JPS60141876A - 無電解めっき用活性化処理液 - Google Patents
無電解めっき用活性化処理液Info
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- JPS60141876A JPS60141876A JP24540783A JP24540783A JPS60141876A JP S60141876 A JPS60141876 A JP S60141876A JP 24540783 A JP24540783 A JP 24540783A JP 24540783 A JP24540783 A JP 24540783A JP S60141876 A JPS60141876 A JP S60141876A
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- JP
- Japan
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- electroless plating
- surfactant
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/28—Sensitising or activating
- C23C18/30—Activating or accelerating or sensitising with palladium or other noble metal
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は無電解めっきの前処理液に関し、被処理物表面
に簡単に触媒活性を付与できる活性化処理液を提供する
ものである。特に無電解めっきの難しいセラミックス粉
等の粉粒体表面の活性化処理液に関する。
に簡単に触媒活性を付与できる活性化処理液を提供する
ものである。特に無電解めっきの難しいセラミックス粉
等の粉粒体表面の活性化処理液に関する。
従来無電解めっきを行なうには以下に示す方法で被めっ
き物表面に触媒活性を付与したのち無電解めっきを行々
つだ。
き物表面に触媒活性を付与したのち無電解めっきを行々
つだ。
（、） 感受性化処理→水洗→活性化処理→水洗（ｂ）
触媒化処理→水洗→感応促進処理→水洗上記従来法の
欠点をあげれば次の通りである。
触媒化処理→水洗→感応促進処理→水洗上記従来法の
欠点をあげれば次の通りである。
（１）二回の処理のため工程が長くなる。
（２）セラミックス等の平滑な表面を有する粉粒体では
充分彦触媒付与が得られず、無電解めっきに Ｎおいて
全面的あるいは部分的なめつき未反応を生じる。
充分彦触媒付与が得られず、無電解めっきに Ｎおいて
全面的あるいは部分的なめつき未反応を生じる。
（３） （ａｌの場合の感受性化処理液、（ｂ）の場合
の触媒化処理液および感応促進処理液のｐＨが低く、化
学的に不安定な物質に適用でき彦い。
の触媒化処理液および感応促進処理液のｐＨが低く、化
学的に不安定な物質に適用でき彦い。
これらの欠点の解決を目的に種々の改良が行なわれ、前
記二つの処理工程を一工程に短縮した無電解メッキ用活
性化処理液も開発されているが（特公昭５ｌ−５６２５
）、前記（２）（５＋の問題点は未だに未解決のま＼で
あった。
記二つの処理工程を一工程に短縮した無電解メッキ用活
性化処理液も開発されているが（特公昭５ｌ−５６２５
）、前記（２）（５＋の問題点は未だに未解決のま＼で
あった。
本発明者はこれら未解決の問題点の解消を目的に研究を
続けた結果、パラジウムイオンにある種の界面活性剤を
共存させ、従来実施されなかったような高いｐＨ領域で
活性化処理することにより前記の欠点のない無電解メッ
キが可能になることを見い出し本発明を完成した。
続けた結果、パラジウムイオンにある種の界面活性剤を
共存させ、従来実施されなかったような高いｐＨ領域で
活性化処理することにより前記の欠点のない無電解メッ
キが可能になることを見い出し本発明を完成した。
また、上記の活性化処理液に、さらにある種の還元剤を
共存させることにより、活性化処理時間の短縮と低温処
理が可能となる。
共存させることにより、活性化処理時間の短縮と低温処
理が可能となる。
すなわち本発明によりパラジウム塩およびペルフルオロ
アルキル基ヲ壱する界面活性剤を含有することを特徴と
する無電解めっき用活性化処理液が提供される。
アルキル基ヲ壱する界面活性剤を含有することを特徴と
する無電解めっき用活性化処理液が提供される。
本発明によれば、さらにパラジウム塩、ペルフルオロア
ルキル基を有する界面活性剤およびピロガロールおよび
／またはヒドロキノンを含有することを特徴とする無電
解めっき用活性化処理液が提供される。
ルキル基を有する界面活性剤およびピロガロールおよび
／またはヒドロキノンを含有することを特徴とする無電
解めっき用活性化処理液が提供される。
本発明によれば、さらにパラジウム塩およびペルフルオ
ロアルキル基金含有し、パラジウムイオン濃度がｌＸ１
０−’〜ｌＸ１０−”モル／ｌであり。
ロアルキル基金含有し、パラジウムイオン濃度がｌＸ１
０−’〜ｌＸ１０−”モル／ｌであり。
ｐＨが式１−３ｑｌｏｇ （Ｐｄ２＋〕（ただし〔Ｐｄ
２＋〕はモＶｌで表わされたパラジウムイオン濃度）で
表わされる値より高い値の処理液を使用することを特徴
とする無電解めっき被めっき物の活性化処理法が提供さ
れる。
２＋〕はモＶｌで表わされたパラジウムイオン濃度）で
表わされる値より高い値の処理液を使用することを特徴
とする無電解めっき被めっき物の活性化処理法が提供さ
れる。
本発明で使用されるパラジウム塩は例えば塩化パラジウ
ム、酢酸パラジウム、塩化パラジウム酸カリウム、塩化
パラジウム酸アンモニウム等である。
ム、酢酸パラジウム、塩化パラジウム酸カリウム、塩化
パラジウム酸アンモニウム等である。
また共存する界面活性剤はベルフルオロアルキル基を有
することを要し通常市販のものは倒れも使用可能である
が、特に好適なものは次式に示されるものである。
することを要し通常市販のものは倒れも使用可能である
が、特に好適なものは次式に示されるものである。
Ｒ７ＳＯ３Ｘ （Ｘ ： Ｈ，ＮＨ４，に、Ｎａ、Ｌｉ
等）Ｒ，ｆＳＯ□Ｎ（Ｒ）ＣＨ，Ｃ００Ｘ （Ｘ ：
Ｋ 、 Ｎａ 、 Ｌｌ等）Ｒ７ＳＯ３Ｘ（Ｒ）（Ｃ２
ＨｔＯ）ｎＨ（ｎ＝１〜２０ ）Ｒ／５Ｏ２Ｎ（ＲＸＣ
２Ｈ４０）。ＰＯＯＸ（ｎ＝１〜２０．Ｘ： Ｈ，ＮＨ
，等）及びＲ／５Ｏ２ＮＨＣ２Ｈ＜Ｎ（ＣＨｓ ）ｓ
Ｉ（但し上式中Ｒ／は炭素数４〜１５のペルフルオロア
ルキル基、ＲはＨまたは炭素数１〜５のアルキル基を示
す） これらの化合物は特に粉粒体表面へのパラジウム塩の析
出を容易にする特異な効果を有するのみならず粉粒体の
液中での濡れ性９分散性の向上にも寄与する。このよう
な効果は従来一般に知られるペルフルオロアルキル基を
有しないカチオン、ノニオンおよびアニオン系の界面活
性剤では認められない効果である。またさらにピロガロ
ールおよびまたはヒドロキノンの共存にょ９．それらが
共存しない場合より、より短時間に、より低温で被処理
表面にパラジウム塩を析出できるため、所望に応じて実
施条件を選ぶことができる。このような効果は他の還元
性物質例えば水素化ホウ素ナトリウムやヒドラジン等で
はまったく認められぬピロガロール、ヒドロキノンに特
有のものである。
等）Ｒ，ｆＳＯ□Ｎ（Ｒ）ＣＨ，Ｃ００Ｘ （Ｘ ：
Ｋ 、 Ｎａ 、 Ｌｌ等）Ｒ７ＳＯ３Ｘ（Ｒ）（Ｃ２
ＨｔＯ）ｎＨ（ｎ＝１〜２０ ）Ｒ／５Ｏ２Ｎ（ＲＸＣ
２Ｈ４０）。ＰＯＯＸ（ｎ＝１〜２０．Ｘ： Ｈ，ＮＨ
，等）及びＲ／５Ｏ２ＮＨＣ２Ｈ＜Ｎ（ＣＨｓ ）ｓ
Ｉ（但し上式中Ｒ／は炭素数４〜１５のペルフルオロア
ルキル基、ＲはＨまたは炭素数１〜５のアルキル基を示
す） これらの化合物は特に粉粒体表面へのパラジウム塩の析
出を容易にする特異な効果を有するのみならず粉粒体の
液中での濡れ性９分散性の向上にも寄与する。このよう
な効果は従来一般に知られるペルフルオロアルキル基を
有しないカチオン、ノニオンおよびアニオン系の界面活
性剤では認められない効果である。またさらにピロガロ
ールおよびまたはヒドロキノンの共存にょ９．それらが
共存しない場合より、より短時間に、より低温で被処理
表面にパラジウム塩を析出できるため、所望に応じて実
施条件を選ぶことができる。このような効果は他の還元
性物質例えば水素化ホウ素ナトリウムやヒドラジン等で
はまったく認められぬピロガロール、ヒドロキノンに特
有のものである。
これらの成分の含有量について述べる。
パラジウムイオン濃度がｌＸＩＤ−’モル／ｌ以下の場
合は触媒活性化が充分なされないで、無電解めっきの析
出速度が非常に遅くなったり、不均一析出したりし、パ
ラジウムイオン濃度がＩ Ｘｌ ０−２モル／ｌ 以上
の場合被めっき物による汲出しによって高価な活性化液
の損失が犬になること、過剰なパラジウム被覆が被めっ
き物になされてもめつき反応により一層の効果を示さな
いことによって上限下限が決められている。更に被めっ
き物のめつき後の外観、めっき反応の誘導時間、経済性
の点からパラジウムイオン濃度の好ましい範囲を規定し
ている。界面活性剤については、０．００１ｖ／以下で
は粉粒体表面へのパラジウム塩のパラジウムの析出促進
効果が少なく、また界面活性能も弱く、また１ ０１／
／ｌ以上の添加は１０ ｆ！／ｌ以下に比べて粉粒体表
面へのパラジウム塩の析出促進効果に大きな向上が認め
られないため界面活性剤の好適な添加範囲’ｉｏ、００
１〜１０１１／ｌと定めた。
合は触媒活性化が充分なされないで、無電解めっきの析
出速度が非常に遅くなったり、不均一析出したりし、パ
ラジウムイオン濃度がＩ Ｘｌ ０−２モル／ｌ 以上
の場合被めっき物による汲出しによって高価な活性化液
の損失が犬になること、過剰なパラジウム被覆が被めっ
き物になされてもめつき反応により一層の効果を示さな
いことによって上限下限が決められている。更に被めっ
き物のめつき後の外観、めっき反応の誘導時間、経済性
の点からパラジウムイオン濃度の好ましい範囲を規定し
ている。界面活性剤については、０．００１ｖ／以下で
は粉粒体表面へのパラジウム塩のパラジウムの析出促進
効果が少なく、また界面活性能も弱く、また１ ０１／
／ｌ以上の添加は１０ ｆ！／ｌ以下に比べて粉粒体表
面へのパラジウム塩の析出促進効果に大きな向上が認め
られないため界面活性剤の好適な添加範囲’ｉｏ、００
１〜１０１１／ｌと定めた。
還元性物質についてはｏ、ｏ ０１ Ｅｌ／Ｉｔ以下で
はパラジウム塩の析出促進効果が少な（，０，５ｇ／１
以上ではパラジウム塩の分解が急激に起こり、粉粒体表
面へのパラジウム塩の析出がほとんど得られず、好適な
添加量は０．００１〜０．５１／／ｌであった。
はパラジウム塩の析出促進効果が少な（，０，５ｇ／１
以上ではパラジウム塩の分解が急激に起こり、粉粒体表
面へのパラジウム塩の析出がほとんど得られず、好適な
添加量は０．００１〜０．５１／／ｌであった。
なお上述の活性化処理液は処理時に各々の構成成分を混
合溶解して使用してもよいが、あらかじめ用途に応じた
濃度に調整した母液として十分安定に保存可能である。
合溶解して使用してもよいが、あらかじめ用途に応じた
濃度に調整した母液として十分安定に保存可能である。
この場合ＦｉｐＨｅ１以下にしておくとよい。
本発明の活性化処理液の効果をまとめると次のようにな
る。
る。
（１）−回の活性化処理のみで簡単に被めっき物表面に
均一なパラジウム塩被覆ができ、充分な触媒活性を付与
できる。
均一なパラジウム塩被覆ができ、充分な触媒活性を付与
できる。
（２）活性化液のｐＨが５以上でも被処理物に触媒活性
の付与が可能なため、化学的に不安定な物質にも適用で
きる。
の付与が可能なため、化学的に不安定な物質にも適用で
きる。
（６）セラミックスのよう々平滑な表面を有し、触媒活
性付与が難しいものにも容易に触媒活性が付与できる。
性付与が難しいものにも容易に触媒活性が付与できる。
（４）有機フッ素化合物が界面活性能全有するため。
濡れ性の悪い粉粒体でも容易に液中に分散できる。
（５）被処理物表面に均−知して充分なパラジウム塩被
覆が得られるため２次工程の無電解めっきにおいてすみ
やかにめっき反応が起こり、均一で緻密彦めっきが得ら
れる。
覆が得られるため２次工程の無電解めっきにおいてすみ
やかにめっき反応が起こり、均一で緻密彦めっきが得ら
れる。
（６）被処理物に均一な触媒付与ができるため、粉粒体
等に微分（ばクロン級）、極微分（サブばクロン級）の
活性化処理に好適である。
等に微分（ばクロン級）、極微分（サブばクロン級）の
活性化処理に好適である。
（７）本性で活性化処理した粉粒体には均一なめっき皮
膜が得られるため、生成金属被覆粉は焼結原料、電気伝
導用原料、磁性材料等に好適である。
膜が得られるため、生成金属被覆粉は焼結原料、電気伝
導用原料、磁性材料等に好適である。
（８）パラジウムイオン濃度を変化させることにより、
粉粒体表面へのパラジウム塩の析出量を変えることかで
き、このため所望とするパラジウム塩被覆が一度の処理
あるいは繰返し処理により可能である。さらにパラジウ
ム塩被覆された粉粒体を強還元性環境にさらすことによ
り、その表面に均一な金属パラジウム層を得ることもで
きる。
粉粒体表面へのパラジウム塩の析出量を変えることかで
き、このため所望とするパラジウム塩被覆が一度の処理
あるいは繰返し処理により可能である。さらにパラジウ
ム塩被覆された粉粒体を強還元性環境にさらすことによ
り、その表面に均一な金属パラジウム層を得ることもで
きる。
本発明は主に粉粒体の無電解めっきの前処理液としこの
活性化処理液に関するものであるが、粉粒体としてはダ
イヤモンド、立方晶♀化ホウ素（ｃＢＮ）、ＳｉＣ等の
セラミックス粉：タングステ乙モリブデン等の金属粉；
水晶、雲母等の鉱物粉そしてプラスチック粉等のあらゆ
る粉粒体に可能である。また本発明が粉粒体のみにとど
まらずプリント基板等の板材あるいは線材等にも応用で
きることは貰うまでもない。
活性化処理液に関するものであるが、粉粒体としてはダ
イヤモンド、立方晶♀化ホウ素（ｃＢＮ）、ＳｉＣ等の
セラミックス粉：タングステ乙モリブデン等の金属粉；
水晶、雲母等の鉱物粉そしてプラスチック粉等のあらゆ
る粉粒体に可能である。また本発明が粉粒体のみにとど
まらずプリント基板等の板材あるいは線材等にも応用で
きることは貰うまでもない。
本発明における活性化処理液による活性化処理の前に感
受性化処理工程を入れることは何等さしつかえないが、
被処理物への触媒活性の付与に関してより一層の効果は
得られず、コスト面から不利である。
受性化処理工程を入れることは何等さしつかえないが、
被処理物への触媒活性の付与に関してより一層の効果は
得られず、コスト面から不利である。
次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
パラジウムイオン濃度とｐＨの間には、第１図に示すよ
うな適正な無電解めっきが行なえる相関関係が存在する
。第１図はパラジウム塩として塩化パラジウムを用い、
各種のペルフルオロアルキル基を有する界面活性剤の共
存の下に、塩酸または水酸化す） ＋３ウムによってｐ
Ｈｔ１Ｍ整した活性処理液を用いてｃＢＮを活性化処理
し、それに後記実施例１の条件で無電解めっきを施した
場合のめっきの状況とパラジウム塩濃度とｐＨの関係を
示す。（Ａ）および（Ｃ）領域は活性化処理後の無電解
めっきでめつき反応は得られるが、めっき外観、経済性
等の点から好ましく々い領域、（Ｄ）領域は、無電解め
っき反応が得られなかった領域で、（Ｂ）領域が良好な
めつき反応が得られた領域である。すなわちパラジウム
イオン濃度がｌＸ１０−’モル／ｌ未満の場合は触媒活
性化が充分なされないで４無電解めっきの析出速度が非
常に遅くなったり、不均一析出が生じ、一方１×１０″
−２モル／ｌを越えると被めっき物による汲出しによっ
て高価な活性化液の損失が犬 ゛になり、過剰表パラジ
ウム被覆が被めっき物になされても無電解めっき反応に
は特段の効果を示さない、、また被めっき物のめっき後
の外観や無電解めっき反応の誘導時間等も考慮して適正
領域（Ｂ）を規定している。一方、ｐＨの適正領域は９
図１の（Ｂｌと（Ｄ）の領域を分ける線すなわち式ｐＨ
＝ １．５−−ｚｌｏｇ（Ｐｄ”’）（ただしＩ Ｘ
１０−’ モｆｉｖ／１！＜ （ｐ、１２＋〕＜Ｉ Ｘ
１０−２モル／ｌ）の（Ｂｌ領域側ならどこでもよい。
うな適正な無電解めっきが行なえる相関関係が存在する
。第１図はパラジウム塩として塩化パラジウムを用い、
各種のペルフルオロアルキル基を有する界面活性剤の共
存の下に、塩酸または水酸化す） ＋３ウムによってｐ
Ｈｔ１Ｍ整した活性処理液を用いてｃＢＮを活性化処理
し、それに後記実施例１の条件で無電解めっきを施した
場合のめっきの状況とパラジウム塩濃度とｐＨの関係を
示す。（Ａ）および（Ｃ）領域は活性化処理後の無電解
めっきでめつき反応は得られるが、めっき外観、経済性
等の点から好ましく々い領域、（Ｄ）領域は、無電解め
っき反応が得られなかった領域で、（Ｂ）領域が良好な
めつき反応が得られた領域である。すなわちパラジウム
イオン濃度がｌＸ１０−’モル／ｌ未満の場合は触媒活
性化が充分なされないで４無電解めっきの析出速度が非
常に遅くなったり、不均一析出が生じ、一方１×１０″
−２モル／ｌを越えると被めっき物による汲出しによっ
て高価な活性化液の損失が犬 ゛になり、過剰表パラジ
ウム被覆が被めっき物になされても無電解めっき反応に
は特段の効果を示さない、、また被めっき物のめっき後
の外観や無電解めっき反応の誘導時間等も考慮して適正
領域（Ｂ）を規定している。一方、ｐＨの適正領域は９
図１の（Ｂｌと（Ｄ）の領域を分ける線すなわち式ｐＨ
＝ １．５−−ｚｌｏｇ（Ｐｄ”’）（ただしＩ Ｘ
１０−’ モｆｉｖ／１！＜ （ｐ、１２＋〕＜Ｉ Ｘ
１０−２モル／ｌ）の（Ｂｌ領域側ならどこでもよい。
この領域は従来の活性化処理工程においては。
パラジウムイオンの加水分解が起る領域としてむしろ避
けられる領域であったが１本発明の活性化処理液の使用
には好適であることが確かめられ。
けられる領域であったが１本発明の活性化処理液の使用
には好適であることが確かめられ。
特に粉粒体の活性化処理に顕著な効果を奏する。
々お上記活性化処理には攪拌が有効に作用し。
特に超音波照射による攪拌は著効を示した。
次に本発明を実施例によりさらに具体的に説明する。
実施例１
表１の（ロ）欄に示す組成の活性化処理液を用い。
（イ）欄に示す被めっき物を対象に（ハ）欄に示す処理
条件によって活性化処理した後２日本カニゼン社８Ｂ−
５５無電解めっき液を用いて２機械攪拌および超音波照
射を行ないつつ、５０℃で１分間の無電解Ｎｌめつき処
理を行々つた。
条件によって活性化処理した後２日本カニゼン社８Ｂ−
５５無電解めっき液を用いて２機械攪拌および超音波照
射を行ないつつ、５０℃で１分間の無電解Ｎｌめつき処
理を行々つた。
工程は次の通りであり、結果は無電解めっき後のめつき
金属重量およびめっき後の外観等により評価し２表１の
に）欄に示した。
金属重量およびめっき後の外観等により評価し２表１の
に）欄に示した。
〔処理工程〕 粉粒体→活性化処理→ろ過→水洗→ろ過
→乾燥→無電解Ｎｉめっき→ろ過→水洗→ろ過→アルコ
ール置換→ろ過→乾燥 表１より各種パラジウム塩が使用可能であること、有機
フッ素化合物の添加効果、ピロガロールおよびヒドロキ
ノンの添加効果および各種の粉末に適用可能なこと等が
明らかになった。
→乾燥→無電解Ｎｉめっき→ろ過→水洗→ろ過→アルコ
ール置換→ろ過→乾燥 表１より各種パラジウム塩が使用可能であること、有機
フッ素化合物の添加効果、ピロガロールおよびヒドロキ
ノンの添加効果および各種の粉末に適用可能なこと等が
明らかになった。
※１ 活性化処理では機械攪拌および超音波照射を実施
した。
した。
＊２ Ｎ＋めっき後の外観はめつき未着部存在量。
めっき表面の平滑性等により総合的に評価した。評価基
準は、◎：優、○：良、Δ：可、×：不可。
準は、◎：優、○：良、Δ：可、×：不可。
＊３ 立方晶窒化ホウ素
※※Ｉ Ｃ１１Ｆｌ？５Ｏ８Ｌ ＋
秦＊２ ＣｓＦ＋ｙ８０２Ｎ（Ｃ３’Ｈｙ）ＣＨｚＣＯ
ＯＫ※※３ＣＪｔｖＳＯｔＮ（ＣｓＨい（ｃ、ｒ−ｔ、
ｏ）ＩＩＨ＊秦４ （ＣａＦ＋ｙ８０ｚＮ（ＣｓＨ７）
Ｃ２Ｈ４０’１ｔＰＯＯＨ実施例２ 次に２種類の活性化処理液を用い、被めっき物としてｃ
ＢＮを対象に活性化時間と温度を変えて活性化処理を行
なった後、実施例１と同様活性化処理したｃＢＮ粉（粒
径６μ、１．９）Ｋ無電解Ｎｉめつき（日本カニゼン社
、８Ｂ−５５，５０℃、１分間。
ＯＫ※※３ＣＪｔｖＳＯｔＮ（ＣｓＨい（ｃ、ｒ−ｔ、
ｏ）ＩＩＨ＊秦４ （ＣａＦ＋ｙ８０ｚＮ（ＣｓＨ７）
Ｃ２Ｈ４０’１ｔＰＯＯＨ実施例２ 次に２種類の活性化処理液を用い、被めっき物としてｃ
ＢＮを対象に活性化時間と温度を変えて活性化処理を行
なった後、実施例１と同様活性化処理したｃＢＮ粉（粒
径６μ、１．９）Ｋ無電解Ｎｉめつき（日本カニゼン社
、８Ｂ−５５，５０℃、１分間。
機械および超音波攪拌を実施）を施し、めっき金属の析
出量により、活性化処理液の効果を評価した。結果は第
２図に示す通りであった。第２図に（１５） け比較のために行なった塩化パラジウム単独の活性化処
理液による実験データも記載されている。
出量により、活性化処理液の効果を評価した。結果は第
２図に示す通りであった。第２図に（１５） け比較のために行なった塩化パラジウム単独の活性化処
理液による実験データも記載されている。
第２図中の記号は次のめつき液を代表する。
＠ ＰｄＣｌ２０．１］２！Ｍ／／（１，４Ｘ１０−’
モル／７）、ｐＨ４，０゜Ｒ／５０８Ｌご０．４１１／
１，２０℃× ＰｄＣｌ２０、Ｏ２５，９／７（１，４
Ｘ１０−＋モル／７）、ｐＨ４，０゜Ｒ／Ｓｏ、Ｌｉ
Ｏ，４９／１，４０°Ｃ口 Ｐｄ（Ｊ、０．０２５ｇ／
１（ｔ４ｘ１ｏ−’モルフ’ｌ ） 、ｐＨ４，Ｑ。
モル／７）、ｐＨ４，０゜Ｒ／５０８Ｌご０．４１１／
１，２０℃× ＰｄＣｌ２０、Ｏ２５，９／７（１，４
Ｘ１０−＋モル／７）、ｐＨ４，０゜Ｒ／Ｓｏ、Ｌｉ
Ｏ，４９／１，４０°Ｃ口 Ｐｄ（Ｊ、０．０２５ｇ／
１（ｔ４ｘ１ｏ−’モルフ’ｌ ） 、ｐＨ４，Ｑ。
Ｒｆ８０．Ｌｉ ０．４９／１，６０°Ｃ口 ＰｄＣＪ
、Ｏ，［１２５ＶＪ（１，４ＸＩ Ｄ−’モルフ’ｌ
） 、ｐｉ（４，０。
、Ｏ，［１２５ＶＪ（１，４ＸＩ Ｄ−’モルフ’ｌ
） 、ｐｉ（４，０。
ＲｆＳＯｓＬ ｉ Ｏ，４１／１
ピロガロール０．０１．！ｉｆ’／Ａ’、２０℃△ ｐ
ｄｃ１２０．０２５１！／ｌ（１，４ｘ１０−’モル／
ｌ ） 、ｐＨ４，０゜６０°Ｇ いずれの場合も機械攪拌、超音波攪拌を行なった。
ｄｃ１２０．０２５１！／ｌ（１，４ｘ１０−’モル／
ｌ ） 、ｐＨ４，０゜６０°Ｇ いずれの場合も機械攪拌、超音波攪拌を行なった。
＊ Ｒｆ＝ ０８Ｆ。
第２図より活性化処理時間が長く、処理温度が高い程２
強い触媒活性が得られ、有機フッ素化合物の添加により
触媒活性の向上が著しいこと、還元性物質の添加により
常温、短時間の処理で高い触媒活性が得られることがわ
かる。
強い触媒活性が得られ、有機フッ素化合物の添加により
触媒活性の向上が著しいこと、還元性物質の添加により
常温、短時間の処理で高い触媒活性が得られることがわ
かる。
従来知られている活性化処理液あるいけ触媒化液の処理
能力がパラジウム１ｇ当たり１０００〜３０００ｄｒｒ
Ｉ！であるのに対し本発明の活性化処理液によればこの
１０倍の２０ 、 ＯＤＤ〜５０．ｌ］ｏｏ ｄ−の処
理能力があり、高価なパラジウムが有効活用される。
能力がパラジウム１ｇ当たり１０００〜３０００ｄｒｒ
Ｉ！であるのに対し本発明の活性化処理液によればこの
１０倍の２０ 、 ＯＤＤ〜５０．ｌ］ｏｏ ｄ−の処
理能力があり、高価なパラジウムが有効活用される。
実施例６
第３図に本発明の活性化処理液を用いて作成したＮｉ被
覆ｃＢＮ粉の外観写真を示す、、ｃＢＮ粉の平均粒径は
３μであり、Ｎｉ被覆量Ｖｉ２２Ｖｏ／％。
覆ｃＢＮ粉の外観写真を示す、、ｃＢＮ粉の平均粒径は
３μであり、Ｎｉ被覆量Ｖｉ２２Ｖｏ／％。
Ｎｉめつき厚さｔ′ｉｏ、 １μである作成は活性化処
理液※ （ｐｃｔｃｌ、 ｏ、ｏ ２５１／ｌ 、 Ｒ／５Ｏｓ
Ｌ ｌ Ｏ，４Ｅｌ／ｌ 、※Ｒ／＝Ｃ８ＦＩ？ピロガ
ロール０．００５９／ｌ、ｐＨ４，０、２０°Ｃ２１０
分）で活性化処理し水洗したのち無電解Ｎｉめっき（日
本カニゼン社５Ｂ−５５，５０℃、１分）により行なっ
た。第３図よりわかるように微細粉表面に均一にして、
極薄膜のＮｉ被覆が得られている。
理液※ （ｐｃｔｃｌ、 ｏ、ｏ ２５１／ｌ 、 Ｒ／５Ｏｓ
Ｌ ｌ Ｏ，４Ｅｌ／ｌ 、※Ｒ／＝Ｃ８ＦＩ？ピロガ
ロール０．００５９／ｌ、ｐＨ４，０、２０°Ｃ２１０
分）で活性化処理し水洗したのち無電解Ｎｉめっき（日
本カニゼン社５Ｂ−５５，５０℃、１分）により行なっ
た。第３図よりわかるように微細粉表面に均一にして、
極薄膜のＮｉ被覆が得られている。
このように本発明によれば微粉、極微粉表面に簡単でし
かも均一、緻密なパラジウム層を得ることができ、この
ためその後の工程のである無電解めっきで均一２平滑で
非常にめっき欠陥の少ない金属薄膜層を容易に得ること
ができる。従って本発明の活性化処理液を用いて作成し
た粉末は焼結用原料粉あるいは電気伝導用原料粉等の用
途におい呟優れた特性を示す。
かも均一、緻密なパラジウム層を得ることができ、この
ためその後の工程のである無電解めっきで均一２平滑で
非常にめっき欠陥の少ない金属薄膜層を容易に得ること
ができる。従って本発明の活性化処理液を用いて作成し
た粉末は焼結用原料粉あるいは電気伝導用原料粉等の用
途におい呟優れた特性を示す。
第１図はパラジウム塩とペルフルオロアルキル基を有す
る界面活性剤を含有する無電解めっき用活性化処理液の
、適正な無電解めっきを生ずる前記パラジウム塩の濃度
とｐＨの関係を示す。 第２図は本発明の活性化処理液による処理時間と無電解
Ｎ１めつきにおけるＮｉ析出量の関係を示す。 第６図は本発明の活性化処理液で前処理して無電解Ｎｉ
めっきを施したＣＢＮ粉末の７，７００倍の顕微鏡写真
である。 特許出願人 三菱金属株式会社 代理人 弁理士 松井政広 １ 本２図 ０５ノ０ ３２ン １ ２ ３ ４ 分合 今 時Ｖ 時駆 時開 糖間
る界面活性剤を含有する無電解めっき用活性化処理液の
、適正な無電解めっきを生ずる前記パラジウム塩の濃度
とｐＨの関係を示す。 第２図は本発明の活性化処理液による処理時間と無電解
Ｎ１めつきにおけるＮｉ析出量の関係を示す。 第６図は本発明の活性化処理液で前処理して無電解Ｎｉ
めっきを施したＣＢＮ粉末の７，７００倍の顕微鏡写真
である。 特許出願人 三菱金属株式会社 代理人 弁理士 松井政広 １ 本２図 ０５ノ０ ３２ン １ ２ ３ ４ 分合 今 時Ｖ 時駆 時開 糖間
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、パラジウム塩およびペルフルオロアルキル基を有す
る界面活性剤を含有することを特徴とする無電解めっき
用活性化処理液。 ２、特許請求の範囲第１項に記載の無電１解めっき活性
化処理液であって、界面活性剤が一般式’ＥＬｆ８０ｓ
Ｘ （式中、 Ｒ，ｆｔＩ′ｉ炭素原子数４〜１５のペ
ルフルオロアルキル基であり、ＲＶｉＨまたは炭素原子
数１〜５のアルキル基であり、 Ｘ１ｄＫ、 Ｎａまた
はＬｉである）。 Ｒ／Ｓｏ、Ｎ（Ｒ）ＣＨ，Ｃ００Ｘ （式中、 Ｒ／と
Ｒけ上に定義した通りであり、Ｘ１ｊＫ、ＮａまたはＬ
ｉである）。 ＲｆＳＯ７Ｎ（Ｒ）（Ｃ７Ｈ４０）ｎＨ（式中、 Ｒ／
とＲは上に定義した通りであり、ｎは１〜２０の正整数
である）。 Ｒｆ８０２Ｎ（Ｈ，）（Ｃ２Ｈ，０）ｎＰＯＯＸ （式
中、 Ｒ／とＲＦｉ上に定義した通りであり、ＸはＨま
たはＮＨ，である）。 Ｒｆ８０２ＮＨＣ，Ｈ，Ｎ（ＣＨ，）、Ｉ （式中、
Ｒ／は上に定義した通りである）。 のいずれかで表わされる化合物である活性化処理液。 ろ、特許請求の範囲第１項に記載の無電解めっき用活性
化処理液であって、該パラジウム塩ｆｃＩＸ１０−５〜
Ｉ Ｘ １０−２モルμの割合で、該界面活性剤を０．
００１〜１０ ｇ／１１の割合で含む活性化処理液。 ４、パラジウム塩、ペルフルオロアルキル基を有する界
面活性剤およびピロガロールおよび／オたけヒドロキノ
ンを含有することを特徴とする無電解めっき用活性化処
理液。 ５、特許請求の範囲第４項記載の無電解めっき用活性化
処理液であって、該界面活性剤が一般式Ｒ／８０．Ｘ
（式中、 Ｒ／は炭素原子数４〜１５のペルフルオロア
ルキル基であシ、ＲはＨまたは炭素原子数１〜５のアル
キル基であり、Ｘはに、ＮａまたはＬｉである）。 ＴＬｆ８０２Ｎ（Ｒ６）ＣＨ２ＣＯＯＸ （式中、 Ｒ
ｆとＲは−Ｅに定義した通りであり、Ｘｆ′ｉＫ、Ｎａ
またけＬｉである）。 Ｒ７’ ８０２Ｎ（Ｒ） （Ｃ２Ｈ４０）。Ｈ（式中、
ＲｆとＲは上に定義した通りであり、ｎは１〜２０の
正整数である）。 ＲｆＳＯ２Ｎ（Ｒ）（ＣＪＴ、Ｏ）。ｐｏｏｘ （式中
、 ＲｆとＲは上に定義した通りであり、ＸけＨまたは
ＮＨ４である）。 Ｒ／８０２ＮＴＩＣ２Ｈ，Ｎ（Ｃ）（３）、Ｉ （式中
、 Ｒ，ｆは上に定義した通りである）。 のいずれかで表わされる化合物である活性化処理液。 ６、特許請求の範囲第４項に記載の無電解めっき用活性
化処理液であって、該パラジウム塩ｆ：１×１０−ｓ〜
ｌＸ１０−”モル／ｌの割合で、該界面活性剤を０．０
０１〜１０ ｇ／ｌの割合で含む活性化処理液。 Ｚ パラジウム塩およびペルフルオロアルキル基を含有
し、パラジウムイオン濃度がｌＸ１０’−’〜イオン濃
度）で表わされる値より高い値の処理液を使用すること
を特徴とする無電解めっき被めつき物の活性化処理法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24540783A JPS60141876A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 無電解めっき用活性化処理液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24540783A JPS60141876A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 無電解めっき用活性化処理液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60141876A true JPS60141876A (ja) | 1985-07-26 |
| JPH0247546B2 JPH0247546B2 (ja) | 1990-10-22 |
Family
ID=17133190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24540783A Granted JPS60141876A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 無電解めっき用活性化処理液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60141876A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03217078A (ja) * | 1990-01-22 | 1991-09-24 | Mitsubishi Electric Corp | 多層銅張積層板用内層基材の表面処理方法 |
| KR20190051980A (ko) * | 2016-08-16 | 2019-05-15 | 세람 코팅스 에이에스 | 세라믹 물질의 용사 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04301740A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-26 | Shimadzu Corp | 調芯機構付き材料試験機 |
| JPH0649984U (ja) * | 1991-09-05 | 1994-07-08 | 昭 前川 | 圧縮試験機の荷重中心自動平衡装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5237971A (en) * | 1975-09-22 | 1977-03-24 | Hakusui Purasuchitsuku Kougiyo | Method of molding hollow nonnporous plastic product |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP24540783A patent/JPS60141876A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5237971A (en) * | 1975-09-22 | 1977-03-24 | Hakusui Purasuchitsuku Kougiyo | Method of molding hollow nonnporous plastic product |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03217078A (ja) * | 1990-01-22 | 1991-09-24 | Mitsubishi Electric Corp | 多層銅張積層板用内層基材の表面処理方法 |
| KR20190051980A (ko) * | 2016-08-16 | 2019-05-15 | 세람 코팅스 에이에스 | 세라믹 물질의 용사 |
| JP2019531405A (ja) * | 2016-08-16 | 2019-10-31 | セラム コーティングス エーエス | セラミック材料の溶射 |
| US11697880B2 (en) | 2016-08-16 | 2023-07-11 | Seram Coatings As | Thermal spraying of ceramic materials comprising metal or metal alloy coating |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0247546B2 (ja) | 1990-10-22 |
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