JPH0247546B2 - - Google Patents
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- JPH0247546B2 JPH0247546B2 JP58245407A JP24540783A JPH0247546B2 JP H0247546 B2 JPH0247546 B2 JP H0247546B2 JP 58245407 A JP58245407 A JP 58245407A JP 24540783 A JP24540783 A JP 24540783A JP H0247546 B2 JPH0247546 B2 JP H0247546B2
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Description
本発明は無電解めつきの前処理液に関し、被処
理物表面に簡単に触媒活性を付与できる活性化処
理液を提供するものである。特に無電解めつきの
難しいセラミツクス粉等の粉粒体表面の活性化処
理液に関する。 従来無電解めつきを行なうには以下に示す方法
で被めつき物表面に触媒活性を付与したのち無電
解めつきを行なつた。 (a) 感受性化処理→水洗→活性化処理→水洗 (b) 触媒化処理→水洗→感応促進処理→水洗 上記従来法の欠点をあげれば次の通りである。 (1) 二回の処理のため工程が長くなる。 (2) セラミツクス等の平滑な表面を有する粉粒体
では充分な触媒付与が得られず、無電解めつき
において全面的あるいは部分的なめつき未反応
を生じる。 (3) (a)の場合の感受性化処理液、(b)の場合の触媒
化処理液および感応促進処理液のpHが低く、
化学的に不安定な物質に適用できない。 これらの欠点の解決を目的に種々の改良が行な
われ、前記二つの処理工程を一行程に短縮した無
電解メツキ用活性化処理液も開発されているが
（特公昭51−5625）、前記(2)(3)の問題点は未だに未
解決のまゝであつた。 本発明者はこれら未解決の問題点の解消を目的
に研究を続けた結果、パラジウムイオンにある種
の界面活性剤を共存させ、従来実施されなかつた
ような高いpH領域で活性化処理することにより
前記の欠点のない無電解メツキが可能になること
を見い出し本発明を完成した。 また、上記の活性化処理液に、さらにある種の
還元剤を共存させることにより、活性化処理時間
の短縮と低温処理が可能となる。 すなわち本発明によりパラジウム塩およびペル
フルオロアルキル基を有する界面活性剤を含有す
ることを特徴とする無電解めつき用活性化処理液
が提供される。 本発明によれば、さらにパラジウム塩、ペルフ
ルオロアルキル基を有する界面活性剤およびピロ
ガロールおよび／またはヒドロキノンを含有する
ことを特徴とする無電解めつき用活性化処理液が
提供される。 本発明によれば、パラジウム塩およびペルフル
オロアルキル基を有する界面活性剤を含有し、パ
ラジウムイオン濃度が１×10-5〜１×10-2モル／
であり、pHが式1.3−１／２log〔pd2+〕（ただし 〔pd2+〕はモル／で表わされたパラジウムイオ
ン濃度）で表わされる値より高い値の処理液を使
用することを特徴とする無電解めつき被めつき物
の活性化処理が行われる。 本発明で使用されるパラジウム塩は例えば塩化
パラジウム、酢酸パラジウム、塩化パラジウム酸
カリウム、塩化パラジウム酸アンモニウム等であ
る。 また共存する界面活性剤はペルフルオロアルキ
ル基を有することを要し通常市販のものは何れも
使用可能であるが、特に好適なものは次式に示さ
れるものである。 RfSO3X（Ｘ：Ｈ，NH4，Ｋ，Na，Li等） RfSO2N（Ｒ）CH2COOX（Ｘ：Ｋ，Na，Li等） RfSO2N（Ｒ）（C2H4O）oＨ（ｎ＝１〜20） RfSO2N（Ｒ）（C2H4O）oPOOX（ｎ＝１〜20，
Ｘ：Ｈ，NH4等） 及びRfSO2NHC2H4N（CH3）3I （但し上式中Rfは炭素数４〜15のペルフルオロ
アルキル基、ＲはＨまたは炭素数１〜５のアルキ
ル基を示す） これらの化合物は特に粉粒体表面へのパラジウ
ム塩の析出を容易にする特異な効果を有するのみ
ならず粉粒体の液中での濡れ性、分散性の向上に
も寄与する。このような効果は従来一般に知られ
るペルフルオロアルキル基を有しないカチオン、
ノニオンおよびアニオン系の界面活性剤では認め
られない効果である。またさらにピロガロールお
よびまたはヒドロキノンの共存により、それらが
共存しない場合より、より短時間に、より低温で
被処理表面にパラジウム塩を析出できるため、所
望に応じて実施条件を選ぶことができる。このよ
うな効果は他の還元性物質例えば水素化ホウ素ナ
トリウムやヒドラジン等ではまつたく認められぬ
ピロガロール、ヒドロキノンに特有のものであ
る。 これらの成分の含有量について述べる。 パラジウムイオン濃度が１×10-5モル／以下
の場合は触媒活性化が充分なされないで、無電解
めつきの析出速度が必常に遅くなつたり、不均一
析出したりし、パラジウムイオン濃度が１×10-2
モル／以上の場合被めつき物による汲出しによ
つて高価な活性化液の損失が大になること、過剰
なパラジウム被覆が被めつき物になされてもめつ
き反応により一層の効果を示さないことによつて
上限下限が決められている。更に被めつき物のめ
つき後の外観、めつき反応の誘導時間、経済性の
点からパラジウムイオン濃度の好ましい範囲を規
定している。界面活性剤については、0.001g／
以下では粉粒体表面へのパラジウム塩のパラジウ
ムの析出促進効果が少なく、また界面活性能も弱
く、また10g／以上の添加は10g／以下に比
べて粉粒体表面へのパラジウム塩の析出促進効果
に大きな向上が認められないため界面活性剤の好
適な添加範囲を0.001〜10g／と定めた。 還元性物質については0.001g／以下ではパラ
ジウム塩の析出促進効果が少なく、0.5g／以上
ではパラジウム塩の分解が急激に起こり、粉粒体
表面へのパラジウム塩の析出がほとんど得られ
ず、好適な添加量は0.001〜0.5g／であつた。 なお上述の活性化処理液は処理時に各々の構成
成分を混合溶解して使用してもよいが、あらかじ
め用途に応じた濃度に調整した母液として十分安
定に保存可能である。この場合はpHを１以下に
しておくとよい。 本発明の活性化処理液の効果をまとめると次の
ようになる。 (1) 一回の活性化処理のみで簡単に被めつき物表
面に均一なパラジウム塩被覆ができ、充分な触
媒活性を付与できる。 (2) 活性化液のpHが５以上でも被処理物に触媒
活性の付与が可能なため、化学的に不安定な物
質にも適用できる。 (3) セラミツクスのような平滑な表面を有し、触
媒活性付与が難しいものにも容易に触媒活性が
付与できる。 (4) 有機フツ素化合物が界面活性能を有するた
め、濡れ性の悪い粉粒体でも容易に液中に分散
できる。 (5) 被処理物表面に均一にして充分なパラジウム
塩被覆が得られるため、次工程の無電解めつき
においてすみやかにめつき反応が起こり、均一
で緻密なめつきが得られる。 (6) 被処理物に均一な触媒付与ができるため、粉
粒体等に微分（ミクロン級）、極微分（サブミ
クロン級）の活性化処理に好適である。 (7) 本法で活性化処理した粉粒体には均一なめつ
き皮膜が得られるため、生成金属被覆粉は焼結
原料、電気伝導用原料、磁性材料等に好適であ
る。 (8) パラジウムイオン濃度を変化させることによ
り、粉粒体表面へのパラジウム塩の析出量を変
えることができ、このため所望とするパラジウ
ム塩被覆が一度の処理あるいは繰返し処理によ
り可能である。さらにパラジウム塩被覆された
粉粒体を強還元性環境にさらすことにより、そ
の表面に均一な金属パラジウム層を得ることも
できる。 本発明は主に粉粒体の無電解めつきの前処理液
としこの活性化処理液に関するものであるが、粉
粒体としてはダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素
（cBN）、SiC等のセラミツクス粉；タングステ
ン、モリブデン等の金属粉；水晶、雲母等の鉱物
粉そしてプラスチツク粉等のあらゆる粉粒体に可
能である。また本発明が粉粒体のみにとどまらず
プリント基板等の板材あるいは線材等にも応用で
きることは言うまでもない。 本発明における活性化処理液による活性化処理
の前に感受性化処理工程を入れることは何等さし
つかえないが、被処理物への触媒活性の付与に関
してより一層の効果は得られず、コスト面から不
利である。 次に図面を参照して本発明を詳細に説明する。 パラジウムイオン濃度とpHの間には、第１図
に示すような適正な無電解めつきが行なえる相関
関係が存在する。第１図はパラジウム塩として塩
化パラジウムを用い、各種のペルフルオロアルキ
ル基を有する界面活性剤の共存の下に、塩酸また
は水酸化ナトリウムによつてpH調整した活性処
理液を用いてcBNを活性化処理し、それに後記
実施例１の条件で無電解めつきを施した場合のめ
つきの状況とパラジウム塩濃度とpHの関係を示
す。(A)および(C)領域は活性化処理後の無電解めつ
きでめつき反応は得られるが、めつき外観、経済
性等の点から好ましくない領域、(D)領域は、無電
解めつき反応が得られなかつた領域で、(B)領域が
良好なめつき反応が得られた領域である。すなわ
ちパラジウムイオン濃度が１×10-5モル／未満
の場合は触媒活性化が充分なされないで、無電解
めつきの析出速度が非常に遅くなつたり、不均一
析出が出じ、一方１×10-2モル／を越えると被
めつき物による汲出しによつて高価な活性化液の
損失が大になり、過剰なパラジウム被覆が被めつ
き物になされても無電解めつき反応には特段の効
果を示さない。また被めつき物のめつき後の外観
や無電解めつき反応の誘導時間等も考慮して適正
領域(B)を規定している。一方、pHの適正領域は、
図１の(B)と(D)の領域を分ける線すなわち式pH＝
1.3−１／２log〔Pd2+〕（ただし１×10-5モル／＜ 〔Pd2+〕＜１×10-2モル／）の(B)領域側ならどこ
でもよい。 この領域は従来の活性化処理工程においては、
パラジウムイオンの加水分解が起る領域としてむ
しろ避けられる領域であつたが、本発明の活性化
処理液の使用には好適であることが確かめられ、
特に粉粒体の活性化処理に顕著な効果を奏する。 なお上記活性化処理には撹拌が有効に作用し、
特に超音波照射による撹拌は著効を示した。 次に本発明を実施例によりさらに具体的に説明
する。 実施例 １ 表１の(ロ)欄に示す組成の活性化処理液を用い、
(イ)欄に示す被めつき物を対象に(ハ)欄に示す処理条
件によつて活性化処理した後、日本カニゼン社
SB−55無電解めつき液を用いて、機械撹拌およ
び超音波照射を行ないつつ、50℃で１分間の無電
解Niめつき処理を行なつた。 工程は次の通りであり、結果は無電解めつき後
のめつき金属重量およびめつき後の外観等により
評価し、表１の(ニ)欄に示した。 〔処理工程〕粉粒体→活性化処理→ろ過→水洗
→ろ過→乾燥→無電解Niめつき→ろ過→水洗→
ろ過→アルコール置換→ろ過→乾燥 表１より各種パラジウム塩が使用可能であるこ
と、有機フツ素化合物の添加効果、ピロガロール
およびヒドロキノンの添加効果および各種の粉末
に適用可能なこと等が明らかになつた。
理物表面に簡単に触媒活性を付与できる活性化処
理液を提供するものである。特に無電解めつきの
難しいセラミツクス粉等の粉粒体表面の活性化処
理液に関する。 従来無電解めつきを行なうには以下に示す方法
で被めつき物表面に触媒活性を付与したのち無電
解めつきを行なつた。 (a) 感受性化処理→水洗→活性化処理→水洗 (b) 触媒化処理→水洗→感応促進処理→水洗 上記従来法の欠点をあげれば次の通りである。 (1) 二回の処理のため工程が長くなる。 (2) セラミツクス等の平滑な表面を有する粉粒体
では充分な触媒付与が得られず、無電解めつき
において全面的あるいは部分的なめつき未反応
を生じる。 (3) (a)の場合の感受性化処理液、(b)の場合の触媒
化処理液および感応促進処理液のpHが低く、
化学的に不安定な物質に適用できない。 これらの欠点の解決を目的に種々の改良が行な
われ、前記二つの処理工程を一行程に短縮した無
電解メツキ用活性化処理液も開発されているが
（特公昭51−5625）、前記(2)(3)の問題点は未だに未
解決のまゝであつた。 本発明者はこれら未解決の問題点の解消を目的
に研究を続けた結果、パラジウムイオンにある種
の界面活性剤を共存させ、従来実施されなかつた
ような高いpH領域で活性化処理することにより
前記の欠点のない無電解メツキが可能になること
を見い出し本発明を完成した。 また、上記の活性化処理液に、さらにある種の
還元剤を共存させることにより、活性化処理時間
の短縮と低温処理が可能となる。 すなわち本発明によりパラジウム塩およびペル
フルオロアルキル基を有する界面活性剤を含有す
ることを特徴とする無電解めつき用活性化処理液
が提供される。 本発明によれば、さらにパラジウム塩、ペルフ
ルオロアルキル基を有する界面活性剤およびピロ
ガロールおよび／またはヒドロキノンを含有する
ことを特徴とする無電解めつき用活性化処理液が
提供される。 本発明によれば、パラジウム塩およびペルフル
オロアルキル基を有する界面活性剤を含有し、パ
ラジウムイオン濃度が１×10-5〜１×10-2モル／
であり、pHが式1.3−１／２log〔pd2+〕（ただし 〔pd2+〕はモル／で表わされたパラジウムイオ
ン濃度）で表わされる値より高い値の処理液を使
用することを特徴とする無電解めつき被めつき物
の活性化処理が行われる。 本発明で使用されるパラジウム塩は例えば塩化
パラジウム、酢酸パラジウム、塩化パラジウム酸
カリウム、塩化パラジウム酸アンモニウム等であ
る。 また共存する界面活性剤はペルフルオロアルキ
ル基を有することを要し通常市販のものは何れも
使用可能であるが、特に好適なものは次式に示さ
れるものである。 RfSO3X（Ｘ：Ｈ，NH4，Ｋ，Na，Li等） RfSO2N（Ｒ）CH2COOX（Ｘ：Ｋ，Na，Li等） RfSO2N（Ｒ）（C2H4O）oＨ（ｎ＝１〜20） RfSO2N（Ｒ）（C2H4O）oPOOX（ｎ＝１〜20，
Ｘ：Ｈ，NH4等） 及びRfSO2NHC2H4N（CH3）3I （但し上式中Rfは炭素数４〜15のペルフルオロ
アルキル基、ＲはＨまたは炭素数１〜５のアルキ
ル基を示す） これらの化合物は特に粉粒体表面へのパラジウ
ム塩の析出を容易にする特異な効果を有するのみ
ならず粉粒体の液中での濡れ性、分散性の向上に
も寄与する。このような効果は従来一般に知られ
るペルフルオロアルキル基を有しないカチオン、
ノニオンおよびアニオン系の界面活性剤では認め
られない効果である。またさらにピロガロールお
よびまたはヒドロキノンの共存により、それらが
共存しない場合より、より短時間に、より低温で
被処理表面にパラジウム塩を析出できるため、所
望に応じて実施条件を選ぶことができる。このよ
うな効果は他の還元性物質例えば水素化ホウ素ナ
トリウムやヒドラジン等ではまつたく認められぬ
ピロガロール、ヒドロキノンに特有のものであ
る。 これらの成分の含有量について述べる。 パラジウムイオン濃度が１×10-5モル／以下
の場合は触媒活性化が充分なされないで、無電解
めつきの析出速度が必常に遅くなつたり、不均一
析出したりし、パラジウムイオン濃度が１×10-2
モル／以上の場合被めつき物による汲出しによ
つて高価な活性化液の損失が大になること、過剰
なパラジウム被覆が被めつき物になされてもめつ
き反応により一層の効果を示さないことによつて
上限下限が決められている。更に被めつき物のめ
つき後の外観、めつき反応の誘導時間、経済性の
点からパラジウムイオン濃度の好ましい範囲を規
定している。界面活性剤については、0.001g／
以下では粉粒体表面へのパラジウム塩のパラジウ
ムの析出促進効果が少なく、また界面活性能も弱
く、また10g／以上の添加は10g／以下に比
べて粉粒体表面へのパラジウム塩の析出促進効果
に大きな向上が認められないため界面活性剤の好
適な添加範囲を0.001〜10g／と定めた。 還元性物質については0.001g／以下ではパラ
ジウム塩の析出促進効果が少なく、0.5g／以上
ではパラジウム塩の分解が急激に起こり、粉粒体
表面へのパラジウム塩の析出がほとんど得られ
ず、好適な添加量は0.001〜0.5g／であつた。 なお上述の活性化処理液は処理時に各々の構成
成分を混合溶解して使用してもよいが、あらかじ
め用途に応じた濃度に調整した母液として十分安
定に保存可能である。この場合はpHを１以下に
しておくとよい。 本発明の活性化処理液の効果をまとめると次の
ようになる。 (1) 一回の活性化処理のみで簡単に被めつき物表
面に均一なパラジウム塩被覆ができ、充分な触
媒活性を付与できる。 (2) 活性化液のpHが５以上でも被処理物に触媒
活性の付与が可能なため、化学的に不安定な物
質にも適用できる。 (3) セラミツクスのような平滑な表面を有し、触
媒活性付与が難しいものにも容易に触媒活性が
付与できる。 (4) 有機フツ素化合物が界面活性能を有するた
め、濡れ性の悪い粉粒体でも容易に液中に分散
できる。 (5) 被処理物表面に均一にして充分なパラジウム
塩被覆が得られるため、次工程の無電解めつき
においてすみやかにめつき反応が起こり、均一
で緻密なめつきが得られる。 (6) 被処理物に均一な触媒付与ができるため、粉
粒体等に微分（ミクロン級）、極微分（サブミ
クロン級）の活性化処理に好適である。 (7) 本法で活性化処理した粉粒体には均一なめつ
き皮膜が得られるため、生成金属被覆粉は焼結
原料、電気伝導用原料、磁性材料等に好適であ
る。 (8) パラジウムイオン濃度を変化させることによ
り、粉粒体表面へのパラジウム塩の析出量を変
えることができ、このため所望とするパラジウ
ム塩被覆が一度の処理あるいは繰返し処理によ
り可能である。さらにパラジウム塩被覆された
粉粒体を強還元性環境にさらすことにより、そ
の表面に均一な金属パラジウム層を得ることも
できる。 本発明は主に粉粒体の無電解めつきの前処理液
としこの活性化処理液に関するものであるが、粉
粒体としてはダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素
（cBN）、SiC等のセラミツクス粉；タングステ
ン、モリブデン等の金属粉；水晶、雲母等の鉱物
粉そしてプラスチツク粉等のあらゆる粉粒体に可
能である。また本発明が粉粒体のみにとどまらず
プリント基板等の板材あるいは線材等にも応用で
きることは言うまでもない。 本発明における活性化処理液による活性化処理
の前に感受性化処理工程を入れることは何等さし
つかえないが、被処理物への触媒活性の付与に関
してより一層の効果は得られず、コスト面から不
利である。 次に図面を参照して本発明を詳細に説明する。 パラジウムイオン濃度とpHの間には、第１図
に示すような適正な無電解めつきが行なえる相関
関係が存在する。第１図はパラジウム塩として塩
化パラジウムを用い、各種のペルフルオロアルキ
ル基を有する界面活性剤の共存の下に、塩酸また
は水酸化ナトリウムによつてpH調整した活性処
理液を用いてcBNを活性化処理し、それに後記
実施例１の条件で無電解めつきを施した場合のめ
つきの状況とパラジウム塩濃度とpHの関係を示
す。(A)および(C)領域は活性化処理後の無電解めつ
きでめつき反応は得られるが、めつき外観、経済
性等の点から好ましくない領域、(D)領域は、無電
解めつき反応が得られなかつた領域で、(B)領域が
良好なめつき反応が得られた領域である。すなわ
ちパラジウムイオン濃度が１×10-5モル／未満
の場合は触媒活性化が充分なされないで、無電解
めつきの析出速度が非常に遅くなつたり、不均一
析出が出じ、一方１×10-2モル／を越えると被
めつき物による汲出しによつて高価な活性化液の
損失が大になり、過剰なパラジウム被覆が被めつ
き物になされても無電解めつき反応には特段の効
果を示さない。また被めつき物のめつき後の外観
や無電解めつき反応の誘導時間等も考慮して適正
領域(B)を規定している。一方、pHの適正領域は、
図１の(B)と(D)の領域を分ける線すなわち式pH＝
1.3−１／２log〔Pd2+〕（ただし１×10-5モル／＜ 〔Pd2+〕＜１×10-2モル／）の(B)領域側ならどこ
でもよい。 この領域は従来の活性化処理工程においては、
パラジウムイオンの加水分解が起る領域としてむ
しろ避けられる領域であつたが、本発明の活性化
処理液の使用には好適であることが確かめられ、
特に粉粒体の活性化処理に顕著な効果を奏する。 なお上記活性化処理には撹拌が有効に作用し、
特に超音波照射による撹拌は著効を示した。 次に本発明を実施例によりさらに具体的に説明
する。 実施例 １ 表１の(ロ)欄に示す組成の活性化処理液を用い、
(イ)欄に示す被めつき物を対象に(ハ)欄に示す処理条
件によつて活性化処理した後、日本カニゼン社
SB−55無電解めつき液を用いて、機械撹拌およ
び超音波照射を行ないつつ、50℃で１分間の無電
解Niめつき処理を行なつた。 工程は次の通りであり、結果は無電解めつき後
のめつき金属重量およびめつき後の外観等により
評価し、表１の(ニ)欄に示した。 〔処理工程〕粉粒体→活性化処理→ろ過→水洗
→ろ過→乾燥→無電解Niめつき→ろ過→水洗→
ろ過→アルコール置換→ろ過→乾燥 表１より各種パラジウム塩が使用可能であるこ
と、有機フツ素化合物の添加効果、ピロガロール
およびヒドロキノンの添加効果および各種の粉末
に適用可能なこと等が明らかになつた。
【表】
【表】
実施例 ２
次に２種類の活性化処理液を用い、被めつき物
としてcBNを対象に活性化時間と温度を変えて
活性化処理を行なつた後、実施例１と同様活性化
処理したcBN粉（粒径3μ、1g）に無電解Niめつ
き（日本カニゼン社、SB−55、50℃、１分間、
機械および超音波撹拌を実施）を施し、めつき金
属の析出量により、活性化処理液の効果を評価し
た。結果は第２図に示す通りであつた。第２図に
は比較のために行なつた塩化パラジウム単独の活
性化処理液による実験データも記載されている。 第２図中の記号は次のめつき液を代表する。 ● PdCl20.025g／（1.4×10-4モル／）、
pH4.0，RfSO3Li※0.4g／，20℃ × PdCl20.025g／（1.4×10-4モル／）、
pH4.0，RfSO3Li0.4g／，40℃ 〇 PdCl20.025g／（1.4×10-4モル／）、
pH4.0，RfSO3Li0.4g／，60℃ □ PdCl20.025g／（1.4×10-4モル／）、
pH4.0，RfSO3Li0.4g／ピロガロール0.01g／
，20℃ △ PdCl20.025g／（1.4×10-4モル／）、
pH4.0，60℃ いずれの場合も機械撹拌、超音波撹拌を行なつ
た。 ※ Rf＝C3F17 第２図より活性化処理時間が長く、処理温度が
高い程、強い触媒活性が得られ、有機フツ素化合
物の添加により触媒活性の向上が著しいこと、還
元性物質の添加により常温、短時間の処理で高い
触媒活性が得られることがわかる。 従来知られている活性化処理液あるいは触媒化
液の処理能力がパラジウム1g当たり1000〜3000d
m2であるのに対し本発明の活性化処理液によれば
この10倍の20000〜30000dm2の処理能力があり、
高価なパラジウムが有効活用される。 実施例 ３ 第３図に本発明の活性化処理液を用いて作成し
たNi被覆cBN粉の外観写真を示す。cBN粉の平
均粒径は3μであり、Ni被覆量は22Vol％、Niめ
つき厚さは0.1μである作成は活性化処理液
（PdCl20.025g／、※RfSO3Li0.4g／，※Rf＝
C8F17ピロガロール0.005g／，pH4.0，20℃，
10分）で活性化処理し水洗したのち無電解Niめ
つき（日本カニゼン社SB−55，50℃，１分）に
より行なつた。第３図よりわかるように微細粉表
面に均一にして、極薄膜のNi被覆が得られてい
る。 このように本発明によれば微粉、極微粉表面に
簡単でしかも均一、緻密なパラジウム層を得るこ
とができ、このためその後の工程である無電解め
つきで均一、平滑で非常にめつき欠陥の少ない金
属薄膜層を容易に得ることができる。従つて本発
明の活性化処理液を用いて作成した粉末は焼結用
原料粉あるいは電気伝導用原料粉等の用途におい
て優れた特性を示す。
としてcBNを対象に活性化時間と温度を変えて
活性化処理を行なつた後、実施例１と同様活性化
処理したcBN粉（粒径3μ、1g）に無電解Niめつ
き（日本カニゼン社、SB−55、50℃、１分間、
機械および超音波撹拌を実施）を施し、めつき金
属の析出量により、活性化処理液の効果を評価し
た。結果は第２図に示す通りであつた。第２図に
は比較のために行なつた塩化パラジウム単独の活
性化処理液による実験データも記載されている。 第２図中の記号は次のめつき液を代表する。 ● PdCl20.025g／（1.4×10-4モル／）、
pH4.0，RfSO3Li※0.4g／，20℃ × PdCl20.025g／（1.4×10-4モル／）、
pH4.0，RfSO3Li0.4g／，40℃ 〇 PdCl20.025g／（1.4×10-4モル／）、
pH4.0，RfSO3Li0.4g／，60℃ □ PdCl20.025g／（1.4×10-4モル／）、
pH4.0，RfSO3Li0.4g／ピロガロール0.01g／
，20℃ △ PdCl20.025g／（1.4×10-4モル／）、
pH4.0，60℃ いずれの場合も機械撹拌、超音波撹拌を行なつ
た。 ※ Rf＝C3F17 第２図より活性化処理時間が長く、処理温度が
高い程、強い触媒活性が得られ、有機フツ素化合
物の添加により触媒活性の向上が著しいこと、還
元性物質の添加により常温、短時間の処理で高い
触媒活性が得られることがわかる。 従来知られている活性化処理液あるいは触媒化
液の処理能力がパラジウム1g当たり1000〜3000d
m2であるのに対し本発明の活性化処理液によれば
この10倍の20000〜30000dm2の処理能力があり、
高価なパラジウムが有効活用される。 実施例 ３ 第３図に本発明の活性化処理液を用いて作成し
たNi被覆cBN粉の外観写真を示す。cBN粉の平
均粒径は3μであり、Ni被覆量は22Vol％、Niめ
つき厚さは0.1μである作成は活性化処理液
（PdCl20.025g／、※RfSO3Li0.4g／，※Rf＝
C8F17ピロガロール0.005g／，pH4.0，20℃，
10分）で活性化処理し水洗したのち無電解Niめ
つき（日本カニゼン社SB−55，50℃，１分）に
より行なつた。第３図よりわかるように微細粉表
面に均一にして、極薄膜のNi被覆が得られてい
る。 このように本発明によれば微粉、極微粉表面に
簡単でしかも均一、緻密なパラジウム層を得るこ
とができ、このためその後の工程である無電解め
つきで均一、平滑で非常にめつき欠陥の少ない金
属薄膜層を容易に得ることができる。従つて本発
明の活性化処理液を用いて作成した粉末は焼結用
原料粉あるいは電気伝導用原料粉等の用途におい
て優れた特性を示す。
第１図はパラジウム塩とペルフルオロアルキル
基を有する界面活性剤を含有する無電解めつき用
活性化処理液の、適正な無電解めつきを生ずる前
記パラジウム塩の濃度とpHの関係を示す。第２
図は本発明の活性化処理液による処理時間と無電
解NiめつきにおけるNi析出量の関係を示す。第
３図は本発明の活性化処理液で前処理して無電解
Niめつきを施したCBN粉末の7700倍の顕微鏡写
真である。
基を有する界面活性剤を含有する無電解めつき用
活性化処理液の、適正な無電解めつきを生ずる前
記パラジウム塩の濃度とpHの関係を示す。第２
図は本発明の活性化処理液による処理時間と無電
解NiめつきにおけるNi析出量の関係を示す。第
３図は本発明の活性化処理液で前処理して無電解
Niめつきを施したCBN粉末の7700倍の顕微鏡写
真である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ １×10-5〜１×10-2モル／のパラジウム塩
と、 0.001〜10g／の一般式 RfSO3X（式中、Rfは炭素原子数４〜15のペル
フルオロアルキル基であり、ＸはＫ、Na、また
はLiである）、 RfSO2N（Ｒ）CH2COOX（式中、Rfは上に定義
した通りであり、Ｒは炭素原子数１〜５のアルキ
ル基であり、ＸはＫ、NaまたはLiである）、 RfSO2N（Ｒ）（C2H4O）oＨ（式中、RfとＲは上
に定義した通りであり、ｎは１〜20正整数であ
る）、 RfSO2N（Ｒ）（C2H4O）oPOOX（式中、RfとＲ
は上に定義した通りであり、ＸはＨまたはNH4
であり、ｎは１〜20正整数である）、 RfSO2NHC2H4N（CH3）Ｉ（式中、Rfは上に定
義した通りである） のいずれかで表される界面活性剤を含む溶液から
なる無電解めつきのための活性化処理液。 ２ １×10-5〜１×10-2モル／のパラジウム塩
と、 0.001〜10g／の一般式 RfSO3X（式中、Rfは炭素原子数４〜15のペル
フルオロアルキル基であり、ＸはＫ、Na、また
はLiである）、 RfSO2N（Ｒ）CH2COOX（式中、Rfは上に定義
した通りであり、Ｒは炭素原子数４〜15のアルキ
ル基であり、ＸはＫ、NaまたはLiである）、 RfSO2N（Ｒ）（C2H4O）oＨ（式中、RfとＲは上
に定義した通りであり、ｎは１〜20正整数であ
る）、 RfSO2N（Ｒ）（C2H4O）oPOOX（式中、RfとＲ
は上に定義した通りであり、ＸはＨまたはNH4
であり、ｎは１〜20正整数である）、 RfSO2NHC2H4N（CH3）Ｉ（式中、Rfは上に定
義した通りである） のいずれかで表される界面活性剤と、 0.001〜0.5g／のピロガロールおよび／また
はヒドロキノンを含む溶液からなる無電解めつき
のための活性化処理液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24540783A JPS60141876A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 無電解めっき用活性化処理液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24540783A JPS60141876A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 無電解めっき用活性化処理液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60141876A JPS60141876A (ja) | 1985-07-26 |
| JPH0247546B2 true JPH0247546B2 (ja) | 1990-10-22 |
Family
ID=17133190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24540783A Granted JPS60141876A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 無電解めっき用活性化処理液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60141876A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04301740A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-26 | Shimadzu Corp | 調芯機構付き材料試験機 |
| JPH0649984U (ja) * | 1991-09-05 | 1994-07-08 | 昭 前川 | 圧縮試験機の荷重中心自動平衡装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03217078A (ja) * | 1990-01-22 | 1991-09-24 | Mitsubishi Electric Corp | 多層銅張積層板用内層基材の表面処理方法 |
| GB201614008D0 (en) * | 2016-08-16 | 2016-09-28 | Seram Coatings As | Thermal spraying of ceramic materials |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5237971A (en) * | 1975-09-22 | 1977-03-24 | Hakusui Purasuchitsuku Kougiyo | Method of molding hollow nonnporous plastic product |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP24540783A patent/JPS60141876A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5237971A (en) * | 1975-09-22 | 1977-03-24 | Hakusui Purasuchitsuku Kougiyo | Method of molding hollow nonnporous plastic product |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04301740A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-26 | Shimadzu Corp | 調芯機構付き材料試験機 |
| JPH0649984U (ja) * | 1991-09-05 | 1994-07-08 | 昭 前川 | 圧縮試験機の荷重中心自動平衡装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60141876A (ja) | 1985-07-26 |
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