
記バーウッド等の論文の２レベルサンドキヤツスル・パ
ルス復号器より、このオン・チノフノ！９．３レベルサ
ンドキャ゛ツスル・−パルス復号回路＆ｌｊ、：ｉ０な
レベル弁別の（負担がかがる。この点を１クリ示するた
めに次の各側を考える。

（１）ルミナンスおよびクロミナンス信号処理回路にお
ける自動映１象管バイアス制御関係のキーイング動作の
あるものは、反復する映像管バイアス制御期間中のみ行
われる必要がある。サンドキャッスルパルス列が低い帰
線消去レベルと中間の自動映像管バイアス制御レベルの
間のＩ＆ｌｌ直電位全電位て自動映像管バイアス制御関
係のキーイングパルスの生長を制御したという認識に容
易に依存することができる。しかし、この場合に生成し
たキーイングパルスの波形は、（所要の）反復する映像
管バイアス制御期間だけでなく、（無用の）高レベルの
各パーストゲートパルス成分が生ずる間もキーイングパ
ルスを持つことになる。

（２）帰課消去は大抵の帰線期間に必要であるが、反ｆ
νする映像管バイアス制御期間中は電流モニタ消去レベ
ルの間の閾値電位を超えて帰線消去成形の生長を制御し
たという認識に依存する。と、生成した波形が各中間レ
ベルの自動映像管バイアス制御パルス成分の生ずる間消
去パルスを含むという不都合がある。

〔発明の概要〕

この発明は推奨実施例において上述の問題のない３レベ
ルサンドキヤツスル・パルス復号器を指向するもので、
七の復号器は３つのサンドキャッスルパルスのレベルの
１つに関係する閾値電位を七のレベルにおけるサンドキ
ャッスルパルス成分の出現によって超えたときと、３つ
のサンドキャッスルパルス・レベルの次に高いパルス成
分の出現によってその閾値を超えたときとの弁別ができ
るように結線された複数個の比較器を使用する。

この発明の原理により、推奨実施例は、３レベルのサン
ドキャッスルパルス列ヲ、そのパルス列の各電圧レベル
の１つとそのパルス列の次に高い電圧レベル　゛　との
間の電圧レベ ルの第１の基準電圧と比較する第１の電圧比較手段ト、
その３レベル・サンドキャッスルパルフ列を上記１つの
電圧レベルとその７次に高い電圧レベルとの双方より低
い第２の基準電圧と比較する第２のＩＩＪ、圧比較手段
を含み、七のパルス列がその第２の、、１１（準１１記
圧を著しく超える電圧レベルを示したとき、　７１ｊｌ
常キ一イングパルス出力奪発生する追加の１・段とを含
んでいる。このキーイングパルス発生手段には制御手段
が結合され、第１の電圧比較手段の出力に応じて、３レ
ベル・サンドキャッスルパルス列が上記次に高い電圧レ
ベルを示したとき、」二記キーインダパルスを阻止する
ようになっている。ｊｌｉ制御手段は、第１の例示制御
法に従うと第１のｉ＋ｘ圧比較手段の出力に応じて第２
の電圧比軟手段の信号入力にザンドキャッスルパルスヲ
供給する鋤らきをする信号路を遮断することによりキー
イングパルスの発生を阻止し、第２の例示制御法に従う
と２つの比軟手段の動作状態関係によりキーイングパル
スを発生させる論理回路手段を備える。

［ａＹ′細な説明〕 第１図の回路において、３レベル・サンドキャッスルパ
ルス源１１は３レベル・サンドキャッスルパルス列を復
号器の入力端子Ｉに供給する。パルス源１１は例えば前
記米国特許願第５６１３３３号に開示されたような形式
で、第３図に曲線ｓ’ｃで示すようなパルス列を発生す
る回路を含んでいる。端子■は例えばカラーテレビジョ
ン受像機のルミナンスおよびクロミナンス信号処理回路
を含む集積回路の入力端子である。

第３図に示すように、波形ｓｃは基底レベルＶＢよシ上
の第１の電圧レベルｖＲＢの正向き帰線消去パルス成分
と、その上の第２の電圧レベルｖＢｏの正向キバースト
ゲートバルス成分と、両レベルｖＲＢ１ｖＢｏの間の第
３の電圧レベルｖＡＫの正向き映像管バイアス制御期間
タイミングパルス成分とを含んでいる。その中間レベル
の各パルスは受信したカラーテレビジョン信号の垂直ブ
ランキング期間の同期後部分の間の７つの線区間（７Ｈ
）の期間に一致し、各パーストゲートパルス成分は、受
信信号の（反復する映像管バイアス制御期間の外側の）
諌１〆間の水・ｒブランキング部の後部ボ□−チ部分に
艷−孜するよう調時されている。また帰＼腺消去パルス
成分は（反復する映像管バイアス制御期間の外側の）周
期的水〜ド垂直ビーム帰線期間のパーストゲートパルス
成分が占めない部分に跨っている。

第１図の装置は端子■に供給されたサンドキャツスルパ
ルスを共通の分圧器から取出された基準′「Ｕ；圧ＶＨ
５ＶＭ、ＶＬと比較する３つの電圧比較器２０．３０．
４０を沈んでいる。分圧器は動作電位源の正端子十Ｖ。

Ｃと負端子（大地）との間に直列に接続された抵抗５１
．５３．５５．５７によって形成され、抵抗５１．５３
の接続点に萬い基準電圧ｖＨを、抵抗５５．５７の接続
点に低い基準電圧ＶＬを、抵抗５３．５５の接続点に中
間の基準電圧ＶＭを生ずる。

比較器２０はエミッタ電極を互いに接続して差動増幅器
型に構成された１対のＮＰＮトランジスタ２１．２２を
含んでいる。このトランジスタ２１．２２のｉ１３：　
１）ｉＵ源はコレクタ電極がトランジスタ２１．２２の
各エミソク電１祇の接続点に直結され、ベース電極がバ
イアス電位源の正端子＋ｖｂに接続され、エミッタ電極
がエミッタ抵抗２４を介して接地されたＮＰＮトランジ
スタ２３によって形成される。トランジスタ２１．２２
のコレクタ電極はそれぞれ負荷抵抗２５．２６を介して
＋Ｖ。。供給端子に接ｉ碗されている。トランジスタ２
１のベース電極は抵抗５１．５３の接続点に直結されて
高い基準電位ＶＨを供給されるが、トランジスタ２２の
ベース電極は搗子工に直結されて入来サンドキャツスル
パルスヲ受入れる。

比較器３０はエミッタ電極を互いに１ｄｉ］デして差動
増幅器型に構成され′＃Ｌ１対のＮＰＮ　）ランジメタ
３１．３２を含んでいる。このトランジスタ３１．３２
の電流源は、コレクタ電極がトランジスタ３１．３２の
エミッタ電極の接続点に直結され、ベース成極が＋ｖｂ
供給端子に接続され、エミッタ電極がエミッタ抵抗３４
を介して接地されたＮＰＮトランジスタ３３によって形
成されている。トランジスタ３１，３２のコレクタ電極
はそれぞれ負荷抵抗３５．３６を介して■。。供給端子
に接続されている。トランジスタ３１のベース電極は抵
抗５３．５５の接続点に直接接続されて中間の基準電圧
ＶＭを受けるが、トランジスタ３２のベース電極は端子
■に直結されて入来サンドキャッスルパルスを受ケる。

比較器４０はエミッタ電極を互いに接続して差動Ｊ１１
幅器型に４１４成された１対のＮＰＮＩ−ランジメタ４
１．４２ヲよんでいる。このトランジスタ４１．４２の
電流（）〜（は、コレクタ「に極がトラレジスタ４１．
４２のエミッタ電極の接続点に直結され、ベース電極が
−１−Ｖｂ供給端子に接続され、エミッタ電極がエミッ
タ抵抗４４を介して接地されたＮＰＮ）ランジメタ、４
３によって形成されている。トランジスタ４１．４２の
コレクタ電極はそれぞれ負荷抵抗４５．４６を介してｖ
ｃｏ供給端子に接続されている。トランジスタ４１のベ
ース成極は抵抗５５．５７の接続点に直結されて低い納
準電泣Ｖ１を受げるが、トランジスタ４２のベース、Ｉ
ｆ　１ｍに入来サンドキャッスルパルスを供給するれ°
１合路は、コレクタ電極が接地され、ベースｉｊｒ極か
端子■に直結され、エミッタ電極がトランジスタ４２の
ベース電極に直結されると同時にエミッタ抵抗７４を介
して＋ｖｏ。供給端子に接続されたＰ　ｌ’Ｊ　Ｉ）　
ｉランジスタフ５の形成するエミッタホロワにより与え
られる。

１対の差動増幅器６０．７０とＮＰＮトランジスタ７３
ρｉ互いに結合されてエミッタホロワトランジスタ７５
の形成するサンドキャッスルパルス結合路ヲ選択的に遮
断する制御系が形成されている。差動増幅器６０はエミ
ッタを互いに接続Ｉ〜で共通のエミッタ抵抗６３を介し
て＋Ｖｏ。供給端子に接続された１対のＰＮＰ　）ラン
ジスタロ１．６２を含み、比較器２０の出力に応動する
。この比較器の出力端子Ｈ（比較トランジスタ２１のコ
レクタ電極）１％ｒｍトランジスタ６１のベース゛−極
に直結され、出力端子Ｈ′（比較トランジスタ２２のコ
レクタ電極）は増幅トランジスタ６２のベース電極に直
結されている。トランジスタ６２のコレクタ電極は接地
されている。

増幅トランジスタ６１は、エミッタ電極を互いに接続し
てトランジスタ６１のコレクタ電極に１ｍ　１４された
１対のＰ　Ｎ　Ｐ−）ランジスク７１．７２を含む差動
増幅器７０の選択作動電流源の鋤らさをする。差動増幅
器７０はその増１商トランジスタ７１のベース４￥、極
が出力端子Ｍ（比較トランジスタ３Ｌのコレクタ電：ｆ
Ｏに直結さノ１、増幅トランジスタ７２のベース電極が
出力端子Ｍ’　（比較トランジスタ３２ｖ）コレクタ市
、４愼）に直結された比較器３０の出力に応動する。

トランジスタ７１（１）コレクタ′電極は接地されてい
る。

トランジスタ７２のコレクタＦｋθｉｊ　ｌ／：Ｊ：　
Ｎ　Ｐ　Ｎ　１ｆｆｌＪ　’１ｉｌｌｌ　トランジスタ
７３とダ・１オード７６によって形成される重言、＋ｉ
ｆｆミラーに入力として供、治される。１ｉｔｌｌ　ｔ
ｉｉ＋Ｉ　トランジスタ７：ｌヨヘース電極をトランジ
スタ７２のコレクタ１株１勇とダ・１オー　ドア６の１
陽極に直結され、エミッタ４　ｈＸ卆直接１妾１山され
ると共にダイオード７６の陰極に直結され、コし・フタ
直、祇を比較器４０の比較トランジスタ４２のベース電
極に直結されているつど６１図の回路はさらに端子Ｈ′
に生ずる比較器２０の出力と端子Ｍ′に生ずる比較器３
０の出力にそれぞれ応動する１対の入力を持つ論理回路
８０を含んでいる。この論理回路８０は排他的論理和機
能を行うもので、以下第１図の回路の動作の説明におい
て詳却１に説明するように、第３図の波形ｐで示す形の
出力を発生する。

端子Ｉのサンドキャッスルパルス列が基底レベルｖ８を
示すとき、比較器２０．３０．４０の谷信号入カッ電圧
（すなわちトランジスタ２２．３２．４２のベース電極
の電圧）はそれぞれその比較器の基準入力の基準電位（
すなわちトランジスタ２１．３１．４１のベース電極の
電位）より充分低いため、信号で駆動される各比較トラ
ンジスタ２２．３２．４２は、価断される。この場合、
基準電位で駆動される各比較トランジスタ２１．３１．
４１は各電流源トランジスタ２３．３３．４３を通る電
流の全部を通し、比較器の出力端子Ｈ，Ｍ、Ｌの（トラ
ンジスタ２１．３１．４１の各コレクタ電極の）電位は
低く、出力４Ａ子Ｈ′、Ｍ′、Ｌ′の（トランジスタ２
２．３２’、　４２の各コレクタ′電極の）電位は高く
なる。

この条件下では差動増幅器６０のトランジスタ６１は導
通するが、トランジスタ６２はｍ　１ｉＪｉされる。差
動増幅器７０を付勢するためトランジスタ６１の供給す
る電流はトランジスタ７１を介して大地に流れるカ、ト
ランジスタ７２は遮断されてダイオード７６と制御トラ
ンジスタ７３を除勢する。論理回路８０はその２人力が
高レベルになって低い基底レベルの出力を生成する。

映１１　肯バイアス制御期間の外側°の線期間の消去部
中に、サンドキャッスルパルス列が帰線消去レベルｖＲ
Ｂまで上昇すると、トランジスタ４２のベース＋４４．
　＋ｍの′電圧が”Ｌ以上に充分上昇してトランジスタ
４１を遮断し、トランジスタ４３から供給される全ｉｈ
流がトランジスタ４２を通るようにするから、比較ｆｋ
　４０は他の動作状態に転換する。出力端子Ｌ′の′電
位は低下するが出力端子りの電位は上昇する。

帰、１保消去レベルＶＲＢは基準レベルＶＭ、ＶＨより
著しく低いから、比較器３０．２０の動作状態がトラン
ジスタ３２．２２が遮断状態のままでＶＲＢレベルの出
現により影響されることはない。トランジスタ６１．７
２０々ψＪ舟状態は上述のように連続し、論理回路８０
の出力は低い基底レベルのままとなる。

しかし、端子■のパーストゲートレベルｖＢｏへの信号
の上昇の後部ポーチ部の間に両比較器２０．３０の動作
状態が変り、トランジスタ２１．３１が遮断される。出
力端子Ｈ，Ｍの電位は高くなるが、出力端子Ｈ’、Ｍ’
の電位は低くなる。この状態では差動増幅器６０のトラ
ンジスタ６２が導通するが、トランジスタ６１は遮断さ
れて差動増幅器７０を停止する。

従ってダイオード７６と一制御トランジスタフ３は遮断
状態のままで、論理回路８０は両入力が低レベルとなる
ため、低い基底レベルの出力の供給を続ける。

比較器４０の出力は■Ｂｏレベルへの信号の上昇により
影響を受けず、出力端子りの電位は高レベルのまま、出
力端子Ｌ′の電位は低レベルのま捷である。

パーストゲートパルス期間の終りに信号が帰線消去レベ
ルＶＲＢに戻ると、比較器２０．３０は七の初期動作状
態に復帰するが、比較器４０は端子りに高電位を、端子
Ｌ′に低電位を呈し続ける。論理回路の出力は低い基底
レベルを持続する。帰、線消去期間の終りに信号レベル
が基底レベルＶＢに戻ると、比較器４０は比較器２０．
３０をもとの動作状態に戻す。

上述の動作は反復する映１ボ管バイアス制御ＩＩＩ期間
の外側で得られる状態について述べたが、以下に述べる
ように各映像管バイアス制御期間中には異なる状態が与
えられる。映像管・；イアスｈ、１］御期間の始めに、
端子■の信号レベルがｖＲＢレベルから自動映１象管バ
イアス制御関係のレベル（中間基準レベルと高基準レベ
ルの間）まで上昇する。比較器３０の動作状態はその初
期（基底レベル）状態から転換されるが、比較器２０の
動作状態はその初期状！、！！４から転換されない。出
力端子Ｍの電位は高くなり、出力端Ｐ１４′の電位は低
くなるが、出力端子１１の屯Ｍは低いま寸、出力端子Ｈ
′の電位は高いままである。

この状態において、トランジスタ６１は導通して差動増
幅器７０全イ］勢するが、差動増幅器７０のトランジス
タ７１は遮断され、トランジスタ７２は４通し−Ｃダイ
オード７６と１ｌｊｌｌ　ｂｉｌｌ　）ランジスタフ３
による纒通ろソｉｌ’　ｔ＋！：　Ｋする。ｉｉｉ制御
トランジスタ７３の導通によってトランジスタ４２のベ
ース電極が低電位に固定されてエミッタホロワトランジ
スタ７５を除勢し、比１１佼１１４　（ｌを七の初期状
態に転換させる。従って映像ｔ′ｆバイアス制御期間を
通じ、出力端子りの電位は低く、出力端子Ｌ′の電位は
高くなる。

第３図の波形ｒｂは比較器４０の端子りに得られる出力
パルス列を表わす。このパルス列ｒｂは帰線消去用に適
するが映像管バイアス制御期間に苫まれる７走査線期間
中（所望通り）消失する正向きパルスを含んでいる。制
御系６０．７０．７６．７３の動作により、比較器４０
はｖＡＫレベルのパルス成分への応動を選択的に阻止さ
れる。

映像管バイアス制御期間中論理回路８０の入力は互いに
異なり、端子Ｍ′から低電位が、端子Ｈ′から高電位が
供給される。従って論理回路８０の出力は映像管バイア
ス制御期間中高い。第３図の波形ｐで示すように論理回
路８０の出力は映像管バイアス制御期間のタイミングを
独特的に表わし、ｖＢｏレベル期間中にパルスが生じな
い正向きパルス列である。

波形ｋｎは比較器２０の出力端子Ｈ′に生ずる出力パル
ス列を表わす。このパルス列ｋｎはパーストゲート用そ
の他の後部ポーチのキーイング用に適する負向きパルス
を含むが、このパルスは映ず象屑・バイアス制御期間の
占める７走査線区間中（所望通り）消去する。

この発明の今１つの実施例を第２図ｔこ示す。第２図の
ザノドキャソスルバルろ復号器も、゛動作電位ｉａ、ｊ
の＋Ｖ　端子と接地端子の間に接続された共、ＣＣ １１１↓の外用ａ＋９０を備える３組の比較器ｉｏｏ、
１２０．１４０を沈んでいる。分圧器９０は端子＋ＶＲ
□、十ＶＲ３、＋ＶＲ５、−１−ＶＲ６ニ（ＩＩＮＩＸ
正を圧Ｌ／へ＃（７）高＜　ｌ　ル）複敬の基準直流゛
電圧を発生する。

第２図の端子■に生ずるサンドキャツスルパルス列の帰
線消去レベル■ＲＢは端子＋ＶＲ□、十ＶＲ３の各基準
′電位の間になる。また自動映像管バイアス側倒１関係
レベルＶＡＫは端子＋ＶＲ３、＋ＶＲ２の各基鵡電位の
間に来るが、バーストゲ−ルベルＶＢｏは端子＋ＶＲ５
の基準電位より高い。

電圧比較器１００はエミッタ電極を互いに接続した１対
のＮ　Ｐ　Ｎ　）ランジメタ１０１．１０２を含み、こ
のトランジスタ１０１，１０２のエミッタ電極接続点に
コレクタ′砥極を直結したＮＰＮ）ランジメタ１０３が
電流源として働ら〈。電流源トランジスタ１０３のベー
ス電極は＋Ｖｂバイアス端子に接続され、エミッタ電極
はエミッタ抵抗１０４を介して接地されている。

分圧器９０によって発生される最低の基準電位は端子＋
ＶＲ工から比較トランジスタ１０２のベース電極に供給
される。サンドキャツスルノ々ルス入力端子工に生ずる
サンドキャッスルパルスは抵抗９１ヲ介して比較トラン
ジスタ１０１のベース電極が直結されたサンドキャッス
ルパルス供給端子ＳＣに供給される。ＰＮＰクランプト
ランジスタ９２はエミッタ電極を端子ＳＣに接続され、
コレクタ電極を接地され、ベース電極を（分圧器９００
発生する最高の基準電位の生ずる）端子＋ＶＲ６に接続
されている。このトランジスタ９２は通常非導通である
が、この存在によって端子ＳＣのサンドキャソスルノく
ルス列の正方向の最大振れが確実に端子＋ＶＲ６の基準
電位よｔ）　Ｉ　Ｖｂ、だけ高い電位に限定される。

比較トランジスタ１０１の動的負荷は双コレクタｐＮＰ
　トランジスタ１０５により与えられる。コノ負荷トラ
ンジスタ１０５のエミッタ電極は＋ｖｃｃ供給端子に接
続され、コレクタ電極１０７はそのベース電極に直結さ
れると共に、比較トランジスタ１０１のコレクタ電極に
直結され、他のコレクタ電極１０８はその比’Ｉｔ　ｌ
−ランジメタ１０．１のコレクタ゛ｔｉノ鏡障ｉに流を
ＮＰＮエミッタホロワトランジスタ１１２のベース電極
に供給する。トランジスタ１１２のコレクタ電極は正の
電源端子ｖ８に直結され、エミッタ電極は第１の復号器
出力端子ＢＲＰに直結されると共に、エミッタ抵抗１１
４を介して接地されている。このエミッタホロワトラン
ジスタ１１２のベース・エミッタ電路は抵抗１１３によ
り側路されている。

□　比ｌＩｖ　＋−ランジメタ１０２用の動的負荷は多
コレクタＰＩ’ＪＰトランジスタ１０６によって与えら
れる。

この負荷トランジスタ１０６のエミッタ電極は＋ＶＣＣ
供給端子に接続され、コレクタ電極１０９は七のベース
電極と比較トランジスタ１０２のコレクタ電極とに直結
され、次のコレクタ電極１１０は比較トランジスタ１０
２のコレクタ電流の鏡像電流をＮＰＮエミッタホロワト
ランジスタ１１５のべτスｔｉにＩＪ”給する。トラン
ジスタ１１５のコレクタ電極は＋ｖｓ共給端子に直結さ
れ、エミッタ電極は第２の復号器出力端子ＢＲＮに直結
されると共に、エミッタ抵抗１１７を介して接地されて
いる。エミッタホロワトランジスタ１１５のベース・エ
ミッタ電路は抵抗１１６により側路されている。

負荷抵抗１０６は比較トランジスタ１０２のコレクタ電
流の鏡像電流を下達の制御回路網に供給する第３のコレ
クタ電極１１１を有する。

電圧比較器１２０はエミッタ電極を互いに接続した１対
のＮＰＮトランジスタ１２１．１２２を含み、このトラ
ンジスタ１２１．１２２のエミッタ成極接続点にコレク
タ電極を直結したＮＰＮ）ランジメタ１２３は電流源と
して働らく。電流源トランジスタ１２３のベース電極は
＋Ｖｂバイアス供給端子に接続され、エミッタ電極はエ
ミッタ抵抗１．２４を介して接地されている。

分圧器９０により端子＋ＶＲ，に発生された中間の１つ
の基準は比較トランジスタ１２２のベース電極に供給さ
れている。ＰＮＰトランジスタ１６３はエミッタホロワ
構成になっていて、サンドキャノスルハルス供給端子Ｓ
Ｃのサンドキャッスルパルスを比較トランジスタ１２１
のベース電属に供給する。

このトランジスタ１６３のベース電極は端子ＳＣに１結
され、コレクタ電極は接地され、工≧ツタ電ｌＴｈ　＃
；Ｉ：　Ｊｔ　較１−ランジスタ１２１のベース電極に
直結されると共［、エミッタ抵抗１６１を介して正の電
源４１′−ｌ−Ｖｓ’　ＶＣ接続されている。エミッタ
ホロワトランジスタ１６３のエミッタ電極と大地の間に
はコンデンサ１６２が挿入されている。

比較トランジスタ１２１の動的負荷は多コレクタＰ　ｒ
Ｊ　Ｐ　＋−ランジメタ１２５によって与えられる。こ
の］・シシンジメタ１２のエミッタ電極は＋Ｖｃｃ　ｔ
　源ψ；１１！子に接続され、コレクタ電極１２７はそ
のベース１Ｌ噌−と比較トランジスタ１２１のコレクタ
電極とにＩＨ結され、他のコレクタ電極１２８　、１２
９は互いに接続されて比較トランジスタ１２１のコレク
タ電流ノｋＭ　像電流をｌ’Ｊ　Ｐ　Ｎエミッタホロワ
トランジスタ１３２のベース電極に供給する。トランジ
スタ１３２のコレクタ成極は＋ｖ８電源端子に直結され
、エミッタ電極は第３の復号器出力端子Ｐに直結される
と共に、エミッタ抵抗１３４を介して接地されている一
エミッタホロワトランジスタ１３２のベース電極と大地
の間には抵抗１３３が挿入されている。

比較トランジスター２２の動的負荷は双コレクタＰＮＰ
トランジスタ１２６によって与えられる。この負荷トラ
ンジスタ１２６のエミッタ電極は＋ｖｏ。

電源端子に接続され、一方のコレクタ電極１３０は七の
ベース電極と比較トランジスタ１２２のコレクタ電祝と
に直結され、他方のコレクタを極１３１は比較トランジ
スター２２のコレクタ′市流の１９児１象−流をＮＰＮ
エミッタホロワトランジスター３７のベース電極に供ｍ
ｌする。このトランジスター３７のコレクタ電極は＋Ｖ
電源に直結され、エミッタ′「電極は第４の１夏号器出
力端子ＲＢに直結されると共に、エミッタ抵抗を介して
接地されている。エミッタホロワトランジスター３７の
ベース・エミッタ電路は抵抗１３８により側路されてい
る。

エミッタホロワトランジスター３７のベース−儀はＮＰ
Ｎ制御トランジスター３５のコレクタ電顯に直結され、
制御トランジスター３５のエミッタＩＪ１４Ｍは接地さ
れ、ベース′域極は比較器１００の負＋Ｉｉｉ　トラン
ジスタ１０６のコレクタ電極に直結されている。

＋＋ｔｌｌ　’１ｉｌｉ＋　トランジスタ１３５のベー
ス・エミッタ′電路は抵抗１３６で側路されている。

重圧比較器１４０は二重ツメ電極をダイオード１４１Ｄ
、１４２Ｄの直列接続を介して互いに接続したＪメ・１
のＮ　Ｐ　Ｎ　）ランジメタ１４１．１４２を含んでい
る。ダイオード１４１Ｄ、１４２Ｄは互いに陰極を接合
され、ダイオード１４１Ｄの陽極は比較トランジスタ１
４１のエミッタ電極に、ダイオード１４２Ｄの陽極は比
較トランジスタ１４２のエミッタ電極ニそＪしそれ接続
されている。戒流源トランジスタ１４３のベース成極は
１−ｖｂバイアス電源に接続され、エミッタｊ４ｆ４に
はエミッタ抵抗１４４を介して接地されている。

分圧器９０の生成する渠２番目に高い基準砿位は端子−
トｖＲ５から比較トランジスタ１４２のベース亀１−ｆ
Ｉに供給される。比較トランジスタ１４１のベースｌＬ
１．億は端子ＳＣに直結されて入来サンドキャッスルパ
ルスを受入れる。

比較トランジスタ１４１の動的負荷は多コレクタＰ　Ｎ
　Ｐ　）ランジメタ１４５によって与えられる。この負
荷トランジスタ１４５のエミッタ電極は＋Ｖｃ　ｃ供給
端子に接続され、コレクタ電極１４７は七のベース電極
色比較トランジスタ１４１のコレクタ電極とに直結され
、コレクタ電極１４８は比較トランジスタ１４１のコレ
クタ電流の鏡像直υ１［をＩ”Ｊ　Ｐ　Ｉぐエミッタホ
ロワトランジスタ１５２のベース′ｉ！Ｌｊ祇に供給す
る。トランジスタ１５２のコレクタｉ＝は＋Ｖｓ　′Ｉ
Ｂ源に直結され、エミッタ成極は第５の復号器出力端子
ＫＰに直結されると共に、エミッタ抵抗１５４を介して
接地されている。エミッタホロワトランジスタ１５２の
ベース・エミッタ電路は抵抗１５３により側路されてい
る。

負荷トランジスタ１４５の第３のコレクタ電極１４９は
比較トランジスタ１４１のコレクター流の他の鏡像電流
をＮＰＮ電ＩＪ御トランジスタ１６０のベース成極に供
給する。制御トランジスタ１６０のエミッタ電極は接地
され、そのコレクタ電極は比較トランジスタ１２１（比
較器１２０）のベース電極に直結されている。

比較トランジスタ１４２の動的負荷は双コレクタＰＮＰ
Ｉ−ランジメタ１４６によ゛つて与えられる。この負荷
］・ランジメタ１４６のエミッタ電極は＋ｖｃｃｃｌｉ
源端子に接続され、一方のコレクタ電極１５０はそノヘ
ース電極と比較トランジスタ１４２のコレクタ電極とに
直結され、他方のコレクタ電極１５１は比較トランジス
タ１４２のコレクタ鑞流の鏡像電流をＮ　ｌ）　Ｎエミ
ッタホロワトランジスタ１５５のベースｔｋＬｌ？に供
給する。トランジスタ１５５のコレクタ電極は＋Ｖｓ戚
源に直結され、エミッタ電極は第６の１夏号器出力、ｉ
；１ｔｉ−７−ＫＮに直結されると共に、エミッタ抵抗
１５７を介して接地されている。エミッタホロワトラン
ジスタ１５５０ベース・エミッタ電路ｔ」、抵抗１５６
によって側路されている。

４３図の波形ｂｒｎ、　ｐ　、　ｒｂ、　ｋｎはそれぞ
れ第２、第３、第４および鬼６メ復号器出力端子ＢＲＮ
、１）　、　ＲＢ　、　ＫＮに生ずる出力パルス列を示
す。第２の一号甜出力端子ＢＲＰに生ずるパルス列の波
形は波形ｂｒ、ｎの反転波形に対応し、第５の復号器量
ノＪ弓４！子ＫＰに生ずるパルス列の波形は波形ｋｎの
反１１べ波形にズ４応することが判る筈である。

第２図′の復号器の動作時において、端子■のサンドキ
ャッスルパルス列がＪｌレベル■８を示すとか遮断状態
にある。この結果、各エミッタホロワトランジスタ１１
２．１３２．１５２もまた遮断され、復号器出力端子Ｂ
ＲＰ％Ｐ、ＫＰが低い基底レベルを呈する。エミッタホ
ロワトランジスタ１１５．１５５はそれぞれ負荷トラン
ジスタ１０６．１４６から供給される電流に応じて導通
するから、復号器出力端子ＢＲＮとＫＮは高い基底レベ
ルを示すが、復号器出力端子ＲＢは低い基底レベルを呈
する。

負荷トランジスタ１２６は導通しているが、エミッタホ
ロワトランジスタ１３７のベース成極は制御卸トランジ
スタ１３５の導通により引下げられるため、エミッタホ
ロワトランジスタ１３７は遮−を状ｊ訓に保たれる。

映像管バイアス制御期間の外側の線走査期間のブランキ
ング部中において、サンドキャッスルパルス列が帰線消
去レベルＶＲＢまで上昇すると、トランジメタ１０１の
ベース成極の電圧が端子＋ＶＲ□の基準ｉ１ｉ圧より充
分上に上昇してトランジスタ１０２を遮断し、トランジ
スタ１０３の供給する全電流をトランジスタ１０１に流
すため、比較器■００は異なる動作状態にＵＪ換わる。

エミッタホロワトランジスタ１１２が導通すると出力端
子ＢＲＰ（２）４圧が高＜　７Ｉす、エミッタホロワト
ランジスタ１１５が導通すると出力端子ＢＲＮの電圧が
低くなる。

帰線消去レベルＶＲＢは端子＋ＶＲ３、＋ｖＲ５の基イ
ｑ′屯イ１”Ｌより著しく低いから、比較器１２０と１
４０の動作状す、―は■ＲＢレベルの出現によって影響
されず、トランジスタ１２１．１４１は遮断状態を維持
する。

Ｖ［つて出力端子Ｐ、ＫＰ％ＫＮはそれぞれその基低レ
ベルを保つが、制御トランジスタ１３５が導通を市める
と出力端子ＲＢの電圧が高くなり、エミッタホロワトラ
ンジスタ１３７のベース電極を解放してそのｊ７７通を
開始する。

！’：ｌｌｊ　１−Ｉのパーストゲートレベル”ＢＧま
で信号がｊ：’、　、）ｉするン痰部ポーチの発生中は
、比較器１４０の動ＩＩ〜状ｊ思が変り、トランジスタ
１４２が遮断される。

エミッタホロワトランジスタ１５２が尋、ｌ市すると出
力端子胛の電圧が高くなり、エミッタホロワトランジス
タ１５５が導通を止めると出力端子ＫＮの電圧が低くな
る。

パーストゲートレベルｖＢｏがψ１＾ｉ　、、７−　Ｉ
−ＶＲ３の柚準電位より著しく高いという事実に拘らず
、比較器１２０は、（比較器１４０が動作状態を変えた
とき負荷トランジスタ１４５の導通に応じて導通する）
制御トランジスタ１６０の動作により”ＢＧレベルへの
信号上昇に応じて動作状態を変えない。制御トランジス
タ１６０の導通により比較トランジスタ１２１のベース
電極は端子＋ｖＲ３の基準区位より充分低く保たれ、エ
ミッタホロワトランジスタ１６３が遮断されて比較トラ
ンジスタ１２１のベース成極を端子ＳＣから絶縁する。

ＶＢｏレベルへの信号の上昇中に比較器１２０の動作状
態に過渡変化が起る可能性をなくするため、抵抗１６１
とコンデンサ１６２が共働して、比較器１２０の動作状
態に変化が生じ得る以前に１ｉｉｌｌ　’ｉａｕ　Ｉ・
ランジメタ１６０が確実に４辿を始めるように、トラン
ジスタ１２１のベース電極の電＋ｉ′ｆ、ｌ二昇を充分
遅らせる。

比’　滑’　ＩＱＱ、１２０の出力はｖＢｏレベルへの
信号−にＨによって澄乱されないため、ｖＢｏレベルの
出ｊＪ、！中出力端７−　Ｂ　ＲＰとＲＢは高レベルに
、出力端１′＋３　ＲＮとＰは低レベルＶこ保たれる。

パーストゲートパルスの終りに信号が帰服消去レベルＶ
ＲＢに戻ると、比較器１４０は七の初期動作状！−ｂ’
に１Ｍ帰し、出力端子ＫＰが低レベルに、出方端ｊ′、
ＫＮが１’＋７Ｊレベルになる。出力端子ＢＲＰとＲＢ
Ｑ」、高レベル、出力端子ＢＲＮとＰは高レベルのまま
である。

水平ブランキング期間の終りに信号が基底レベルＶＢに
戻ると、比較器１００が比較的１２０，１４０と共に初
１にｊ動作状、１甜になり、端子ＢＲＰとＲＢを低い端
域レベルに、端子ＢＲＮを高い基底レベルに戻す。

峡（、＆管バイアス制御期間中に端子Ｉの信号がＡＩ（
Ｂ　Ｉ′ＩＪ＋系レベル”ＡＫ　Ｋなると、比較器１０
０．１２０が何れもその初期（基底レベル）動作状態か
ら切；、サエられる。エミッタホロワトランジスタ１１
２．１３２による導通のため出力端子１３　ＲＰ　、ｌ
！：　Ｐが高レベルになり、エミッタホロワトランジス
タ１１５が導通しないため出力端子ＢＲＮは低レベルに
なる。

負荷トランジスタ１２６の遮断による制御トランジスタ
１３５の遮断に拘らず、出力端子ＲＢは低レベルにある
。

Ｖ　レベルは端子＋ｖＲ５の基準五位より著しくＡＫ 低いため、ＶＡＫレベルの出現によって比較器１４０の
動作状態が変ることはない。従って映像管バイアス制御
期間を通じ、出力端子ＫＰは高い基底状態に、出力端子
ＫＮは低い基底状態に保たれる。

端子ＫＰ、ＫＮに生成される（前記米国特許願第５６１
１７６号明ｉ刑書に詳述された）パーストゲートその他
の後部ポーチキーイング用に適する出力パルス列は、各
映１象管バイアス制呻期間にパルスが出現しない特長を
有する。また端子ＰＶこ生ずる出力パルス列は反復する
映像管バイアス制御４期１ｉＪ］を独特に表示し、その
曲の全期間中パルスが出現しない特長を有する゛。また
端子ＲＢの帰課消去に適する出力パルスは反復する映１
象管バイアスｉｌｉ制御期間中パルスが出現しない特長
を有する。端子ＢＲＰ、ＢＲＮの出力パルス列は、パル
スめ出現がシ１１．；子Ｐ、ＲＢの出力におけるパルス
の出現の組合ぜに対応し、上記米国特許願第５６１１７
６号明細書に詳述されたように輝度１ｉｉ１１１ＩＩキ
ーイング用に有用である。

トランジスタ１３５．１３７は共働して各比較器１００
．１２０の生成する入力に対して論理機能を行うことが
判る。負荷トランジスタ１０６．１２６の双方が同時し
ζ導通しているとき、すなわち基底レベルＶＢの出現中
およびその両負荷トランジスタ１０６．１２６が同時に
遮断されているとき、すなわちＡＫＢ関係レベしＶＡＫ
の出現中は、出力端子ＲＢが低レベルのままであるが、
帰線消去レベルｖＲＢまたはパーストゲートレベルｖＢ
ｏの出現中、負荷トランジスタ１０６の遮断が負荷トラ
ンジスタ１２６の導通を伴うときは、出力端子ＲＢが高
レベルになる。

上述の３つの入力条件に対して、トランジスタ１３５．
１３７で形成された回路は排他的オアゲートのようＫ　
＋１＞作する。トランジスタ１３５　、１３７で形成さ
れたこの回路は第４の入力条件（負荷トランジスタ１０
６が導通で、負荷トランジスタ１２６が遮断）に対して
排他的オアゲート応答を示さないが、このような入力条
件は第２図の仮号器の動作では起らない。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図はこの発明によって構成されたカラ
ーテレビ受像機用のサンドキャッスルパルス復号器回路
の２つの実施例のｉｙＢ分ブロブロック回路図３図は第
１図および第２図の回路の動作の説明を助ける波形図で
ある。 ３０．１４０・・・第１の電圧比較手段、４０．１２０
・・・第２の電圧比較手段、７３．１６０・・・制御手
段、ＶＢｏ・・・第１の電圧レベル、ｖＲＢ・・・第２
の電圧レベル”ＡＫ・・・第３の・電圧レベル、ｖＭ％
ｖＲ５・・・第１の基準電圧、ＶＬ、ｖＲ３・・・第２
の基準電圧。 ％ｆｆ出願人　アールシーニー　コーポレーション代理
人　清水　哲ほか２名

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）　第１の「ｈ圧しベルを示す第１のパルス成分と
   、この第１の電圧レベルより低い第２の電圧レベルを示
   す第２のパルス成分と、上記第１および第２の電圧レベ
   ルの中間の第３の電圧レベルを示す第３のパルス成分と
   を含む３レベルパルスを含むことを特徴とするパルス列
   をパルス入力端子に供給するサンドキャッスル・パルス
   源と共に使用されるものであって、上記３レベルパルス
   列をその電圧レベルの１つとその次に高いものとの間の
   電圧レベルを持つ第１の基準（５）圧と比較する第１の
   電圧比較手段と、上記３レベルパルス列をそれの上記１
   つと上記その次に高いものの双方より低い電圧レベルを
   持つ第２の基準電圧と比較する第２の電圧比較手段を含
   み、上記３レベルパルス列が上記第２の基準電圧を著し
   く超える電圧レベルを示すとき正常にキーイングパルス
   を発生する手段と、このキーイングパルス発生手段に結
   合され、上記第１の電圧比較手段す出力に応じて、上記
   ３レベルパルス列が上記その次に高い電圧レベルを示す
   とき上記キーイングパルスの発生を阻止する制御手段と
   を含むサンドキャッスル・ノールレス復号器。