CN113020587B

CN113020587B - 银包铜粉的制备方法

Info

Publication number: CN113020587B
Application number: CN202110176568.9A
Authority: CN
Inventors: 赵维巍; 王芳; 李康; 张徐之; 李克伟; 杨真钟
Original assignee: Shenzhen Graduate School Harbin Institute of Technology
Current assignee: Shenzhen Graduate School Harbin Institute of Technology
Priority date: 2021-02-09
Filing date: 2021-02-09
Publication date: 2022-12-30
Anticipated expiration: 2041-02-09
Also published as: CN113020587A

Abstract

本申请涉及导电材料制备工艺技术领域，提供了一种银包铜粉的制备方法，包括如下步骤：提供铜粉；将所述铜粉进行N次银包覆处理，得到所述银包铜粉；其中，N为大于等于2的整数；每次所述银包覆处理中，以银氨溶液和含乙二胺四乙酸和银盐的溶液中的至少一种作为络合物溶液，在还原剂条件下进行还原反应；且第N次银包覆处理和第N‑1次银包覆处理所使用的络合物溶液不同。该制备方法可得到银层包覆致密、且均匀的银包铜粉，具有很好的应用前景。

Description

银包铜粉的制备方法

技术领域

本申请属于导电材料制备工艺技术领域，尤其涉及一种银包铜粉的制备方法。

背景技术

导电相是电子浆料最重要的组成部分，它不仅决定了浆料的导电性能，还对导电膜的物理和机械性能产生影响。银的电导率较高且不易氧化，市面上的电子浆料多为银浆，但是价格高，易发生电迁移；金属铜与银导电率相差不大，但抗氧化性能差，导电性能差；而银包铜粉不仅成本低，而且导电性和抗氧化性良好，抗电迁移，具有大规模应用前景。

目前制备银包铜粉的主要方法包括混合球磨法、熔融雾化法和化学镀法。混合球磨法银浪费大，熔融雾化法工艺复杂且成本高，因此市场上主要采用化学镀法进行制备。化学镀法分为以下三种：直接置换法、还原化学镀法和置换还原化学镀法。直接置换化学镀是铜与银离子直接发生置换反应，反应速度快且不稳定，制备得到的银层疏松；还原化学镀法是银配位离子与还原剂发生反应置换出银颗粒包覆在铜表面，得到的通常是呈岛状的银包覆层；置换还原化学镀法是结合前两种方法进行制备，将银配位离子溶液、还原剂以及分散剂等与铜粉进行反应，此方法能减慢铜与银离子的直接置换反应，使镀银反应稳定进行，但也存在缺点：(1)反应生成的铜胺离子附着在铜粉表面，阻碍反应进行；(2)包覆的银层还是不够均匀；(3)铜粉表面少量的银会与铜形成微电池。

因此，相关技术有待改进。

发明内容

本申请的目的在于提供一种银包铜粉的制备方法，旨在解决现有银包覆效果不理想的技术问题。

为实现上述申请目的，本申请采用的技术方案如下：

本申请提供一种银包铜粉的制备方法，包括如下步骤：

提供铜粉；

将所述铜粉进行N次银包覆处理，得到所述银包铜粉；

其中，N为大于等于2的整数；每次所述银包覆处理中，以银氨溶液和含乙二胺四乙酸和银盐的溶液中的至少一种作为络合物溶液，在还原剂条件下进行还原反应；且第N次银包覆处理和第N-1次银包覆处理所使用的络合物溶液不同。

本申请提供的银包铜粉的制备方法，在N次银包覆处理过程中，以银氨溶液和含乙二胺四乙酸和银盐的溶液中的至少一种作为络合物溶液，在还原剂条件下进行还原反应，即使用了银氨溶液、含乙二胺四乙酸和银盐的溶液、或银氨溶液和含乙二胺四乙酸和银盐的溶液组合作为络合物溶液在铜粉表面进行多次(至少两次)的交替络合还原反应，这样可以得到银层包覆致密、且均匀的银包铜粉，这样的银包铜粉具有更好的导电性能，因此具有很好的应用前景。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是对比例1提供的银包铜粉SEM图；

图2是对比例2提供的银包铜粉SEM图；

图3是实施例1提供的第一次银包覆的SEM图；

图4是实施例1提供的第一次银包覆的XRD图；

图5是实施例1提供的第二次银包覆即最终得到银包铜粉的SEM图。

具体实施方式

为了使本申请要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

本申请实施例说明书中所提到的相关成分的重量不仅仅可以指代各组分的具体含量，也可以表示各组分间重量的比例关系，因此，只要是按照本申请实施例说明书相关组分的含量按比例放大或缩小均在本申请实施例说明书公开的范围之内。具体地，本申请实施例说明书中所述的质量可以是μg、mg、g、kg等化工领域公知的质量单位。

本申请实施例提供一种银包铜粉的制备方法，包括如下步骤：

S01：提供铜粉；

S02：将所述铜粉进行N次银包覆处理，得到所述银包铜粉；

铜粉易氧化，在银包覆铜的过程中，除银外的其他物质的沉积会对银包覆有阻碍作用，且处理不当会产生微电池使表面有点缀银；如果使用单一的银氨溶液为络合物进行一次银包覆，包覆反应的时间太长，生成的氢氧化铜和氧化铜等杂质沉淀在铜粉的表面，阻碍反应的进行；如果包覆时间太短，银颗粒来不及沉淀，所以反应时间难以把握，操控不变。而如使用单一的含乙二胺四乙酸(ETDA)和银盐的混合溶液作为络合物进行一次银包覆时，EDTA与银离子络合后的溶液是浑浊液，在滴管进行滴加时，会堵塞管口，因此对ETDA滴加量难以控制。而本申请对铜粉进行了N次银包覆处理即进行至少两次的银包覆处理，第N次银包覆处理和第N-1次银包覆处理所使用的络合物溶液不同即相邻两次银包覆处理使用的络合物溶液不同，具有以下的优势：(1)利用三种络合物溶液复合的方法进行制备，通过第一次银包覆处理先在铜粉表面沉积一些银颗粒，为后续的银包覆反应提供形核质点，使得银层更加完整且均匀；(2)如果第一次使用银氨溶液进行镀银反应，不会有微电池的产生，镀银效果好；可以控制反应时间，及时清洗银包铜粉表面的铜胺络离子，防止在铜粉表面形成氢氧化铜或者氧化铜等沉淀，从而促进反应的进行，也为下一步反应提供良好的形核位置。(3)如果第一次使用含EDTA和银盐的溶液进行镀银反应，不会生成铜胺络离子，从而为后续银形核提供良好的附着点。(4)如果第一次同时以银氨溶液和含EDTA和银盐的溶液组合进行镀银反应，同时可以避免了微电池和铜胺络离子的生成。

本申请对铜粉进行了N次银包覆处理，第N次银包覆处理和第N-1次银包覆处理所使用的络合物溶液不同，例如，第一次如使用了银氨溶液为络合物溶液进行反应，则第二次使用含乙二胺四乙酸和银盐的溶液作为络合物溶液，或者以银氨溶液和含乙二胺四乙酸和银盐的溶液组合作为络合物溶液进行反应，如还有第三次银包覆，则使用的络合物溶液与第二次不同，如此进行多次交替络合还原反应。上述银包覆处理过程中，使用的还原剂选自葡萄糖、水合肼、硼氢化钠和乙醛中的至少一种。以上述三种络合物溶液进行交替络合还原反应，每次反应后，用酒精和水的混合溶液对银包覆处理后的产物进行1～10遍清洗，清洗时间为2～60min，酒精和水的体积比例为1：(1～50)；如此可以更好地进行下一次的银包覆处理。

三种络合物溶液进行交替络合还原反应具体如下：

(1)以银氨溶液作为络合物溶液进行所述还原反应：此时，所述铜粉中的铜元素、所述银氨溶液中的银元素与所述还原剂的摩尔比为1：(0.01～0.5)：(0.005～0.1)，该比例范围可以更好地进行络合还原。此时，还原反应的温度可以为10～40℃，反应时间为1～200min；如果以银氨溶液作为络合物溶液进行第一次银包覆处理，则反应时间可以1～60min，如果是第N次银包覆处理，则反应时间可以60～200min。

以银氨溶液作为络合物溶液时，可以在还原反应体系中进一步加入氨水，以促进银离子进行络合还原，具体地，可以加入体积分数为10％～50％的氨水。例如，将待包覆物(如果是第一次包覆处理，该待包覆物是铜粉，如是不是第一次包覆处理，该待包覆物是经过上次包覆处理的初始银包铜粉)分散于烧杯中，进行磁力搅拌，搅拌速度在1～200r/min，然后同时加入银氨溶液、还原剂和氨水进行还原反应。

(2)以含乙二胺四乙酸和银盐的溶液作为络合物溶液进行所述还原反应；此时，所述铜粉中的铜元素、所述银盐中的银元素与所述还原剂的摩尔比为1：(0.01～0.5)：(0.005～0.1)，且所述银盐中的银元素与所述乙二胺四乙酸的摩尔比为1：(0.05～0.5)。该比例范围可以更好地进行络合还原。此时，还原反应的温度可以为10～80℃，反应时间为1～200min；如果以含乙二胺四乙酸和银盐的溶液作为络合物溶液进行第一次银包覆处理，则反应时间可以1～60min，如果是第N次银包覆处理，则反应时间可以60～200min。其中，银盐选自硝酸银、硫酸银、氯化银和溴化银中的至少一种。

例如，将待包覆物(如果是第一次包覆处理，该待包覆物是铜粉，如是不是第一次包覆处理，该待包覆物是经过上次包覆处理的初始银包铜粉)置于在三颈瓶中进行反应，分别加入还原剂溶液和乙二胺四乙酸与银盐的溶液进行还原反应。

(3)以银氨溶液和含乙二胺四乙酸和银盐的溶液组合作为络合物溶液进行所述还原反应，此时，所述银氨溶液与所述含乙二胺四乙酸和银盐的溶液的体积比为1：(0.5～2.0)，具体地，可以按上述摩尔比的银氨溶液与上述摩尔比例的含乙二胺四乙酸和银盐的溶液按1：(0.5～2.0)的体积比混合，形成该络合物溶液进行所述还原反应；银氨溶液和EDTA可以同时络合，因此要适当控制两者比例，而上述体积比混合效果最佳。此时，还原反应的温度可以为10～80℃，反应时间为1～200min；如果以银氨溶液和含乙二胺四乙酸和银盐的溶液组合作为络合物溶液进行第一次银包覆处理，则反应时间可以1～60min，如果是第N次银包覆处理，则反应时间可以60～200min。

例如，将待包覆物(如果是第一次包覆处理，该待包覆物是铜粉，如是不是第一次包覆处理，该待包覆物是经过上次包覆处理的初始银包铜粉)置于在三颈瓶中进行反应，分别加入还原剂溶液、银氨溶液和含乙二胺四乙酸和银盐的溶液组合的络合物溶液进行还原反应。

需要说明的是，本申请进行N次银包覆处理，因此每次还原反应的时间所有不同，具体地，前面的N-1次银包覆，反应时间可以相对较短，例如每次还原反应可以是1～60min，而最后一次即N次银包覆，反应时间可以相对较长，例如，最后一次还原反应可以是60～200min。

进一步地，因最后一次银包覆反应时间比较长，为了使银包覆更充分，在第N次所述银包覆处理中，还加有分散剂。具体分散剂包括辛基酚聚氧乙烯醚-10、聚乙烯吡咯烷酮等中任意一种或多种。具体地，将N-1次银包覆处理得到的银包铜粉中置于三颈瓶中，加入分散剂，分别用滴管加入还原剂溶液和络合溶液进行还原反应，滴加速度在0.01～5ml/s，

上述步骤中，铜粉经表面清洗处理后，再进行所述银包覆处理。铜粉表面有很多包覆剂和氧化物，所以需要清除表面的包覆剂和氧化物，活化铜粉表面，使反应顺利进行。铜粉的获取包括：选取合适尺寸(50nm～100μm)的铜粉，分别用有机物或氢氧化钠清洗表面的油污，用1％～70％的稀硫酸清洗表面的氧化物，待水洗至中性后进行包覆反应。

进一步地，本申请进行了2-5次的银包覆处理。第N次银包覆处理得到所述银包铜粉之后，还包括：将所述银包铜粉进行清洗处理，然后在10～80℃下烘干10～500min。最后得到的银包铜粉粒径为100nm～200μm，所述银包铜粉中，银的质量百分含量约为5％～30％。

下面结合具体实施例进行说明。

对比例1

一种银包铜粉的制备方法，包括如下步骤：

1、铜粉的获取：选取尺寸为5微米的铜粉5g，用OP10和氢氧化钠清洗表面的油污，用10％的稀硫酸清洗表面的氧化物。

2、配置银氨溶液：将1.5g硝酸银加入到200ml去离子水中，超声溶解，一边搅拌一边滴加体积分数为30％氨水，直到沉淀消失，再滴加两滴。

3、配置还原剂溶液：将5.4g葡萄糖加入到200ml去离子水中，超声溶解分散。

4、配置分散剂溶液：将0.1g的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)加入到50ml去离子水中，水浴40℃磁力搅拌20min。

5、银包覆反应：将铜粉至于三颈瓶中，加入分散剂溶液，搅拌速度为200r/min，反应温度为60℃，同时以0.5ml/s的速度加入银氨溶液和还原剂溶液，反应温度60℃，反应时间200min。

6、清洗：用酒精和水的混合溶液对银包铜粉清洗5遍，清洗时间为30min，酒精和水的比例为1：5。

7、烘干：将清洗干净的银包铜粉在温度70℃下进行烘干8h。

图1是该银包铜粉扫描图，从图中可以看出银是以点缀状附着在铜粉表面的，EDS数据分析可知，银占比只有10％，且表面的银分布不均匀致密；压片电阻为0.517mΩ。

对比例2

一种银包铜粉的制备方法，包括如下步骤：

2、配置EDTA络合硝酸银溶液：将1.5g硝酸银加入到200ml去离子水中，超声溶解，加入1.6g的EDTA，再次超声分散。

5、银包覆反应：将铜粉至于三颈瓶中，加入分散剂溶液，搅拌速度为200r/min，反应温度为60℃，同时以0.5ml/s的速度加入EDTA与硝酸银络合溶液和还原剂溶液，反应温度60℃，反应时间200min。

7、烘干：将清洗干净的银包铜粉在温度70℃下进行烘干8h。

图2是该银包铜粉扫描图，从图中可以看出铜粉表面大面积覆盖了银，但是不是非常致密，而且有的表面银包覆不是很完整，EDS数据分析可知，银占比为15％，压片电阻为0.326mΩ。

实施例1

一种银包铜粉的制备方法，包括如下步骤：

1、铜粉的获取：选取尺寸为5微米的铜粉5g，用OP10和氢氧化钠清洗表面的油污，用10％的稀硫酸清洗表面的氧化物，待水洗至中性。

2、第一次包覆反应：将铜粉置于烧杯中，进行磁力搅拌，搅拌速度为300r/min，同时加入100ml银氨溶液(银含量1.0g)、100ml还原剂溶液(含葡萄糖1.2g)、5ml氨水(体积分数为30％)，反应温度60℃，反应时间60min，得到银包铜粉。

3、对银包铜粉清洗：用酒精和水的混合溶液对银包铜粉清洗5遍，清洗时间为30min，酒精和水的比例为1：5。

4、第二次包覆反应：将上述清洗完的银包铜粉置于三颈瓶中，加入50ml分散剂溶液(聚乙烯吡咯烷酮0.1g)，分别用滴管加入100ml还原剂溶液(葡萄糖4.2g)和100ml络合溶液(含EDTA 1.6g和硝酸银0.5g)，滴加速度为0.5ml/s，反应温度为60℃，搅拌速度是200r/min，滴加完后再反应200min，反应完后获得银包铜粉。

5、对银包铜粉的清洗：用酒精和水的混合溶液对银包铜粉清洗5遍，清洗时间为30min，酒精和水的比例为1：5。

6、烘干：将清洗干净的银包铜粉在温度70℃下进行烘干8h，得到的银包铜粉粒径为3μm，所述银包铜粉中，银的质量百分含量为20％。

图3是第一次包覆完的SEM图，可以看出表面附着了银颗粒，经EDS测试，银的质量百分比为5～10％，与第一步加入的银所占百分比相近。由图4第一次包覆的XRD分析图可知，第一次包覆反应后已经没有铜的氧化物，这样可为第二次包覆起到调整镀银层厚度和均匀性的作用。第二次包覆反应后的Ag@Cu的扫描形貌图如图5所示，表面非常平整，经EDS分析，表面的银含量很高，包覆均匀，测试的方阻为0.231mΩ，具有良好的导电性能。

实施例2

一种银包铜粉的制备方法，包括如下步骤：

1、铜粉的获取：选取尺寸为5微米的铜粉5g，用OP10和氢氧化钠清洗表面的油污，用10％的稀硫酸清洗表面的氧化物，待水洗至中性后进行反应。

2、第一次包覆反应：将铜粉至于烧杯中，进行磁力搅拌，搅拌速度为300r/min，同时加入100ml银氨溶液(银含量0.5g)、100ml还原剂溶液(含葡萄糖0.6g)、5ml氨水(体积分数为30％)，反应温度60℃，反应时间60min，得到银包铜粉。

3、对银包铜粉进行清洗：用酒精和水的混合溶液对第一次包覆的银包铜粉清洗5遍，清洗时间为30min，酒精和水的比例为1：5。

4、第二次包覆反应：将上述清洗完的银包铜粉放置烧杯中，进行磁力搅拌，搅拌速度为300r/min，同时加入100ml含EDTA和硝酸银的络合物溶液(银含量0.5g)、100ml还原剂溶液(含葡萄糖0.6g)，反应温度60℃，反应时间60min，得到第二次包覆的银包铜粉。

5、对银包铜粉进行清洗：用酒精和水的混合溶液对第二次包覆的银包铜粉清洗5遍，清洗时间为30min，酒精和水的比例为1：5。

6、第三次包覆反应：将第二次清洗完的银包铜粉置于三颈瓶中，加入50ml分散剂溶液(聚乙烯吡咯烷酮0.1g)，分别用滴管加入100ml还原剂溶液(葡萄糖4.2g)、50ml含EDTA和硝酸银的溶液(EDTA 0.8g，硝酸银0.25g)和50ml的银氨溶液(硝酸银0.25g)，滴加速度为0.5ml/s，反应温度为60℃，搅拌速度是200r/min，滴加完后再反应200min，反应完后获得第三次包覆的银包铜粉。

7、对银包铜粉进行清洗：用酒精和水的混合溶液对第三次包覆的银包铜粉清洗5遍，清洗时间为30min，酒精和水的比例为1：5。

8、烘干：将清洗干净的银包铜粉在温度70℃下进行烘干8h，得到的银包铜粉粒径为3μm，所述银包铜粉中，银的质量百分含量为22％。

最终银包铜粉EDS分析可得，银的质量百分比为22％，方阻为0.221mΩ。

实施例3

一种银包铜粉的制备方法，包括如下步骤：

2、第一次包覆反应：将铜粉至于烧杯中，进行磁力搅拌，搅拌速度为300r/min，同时加入100ml银氨溶液(银含量0.25g)、100ml还原剂溶液(含葡萄糖0.3g)、5ml氨水(体积分数为30％)，反应温度60℃，反应时间在60min，得到银包铜粉。

3、对银包铜粉清洗：用酒精和水的混合溶液对第一次包覆的银包铜粉清洗5遍，清洗时间为30min，酒精和水的比例为1：5。

4、第二次包覆反应：将上述清洗完的银包铜粉置于烧杯中，进行磁力搅拌，搅拌速度为300r/min，同时加入100ml含EDTA和硝酸银的络合溶液(银含量0.25g)、100ml还原剂溶液(含葡萄糖0.3g)，反应温度60℃，反应时间60min，得到第二次包覆的银包铜粉。

6、第三次包覆反应：将第二次清洗完的银包铜粉置于烧杯中，进行磁力搅拌，搅拌速度为300r/min，同时加入100ml银氨溶液(银含量0.25g)、100ml还原剂溶液(含葡萄糖0.3g)、5ml氨水(体积分数为30％)，反应温度60℃，反应时间60min，得到第三次包覆的银包铜粉。

8、第四次包覆反应：将第三次清洗完的银包铜粉置于烧杯中，进行磁力搅拌，搅拌速度为300r/min，同时加入100ml含EDTA和硝酸银的络合溶液(银含量0.25g)、100ml还原剂溶液(含葡萄糖0.3g)，反应温度60℃，反应时间60min，得到第四次包覆的银包铜粉。

9、对银包铜粉进行清洗：用酒精和水的混合溶液对第四次包覆的银包铜粉清洗5遍，清洗时间为30min，酒精和水的比例为1：5。

10、第五次包覆反应：将第四次清洗完的银包铜粉置于三颈瓶中，加入50ml分散剂溶液(含聚乙烯吡咯烷酮0.1g)，分别用滴管加入100ml还原剂溶液(含葡萄糖4.2g)、50ml含EDTA和硝酸银的溶液(EDTA 0.8g，硝酸银0.25g)和50ml的银氨溶液(含硝酸银0.25g)，滴加速度为0.5ml/s，反应温度为60℃，搅拌速度是200r/min，滴加完后再反应200min，反应完后获得第五次包覆的银包铜粉。

11、对银包铜粉的清洗：用酒精和水的混合溶液对第五次包覆的银包铜粉清洗5遍，清洗时间为30min，酒精和水的比例为1：5。

12、烘干：将清洗干净的银包铜粉在温度70℃下进行烘干8h，得到的银包铜粉粒径为3μm，所述银包铜粉中，银的质量百分含量为25％。

上述银包铜粉经过EDS分析可知，银的质量百分比为25％，方阻为0.217mΩ。经过实施例1-3对比可知，包覆次数增多，银包铜粉中银的质量百分比提高，方阻下降。

由上可知：本申请在铜粉上制备了均匀且致密的镀银层，与对比例1和对比例2对比可知，单一的络合物进行反应，银包覆效果不是很理想，两种络合物进行混合包覆是非常有效的方法，具有优越性，导电性和抗氧化性良好，为后续银包铜粉导电浆料的制备提供了性能优异的导电相，在RFID标签、葡萄糖芯片和导电胶的制备上具有非常广泛的应用。

以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims

1.一种银包铜粉的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供铜粉；

将所述铜粉进行N次银包覆处理，得到所述银包铜粉；

其中，N为大于等于2的整数；每次所述银包覆处理中，以银氨溶液和含乙二胺四乙酸和银盐的溶液中的至少一种作为络合物溶液，在还原剂条件下进行还原反应；且第N次银包覆处理和第N-1次银包覆处理所使用的络合物溶液不同；

其中，N＝3或5，第1次银包覆处理以银氨溶液作为络合物溶液，第2次银包覆处理以含乙二胺四乙酸和银盐的溶液作为络合物溶液，第N次银包覆处理以银氨溶液和含乙二胺四乙酸和银盐的溶液作为络合物溶液。

2.如权利要求1所述的银包铜粉的制备方法，其特征在于，当以银氨溶液作为络合物溶液进行所述还原反应时，所述铜粉中的铜元素、所述银氨溶液中的银元素与所述还原剂的摩尔比为1：（0.01~0.5）：（0.005~0.1）。

3.如权利要求1所述的银包铜粉的制备方法，其特征在于，当以含乙二胺四乙酸和银盐的溶液作为络合物溶液进行所述还原反应时，所述铜粉中的铜元素、所述银盐中的银元素与所述还原剂的摩尔比为1：（0.01~0.5）：（0.005~0.1），且所述银盐中的银元素与所述乙二胺四乙酸的摩尔比为1：（0.05~0.5）。

4.如权利要求1所述的银包铜粉的制备方法，其特征在于，当以银氨溶液和含乙二胺四乙酸和银盐的溶液组合作为络合物溶液进行所述还原反应时，所述银氨溶液与所述含乙二胺四乙酸和银盐的溶液的体积比为1：（0.5~2.0）。

5.如权利要求1所述的银包铜粉的制备方法，其特征在于，第N次所述银包覆处理中，还加有分散剂。

6.如权利要求1-5任一项所述的银包铜粉的制备方法，其特征在于，所述铜粉的粒径为50nm~100μm；和/或，

所述铜粉经表面清洗处理后，再进行所述银包覆处理；和/或，

所述还原剂选自葡萄糖、水合肼、硼氢化钠和乙醛中的至少一种；和/或，

所述含乙二胺四乙酸和银盐的溶液中的银盐选自硝酸银、硫酸银、氯化银和溴化银中的至少一种。

7.如权利要求1-5任一项所述的银包铜粉的制备方法，其特征在于，所述还原反应的温度为10~80℃。

8.如权利要求1-5任一项所述的银包铜粉的制备方法，其特征在于，第N次银包覆处理得到所述银包铜粉之后，还包括：将所述银包铜粉进行清洗处理，然后在10~80℃下烘干10~500min。