JPS60131962A - 真空蒸着方法 - Google Patents
真空蒸着方法Info
- Publication number
- JPS60131962A JPS60131962A JP24035183A JP24035183A JPS60131962A JP S60131962 A JPS60131962 A JP S60131962A JP 24035183 A JP24035183 A JP 24035183A JP 24035183 A JP24035183 A JP 24035183A JP S60131962 A JPS60131962 A JP S60131962A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- substrate
- silver
- pattern
- particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 梶明の技術分野
本発明は真空蒸着方法、特に電荷を有する蒸発粒子の蒸
着パターンを基板に被着させる方法に閲する。
着パターンを基板に被着させる方法に閲する。
（ｂ） 技術の背景
真空中で蒸着物質を蒸発させ、その蒸発粒子を試料光１
１１１に被着させる真空蒸着は、半導体装置や集積回路
等の製造プロセスに広く利用されている龍錫やセレン塩
の決公飴梁Ｈブラス（＋＋”ｌけマイナス←）の電荷を
有することが知られている。
１１１に被着させる真空蒸着は、半導体装置や集積回路
等の製造プロセスに広く利用されている龍錫やセレン塩
の決公飴梁Ｈブラス（＋＋”ｌけマイナス←）の電荷を
有することが知られている。
（ｅ） 従来技術と問題点
第１図は銀パターンを被着させた基板の斜視図れている
。
。
第２図は銀パターン２をマスク蒸着手段で形成させる従
来方法を説明するための図である。第２図において、３
は蒸着用マスク、４は銀５を入れたボート、６は釧５の
蒸着粒子であり、裏返しされた基板１０表面（図示下面
）に亘ねたマスク３には蒸着パターンの透孔３ａがあけ
られ、その下方にボート４が対向し、それらはガラス等
にてなるべルジャー内に支持されている。
来方法を説明するための図である。第２図において、３
は蒸着用マスク、４は銀５を入れたボート、６は釧５の
蒸着粒子であり、裏返しされた基板１０表面（図示下面
）に亘ねたマスク３には蒸着パターンの透孔３ａがあけ
られ、その下方にボート４が対向し、それらはガラス等
にてなるべルジャー内に支持されている。
従って、前記ペルジャー内全適当な真空度にしたのち図
示しないヒータに通電してボート４ｔ−加熱すると、溶
融された銀５の粒子６は直線的に飛散し、基板１０表面
に銀パターン２が形成される。
示しないヒータに通電してボート４ｔ−加熱すると、溶
融された銀５の粒子６は直線的に飛散し、基板１０表面
に銀パターン２が形成される。
しかしながら、前記従来方法においてに、パターン’ｊ
Ｊ＋ｌｍｌー１ｆｆ者予曾ツ々電ｆ諷帖ヱａ請を赳羞イ
１ため、それを定期的に溶除する必侠があり、パターン
２が微細化されたときには基板１とマスク３との隙間に
蒸発粒子６が廻り込んでパターン精度が損われるととも
に、基板１とマスク３との位置−芯一 合が煩られしい欠点があった。
Ｊ＋ｌｍｌー１ｆｆ者予曾ツ々電ｆ諷帖ヱａ請を赳羞イ
１ため、それを定期的に溶除する必侠があり、パターン
２が微細化されたときには基板１とマスク３との隙間に
蒸発粒子６が廻り込んでパターン精度が損われるととも
に、基板１とマスク３との位置−芯一 合が煩られしい欠点があった。
なお、従来技術として被蒸着基板にレジストマスクを形
成させるリフトオフ法があル、該リフトオフ法は前述廻
シ込みが生じないため微細パターンの形成に利用されて
いるが、前記レジストマスクの形成及びその除去には多
くの１截を必要と１″る０ ・・ （ｄ） 発明の目的 □ 本発明の目的は、少なくとも一部の原子が電荷を壱する
蒸発粒子の蒸着パターンを形成させるのに際し、上記問
題点を除去Ｊ−ることである。
成させるリフトオフ法があル、該リフトオフ法は前述廻
シ込みが生じないため微細パターンの形成に利用されて
いるが、前記レジストマスクの形成及びその除去には多
くの１截を必要と１″る０ ・・ （ｄ） 発明の目的 □ 本発明の目的は、少なくとも一部の原子が電荷を壱する
蒸発粒子の蒸着パターンを形成させるのに際し、上記問
題点を除去Ｊ−ることである。
（ｅ） 発明の構成
上記目的は本発明によれば、少なくとも一部の原子が電
荷を有する蒸着粒子の蒸着マスクに、該電荷と同性の電
荷を誘起させて蒸着することを特徴とする真空蒸着方法
により達成される。
荷を有する蒸着粒子の蒸着マスクに、該電荷と同性の電
荷を誘起させて蒸着することを特徴とする真空蒸着方法
により達成される。
（ｆ） 発明の実施例
以下に図面を用いて本発明方法を説明する。
纂３図は本発明の一実施例を説明するための図であり、
１１は裏返しに支持された被蒸着用基板１２は基板１１
の表面（図示下面）に被着形成され電荷を保持し得る蒸
着用ネガマスク、１３は銀１４を入れたボート、１５は
鍋１４の蒸発粒子、直 １６はｆ流電源である。そして導体薄膜により形成され
基板１１の銀蒸着パターンを露呈せしめたマスク１２は
、負極をアースに接続した電源１６の正極に接続され、
例えば１５００Ｖの高電圧が印加される。
１１は裏返しに支持された被蒸着用基板１２は基板１１
の表面（図示下面）に被着形成され電荷を保持し得る蒸
着用ネガマスク、１３は銀１４を入れたボート、１５は
鍋１４の蒸発粒子、直 １６はｆ流電源である。そして導体薄膜により形成され
基板１１の銀蒸着パターンを露呈せしめたマスク１２は
、負極をアースに接続した電源１６の正極に接続され、
例えば１５００Ｖの高電圧が印加される。
従っ七、適当な真空算囲気中においてボート１３を加熱
すると、溶融された銀１４の蒸発粒子１５は直線的に飛
散する。しかし、公知されている如く銀を真空蒸着する
際に、その原子の一部はグラスイオンとなって蒸着され
るが、マスク１２をグラスに電荷しであるため飛散粒子
１５は同性荷電のマスク１２に被着されず基板１１の餌
呈表面に被着され、所要の銀パターンが得られる。
すると、溶融された銀１４の蒸発粒子１５は直線的に飛
散する。しかし、公知されている如く銀を真空蒸着する
際に、その原子の一部はグラスイオンとなって蒸着され
るが、マスク１２をグラスに電荷しであるため飛散粒子
１５は同性荷電のマスク１２に被着されず基板１１の餌
呈表面に被着され、所要の銀パターンが得られる。
なお上記実施例において、基板１１に銀パターンを被着
形成させるとともに、該パターンよりも薄い銀の蒸着層
をマスク１２の表ＩＩ＋ｉに被着させたいときは、マス
ク１２に印加する電圧及び基板１１の温度を選択するこ
とにより達成される反面、マスク１２の表間に薄く被着
された銀層及びマスク１２を除去するときはエツチング
によＶ溶去させることになる０ また上記実施列では、基板１１０表面にマスク１２を被
着させているが、第２図に示す如く基板（１１）とマス
ク（１２）ｅ別離しそのマスクを荷電させることにより
、マスクのクリーニング（再生）間隔及びマスク寿命は
大幅に延長される。
形成させるとともに、該パターンよりも薄い銀の蒸着層
をマスク１２の表ＩＩ＋ｉに被着させたいときは、マス
ク１２に印加する電圧及び基板１１の温度を選択するこ
とにより達成される反面、マスク１２の表間に薄く被着
された銀層及びマスク１２を除去するときはエツチング
によＶ溶去させることになる０ また上記実施列では、基板１１０表面にマスク１２を被
着させているが、第２図に示す如く基板（１１）とマス
ク（１２）ｅ別離しそのマスクを荷電させることにより
、マスクのクリーニング（再生）間隔及びマスク寿命は
大幅に延長される。
良にまた上記実施例では、銀の蒸着によＶ基板に７ｊ１
要のパターンを形成させているが、本発明は銀の蒸着に
限定されず、例えばセレン等の如く少なくとも一部の原
子が電荷を有する蒸発粒子の蒸着に適用されることを付
記する。
要のパターンを形成させているが、本発明は銀の蒸着に
限定されず、例えばセレン等の如く少なくとも一部の原
子が電荷を有する蒸発粒子の蒸着に適用されることを付
記する。
（ｇ） 発明の効果
以上ｍｌｌ明した９口〈本発明によれは、電荷を有する
蒸発粒子が同性に荷電されたマスクと反撥する現象を利
用し、マスクに蒸発粒子が利殖されないようにしたため
マスクの再生間隔及びマスク寿命が延長し、さらには導
体薄膜にてなるマスクを被蒸着基板に直接形成させるこ
とにより、基板とマスクとの隙間に蒸発粒子がＪｌｊＡ
ｔ）込むこと、及びマスク合ぜの煩られしさを従来のリ
フトオフ法よりも簡易に実現せしめ、かつ基板に直接蒸
着された部分とマスクの上に蒸着された部分とで厚さが
異なる蒸着層を一体に形成せしめ得た効果がある。
蒸発粒子が同性に荷電されたマスクと反撥する現象を利
用し、マスクに蒸発粒子が利殖されないようにしたため
マスクの再生間隔及びマスク寿命が延長し、さらには導
体薄膜にてなるマスクを被蒸着基板に直接形成させるこ
とにより、基板とマスクとの隙間に蒸発粒子がＪｌｊＡ
ｔ）込むこと、及びマスク合ぜの煩られしさを従来のリ
フトオフ法よりも簡易に実現せしめ、かつ基板に直接蒸
着された部分とマスクの上に蒸着された部分とで厚さが
異なる蒸着層を一体に形成せしめ得た効果がある。
第１図は銀パターンを被着させた基板の斜視図、第２図
は従来のマスク蒸着方法を説明するための図、第３図は
本発明の一実施例に係わる蒸着方法を説明するための図
である。 図において、１．１１は被蒸着基板、３．１２は蒸着マ
スク、６，１５は蒸発粒子、１６は直流電源を示す。 代理人 弁理士 松 岡 宏四部ｍ 第１図 １ ＃２囚 竿３図
は従来のマスク蒸着方法を説明するための図、第３図は
本発明の一実施例に係わる蒸着方法を説明するための図
である。 図において、１．１１は被蒸着基板、３．１２は蒸着マ
スク、６，１５は蒸発粒子、１６は直流電源を示す。 代理人 弁理士 松 岡 宏四部ｍ 第１図 １ ＃２囚 竿３図
Claims (2)
- （１）少なくとも一部の原子が゛電荷をゼする蒸発粒子
の蒸着マスクに、該電荷と同性の電荷全誘起させて蒸着
１−ることを特徴とする真空蒸着方法。 - （２）被蒸着基板の表向に前記マスクを被着形成するこ
とを特徴とする特許 記載した真空蒸着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24035183A JPS60131962A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | 真空蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24035183A JPS60131962A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | 真空蒸着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60131962A true JPS60131962A (ja) | 1985-07-13 |
Family
ID=17058192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24035183A Pending JPS60131962A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | 真空蒸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60131962A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101188757B1 (ko) | 2008-10-14 | 2012-10-10 | 주식회사 엘지화학 | 선 격자 편광자의 제조 방법 |
-
1983
- 1983-12-20 JP JP24035183A patent/JPS60131962A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101188757B1 (ko) | 2008-10-14 | 2012-10-10 | 주식회사 엘지화학 | 선 격자 편광자의 제조 방법 |
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