JPS60140358A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS60140358A JPS60140358A JP24552083A JP24552083A JPS60140358A JP S60140358 A JPS60140358 A JP S60140358A JP 24552083 A JP24552083 A JP 24552083A JP 24552083 A JP24552083 A JP 24552083A JP S60140358 A JPS60140358 A JP S60140358A
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- JP
- Japan
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- photoconductive layer
- layer
- conductive substrate
- hydrazine
- reducing agent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は２色電゜子写真感光体さらに詳しくは導電性基
体表面を無電解ニッケルメッキ法で形成されたＮｉ−Ｎ
薄膜で被覆した電子写真感光体に関する。
体表面を無電解ニッケルメッキ法で形成されたＮｉ−Ｎ
薄膜で被覆した電子写真感光体に関する。
従来，導電性基体と光導電層との間に中間層を設けて基
体側からキャリヤの移動を容易に行なわしめることが知
られている。この種の中間層のうち、特に光導電層どの
仕事関数との関係に着目した中間層としてＮｉ−Ｐ合金
を用いてキャリヤの注入性を改善する方法が提案されて
いる（特公昭５１−５５８６４号公報参照）。しかしな
がらＮｉ−Ｐ合金を中間層としてＡＩｔ基質上に設けそ
の上にＡ３２Ｓθ３からなる光導電層を設けた感光体の
負帯電慣性は一２００Ｖ以下であってホールの注入が充
分とはいえない。また、仕事関数が感光層物質以下でＮ
１以上の金属、Ｔｅ以上のカルコケン物質、Ａｓ以上の
粉末および結着樹脂からなる中間層を用いることが提案
されている（特公昭５４−３６８５９号公報参照）。し
かしながら、この方法では結着樹脂を使用するためＡＢ
２８０３などの光導電層では形成東件が制約され満足す
べき電気特性が得られないという欠点がある。
体側からキャリヤの移動を容易に行なわしめることが知
られている。この種の中間層のうち、特に光導電層どの
仕事関数との関係に着目した中間層としてＮｉ−Ｐ合金
を用いてキャリヤの注入性を改善する方法が提案されて
いる（特公昭５１−５５８６４号公報参照）。しかしな
がらＮｉ−Ｐ合金を中間層としてＡＩｔ基質上に設けそ
の上にＡ３２Ｓθ３からなる光導電層を設けた感光体の
負帯電慣性は一２００Ｖ以下であってホールの注入が充
分とはいえない。また、仕事関数が感光層物質以下でＮ
１以上の金属、Ｔｅ以上のカルコケン物質、Ａｓ以上の
粉末および結着樹脂からなる中間層を用いることが提案
されている（特公昭５４−３６８５９号公報参照）。し
かしながら、この方法では結着樹脂を使用するためＡＢ
２８０３などの光導電層では形成東件が制約され満足す
べき電気特性が得られないという欠点がある。
本発明に上記現状にデと；みてなされたものであって、
その目的は電子４７℃感光体の基体と光導′？ｉ！層間
の整流特性を改善することである。
その目的は電子４７℃感光体の基体と光導′？ｉ！層間
の整流特性を改善することである。
上記目的を達成するために、本発明は電子写諺、感光体
における申開層としてヒドラジンを還元剤とする無電解
ニッケルメッキ法で形成されたＮ１−Ｎ薄膜を用いるこ
とにある。
における申開層としてヒドラジンを還元剤とする無電解
ニッケルメッキ法で形成されたＮ１−Ｎ薄膜を用いるこ
とにある。
本発明の電子写真感光体はヒドラジンを還元剤とする無
電解ニッケルメッキ法で形成されたＮ１−Ｎ薄膜を被覆
した尋′１イ性基体表１１１に光導′成層を設けたもの
を基本とする。また、本発明の電子写真感光体の別の態
様として、光導電層を第１光導電層と第２光導電層との
２層構成にすることができる。第１光導電層は上述のＮ
１−Ｎ薄膜を′＄、侵した２４ ’ｉ［性基体表面の上
に設けられそして第２光導電層は該第１光４電層の上に
設けられる。また、第２光導電層は可視光領域の一部有
彩色光に対し感度を有し且つ他の有彩色光を透過するも
のであり、一方第１光導Ｎ層は少なくともその第２光導
電層を透ｊｂする有彩色光に対し感度を有するものであ
る。
電解ニッケルメッキ法で形成されたＮ１−Ｎ薄膜を被覆
した尋′１イ性基体表１１１に光導′成層を設けたもの
を基本とする。また、本発明の電子写真感光体の別の態
様として、光導電層を第１光導電層と第２光導電層との
２層構成にすることができる。第１光導電層は上述のＮ
１−Ｎ薄膜を′＄、侵した２４ ’ｉ［性基体表面の上
に設けられそして第２光導電層は該第１光４電層の上に
設けられる。また、第２光導電層は可視光領域の一部有
彩色光に対し感度を有し且つ他の有彩色光を透過するも
のであり、一方第１光導Ｎ層は少なくともその第２光導
電層を透ｊｂする有彩色光に対し感度を有するものであ
る。
次ＶＣ１図面を参照して本発明の電子写真感光体につい
て具体的に説明する。
て具体的に説明する。
第１図に示すように、本発明の電子写真感光体は導電性
基体１の上に中間層２を設けさらにその上に光導電層３
を設けたものが基本構成である。導電性基体としては例
えばＡＩｔ、ステンレススチールなどの金属板、５ｎ０
２、Ｉｎ２Ｏ５などの金属酸化物あるいはこれら金属ま
たは金属酸化物を被覆したプラスチックフィルム、紙ま
たは布などを用いることができる。中間層はＮ１−Ｎ薄
膜からなるものであって、とのＮ１−Ｎ薄膜はニッケル
化合物とヒドラジン還元剤との還元析出反応を応用する
いわゆる無電解ニッケルメッキ法によって形成される。
基体１の上に中間層２を設けさらにその上に光導電層３
を設けたものが基本構成である。導電性基体としては例
えばＡＩｔ、ステンレススチールなどの金属板、５ｎ０
２、Ｉｎ２Ｏ５などの金属酸化物あるいはこれら金属ま
たは金属酸化物を被覆したプラスチックフィルム、紙ま
たは布などを用いることができる。中間層はＮ１−Ｎ薄
膜からなるものであって、とのＮ１−Ｎ薄膜はニッケル
化合物とヒドラジン還元剤との還元析出反応を応用する
いわゆる無電解ニッケルメッキ法によって形成される。
この還元析出反応は以下の反応式で表わすことができる
。
。
２Ｎｉ”十Ｎ２Ｈ４＋ ４０Ｈ−→２Ｎｉ ＋Ｎ２ ＋
４Ｈ２０本発明により得られたニッケル膜は不純物とし
て若干の窒素を含むのみで、還元剤として次亜リン酸系
、ホウ素系などを使用して得られるニッケルメッキ皮膜
と比較して純度の高い良質なニッケル膜である。また、
メッキ後ニッケル膜の熱処理は導電性基体との密着性の
改善およびニッケル膜中の応力解放に有効である。中間
層の膜厚は５ｏｏｏＸ〜１０μｍ好ましくけ１μｍ〜５
μｍの範囲にある。また、光導電層としてはＢｅ系感光
層を用いることができ、その代表的な例としてはＳｅ、
５ｅＴｅ、Ａ３２Ｓｅ５．５ｅ−Ｂｉ、Ｂｅ−８ｂな
どをあげることができる。
４Ｈ２０本発明により得られたニッケル膜は不純物とし
て若干の窒素を含むのみで、還元剤として次亜リン酸系
、ホウ素系などを使用して得られるニッケルメッキ皮膜
と比較して純度の高い良質なニッケル膜である。また、
メッキ後ニッケル膜の熱処理は導電性基体との密着性の
改善およびニッケル膜中の応力解放に有効である。中間
層の膜厚は５ｏｏｏＸ〜１０μｍ好ましくけ１μｍ〜５
μｍの範囲にある。また、光導電層としてはＢｅ系感光
層を用いることができ、その代表的な例としてはＳｅ、
５ｅＴｅ、Ａ３２Ｓｅ５．５ｅ−Ｂｉ、Ｂｅ−８ｂな
どをあげることができる。
第２図は本発明による電子写真感光体の別の態様を示す
ものであって、導電性基体１の上に中間層２を設けさら
にその上に第１光導電層４および第２光導電層５を設け
たものである。第１光導電層は上記光導電層と同様に８
ｅ系悪感光を用いることができ、その膜厚は１０〜１５
０μ好ましくは５０〜１２０μの範囲にある。また、第
２光導電層としては正または負の帯電下あるいは両極性
帯電下で可視光領域の一部有彩色光により導体化するよ
うな光導電性部材が用いられる。
ものであって、導電性基体１の上に中間層２を設けさら
にその上に第１光導電層４および第２光導電層５を設け
たものである。第１光導電層は上記光導電層と同様に８
ｅ系悪感光を用いることができ、その膜厚は１０〜１５
０μ好ましくは５０〜１２０μの範囲にある。また、第
２光導電層としては正または負の帯電下あるいは両極性
帯電下で可視光領域の一部有彩色光により導体化するよ
うな光導電性部材が用いられる。
特に両極性帯電下で光導電性を示す材料としてはフタロ
シアニン顔料、アゾ顔料のような有機顔料、ピリリウム
系染料およびこれら染料と樹脂どの共晶錯体、電荷移動
錯体などをあげることができる。すなわち、第２光導電
層は正または負のコロナ帯電を施したと＠に電位保持能
を有する素材で構成され且つ特定波長の光で導体化する
性質を有している。また、第２光導電層は第２図に示す
ように単層であってもよいが特にこれに限定されるもの
ではなく本発明の別の態様として第３図に示すように電
荷発生層６と電荷輸送層７０２層にすることもできる。
シアニン顔料、アゾ顔料のような有機顔料、ピリリウム
系染料およびこれら染料と樹脂どの共晶錯体、電荷移動
錯体などをあげることができる。すなわち、第２光導電
層は正または負のコロナ帯電を施したと＠に電位保持能
を有する素材で構成され且つ特定波長の光で導体化する
性質を有している。また、第２光導電層は第２図に示す
ように単層であってもよいが特にこれに限定されるもの
ではなく本発明の別の態様として第３図に示すように電
荷発生層６と電荷輸送層７０２層にすることもできる。
第２光導電層の膜厚ｄ単層の場合５〜３０μ程度が適切
であり、複層の場合電荷発生層は０．１〜５μ程度ぞし
て電荷輸送層は５〜５０μ程度が適切である。なお、本
発明では第１光尋７Ｗ Ｍ−ｉと第２光導電層との間に
新たな層を設けて電荷のリークを防止する等の機能向上
を図ってもよい。第２光導電層の形成にあ°たって結着
剤を用いる場合にはその材料としては例えばポリエチレ
ン、ポリスチレン、ポリエステル、ホ′リアミド、ボリ
カーホネート、エポキシ、ウレタン、シリコーン、アル
キッドなどの樹脂を用いることができる。
であり、複層の場合電荷発生層は０．１〜５μ程度ぞし
て電荷輸送層は５〜５０μ程度が適切である。なお、本
発明では第１光尋７Ｗ Ｍ−ｉと第２光導電層との間に
新たな層を設けて電荷のリークを防止する等の機能向上
を図ってもよい。第２光導電層の形成にあ°たって結着
剤を用いる場合にはその材料としては例えばポリエチレ
ン、ポリスチレン、ポリエステル、ホ′リアミド、ボリ
カーホネート、エポキシ、ウレタン、シリコーン、アル
キッドなどの樹脂を用いることができる。
結着剤には可塑剤を併用できるが、その添加量は結着剤
に対し３０重永係までが適当である。
に対し３０重永係までが適当である。
可塑剤としてはジブチルフタレ−１−、ジオクチルフタ
レートなどの一般に樹脂の可塑剤として用いられるもの
をそのまま使用できる。
レートなどの一般に樹脂の可塑剤として用いられるもの
をそのまま使用できる。
以下に比較例とともに実施例を掲けて本発明をさらに説
明するが本発明はこれに限定されるものではない。
明するが本発明はこれに限定されるものではない。
実施例 １
本発明品−１のヒドラジンを還元剤とする無電解ニッケ
ルメッキ法で形成したＮ１−Ｎ薄膜中間層を設けたもの
と、従来のＮ１−Ｐ中間層を設りたもの（比較品Ａ−１
）および中間層のないもの（比較品Ｂ−１）の３種の試
料を作製し基体からのキャリヤの注入性を比較した。以
下に試料作製法と特性値を示す。
ルメッキ法で形成したＮ１−Ｎ薄膜中間層を設けたもの
と、従来のＮ１−Ｐ中間層を設りたもの（比較品Ａ−１
）および中間層のないもの（比較品Ｂ−１）の３種の試
料を作製し基体からのキャリヤの注入性を比較した。以
下に試料作製法と特性値を示す。
本発明品−に表面が平滑なアルミニウム板をトリクレン
脱脂の後、塩化ニッケルα０２モル／Ｉｔ、酒石酸ガド
リウム０．０２モル／β、ヒドラジン１モル／！からな
る浴中で９５℃に加熱し化学還元作用により約１μの膜
厚のＮ１−Ｎ膜をアルミニウム板に析出させた。
脱脂の後、塩化ニッケルα０２モル／Ｉｔ、酒石酸ガド
リウム０．０２モル／β、ヒドラジン１モル／！からな
る浴中で９５℃に加熱し化学還元作用により約１μの膜
厚のＮ１−Ｎ膜をアルミニウム板に析出させた。
得られたＮ１−Ｎ膜を湯洗、乾燥の後３５０℃で３時間
熱処理した。この後、Ａ１１２８０３光導電層を真空蒸
着法でＮ１−Ｎ中間層上に設は本発明品とした。蒸着条
件は、基板温度１９５℃、真空度２−５ Ｘ １０−６
Ｔｏｒｒ、ボート流度４２０℃。
熱処理した。この後、Ａ１１２８０３光導電層を真空蒸
着法でＮ１−Ｎ中間層上に設は本発明品とした。蒸着条
件は、基板温度１９５℃、真空度２−５ Ｘ １０−６
Ｔｏｒｒ、ボート流度４２０℃。
蒸着速度１μ／ｍ、ｉｎおよび膜厚６０μとした。
比較品Ａ−１＝本発明品と同様なアルミニウム板をトリ
クレン脱脂の後Ｎ１−Ｐ無電解浴ブルーシユーマー（日
本カニセン！Ａ）にて約１μの膜厚＾１およびＰをＡｋ
版板上析出させ得−られたＮ１−Ｐ膜を湯洗、乾燥の後
３５０℃でろ時間熱処理した。その後、本発明品と全く
同様な方法でＡ３２Ｓｅ３光導電層を設は比較品Ａ−１
とした。
クレン脱脂の後Ｎ１−Ｐ無電解浴ブルーシユーマー（日
本カニセン！Ａ）にて約１μの膜厚＾１およびＰをＡｋ
版板上析出させ得−られたＮ１−Ｐ膜を湯洗、乾燥の後
３５０℃でろ時間熱処理した。その後、本発明品と全く
同様な方法でＡ３２Ｓｅ３光導電層を設は比較品Ａ−１
とした。
比較品Ｂ−に本発明品−１と同様なアルミニウム板をト
リクレン脱脂の後、本発明品−１と同様な方法でＡβ板
上にＡｓ２８ｅ３元導電層を設は比較品Ｂ−１とした。
リクレン脱脂の後、本発明品−１と同様な方法でＡβ板
上にＡｓ２８ｅ３元導電層を設は比較品Ｂ−１とした。
以上のような方法で作製された本発明品お上び比較品の
正、負帯電電位をＨｒＰＡ（川口電機製）にて測定した
。但し、正コロナ帯電を＋５ＫＶとし、負コロナ帯電を
一５ＫＶとした。測定結果を以下の表１に示す。
正、負帯電電位をＨｒＰＡ（川口電機製）にて測定した
。但し、正コロナ帯電を＋５ＫＶとし、負コロナ帯電を
一５ＫＶとした。測定結果を以下の表１に示す。
表 １
上記の結果から、Ｎ１−Ｎ ＠ 膜中間層を有する本発
明品は従来品（比較品）と比較して大巾に正孔の注入効
率が改善されていることがわかる。
明品は従来品（比較品）と比較して大巾に正孔の注入効
率が改善されていることがわかる。
実施例 ２
実施例１で作成した本発明品−１、比較品Ａ−１、Ｂ−
ｉをニトロセルロースｍＷ（シャドー社製）の１０重量
％溶液中に浸漬し各々のＡｓ＋ｓｅ、ｑ第一光導電層上
にニトロセルロース樹脂からなる中間層１μを形成した
。その後真空蒸着法でこの中間層上に！３ｅＴｅ第２光
導電層用電荷発生層を形成した。蒸着条件は、合金組成
： ８ｅＴθ８ｗｔ％ 、ａｆｌ、２５ｐｐｍｍ基板゛
潟度８０℃、真空度２−５Ｘ１０″’ｒｏｒｒ、ボート
温度：３２０℃、蒸着速度５ ｔｌ ／ｍｉｎ。
ｉをニトロセルロースｍＷ（シャドー社製）の１０重量
％溶液中に浸漬し各々のＡｓ＋ｓｅ、ｑ第一光導電層上
にニトロセルロース樹脂からなる中間層１μを形成した
。その後真空蒸着法でこの中間層上に！３ｅＴｅ第２光
導電層用電荷発生層を形成した。蒸着条件は、合金組成
： ８ｅＴθ８ｗｔ％ 、ａｆｌ、２５ｐｐｍｍ基板゛
潟度８０℃、真空度２−５Ｘ１０″’ｒｏｒｒ、ボート
温度：３２０℃、蒸着速度５ ｔｌ ／ｍｉｎ。
膜厚５μとした。
更Ｋ ５ｅａｓ ｆｆｉ荷発生層上にポリビニルカルバ
ゾールの５重量％塩化メチレン溶液を塗布乾燥して膜厚
２０μの第２光導電層用電荷移動層を設けて複合感光体
本発明品−２、比較品Ａ−２およびＢ−７を得た。
ゾールの５重量％塩化メチレン溶液を塗布乾燥して膜厚
２０μの第２光導電層用電荷移動層を設けて複合感光体
本発明品−２、比較品Ａ−２およびＢ−７を得た。
次にこれらの感光体に各々−５，７ＫＶの１次コロナ帯
電を行った後＋５．５ ＫＶの２次コロナ帯電を施し次
いで■露光なし、■赤色フィルターを介した露光、■白
色露光を行い表面電位を測定したところ以下に示す結果
を得た。
電を行った後＋５．５ ＫＶの２次コロナ帯電を施し次
いで■露光なし、■赤色フィルターを介した露光、■白
色露光を行い表面電位を測定したところ以下に示す結果
を得た。
この表における本発明品と比較品間の赤色都電位差は実
施例１における負帯電電位差に相当することがわかる。
施例１における負帯電電位差に相当することがわかる。
従って本発明のＮ１−Ｎ中間層の介在により基体からの
正孔の注入性が改善され、２色カラー感光体の赤色部電
位の増加を達成することができる。
正孔の注入性が改善され、２色カラー感光体の赤色部電
位の増加を達成することができる。
以上のようにして構成された本発明の電子写真感光体は
無電解Ｎ１−Ｎ中間層の存在により光導電層の静電特性
を損うことなく基体からの正孔の注入効率を大巾に増加
させることができる。
無電解Ｎ１−Ｎ中間層の存在により光導電層の静電特性
を損うことなく基体からの正孔の注入効率を大巾に増加
させることができる。
したがって、２色カラー複写用複合感光体の要求特性を
充分満足する。また、ヒドラジンを還元剤とする無電解
メッキ法によるＮ１−Ｎ中間層は真空蒸着法などの他の
成膜法に比較し容易に形成することができ°ると共に他
の無電解ニッケルメッキ法に比較して不純物の少いｑ質
のＮ１膜を得ることもできる。
充分満足する。また、ヒドラジンを還元剤とする無電解
メッキ法によるＮ１−Ｎ中間層は真空蒸着法などの他の
成膜法に比較し容易に形成することができ°ると共に他
の無電解ニッケルメッキ法に比較して不純物の少いｑ質
のＮ１膜を得ることもできる。
第１図ないし第３図は本発明による電子写真感光体の層
構成例を示す断面図である。 １・・・導電性基体、２・・・Ｎ１薄膜中間層、３・・
・光導ｖｌＮｉｓ ４・・・＠１光導電層、５・・・第
２光導電層、６・・・電荷発生層、７・・・電荷輸送層
。 特許出願人 株式会社 リ コ −
構成例を示す断面図である。 １・・・導電性基体、２・・・Ｎ１薄膜中間層、３・・
・光導ｖｌＮｉｓ ４・・・＠１光導電層、５・・・第
２光導電層、６・・・電荷発生層、７・・・電荷輸送層
。 特許出願人 株式会社 リ コ −
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ヒドラジンを還元剤とする無電解ニッケルメッキ法
で形成されたＮ１−Ｎ薄膜を被俊した導電性基体表面に
光導電層を設けたことを特徴とする、電子写真感光体。 ２）ヒドラジンを還元剤とする無電解ニッケルメッキ法
で形成されたＮ１−Ｎ薄膜を抜機した導電性基体表面に
第１光導電層および第２光導電層をこの順序で設けてな
り、さらに前記第１光導電層が少なくともその第２光導
電層を透過する有彩色光に対し感度を有しそして前記第
２光導電層がｂＪ視光領域の一部有彩色光に対し感電な
有し且つ他の有彩色光を透過することを特徴とする、電
子写真感光体。 ３）前記第２光専電層が電荷発生層と電荷輸送層との２
層からなることを特徴とする特許許請求の範囲第２項記
載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24552083A JPS60140358A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24552083A JPS60140358A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60140358A true JPS60140358A (ja) | 1985-07-25 |
Family
ID=17134902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24552083A Pending JPS60140358A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60140358A (ja) |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP24552083A patent/JPS60140358A/ja active Pending
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